JP2000031324A - 電子部品の構造 - Google Patents
電子部品の構造Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップを搭載した電子部品の構造にお
いて、前記半導体チップに樹脂コートをより短時間で施
すのに好適な構造を提供すること。 【解決手段】 電子部品の基板には、予め半導体チップ
の搭載位置を包囲する環状の導電パターンを備えてお
り、該導電パターン上に半田を積層することにより凸状
の半田堤を形成し、該半田堤の内側に樹脂を吐出して樹
脂コートを施す構造とした。
いて、前記半導体チップに樹脂コートをより短時間で施
すのに好適な構造を提供すること。 【解決手段】 電子部品の基板には、予め半導体チップ
の搭載位置を包囲する環状の導電パターンを備えてお
り、該導電パターン上に半田を積層することにより凸状
の半田堤を形成し、該半田堤の内側に樹脂を吐出して樹
脂コートを施す構造とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の構造に関
し、特に電子回路を備えた半導体チップ上に樹脂コート
を施した電子部品の構造に関する。
し、特に電子回路を備えた半導体チップ上に樹脂コート
を施した電子部品の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信、ディジタル通信網や
コンピュータ関連機器の進展にはめざましいものがあ
り、これらの機器に用いられる多くの電子部品は小型化
及び軽薄化がますます進んでいる。これら数多い電子部
品の中で、特に携帯電話等の情報端末機器に用いられて
いる重要な電子部品の一つに温度補償水晶発振器（ＴＣ
ＸＯ）がある。この温度補償水晶発振器の技術分野にお
いては、最近になり温度補償型水晶発振器に好適な専用
集積回路が開発され、それを用いた温度補償型水晶発振
器が実用化さている。
コンピュータ関連機器の進展にはめざましいものがあ
り、これらの機器に用いられる多くの電子部品は小型化
及び軽薄化がますます進んでいる。これら数多い電子部
品の中で、特に携帯電話等の情報端末機器に用いられて
いる重要な電子部品の一つに温度補償水晶発振器（ＴＣ
ＸＯ）がある。この温度補償水晶発振器の技術分野にお
いては、最近になり温度補償型水晶発振器に好適な専用
集積回路が開発され、それを用いた温度補償型水晶発振
器が実用化さている。
【０００３】図７は、従来の温度補償型水晶発振器の構
造を図示したもので、同図（ａ）は内部構造を示す斜視
図であり、同図（ｂ）は半導体チップの搭載状態を示し
たＡ−Ａ断面構造図である。図中の１はセラミック製の
基板であり、該基板１上に水晶振動子２といくつかのチ
ップコンデンサ３を半田付けによって搭載している。ま
た、図中４は絶縁性の樹脂によって基板１上に搭載した
半導体チップを樹脂コートしたものであり、その内部は
同図（ｂ）に図示した様に基板１の上に半導体チップ５
をワイヤボンディング法により搭載し、その上を樹脂コ
ート４で被うよう構成している。なお、この半導体チッ
プは、発振器を構成する発振回路と温度補償回路とを含
むものである。上記構造としたことにより温度補償型水
晶発振器は、大きさが全体として例えば横７×縦９×高
さ２〔ｍｍ〕と非常に小型に構成することが可能となっ
た。
造を図示したもので、同図（ａ）は内部構造を示す斜視
図であり、同図（ｂ）は半導体チップの搭載状態を示し
たＡ−Ａ断面構造図である。図中の１はセラミック製の
基板であり、該基板１上に水晶振動子２といくつかのチ
ップコンデンサ３を半田付けによって搭載している。ま
た、図中４は絶縁性の樹脂によって基板１上に搭載した
半導体チップを樹脂コートしたものであり、その内部は
同図（ｂ）に図示した様に基板１の上に半導体チップ５
をワイヤボンディング法により搭載し、その上を樹脂コ
ート４で被うよう構成している。なお、この半導体チッ
プは、発振器を構成する発振回路と温度補償回路とを含
むものである。上記構造としたことにより温度補償型水
晶発振器は、大きさが全体として例えば横７×縦９×高
さ２〔ｍｍ〕と非常に小型に構成することが可能となっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記樹脂コート４は、
半導体チップの表面及びワイヤボンディング部を埃や腐
食から保護するとともに、耐衝撃性や耐振動性を確保す
る上で重要である。そして、この樹脂コート４を形成す
る際には、樹脂が基板１の外側に流出しないよう、ま
た、基板１上のパッド部を覆い隠すことの無いよう塗布
しなければならない。しかしながら、小さい領域内に樹
脂を塗布する必要性から、ディスペンサと細いニードル
の使用が不可欠であり、しかも細いニードルから粘性の
大きい樹脂を少しずつ吐出しているので半導体チップ全
体を樹脂で被うまでに、約３０秒以上もの非常に長い時
間を費やさなければならないという欠点があった。この
