JP2000031083A - レーザー光照射装置 - Google Patents
レーザー光照射装置Info
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- JP2000031083A JP2000031083A JP10192962A JP19296298A JP2000031083A JP 2000031083 A JP2000031083 A JP 2000031083A JP 10192962 A JP10192962 A JP 10192962A JP 19296298 A JP19296298 A JP 19296298A JP 2000031083 A JP2000031083 A JP 2000031083A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板に照射する線状レーザー光の長軸
方向及び短軸方向のレーザー光強度を均一にし、ａ−ｓ
ｉを形成した基板に均一に線状レーザー光を照射するこ
とのできるレーザー光照射装置を提供する。 【解決手段】 レーザー光発振源１からのレーザー光を
複数のレンズ３，４，５，６，７，８，９，１２，１３
により線状レーザー光とし、その線状レーザー光の被照
射体２０とその被照射体２０に最近接の集光レンズ１３
との間に設けた光拡散板４０によって線状レーザー光の
長軸及び短軸方向の強度を均一にする。
方向及び短軸方向のレーザー光強度を均一にし、ａ−ｓ
ｉを形成した基板に均一に線状レーザー光を照射するこ
とのできるレーザー光照射装置を提供する。 【解決手段】 レーザー光発振源１からのレーザー光を
複数のレンズ３，４，５，６，７，８，９，１２，１３
により線状レーザー光とし、その線状レーザー光の被照
射体２０とその被照射体２０に最近接の集光レンズ１３
との間に設けた光拡散板４０によって線状レーザー光の
長軸及び短軸方向の強度を均一にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を均一
に照射できるレーザー光照射装置に関する。
に照射できるレーザー光照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体層として、それまで多用さ
れてきた非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と称す
る。）に代わって、多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ」と称する。）を用いた液晶表示装置（Liquid Cryst
al Display、以下、「ＬＣＤ」と称する。）が開発され
ている。そしてそのｐ−Ｓｉの結晶粒の形成あるいは成
長のためにレーザー光を用いたレーザーアニールが採用
されている。
れてきた非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と称す
る。）に代わって、多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ」と称する。）を用いた液晶表示装置（Liquid Cryst
al Display、以下、「ＬＣＤ」と称する。）が開発され
ている。そしてそのｐ−Ｓｉの結晶粒の形成あるいは成
長のためにレーザー光を用いたレーザーアニールが採用
されている。
【０００３】図７は、レーザーアニールを行うためのレ
ーザー光照射装置の構成を示す概念図である。
ーザー光照射装置の構成を示す概念図である。
【０００４】同図において、１はレーザー光発振源、
２，１１は反射ミラー、３，４，５，６はシリンドリカ
ルレンズ、７，８，９，１２，１３は集光レンズ、１０
は線状レーザー光の短軸方向のスリット、１４は表面に
ａ−Ｓｉが形成された被処理基板２０を支持するステー
ジである。
２，１１は反射ミラー、３，４，５，６はシリンドリカ
ルレンズ、７，８，９，１２，１３は集光レンズ、１０
は線状レーザー光の短軸方向のスリット、１４は表面に
ａ−Ｓｉが形成された被処理基板２０を支持するステー
ジである。
【０００５】レーザー光発振源１から発振されたレーザ
ー光は、シリンドリカルレンズ３，５及び４，６によ
り、各々上下（長軸）左右（短軸）方向に対して分割さ
れる。このレーザー光は、図８に示すように、レンズ
