JP2000026722A - ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物とポジ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子装置とそのパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ポリイミドの特長である耐熱性や機械的強度に
加えて、平坦性、可視紫外光に対する透明性の優れた樹
脂組成物により、電子装置の配線の微細化、高アスペク
ト比化、高密度化に対応できる絶縁膜、バッファーコー
ト膜、パッシベーション膜の提供。 【解決手段】一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機基、
ｎは繰り返し数）で示される繰り返し単位が５〜９５モ
ル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は
１価の有機基、ｍは繰り返し数である）で示される繰り
返し単位が９５〜５モル％を有するポリイミド前駆体を
含む樹脂組成物により成膜する。 【化２３】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規なポリイミド、
ポリイミド前駆体、これを含む樹脂組成物、および、ポ
ジ型感光性樹脂組成物、並びにこれらを用いたパターン
形成方法および電子装置に係り、特に、半導体素子の層
間絶縁膜、バッファーコート膜や液晶表示素子用パッシ
ベーション膜として有用な樹脂組成物およびポジ型感光
性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドは優れた耐熱性、耐薬品性を
有する樹脂として広く知られている。特に、無機材料に
比較して製膜が容易であること、低誘電性を示し、しか
も靭性に富むことから、半導体素子の層間絶縁膜、バッ
ファーコート膜や液晶素子のパッシベーション膜などに
適用されている。

【０００３】電子装置は年々高性能化，小型化の要求に
伴い、配線の微細化，高アスペクト比化，高密度化され
てきている。

【０００４】半導体素子の絶縁層においては、半導体素
子が多層配線となり上下両層の配線間の絶縁特性に対す
る要求が厳しくなり、製造プロセスにおいても多層配線
の形成時に段差や切断等の発生や、生産性，信頼性の低
下が問題となってきている。半導体素子のバッファーコ
ート膜や液晶素子のパッシベーション膜においても、下
層の配線層の微細化、多層化に伴い表面層に生ずる段差
を平坦化するために、段差被覆性能（以下、平坦性と称
す）が高い材料が求められている。

【０００５】上記目的のための耐熱材料として、有機材
料、無機材料の両面から検討されているが、操作性、コ
スト等の面からは塗布により製膜できる有機材料が有利
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記半導体素子の絶縁
層においては、半導体素子の多層配線層の配線間の絶縁
特性を満たすのみでなく、製造プロセスにおいても多層
配線の形成時に段差や切断等の発生が起こらない、平坦
性に優れた材料が必要とされている。

【０００７】また、半導体素子のバッファーコート膜や
液晶素子のパッシベーション膜においても、下層の配線
層の微細化、多層化に伴う表面層の段差に対応できる、
製膜時の平坦性に優れた耐熱性材料が必要となってい
る。

【０００８】ポリイミドのパターン化には、フォトレジ
ストの塗布や剥離などの工程が含まれるため、プロセス
が非常に煩雑となる。また、レリーフパターンをレジス
トを介して転写することによる寸法精度の低下が起こ
る。

【０００９】微細加工の工程の簡略化や該電子装置の高
密度化に伴う高精度化に対応するため、直接光で微細加
工可能な感光性耐熱材料の開発が望まれている。

【００１０】感光性樹脂においては、高感度化のために
は、露光波長である紫外領域の光に対して透明性が高い
材料が要求される。また、液晶素子のパッシベーション
膜においては、可視領域での透明性が、輝度低下を防ぐ
ために要求される。

【００１１】本発明の目的は、前記課題を解決するた
め、これまでのポリイミドの特徴である耐熱性や機械的
強度に加えて、平坦性、可視紫外領域の光に対する透明
性を備えた樹脂組成物およびポジ型感光性樹脂組成物を
提供することにある。

【００１２】本発明の他の目的は、上記樹脂組成物のパ
ターン形成方法、並びに、それを用いた電子装置を提供
することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は、下記の通りである。

【００１４】〔１〕 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の
有機基、ｎは繰返し数である）、または、一般式〔２〕
（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰
返し数である）

【００１５】

【化１４】

【００１６】で示される繰り返し単位を有するポリイミ
ド前駆体を含むことを特徴とする樹脂組成物。

【００１７】〔２〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し
単位が５〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２
価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位が９５〜５モル％を有する
ポリイミド前駆体を含むことを特徴とする樹脂組成物。

【００１８】〔３〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）、または、一般式
〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、
ｍは繰返し数である）で示される繰り返し単位を有する
ポリイミド前駆体と、感光性物質を含むことを特徴とす
るポジ型感光性樹脂組成物。

【００１９】〔４〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し
単位が５〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２
価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位が９５〜５モル％を有する
ポリイミド前駆体と、感光性物質を含むことを特徴とす
るポジ型感光性樹脂組成物。