ように樹脂コートを施す工程が温度補償水晶発振器の全
体の生産性を非常に悪いものとしており、量産化を困難
なものにしていた。
半導体チップの表面及びワイヤボンディング部を埃や腐
食から保護するとともに、耐衝撃性や耐振動性を確保す
る上で重要である。そして、この樹脂コート４を形成す
る際には、樹脂が基板１の外側に流出しないよう、ま
た、基板１上のパッド部を覆い隠すことの無いよう塗布
しなければならない。しかしながら、小さい領域内に樹
脂を塗布する必要性から、ディスペンサと細いニードル
の使用が不可欠であり、しかも細いニードルから粘性の
大きい樹脂を少しずつ吐出しているので半導体チップ全
体を樹脂で被うまでに、約３０秒以上もの非常に長い時
間を費やさなければならないという欠点があった。この
ように樹脂コートを施す工程が温度補償水晶発振器の全
体の生産性を非常に悪いものとしており、量産化を困難
なものにしていた。
【０００５】この欠点の解決手段として、例えば基板を
凹型構造にすると共に凹部内に半導体チップを搭載し、
凹部内に樹脂を充填するようにして樹脂コートするとい
う手法も考えられるが、基板が薄くなってしまうため基
板の割れやクラック等が発生してしまう問題がある。ま
た、予め基板上にガラスやセラミック等の絶縁膜によっ
て凸型の堤を形成しておき、堤の内側に樹脂を充填する
ようにして樹脂コートする手法が考えられる。しかし、
太いニードルを用いて、より短時間に樹脂コートを施そ
うとすると、前記堤を厚く設けることが必要となるが、
そのような突起が部品を搭載する前の基板上に存在する
と、基板上に部品を実装する際に、基板上にクリーム半
田をスクリーン印刷法によって印刷するとき、メタルマ
スクが基板と密着できずに隙間が生じるため、クリーム
半田の印刷精度が悪くなってしまうという問題がある。
凹型構造にすると共に凹部内に半導体チップを搭載し、
凹部内に樹脂を充填するようにして樹脂コートするとい
う手法も考えられるが、基板が薄くなってしまうため基
板の割れやクラック等が発生してしまう問題がある。ま
た、予め基板上にガラスやセラミック等の絶縁膜によっ
て凸型の堤を形成しておき、堤の内側に樹脂を充填する
ようにして樹脂コートする手法が考えられる。しかし、
太いニードルを用いて、より短時間に樹脂コートを施そ
うとすると、前記堤を厚く設けることが必要となるが、
そのような突起が部品を搭載する前の基板上に存在する
と、基板上に部品を実装する際に、基板上にクリーム半
田をスクリーン印刷法によって印刷するとき、メタルマ
スクが基板と密着できずに隙間が生じるため、クリーム
半田の印刷精度が悪くなってしまうという問題がある。
【０００６】本発明は上述した問題を解決するためにな
されたものであり、半導体チップを短時間のうちに樹脂
コートを施すことが可能な電子部品の構造を実現するこ
とを目的としている。
されたものであり、半導体チップを短時間のうちに樹脂
コートを施すことが可能な電子部品の構造を実現するこ
とを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】少なくとも一つの半導体
チップを含む電子回路を基板上に搭載した電子部品にお
いて、前記基板は、前記半導体チップの搭載位置を包囲
する環状の導電パターンを備えており、該導電パターン
上に半田を付着させることにより半田堤を形成し、該半
田堤の内側に樹脂コートを施したことを特徴とした。ま
た、前記半導体チップの搭載位置の周囲に少なくとも１
つの所要長の導電パターンを備えており、該導電パター
ン上に半田を付着させることにより半田堤を形成し、該
半田堤の内側に樹脂コートを施したことを特徴とした。
チップを含む電子回路を基板上に搭載した電子部品にお
いて、前記基板は、前記半導体チップの搭載位置を包囲
する環状の導電パターンを備えており、該導電パターン
上に半田を付着させることにより半田堤を形成し、該半
田堤の内側に樹脂コートを施したことを特徴とした。ま
た、前記半導体チップの搭載位置の周囲に少なくとも１
つの所要長の導電パターンを備えており、該導電パター
ン上に半田を付着させることにより半田堤を形成し、該
半田堤の内側に樹脂コートを施したことを特徴とした。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図示した実施形態例に基づ
いて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明による温
度補償水晶発振器の一形態例を示す図であり、同図
（ａ）は内部構造を示した図であり、同図（ｂ）は半導
体チップの搭載状態を示したＢ−Ｂ断面構造図である。
図中７はセラミック製の積層基板であり、該基板７上に
水晶振動子８といくつかのチップコンデンサ９を半田付
けによって搭載する。また、図中１０は絶縁性の樹脂に
よって樹脂コートしたものであり、その内部は同図
（ｂ）に示した様に、前記基板７の上に半導体チップ１
１をワイヤボンディングにより搭載し、その周囲を囲う