８，９，１２，１３により一方向に収束されるととも
に、図９に示すように、レンズ７により他の一方向に引
き延ばされて線状のレーザー光にされる。そうしてこの
線状レーザー光が被処理基板２０に照射される。被処理
基板２０を載置したステージ１４は、線状レーザー光の
短軸方向に走査され、大面積処理による高スループット
でのレーザーアニールが実現できる。
ー光は、シリンドリカルレンズ３，５及び４，６によ
り、各々上下（長軸）左右（短軸）方向に対して分割さ
れる。このレーザー光は、図８に示すように、レンズ
８，９，１２，１３により一方向に収束されるととも
に、図９に示すように、レンズ７により他の一方向に引
き延ばされて線状のレーザー光にされる。そうしてこの
線状レーザー光が被処理基板２０に照射される。被処理
基板２０を載置したステージ１４は、線状レーザー光の
短軸方向に走査され、大面積処理による高スループット
でのレーザーアニールが実現できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１０に線状レーザー
光の短軸方向の幅がＷｓであるレーザー光の強度を示
す。
光の短軸方向の幅がＷｓであるレーザー光の強度を示
す。
【０００７】同図の横軸には短軸方向のレーザー光の位
置を示し、縦軸には線状レーザー光の各々の位置におけ
るレーザー光の強度を示す。
置を示し、縦軸には線状レーザー光の各々の位置におけ
るレーザー光の強度を示す。
【０００８】同図に示すように、短軸方向の幅Ｗｓ（例
えば約４００マイクロメートル）において、その強度は
位置によって強弱があり、また両端の領域ａ，ｂにおい
ても均一ではない。そのため、十分にかつ均一にレーザ
ー光照射が行われないため、強度が低い箇所でレーザー
光照射した場合には、その箇所の多結晶化されたｐ−Ｓ
ｉの結晶粒径は十分に大きくならず微結晶状態で膜中に
存在することとなる。この微結晶状態の膜は、再び十分
な強度でレーザー光照射を行っても結晶化がそれ以上は
進まず、粒径を大きくすることができないので微結晶状
態のままとなってしまい、結果として結晶粒径がばらつ
いたものとなってしまう。
えば約４００マイクロメートル）において、その強度は
位置によって強弱があり、また両端の領域ａ，ｂにおい
ても均一ではない。そのため、十分にかつ均一にレーザ
ー光照射が行われないため、強度が低い箇所でレーザー
光照射した場合には、その箇所の多結晶化されたｐ−Ｓ
ｉの結晶粒径は十分に大きくならず微結晶状態で膜中に
存在することとなる。この微結晶状態の膜は、再び十分
な強度でレーザー光照射を行っても結晶化がそれ以上は
進まず、粒径を大きくすることができないので微結晶状
態のままとなってしまい、結果として結晶粒径がばらつ
いたものとなってしまう。
【０００９】例えば、図１１に示すように、図７に示し
たレーザー光照射装置を用いて、図１０に示す線状レー
ザー光を、被処理基板２０上の９５×１３０ｍｍの１枚
のＬＣＤパネル３１に相当する基板が９枚含まれたマザ
ーガラス基板３０に線状レーザー光３２，３３を走査し
て（図中右方向の矢印で図示）全体に満遍なく照射する
が、１度弱い強度での照射を受けた領域では、シリコン
層が微結晶シリコン層として形成されてしまい、その弱
い強度の領域を再度レーザー光照射を行ってもこの微結
晶シリコンは粒径が大きくならずにそのままで残ってし
まう。即ち、１度の線状レーザー光の走査において、走
査する線状レーザー光強度の弱い部分に沿って微結晶粒
からなるシリコン層が帯状に形成されてしまうことにな
る。
たレーザー光照射装置を用いて、図１０に示す線状レー
ザー光を、被処理基板２０上の９５×１３０ｍｍの１枚
のＬＣＤパネル３１に相当する基板が９枚含まれたマザ
ーガラス基板３０に線状レーザー光３２，３３を走査し
て（図中右方向の矢印で図示）全体に満遍なく照射する
が、１度弱い強度での照射を受けた領域では、シリコン
層が微結晶シリコン層として形成されてしまい、その弱
い強度の領域を再度レーザー光照射を行ってもこの微結
晶シリコンは粒径が大きくならずにそのままで残ってし
まう。即ち、１度の線状レーザー光の走査において、走
査する線状レーザー光強度の弱い部分に沿って微結晶粒
からなるシリコン層が帯状に形成されてしまうことにな
る。
【００１０】このように、多結晶化が十分に行われない