【００２０】〔５〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）、または、一般式
〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、
ｍは繰返し数である）で示される繰り返し単位を有する
ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物を基板上に塗布し乾
燥する工程、該基板上にフォトレジストを塗布し乾燥す
る工程、電磁波をパターン照射する工程、前記フォトレ
ジストを現像する工程、前記樹脂組成物をエッチングに
よりパターン形成する工程、前記フォトレジストを剥離
する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

【００２１】〔６〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し
単位が５〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２
価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位が９５〜５モル％を有する
ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物を基板上に塗布し乾
燥する工程、該基板上にフォトレジストを塗布し乾燥す
る工程、電磁波をパターン照射する工程、前記フォトレ
ジストを現像する工程、前記樹脂組成物をエッチングに
よりパターン形成する工程、前記フォトレジストを剥離
する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

【００２２】〔７〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）、または、一般式
〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、
ｍは繰返し数である）で示される繰り返し単位を有する
ポリイミド前駆体と、感光性物質を含むポジ型感光性樹
脂組成物を基板上に塗布し乾燥する工程、電磁波をパタ
ーン照射する工程、前記感光性樹脂組成物をアルカリ性
現像液で現像しパターン形成する工程、を含むことを特
徴とするパターン形成方法。

【００２３】〔８〕 前記一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２
価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し
単位が５〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２
価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位が９５〜５モル％を有する
ポリイミド前駆体、および、感光性物質を含むポジ型感
光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥する工程、電磁波
をパターン照射する工程、前記感光性樹脂組成物をアル
カリ性現像液で現像しパターン形成する工程、を含むこ
とを特徴とするパターン形成方法。

【００２４】

〔９〕 電子装置の回路形成面または保護
膜形成面にパターン形成された膜が、前記一般式〔１〕
（式中Ｒ₁は２価の有機基、ｎは繰返し数である）、ま
たは、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１
価の有機基、ｍは繰返し数である）で示される繰り返し
単位を有するポリイミド前駆体を含む樹脂組成物により
形成されたことを特徴とする電子装置。

【００２５】〔１０〕 電子装置の回路形成面または保
護膜形成面にパターン形成された膜が、前記一般式
〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機基、ｎは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位が５〜９５モル％と、一般
式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機
基、ｍは繰返し数である）で示される繰り返し単位が９
５〜５モル％を有するポリイミド前駆体含む樹脂組成物
により形成されたことを特徴とする電子装置。

【００２６】〔１１〕 前記パターン形成された膜が感
光性物質を含む前記の電子装置。

【００２７】〔１２〕 一般式〔３〕

【００２８】

【化１５】

【００２９】（式中Ｒ₄は２価の有機基、Ｒ₅は水素原子
または１価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される
繰り返し単位を有するポリイミド前駆体。

【００３０】〔１３〕 一般式〔４〕

【００３１】

【化１６】

【００３２】（式中Ｒ₆は２価の有機基、ｎは繰返し数
である）で示される繰り返し単位を有することを特徴と
するポリイミド。

【００３３】〔１４〕 電子装置の回路形成面または保
護膜形成面にパターン形成された膜が、前記一般式
〔４〕（式中Ｒ₆は２価の有機基、ｎは繰返し数であ
る）で示される繰り返し単位を有するポリイミドである
ことを特徴とする電子装置。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明において、テトラカルボン
酸二無水物成分であるビス〔４−〔４−(３，４−ジカ
ルボン酸ベンゾイル)フェノキシ〕フェニル〕スルホン
酸二無水物〔後述の化３〕は、エーテル結合、アミド結
合を有し、一般的なテトラカルボン酸二無水物に比べて
分子量が大きい特徴を有する。

【００３５】従って、生成したポリアミド酸，ポリアミ
ド酸エステルおよびポリイミドの屈曲性が高いことか
ら、フィルムの粘弾性、伸びが向上するため、耐熱性、
耐薬品性を保持しながら、製膜時の平坦性が期待でき
る。半導体素子の絶縁層においては、上下両層の配線間
を十分に絶縁できる絶縁特性を有し、製造プロセスにお
いても多層配線の形成時に段差や切断等の発生が少な
く、生産性、信頼性に優れた耐熱性膜が得られる。

【００３６】また、半導体素子のバッファーコート膜や
液晶素子のパッシベーション膜においても、下層の配線
層の微細化、多層化に伴う表面層の段差に対応できる、
製膜時での平坦性に優れた耐熱性膜が作製可能となる。
従って、本発明の樹脂組成物を用いると、微細化、高ア
スペクト比化、高密度化された配線を有する電子装置用
の絶縁層、パッシベーション膜、バッファーコート膜の
パターン形成が可能となる。