ように半田堤１２を設け、該半田堤１２の内側に樹脂コ
ート１０を施すよう構成する。図２は、前記基板７にお
ける部品搭載面の導電パターンの一形態例であり、水晶
振動子８を搭載するための導電パターン１３と、チップ
コンデンサ９を搭載するための導電パターン１４と、半
導体チップを搭載するための導電パターン１５と、半田
堤を形成するための導電パターン１６とから構成する。
図３は、前記基板７の部品搭載面の導電パターンに、ク
リーム半田を塗布する時に使用するメタルマスクのパタ
ーン例である。
いて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明による温
度補償水晶発振器の一形態例を示す図であり、同図
（ａ）は内部構造を示した図であり、同図（ｂ）は半導
体チップの搭載状態を示したＢ−Ｂ断面構造図である。
図中７はセラミック製の積層基板であり、該基板７上に
水晶振動子８といくつかのチップコンデンサ９を半田付
けによって搭載する。また、図中１０は絶縁性の樹脂に
よって樹脂コートしたものであり、その内部は同図
（ｂ）に示した様に、前記基板７の上に半導体チップ１
１をワイヤボンディングにより搭載し、その周囲を囲う
ように半田堤１２を設け、該半田堤１２の内側に樹脂コ
ート１０を施すよう構成する。図２は、前記基板７にお
ける部品搭載面の導電パターンの一形態例であり、水晶
振動子８を搭載するための導電パターン１３と、チップ
コンデンサ９を搭載するための導電パターン１４と、半
導体チップを搭載するための導電パターン１５と、半田
堤を形成するための導電パターン１６とから構成する。
図３は、前記基板７の部品搭載面の導電パターンに、ク
リーム半田を塗布する時に使用するメタルマスクのパタ
ーン例である。
【０００９】上記構造の温度補償発振器は、次に説明す
るような工程で部品搭載を行なうことができる。第1の
工程として、基板７上にクリーム半田をスクリーン印刷
によって図３に図示したマスクパターンによって塗布
し、水晶振動子８とチップコンデンサ９を搭載した後、
リフロー炉にて半田付けを行なう。このとき、基板７の
堤用導電パターン１６上には破線状にクリーム半田が塗
布されるが、リフロー炉内でクリーム半田が溶融する
と、半田の濡れ性によって堤用導電パターン１６全体に
広がり、リフロー後には、図４に図示した様に水晶振動
子８とチップコンデンサ９が基板搭載されるとともに、
導電パターン１６の上には凸状になった半田堤１２が形
成される。
るような工程で部品搭載を行なうことができる。第1の
工程として、基板７上にクリーム半田をスクリーン印刷
によって図３に図示したマスクパターンによって塗布
し、水晶振動子８とチップコンデンサ９を搭載した後、
リフロー炉にて半田付けを行なう。このとき、基板７の
堤用導電パターン１６上には破線状にクリーム半田が塗
布されるが、リフロー炉内でクリーム半田が溶融する
と、半田の濡れ性によって堤用導電パターン１６全体に
広がり、リフロー後には、図４に図示した様に水晶振動
子８とチップコンデンサ９が基板搭載されるとともに、
導電パターン１６の上には凸状になった半田堤１２が形
成される。
【００１０】第２の工程としては、前記第1の工程で発
生したフラックス残さや半田飛沫などを除去するために
洗浄を行なう。第３の工程としては、基板１の上に半導
体チップ４を搭載し、ワイヤボンディングにて電気的に
接続する。第４の工程としては、半田堤の内側に半導体
チップ４を被うように樹脂を吐出させた後、硬化させて
樹脂コートを形成する。
生したフラックス残さや半田飛沫などを除去するために
洗浄を行なう。第３の工程としては、基板１の上に半導
体チップ４を搭載し、ワイヤボンディングにて電気的に
接続する。第４の工程としては、半田堤の内側に半導体
チップ４を被うように樹脂を吐出させた後、硬化させて
樹脂コートを形成する。
【００１１】以上の工程によって温度補償型水晶発振器
を構成する部品の搭載と樹脂コートを形成することがで
きる。このように樹脂コートを施す第４の工程では、前
記第１の工程で形成された半田堤の内側に樹脂を吐出す
るだけであるからディスペンサのニードル口径を従来よ
り太くした上で吐出スピードを大きくしても堤の外側に
樹脂が流出しない。実際には数秒程度の短時間で樹脂を
吐出しても、半田堤をはみ出すことなく所望の範囲に樹
脂コートを施すことができる。さらには、半田堤を形成
するための手順が前記第１の工程の中においてチップコ
ンデンサ等の部品を搭載して半田付けを行なう一連の手
順の中に含まれており、特に堤を形成するための時間と
生産設備を必要としていない。このように、本発明の構
造によれば、部品搭載の工程全体を見ても樹脂コートを
施すための所要時間が従来より大きく短縮されたため、
効率良く生産することができる。
を構成する部品の搭載と樹脂コートを形成することがで
きる。このように樹脂コートを施す第４の工程では、前
記第１の工程で形成された半田堤の内側に樹脂を吐出す