ために低い移動度しか得られないｐ−ＳｉからなるＴＦ
Ｔは十分なＯＮ電流が得られない。このため、レーザー
光照射の強度の弱いところが画素部に当たる場合は、そ
の領域においてＴＦＴのＯＮ電流が他の領域よりも低下
して、コントラスト比が低下するなどの問題が生じる。
また、レーザー光の強度の弱いところが、画素部周辺の
周辺駆動回路部に当たる場合は、ＴＦＴのＯＮ抵抗が増
大して動作速度が低下し誤動作などを招いてしまう。特
に、大画面、高精細のＬＣＤにおいては画素数が多いた
め、画素への書き込み時間が短くなり、また、周辺駆動
回路部におけるパルス幅も短くなるので、ＯＮ電流の低
下は、致命的な欠陥となる。
ために低い移動度しか得られないｐ−ＳｉからなるＴＦ
Ｔは十分なＯＮ電流が得られない。このため、レーザー
光照射の強度の弱いところが画素部に当たる場合は、そ
の領域においてＴＦＴのＯＮ電流が他の領域よりも低下
して、コントラスト比が低下するなどの問題が生じる。
また、レーザー光の強度の弱いところが、画素部周辺の
周辺駆動回路部に当たる場合は、ＴＦＴのＯＮ抵抗が増
大して動作速度が低下し誤動作などを招いてしまう。特
に、大画面、高精細のＬＣＤにおいては画素数が多いた
め、画素への書き込み時間が短くなり、また、周辺駆動
回路部におけるパルス幅も短くなるので、ＯＮ電流の低
下は、致命的な欠陥となる。
【００１１】また、同様に、図１２に示すように線状レ
ーザー光の長軸方向の幅Ｗｌにおいても、短軸方向と同
様に、長軸方向における位置によってレーザー光の強度
がばらついているとともに、両端の領域ａ，ｂにおいて
は低下した強度分布となっており、やはりｐ−Ｓｉの結
晶粒径が不均一に成ってしまうという欠点があった。
ーザー光の長軸方向の幅Ｗｌにおいても、短軸方向と同
様に、長軸方向における位置によってレーザー光の強度
がばらついているとともに、両端の領域ａ，ｂにおいて
は低下した強度分布となっており、やはりｐ−Ｓｉの結
晶粒径が不均一に成ってしまうという欠点があった。
【００１２】そこで本発明は、上述の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、被照射体の全面に十分且つ均一
に線状レーザー光照射可能なレーザー光照射装置を提供
することを目的とする。
て為されたものであり、被照射体の全面に十分且つ均一
に線状レーザー光照射可能なレーザー光照射装置を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザー光照射
装置は、レーザー光の発振源、該発振源から照射された
レーザー光を組み合わせによってレーザー光を線状にす
る複数のレンズ、及び前記線状レーザー光の被照射体と
前記複数のレンズから出射される線状レーザー光を集光
し前記レーザー光被照射体に最近接の集光レンズとの間
に設けた光拡散板を備えたものである。
装置は、レーザー光の発振源、該発振源から照射された
レーザー光を組み合わせによってレーザー光を線状にす
る複数のレンズ、及び前記線状レーザー光の被照射体と
前記複数のレンズから出射される線状レーザー光を集光
し前記レーザー光被照射体に最近接の集光レンズとの間
に設けた光拡散板を備えたものである。
【００１４】また、前記線状レーザー光の長軸方向の端
部を遮断するスリットが前記集光レンズと前記レーザー
光被照射体との間に設けられているものである。
部を遮断するスリットが前記集光レンズと前記レーザー
光被照射体との間に設けられているものである。
【００１５】更に、前記スリットの開口部の大きさが可
変であるものである。
変であるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態にかか
るレーザー光照射装置の構成を示す概念図である。同図
において、１はレーザー光発振源、２及び１１は反射ミ
ラー、３，４，５，６はシリンドリカルレンズ、７，
８，９，１２，１３は集光レンズ、１０は線状レーザー
光の短軸方向のスリット、１４は被処理基板２０を支持
するステージである。また、ステージ１４に近接された
位置には、線状レーザー光を拡散させる拡散板４０が設
けられている。
るレーザー光照射装置の構成を示す概念図である。同図
において、１はレーザー光発振源、２及び１１は反射ミ
ラー、３，４，５，６はシリンドリカルレンズ、７，
８，９，１２，１３は集光レンズ、１０は線状レーザー
