JP2000031364A - インナーリードおよびその曲げ加工方法 - Google Patents
インナーリードおよびその曲げ加工方法Info
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- JP2000031364A JP2000031364A JP20047098A JP20047098A JP2000031364A JP 2000031364 A JP2000031364 A JP 2000031364A JP 20047098 A JP20047098 A JP 20047098A JP 20047098 A JP20047098 A JP 20047098A JP 2000031364 A JP2000031364 A JP 2000031364A
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- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
- Wire Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体パッケージを構成するリードフレームの
インナーリードであって、特に、小型化、薄型化を志向
するＱＯＮパッケージ仕様のインナーリードにおいてそ
の曲げ部より急角度で曲げることが可能で、この曲げ部
にモールド樹脂の樹脂バリの発生がなく、端子の長さが
確保できる実装性に優れたインナーリードを提供するこ
とにある。 【解決手段】半導体パッケージを構成するリードフレー
ムのインナーリード１０において、該インナーリード１
０の表面曲げ部１０ａで幅方向に平行にＶ溝１４を施し
てなり、このＶ溝１４が施されたインナーリード１０の
曲げ部１０Ａを２回曲げにより急角度θで曲げてなるイ
ンナーリードの曲げ加工方法としたものである。
インナーリードであって、特に、小型化、薄型化を志向
するＱＯＮパッケージ仕様のインナーリードにおいてそ
の曲げ部より急角度で曲げることが可能で、この曲げ部
にモールド樹脂の樹脂バリの発生がなく、端子の長さが
確保できる実装性に優れたインナーリードを提供するこ
とにある。 【解決手段】半導体パッケージを構成するリードフレー
ムのインナーリード１０において、該インナーリード１
０の表面曲げ部１０ａで幅方向に平行にＶ溝１４を施し
てなり、このＶ溝１４が施されたインナーリード１０の
曲げ部１０Ａを２回曲げにより急角度θで曲げてなるイ
ンナーリードの曲げ加工方法としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
を構成するリードフレームのインナーリードに関するも
のであり、特に、ＱＯＮ（Ｑｕａｄ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ仕様のインナーリードの曲
げ加工に関する。
を構成するリードフレームのインナーリードに関するも
のであり、特に、ＱＯＮ（Ｑｕａｄ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ仕様のインナーリードの曲
げ加工に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体パッケージは、実装密度の
向上とともに小型化、薄型化され、特に、Ｑｕａｄ Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ（以降ＱＯＮと略す）パ
ッケージやＳｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａ
ｄ（以降ＳＯＮと略す）パッケージにおいては、リード
を下面に配置することで従来のＳＳＯＰ（Ｓｈｒｉｎｋ
Ｓｍａｌｌ Ｐａｃｋａｇｅ）に較べ実装面で大幅に縮
小され、優れた電気特性を発揮する小型パッケージが実
現されている。
向上とともに小型化、薄型化され、特に、Ｑｕａｄ Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ（以降ＱＯＮと略す）パ
ッケージやＳｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａ
ｄ（以降ＳＯＮと略す）パッケージにおいては、リード
を下面に配置することで従来のＳＳＯＰ（Ｓｈｒｉｎｋ
Ｓｍａｌｌ Ｐａｃｋａｇｅ）に較べ実装面で大幅に縮
小され、優れた電気特性を発揮する小型パッケージが実
現されている。
【０００３】上記のように小型化、薄型化に伴い、ＱＯ
Ｎパッケージ仕様のリードフレームでは、そのインナー
リードの曲げ加工が必要となり、その曲げ部の角度や形
状にも厳しい要求がなされ、従来の１回で曲げる方式で
はこの要求を満たす曲げ角度等を含めた形状のインナー
リードを得るのは困難であった。
Ｎパッケージ仕様のリードフレームでは、そのインナー
リードの曲げ加工が必要となり、その曲げ部の角度や形
状にも厳しい要求がなされ、従来の１回で曲げる方式で
はこの要求を満たす曲げ角度等を含めた形状のインナー
リードを得るのは困難であった。
【０００４】具体的には、図４に示すように、従来のＱ