るだけであるからディスペンサのニードル口径を従来よ
り太くした上で吐出スピードを大きくしても堤の外側に
樹脂が流出しない。実際には数秒程度の短時間で樹脂を
吐出しても、半田堤をはみ出すことなく所望の範囲に樹
脂コートを施すことができる。さらには、半田堤を形成
するための手順が前記第１の工程の中においてチップコ
ンデンサ等の部品を搭載して半田付けを行なう一連の手
順の中に含まれており、特に堤を形成するための時間と
生産設備を必要としていない。このように、本発明の構
造によれば、部品搭載の工程全体を見ても樹脂コートを
施すための所要時間が従来より大きく短縮されたため、
効率良く生産することができる。
【００１２】他の実施形態例としては、以下に説明する
ようなものがある。半田堤の形成については、上述した
実施形態例の如く半導体チップの周囲の全てにわたって
堤を形成するのが望ましいが、要は樹脂が流れ出しては
不都合な個所にのみ堤を設ければよいのであって、例え
ば樹脂がチップコンデンサや水晶振動子等に付着しても
使用上問題が生じないので、例えば図５の実施形態例に
図示した様に基板周縁部に漏出しやすい個所、例えば図
中の１７の個所にのみ所定の長さを有する半田堤を設け
てもよい。
ようなものがある。半田堤の形成については、上述した
実施形態例の如く半導体チップの周囲の全てにわたって
堤を形成するのが望ましいが、要は樹脂が流れ出しては
不都合な個所にのみ堤を設ければよいのであって、例え
ば樹脂がチップコンデンサや水晶振動子等に付着しても
使用上問題が生じないので、例えば図５の実施形態例に
図示した様に基板周縁部に漏出しやすい個所、例えば図
中の１７の個所にのみ所定の長さを有する半田堤を設け
てもよい。
【００１３】また、樹脂の粘性が十分にある場合には、
例えば図６の実施形態例に図示した様に、堤１８を破線
状に設けたとしても本発明の効果を得ることができる。
これらのような実施形態例の場合、堤の長さと間隔は樹
脂の粘性に応じて適当な範囲に設定すればよい。図５あ
るいは図６のように半田堤を間欠的に形成することによ
って、堤と堤の間隙に回路の導電パターンを設けること
が可能であり、半導体チップと周辺のチップコンデンサ
や水晶振動子との配線を基板の中間層を利用することな
く実現できるので、スルーホールの数が減り、基板の積
層数を少なくすることもできる等の特徴がある。
例えば図６の実施形態例に図示した様に、堤１８を破線
状に設けたとしても本発明の効果を得ることができる。
これらのような実施形態例の場合、堤の長さと間隔は樹
脂の粘性に応じて適当な範囲に設定すればよい。図５あ
るいは図６のように半田堤を間欠的に形成することによ
って、堤と堤の間隙に回路の導電パターンを設けること
が可能であり、半導体チップと周辺のチップコンデンサ
や水晶振動子との配線を基板の中間層を利用することな
く実現できるので、スルーホールの数が減り、基板の積
層数を少なくすることもできる等の特徴がある。
【００１４】また上述の実施形態例では、セラミック製
の基板を用いた実施例を示したが、エポキシやポリイミ
ド等の樹脂基板を用いた場合にも適用することができ
る。さらに、半田堤は電気的に回路上の任意の点に接続
してもよいし、或は接続しなくともよく、任意に選択す
ることができる。なお、上述した実施形態例では電子部
品の一例として温度補償型水晶発振器を使用した場合に
ついて説明したが、本発明の構造は、半導体チップを基
板上に搭載し、該半導体チップに樹脂コートを施した電
子部品全般に適用することが可能である。
の基板を用いた実施例を示したが、エポキシやポリイミ
ド等の樹脂基板を用いた場合にも適用することができ
る。さらに、半田堤は電気的に回路上の任意の点に接続
してもよいし、或は接続しなくともよく、任意に選択す
ることができる。なお、上述した実施形態例では電子部
品の一例として温度補償型水晶発振器を使用した場合に
ついて説明したが、本発明の構造は、半導体チップを基
板上に搭載し、該半導体チップに樹脂コートを施した電
子部品全般に適用することが可能である。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、従来の生産設備に特殊
な設備を付加することなく、樹脂コートの形成時間を従
来より大幅に短縮することができるという効果を奏す
る。この本発明の効果によれば、電子部品の量産化が容
易に実現可能であると共に、低コストの電子部品の提供
に寄与することができる。
な設備を付加することなく、樹脂コートの形成時間を従
来より大幅に短縮することができるという効果を奏す
る。この本発明の効果によれば、電子部品の量産化が容
易に実現可能であると共に、低コストの電子部品の提供
に寄与することができる。
【図１】本発明による温度補償水晶発振器の一実施形態
例を示した構造図である。
例を示した構造図である。
【図２】第１実施形態例に用いる基板の導電パターンの
一例である。
一例である。
【図３】第１実施形態例に用いるマスクパターンの一例