光の短軸方向のスリット、１４は被処理基板２０を支持
するステージである。また、ステージ１４に近接された
位置には、線状レーザー光を拡散させる拡散板４０が設
けられている。
【００１７】レーザー光発振源１から照射されたレーザ
ー光は、それぞれ１対のシリンドリカルレンズ３，５及
び４，６により、長軸方向である上下方向に、及び短軸
方向である左右方向に対して分割される。これにより、
この光は一方向について、従来と同様に図８に示すよう
に、レンズ８，９，１２，１３に収束され、またこの一
方向に直交する他の一方向については、図９に示すよう
に、レンズ７により一方向に引き延ばされて被処理基板
２０へと照射される。
ー光は、それぞれ１対のシリンドリカルレンズ３，５及
び４，６により、長軸方向である上下方向に、及び短軸
方向である左右方向に対して分割される。これにより、
この光は一方向について、従来と同様に図８に示すよう
に、レンズ８，９，１２，１３に収束され、またこの一
方向に直交する他の一方向については、図９に示すよう
に、レンズ７により一方向に引き延ばされて被処理基板
２０へと照射される。
【００１８】即ち、一方向については収束され、他の一
方向については引き延ばされて線状にされた線状レーザ
ー光が線状レーザー光被照射体であるａ−Ｓｉが形成さ
れた被処理基板２０に照射される。
方向については引き延ばされて線状にされた線状レーザ
ー光が線状レーザー光被照射体であるａ−Ｓｉが形成さ
れた被処理基板２０に照射される。
【００１９】線状レーザー光が照射される被処理基板２
０を載置したステージ１４は、線状レーザー光の短軸方
向、即ちスキャン方向に移動する。このような線状レー
ザー光の走査により、大面積処理が可能となり高スルー
プットでのレーザーアニールが実現される。
０を載置したステージ１４は、線状レーザー光の短軸方
向、即ちスキャン方向に移動する。このような線状レー
ザー光の走査により、大面積処理が可能となり高スルー
プットでのレーザーアニールが実現される。
【００２０】ここで、図２に線状レーザー光被照射体と
その被照射体に最も近接した集光レンズ１３との間に拡
散板を設けた場合の被照射体に照射される線状レーザー
光の短軸方向の各位置における強度を示す。
その被照射体に最も近接した集光レンズ１３との間に拡
散板を設けた場合の被照射体に照射される線状レーザー
光の短軸方向の各位置における強度を示す。
【００２１】同図に示すように、拡散板を設けることに
より、特に、強度の強い箇所、即ち両端の領域ａ，ｂ以
外の領域の不均一性を抑制することができ、ａ−ｓｉに
照射された線状レーザー光をその強度は短軸方向の幅Ｗ
ｓのいずれの位置においても均一にすることができる。
より、特に、強度の強い箇所、即ち両端の領域ａ，ｂ以
外の領域の不均一性を抑制することができ、ａ−ｓｉに
照射された線状レーザー光をその強度は短軸方向の幅Ｗ
ｓのいずれの位置においても均一にすることができる。
【００２２】そのため、十分にかつ均一にレーザー光照
射が行えることから、照射により多結晶化されたｐ−Ｓ
ｉの結晶粒径は十分に大きくでき、かつ均一な結晶粒径
を得ることができることから微結晶状態が膜中に存在す
ることはなくなる。
射が行えることから、照射により多結晶化されたｐ−Ｓ
ｉの結晶粒径は十分に大きくでき、かつ均一な結晶粒径
を得ることができることから微結晶状態が膜中に存在す
ることはなくなる。
【００２３】このように、多結晶化が十分に且つ均一に
行われるため、十分なＯＮ電流が得られるＴＦＴを得る
ことができる。このため、画素部においてはＴＦＴのＯ
Ｎ電流がその一部において低下することはなく、コント
ラスト比が低下するなどの問題は生じない。また、周辺
駆動回路部においては、ＴＦＴのＯＮ抵抗が増大して動
作速度が低下し誤動作などを招くことはなくなるため、
特に、大画面、高精細のＬＣＤのように画素数が多くな
っても、画素への書き込みも十分に行うことができると
ともに、また、周辺駆動回路部におけるパルス幅が大型
化等に伴い短くなっても、ＯＮ電流の低下が生じること
はない。
行われるため、十分なＯＮ電流が得られるＴＦＴを得る
ことができる。このため、画素部においてはＴＦＴのＯ
Ｎ電流がその一部において低下することはなく、コント
ラスト比が低下するなどの問題は生じない。また、周辺
駆動回路部においては、ＴＦＴのＯＮ抵抗が増大して動