ＯＮパッケージ（２）におけるインナーリード（１０）
の曲げ部（１０ａ）での曲げ角度（θ）が６０°までが
限界であり、したがってその曲げ部（１０ａ）の形状が
Ｒ形状となり、そのＲ形状の曲げ部（１０ａ）に、樹脂
モールドの際にモールド樹脂（２０）の樹脂バリ（２０
ａ）が発生し、その樹脂バリ（２０ａ）のため仕様に適
合した端子の長さ（Ｌ）が確保できないという問題があ
った。
ＯＮパッケージ（２）におけるインナーリード（１０）
の曲げ部（１０ａ）での曲げ角度（θ）が６０°までが
限界であり、したがってその曲げ部（１０ａ）の形状が
Ｒ形状となり、そのＲ形状の曲げ部（１０ａ）に、樹脂
モールドの際にモールド樹脂（２０）の樹脂バリ（２０
ａ）が発生し、その樹脂バリ（２０ａ）のため仕様に適
合した端子の長さ（Ｌ）が確保できないという問題があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の問題点を解決するものであり、その課題とすると
ころは、半導体パッケージを構成するリードフレームの
インナーリードにおいて、特に、小型化、薄型化を志向
するＱＯＮ（Ｑｕａｄ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａ
ｄ）パッケージ仕様のインナーリードにおける曲げ部よ
り急角度で曲げることが可能で、この曲げ部にモールド
樹脂の樹脂バリの発生がなく、端子の長さが確保できる
実装性に優れたインナーリードを提供することにある。
技術の問題点を解決するものであり、その課題とすると
ころは、半導体パッケージを構成するリードフレームの
インナーリードにおいて、特に、小型化、薄型化を志向
するＱＯＮ（Ｑｕａｄ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａ
ｄ）パッケージ仕様のインナーリードにおける曲げ部よ
り急角度で曲げることが可能で、この曲げ部にモールド
樹脂の樹脂バリの発生がなく、端子の長さが確保できる
実装性に優れたインナーリードを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１の発明では、半導体パ
ッケージを構成するリードフレームのインナーリードに
おいて、該インナーリードの表面曲げ部で幅方向に平行
にＶ溝を施してなることを特徴とするインナーリードと
したものである。
を達成するために、まず請求項１の発明では、半導体パ
ッケージを構成するリードフレームのインナーリードに
おいて、該インナーリードの表面曲げ部で幅方向に平行
にＶ溝を施してなることを特徴とするインナーリードと
したものである。
【０００７】また、請求項２の発明では、前記請求項１
記載のＶ溝が施されたインナーリードの曲げ部を、仮曲
げ、本曲げの２回曲げにより急角度で曲げてなることを
特徴とするインナーリードの曲げ加工方法としたもので
ある。
記載のＶ溝が施されたインナーリードの曲げ部を、仮曲
げ、本曲げの２回曲げにより急角度で曲げてなることを
特徴とするインナーリードの曲げ加工方法としたもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。本発明の半導体パッケージ、特にＱＯＮパッケージ
におけるインナーリードは、図１に示すように、そのイ
ンナーリード（１０）の表面曲げ部（１０ａ）で幅方向
に平行にＶ溝（１４）を施してなることを特徴とするも
のである。
る。本発明の半導体パッケージ、特にＱＯＮパッケージ
におけるインナーリードは、図１に示すように、そのイ
ンナーリード（１０）の表面曲げ部（１０ａ）で幅方向
に平行にＶ溝（１４）を施してなることを特徴とするも
のである。
【０００９】また、請求項２の発明は、図２（ａ）に示
すようなインナーリード（１０）の表面（１０ｂ）の曲
げ部（１０ａ）に、図２（ｂ）に示すように、幅方向に
平行にＶ溝（１４）が施されたインナーリード（１０）
を、図２（ｃ）に示すように、曲げ部（１０ａ）を起点
として仮曲げを行い、図２（ｄ）に示すように、本曲げ
を行う２回曲げにより曲げ部（１０ａ）で急角度を有す
るインナーリード（１０）の曲げ加工方法とするもので
ある。
すようなインナーリード（１０）の表面（１０ｂ）の曲
げ部（１０ａ）に、図２（ｂ）に示すように、幅方向に
平行にＶ溝（１４）が施されたインナーリード（１０）
を、図２（ｃ）に示すように、曲げ部（１０ａ）を起点
として仮曲げを行い、図２（ｄ）に示すように、本曲げ
を行う２回曲げにより曲げ部（１０ａ）で急角度を有す
るインナーリード（１０）の曲げ加工方法とするもので
ある。
【００１０】上記Ｖ溝（１４）の深さは、インナーリー
ド（１０）の厚さによっても異なるが、一般的には３０
μｍ前後が好適な値であり、これより深いとインナーリ
ード（１０）の曲げ部（１０ａ）より切れる恐れがあ
り、浅いとＶ溝（１４）効果すなわちモールド樹脂（２
０）の樹脂バリの発生の防止と、急角度曲げが困難とな
るものである。
ド（１０）の厚さによっても異なるが、一般的には３０
μｍ前後が好適な値であり、これより深いとインナーリ
ード（１０）の曲げ部（１０ａ）より切れる恐れがあ
り、浅いとＶ溝（１４）効果すなわちモールド樹脂（２