である。
である。
【図４】リフロー後の状態を示した図である。
【図５】本発明による第２の実施形態例の構造図であ
る。
る。
【図６】本発明による第３の実施形態例の構造図であ
る。
る。
【図７】従来の温度補償水晶発振器の構造図である。
１，７ 基板、２，８ 水晶振動子、３，９ チップコ
ンデンサ、４，１０樹脂コート、５，１１ 半導体チッ
プ、６堤，１２，１７，１８ 堤、１３，１４，１５，
１６ 導電パターン
ンデンサ、４，１０樹脂コート、５，１１ 半導体チッ
プ、６堤，１２，１７，１８ 堤、１３，１４，１５，
１６ 導電パターン
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも一つの半導体チップを含む電子
回路を基板上に搭載した電子部品において、前記基板
は、前記半導体チップの搭載位置を包囲する環状の導電
パターンを備えており、該導電パターン上に半田を付着
させることにより半田堤を形成し、該半田堤の内側に樹
脂コートを施したことを特徴とする電子部品の構造。 - 【請求項２】少なくとも一つの半導体チップを含む電子
回路を基板上に搭載した電子部品において、前記基板
は、前記半導体チップの搭載位置の周囲に少なくとも１
つの所要長の導電パターンを備えており、該導電パター
ン上に半田を付着させることにより半田堤を形成し、該
半田堤の内側に樹脂コートを施したことを特徴とする電
子部品の構造。 - 【請求項３】前記電子部品が、発振回路と温度補償回路
とを備えた半導体チップと、水晶振動子とを基板上に搭
載した温度補償水晶発振器であることを特徴とする請求
項１又は２に記載の電子部品の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195911A JP2000031324A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 電子部品の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195911A JP2000031324A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 電子部品の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031324A true JP2000031324A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16349047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195911A Pending JP2000031324A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 電子部品の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031324A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233977A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Daishinku Corp | 圧電発振器 |
| US8080921B2 (en) | 2008-03-10 | 2011-12-20 | Epson Toyocom Corporation | Reduced-height piezoelectric device having a piezoelectric resonator and electronic component |
| JP2020137023A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195911A patent/JP2000031324A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080921B2 (en) | 2008-03-10 | 2011-12-20 | Epson Toyocom Corporation | Reduced-height piezoelectric device having a piezoelectric resonator and electronic component |
| JP2011233977A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Daishinku Corp | 圧電発振器 |
| JP2020137023A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
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