作速度が低下し誤動作などを招くことはなくなるため、
特に、大画面、高精細のＬＣＤのように画素数が多くな
っても、画素への書き込みも十分に行うことができると
ともに、また、周辺駆動回路部におけるパルス幅が大型
化等に伴い短くなっても、ＯＮ電流の低下が生じること
はない。
【００２４】なお、本実施の形態においては、線状レー
ザー光の短軸方向について説明したが、同様に長軸方向
においても、図３に示すように、長軸方向の各位置にお
けるレーザー光の被照射体に供給される強度は拡散板を
設けることにより均一にすることができる。それによ
り、上述のように、十分かつ均一な結晶粒径を得ること
ができる。 ＜第２の実施の形態＞以下に、被照射体と、その被照射
体に最も近接した集光レンズとの間に、拡散板及びスリ
ットを配置した場合について説明する。
ザー光の短軸方向について説明したが、同様に長軸方向
においても、図３に示すように、長軸方向の各位置にお
けるレーザー光の被照射体に供給される強度は拡散板を
設けることにより均一にすることができる。それによ
り、上述のように、十分かつ均一な結晶粒径を得ること
ができる。 ＜第２の実施の形態＞以下に、被照射体と、その被照射
体に最も近接した集光レンズとの間に、拡散板及びスリ
ットを配置した場合について説明する。
【００２５】図４に、本発明の実施形態にかかるレーザ
ー光照射装置の構成を示す概念図である。
ー光照射装置の構成を示す概念図である。
【００２６】同図に示すように、被照射体２０と、その
被照射体に最も近接した集光レンズ１３との間に、拡散
板４０及びスリット３０を配置した構造である。
被照射体に最も近接した集光レンズ１３との間に、拡散
板４０及びスリット３０を配置した構造である。
【００２７】集光レンズ１３を通ったレーザー光はスリ
ット３０により図３に示した長軸方向の両端の領域ａ，
ｂのレーザー光強度が低下した領域を図５に示すように
覆うことにより、図６に示した均一なレーザー光強度を
得ることができる。それによって、そのレーザー光を被
照射体のａ−Ｓｉに照射することにより、均一な結晶粒
径のｐ−Ｓｉを得ることができる。
ット３０により図３に示した長軸方向の両端の領域ａ，
ｂのレーザー光強度が低下した領域を図５に示すように
覆うことにより、図６に示した均一なレーザー光強度を
得ることができる。それによって、そのレーザー光を被
照射体のａ−Ｓｉに照射することにより、均一な結晶粒
径のｐ−Ｓｉを得ることができる。
【００２８】従って、そのｐ−ｓｉを備えたＴＦＴに用
いた場合には、一様にレーザー光照射が可能なことか
ら、被処理基板２０であるマザーガラス基板上に形成さ
れたｐ−Ｓｉ膜が、全ての領域において均一で十分に高
い移動度をもって形成されるので、このｐ−Ｓｉからな
るＴＦＴは、画素部にあっては十分なＯＮ電流が得ら
れ、高精細、大画面ディスプレイにおいて、画素数が増
加して画素への書き込み時間が短くなっても十分な電荷
供給が可能である。また駆動回路部においても、レスポ
ンスが高く高速動作が行えるので、大画面、高精細に対
応したパルス幅の短い駆動も可能となる。
いた場合には、一様にレーザー光照射が可能なことか
ら、被処理基板２０であるマザーガラス基板上に形成さ
れたｐ−Ｓｉ膜が、全ての領域において均一で十分に高
い移動度をもって形成されるので、このｐ−Ｓｉからな
るＴＦＴは、画素部にあっては十分なＯＮ電流が得ら
れ、高精細、大画面ディスプレイにおいて、画素数が増
加して画素への書き込み時間が短くなっても十分な電荷
供給が可能である。また駆動回路部においても、レスポ
ンスが高く高速動作が行えるので、大画面、高精細に対
応したパルス幅の短い駆動も可能となる。
【００２９】また、スリット３０は、被処理基板２０に
十分に近接された位置に設置されている。それは、スリ
ット３０が被処理基板２０から遠ざかるにつれレーザー
光のスリットによる回折が顕著になり、この回折光成分
により線状レーザー光の長軸方向の端部で低強度光成分
が生じるのを防ぐためである。本実施の形態において、
スリット３０は被処理基板２０から３０ｃｍ程度の距離
に配置している。
十分に近接された位置に設置されている。それは、スリ
ット３０が被処理基板２０から遠ざかるにつれレーザー
光のスリットによる回折が顕著になり、この回折光成分
により線状レーザー光の長軸方向の端部で低強度光成分