０）の樹脂バリの発生の防止と、急角度曲げが困難とな
るものである。
【００１１】以上のようなインナーリード（１０）とす
ることによって、インナーリード（１０）の曲げ部（１
０ａ）を起点としてＲがなく、曲げ角度（θ）８０°位
にシャープに曲げることができ、特に小型化、薄型化を
志向しているＱＯＮパッケージ（２）仕様に適合したイ
ンナーリード（１０）とすることができる。
ることによって、インナーリード（１０）の曲げ部（１
０ａ）を起点としてＲがなく、曲げ角度（θ）８０°位
にシャープに曲げることができ、特に小型化、薄型化を
志向しているＱＯＮパッケージ（２）仕様に適合したイ
ンナーリード（１０）とすることができる。
【００１２】さらにまた、上記曲げ部（１０ａ）でのＶ
溝（１４）により、図１に示すように、モールド時にモ
ールド樹脂（２０）をせき止め、従来のような樹脂バリ
の発生がなく、端子の長さ（Ｌ）を長くとることができ
実装性に優れたインナーリード（１０）とすることがで
きる。
溝（１４）により、図１に示すように、モールド時にモ
ールド樹脂（２０）をせき止め、従来のような樹脂バリ
の発生がなく、端子の長さ（Ｌ）を長くとることができ
実装性に優れたインナーリード（１０）とすることがで
きる。
【００１３】本発明のインナーリード（１０）は、ＱＯ
Ｎパッケージ（２）やＳＯＮパッケージのみならず、各
種半導体パッケージにも適用できるものである。
Ｎパッケージ（２）やＳＯＮパッケージのみならず、各
種半導体パッケージにも適用できるものである。
【００１４】以下に本発明のインナーリード（１０）と
するための２回曲げ（仮曲げ、本曲げ）等につき、図３
を用いて具体的に説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、Ｖ溝形成用ダイ（Ｄａ）上にインナーリード（１
０）を載置し、Ｖ溝形成用パンチ（Ｐａ）でプレスして
インナーリード（１０）の曲げ部にＶ溝（１４）を形成
する。このＶ溝（１４）形成を四角状のリードフレーム
の縦方向と横方向に繰り返す。
するための２回曲げ（仮曲げ、本曲げ）等につき、図３
を用いて具体的に説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、Ｖ溝形成用ダイ（Ｄａ）上にインナーリード（１
０）を載置し、Ｖ溝形成用パンチ（Ｐａ）でプレスして
インナーリード（１０）の曲げ部にＶ溝（１４）を形成
する。このＶ溝（１４）形成を四角状のリードフレーム
の縦方向と横方向に繰り返す。
【００１５】続いて、図３（ｂ）に示すように、上記で
Ｖ溝（１４）の施されたインナーリード（１０）を仮曲
げ用ダイ（Ｄｂ）上に載置し、その上から仮曲げ用パン
チ（Ｐｂ）にて、縦方向、横方向に繰り返しプレスして
仮曲げする。
Ｖ溝（１４）の施されたインナーリード（１０）を仮曲
げ用ダイ（Ｄｂ）上に載置し、その上から仮曲げ用パン
チ（Ｐｂ）にて、縦方向、横方向に繰り返しプレスして
仮曲げする。
【００１６】続いてベットの押し下げ工程（図示せず）
を経て、図３（ｃ）に示すように、本曲げ用ダイ（Ｄ
ｃ）上のインナーリード（１０）を本曲げ用プレス（Ｐ
ｃ）によって、本曲げをプレスして本曲げを行い、曲げ
角度（θ）を約８０°にし、インナーリード（１０）の
先端部（１０ｓ）が水平になるようにする。
を経て、図３（ｃ）に示すように、本曲げ用ダイ（Ｄ
ｃ）上のインナーリード（１０）を本曲げ用プレス（Ｐ
ｃ）によって、本曲げをプレスして本曲げを行い、曲げ
角度（θ）を約８０°にし、インナーリード（１０）の
先端部（１０ｓ）が水平になるようにする。
【００１７】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、半導体パッケージを構成す
るリードフレームのインナーリードにおいて、該インナ
ーリードの表面曲げ部で幅方向に平行にＶ溝を施してな
り、このＶ溝が施されたインナーリードの曲げ部を２回
曲げにより急角度で曲げてなるインナーリードとしする
ことによって、インナーリードの曲げ部にＲがなく、曲
げ角度８０°位にシャープに曲げることができ、特に小
型化、薄型化を志向しているＱＯＮパッケージ仕様に適
合したインナーリードとすることができる。
示す如き効果がある。即ち、半導体パッケージを構成す
るリードフレームのインナーリードにおいて、該インナ
ーリードの表面曲げ部で幅方向に平行にＶ溝を施してな
り、このＶ溝が施されたインナーリードの曲げ部を２回
曲げにより急角度で曲げてなるインナーリードとしする
ことによって、インナーリードの曲げ部にＲがなく、曲
げ角度８０°位にシャープに曲げることができ、特に小
型化、薄型化を志向しているＱＯＮパッケージ仕様に適
合したインナーリードとすることができる。
【００１８】さらに、上記曲げ部でのＶ溝により、モー
ルド時にモールド樹脂をせき止め、従来のような樹脂バ
リの発生がなく、端子の長さを長くとることができ実装
性に優れたインナーリードとすることができる。
ルド時にモールド樹脂をせき止め、従来のような樹脂バ
リの発生がなく、端子の長さを長くとることができ実装
性に優れたインナーリードとすることができる。
【００１９】従って本発明のインナーリードは、特にＱ
ＯＮパッケージの如き小型化、薄型化志向の半導体パッ
ケージにおいて、優れた実用上の効果を発揮する。
ＯＮパッケージの如き小型化、薄型化志向の半導体パッ
ケージにおいて、優れた実用上の効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施の形態を示すＱＯＮパッケージ
を、側断面で表した説明図である。
を、側断面で表した説明図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示すインナーリードの
曲げ工程を斜視図で表した説明図であり、（ａ）は、Ｖ
溝を施す前のインナーリード、（ｂ）は、曲げ部の起点
となるＶ溝を施したインナーリード、（ｃ）は、仮曲げ
を行ったインナーリード、（ｄ）は、本曲げを行ったイ
ンナーリードである。
曲げ工程を斜視図で表した説明図であり、（ａ）は、Ｖ
溝を施す前のインナーリード、（ｂ）は、曲げ部の起点
となるＶ溝を施したインナーリード、（ｃ）は、仮曲げ
を行ったインナーリード、（ｄ）は、本曲げを行ったイ
ンナーリードである。
【図３】本発明のインナーリードの仮曲げの一実施の形
態を示す正面図であり、（ａ）は、Ｖ溝加工工程、
（ｂ）は、仮曲げ工程、（ｃ）は、本曲げ工程である。
態を示す正面図であり、（ａ）は、Ｖ溝加工工程、
（ｂ）は、仮曲げ工程、（ｃ）は、本曲げ工程である。
【図４】本発明に係わる従来のＱＯＮパッケージのイン
ナーリードの一形態を示す側断面図である。
ナーリードの一形態を示す側断面図である。
２‥‥ＱＯＮパッケージ １０‥‥インナーリード １０ａ‥‥曲げ部 １０ｂ‥‥インナーリードの表面 １０ｓ‥‥インナーリードの先端部 １４‥‥Ｖ溝 ２０‥‥モールド樹脂 ２０ａ‥‥樹脂バリ ２２‥‥チップ Ｄａ‥‥Ｖ溝形成用ダイ Ｄｂ‥‥仮曲げ用ダイ Ｄｃ‥‥本曲げ用ダイ Ｐａ‥‥Ｖ溝形成用パンチ Ｐｂ‥‥仮曲げ用パンチ Ｐｃ‥‥本曲げ用パンチ θ‥‥曲げ角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２１Ｆ 1/00 Ｂ２１Ｆ 1/00 Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体パッケージを構成するリードフレー
ムのインナーリードであって、該インナーリードの表面
曲げ部で幅方向に平行にＶ溝を施してなることを特徴と
するインナーリード。 - 【請求項２】前記請求項１記載のＶ溝が施されたインナ
ーリードの曲げ部を、仮曲げ、本曲げの２回曲げにより
急角度で曲げてなることを特徴とするインナーリードの
曲げ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20047098A JP2000031364A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | インナーリードおよびその曲げ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20047098A JP2000031364A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | インナーリードおよびその曲げ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031364A true JP2000031364A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16424862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20047098A Pending JP2000031364A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | インナーリードおよびその曲げ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1328023A3 (en) * | 2002-01-09 | 2004-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame, method for manufacturing the same, resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1998
- 1998-07-15 JP JP20047098A patent/JP2000031364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1328023A3 (en) * | 2002-01-09 | 2004-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame, method for manufacturing the same, resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
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