が生じるのを防ぐためである。本実施の形態において、
スリット３０は被処理基板２０から３０ｃｍ程度の距離
に配置している。
【００３０】更に、スリット３０はその開口部の大きさ
を可変としたスリットを用いることで、線状レーザー光
の長軸方向の長さを自在に調整することができる。この
場合にも、マザーガラス基板の寸法や、マザーガラス基
板上のＴＦＴ基板サイズに応じて長さを調整できる。
を可変としたスリットを用いることで、線状レーザー光
の長軸方向の長さを自在に調整することができる。この
場合にも、マザーガラス基板の寸法や、マザーガラス基
板上のＴＦＴ基板サイズに応じて長さを調整できる。
【００３１】なお、拡散板４０はスリット３０よりも被
処理基板２０に近い側に設ける方がより均一なレーザー
光を得ることができるものである。
処理基板２０に近い側に設ける方がより均一なレーザー
光を得ることができるものである。
【００３２】以上のように、各ＴＦＴ基板において均一
なアニールが可能となり、均一な移動度の高いｐ−Ｓｉ
が得られる。
なアニールが可能となり、均一な移動度の高いｐ−Ｓｉ
が得られる。
【００３３】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、線状レ
ーザー光の短軸方向及び長軸方向のレーザー光の強度を
十分かつ均一にすることができ、それを被照射体に供給
することにより、均一な結晶粒径のｐ−Ｓｉを得ること
ができる。
ーザー光の短軸方向及び長軸方向のレーザー光の強度を
十分かつ均一にすることができ、それを被照射体に供給
することにより、均一な結晶粒径のｐ−Ｓｉを得ること
ができる。
【図１】本発明の第１実施形態のレーザー光照射装置の
概念図である。
概念図である。
【図２】本発明の第１実施形態の線状レーザー光の短軸
方向の強度プロファイルである。
方向の強度プロファイルである。
【図３】本発明の第１実施形態の線状レーザー光の長軸
方向の強度プロファイルである。
方向の強度プロファイルである。
【図４】本発明の第２実施形態のレーザー光照射装置の
光学系の構成図である。
光学系の構成図である。
【図５】本発明の第２実施形態の光学系の構成図であ
る。
る。
【図６】本発明の第２実施形態の線状レーザー光の短軸
方向の強度プロファイルである。
方向の強度プロファイルである。
【図７】従来のレーザー光照射装置の概念図である。
【図８】従来のレーザー光照射装置の光学系の構成図で
ある。
ある。
【図９】従来のレーザー光照射装置の光学系の構成図で
ある。
ある。
【図１０】従来の線状レーザー光の短軸方向の強度プロ
ファイルである。
ファイルである。
【図１１】従来のレーザー光照射図である。
【図１２】従来のレーザー光の長軸方向の強度プロファ
イルである。
イルである。
１ レーザー光発振源 ２，７ 反射ミラー ３，４，５，６ シリンドリカルレンズ ７，８，９，１２，１３ 集光レンズ １４ ステージ ２０ 被処理基板 ３０ スリット ４０ 拡散板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 清 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 CA05 CB08 CD05 CD08 CD10
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザー光の発振源、該発振源から照射
されたレーザー光を組み合わせによってレーザー光を線
状にする複数のレンズ、及び前記線状レーザー光の被照
射体と前記複数のレンズから出射される線状レーザー光
を集光し前記レーザー光被照射体に最近接の集光レンズ
との間に設けた光拡散板を備えたことを特徴とするレー
ザー光照射装置。 - 【請求項２】 前記線状レーザー光の長軸方向の端部を
遮断するスリットが前記集光レンズと前記レーザー光被
照射体との間に設けられていることを特徴とする請求項
１に記載のレーザー光照射装置。 - 【請求項３】 前記スリットの開口部の大きさが可変で
あることを特徴とする請求項２に記載のレーザー光照射
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1998
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