【００３７】本発明ではポリイミド前駆体を含む樹脂組
成物を用いることで、レリーフ像形成後に加熱または化
学的にイミド化してポリイミドに変換することで、耐熱
性、耐薬品性に優れたレリーフ像を得ることができる
が、前記一般式〔１〕で表される繰り返し単位、また
は、前記一般式〔２〕で示される繰り返し単位、若しく
は前記一般式〔１〕で表される繰り返し単位と一般式
〔２〕で表される繰り返し単位とを有する縮重合型の高
分子であるポリアミド酸、ポリアミド酸エステルまたは
ポリアミド酸／ポリアミド酸エステル共重合体を適用し
た場合は、特に、高解像度のレリーフ像を得ることがで
きる。これにより、ＬＳＩの保護膜、配線基板の絶縁膜
等として優れた性能を発揮する。

【００３８】ポリイミド前駆体の重量平均分子量として
は、現像液への溶解性、レリーフパターンの機械特性を
考慮し１０,０００以上であることが好ましい。重量平
均分子量の上限は特に制限しないが、溶剤への溶解性、
感光性ワニスとしての取り扱い性、現像液への溶解性を
考慮すると１,０００,０００以下が好ましい。なお、重
量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて
換算して求めることができる。

【００３９】上記の平坦性、透明性は、テトラカルボン
酸二無水物成分であるビス〔４−〔４−(３,４−ジカル
ボン酸ベンゾイル)フェノキシ〕フェニル〕スルホン酸
二無水物〔後述の化３〕の骨格によるものである。従っ
て、ポリアミド酸のジアミン成分は特に制約を受けるも
のではない。

【００４０】前記一般式〔１〕中のＲ₁、一般式〔２〕
中のＲ₂、一般式〔３〕中のＲ₄、および、一般式〔４〕
中のＲ₆は、２価の有機基であり、具体的には、炭素数
２〜５０の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素
環基、これらの基の複数個が、酸素原子、硫黄原子、メ
チレン、アミン、カルボニル、スルホン、エステル、ス
ルホンエステル、アミド、スルホンアミド、尿素、カー
ボネート、カーバメートから選ばれる多価の連結基を介
して結合している総炭素数が２〜５０の有機基、これら
の基の水素原子がさらにハロゲン原子等の置換基で置換
された基、ポリシロキサン構造を有する基などが挙げら
れる。また、上記Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₄およびＲ₆は、通常、ポ
リイミド前駆体の原料として用いられる脂肪族ジアミ
ン、芳香族ジアミン等のジアミンの残基である。

【００４１】該ジアミンとしては、１,４−ジアミノベ
ンゼン、１,３−ジアミノベンゼン、４,４'−ジアミノ
ビフェニル、４,４'−ジアミノ−２,２'−ジメチルビフ
ェニル、ビス(４−アミノフェニル)メタン、ビス(４−
アミノフェニル)エーテル、１,３−ビス(３−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、２,２−ビス〔４−(４−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、ビス(４−アミノフェニ
ル)ケトン、２,２−ビス(４−アミノフェニル)プロパ
ン、２,２−ビス(４−アミノフェニル)−１,１,１,３,
３,３−ヘキサフルオロプロパン、ビス〔４−(４−アミ
ノベンゾイルオキシ)フェニル〕メタン、ビス(３−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス〔(３−ア
ミノプロピル)ジフェニルシリル〕エーテル、ビス−(４
−アミノフェニル)スルホン（ＤＤＳＯ４）、ビス−(３
−アミノフェニル)スルホン（ＤＤＳＯ３）、ビス〔４
−(３−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン（ＢＡＰ
Ｓ３）、ビス〔４−(４−アミノフェノキシ)フェニル〕
スルホン（ＢＡＰＳ４）、Ｎ,Ｎ'−ビス〔４−(４−ア
ミノフェニル)スルホニルフェニル〕イソフタルアミド
（ＳＯＩＰＣ）、３,５−ジアミノフェノール、３,３'
−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフェニル、４,４'
−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフェニル、３,３'
−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３,５−ジアミノ安息香酸、３,５−ジアミノスルホ
ンアミド、３,５−ジアミノベンズアミド、３,５−ジア
ミノスルホンアミドなどが挙げられる。

【００４２】本発明で用いられるポリアミド酸はジアミ
ンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボン酸二無
水物の反応によって、また、ポリアミド酸エステルはジ
アミンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボン酸
ジエステルの反応によってそれぞれ得られる。

【００４３】本発明において、ポリアミド酸エステルを
用いる場合、アルカリ溶液に対する溶解性を調節するた
めに、ジアミンとして前記ジアミンの中からカルボキシ
ル基、フェノール性水酸基等のアルカリ可溶性の基を有
するジアミンを用いることが好ましく、その場合、該ジ
アミンは全ジアミンのうち５０モル％以上用いることが
好ましい。

【００４４】前記Ｒ₃は、炭素数１〜２０のアルキル
基、アリール基、アラルキル基、複素環基を表わし、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル
基、トルイル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル
基、オキサゾイル基等が挙げられる。

【００４５】本発明において、ポリアミド酸とポリアミ
ド酸エステルの共重合体を用いる場合、ポリイミド前駆
体のアルカリ溶液に対する溶解性を調節するため、一般
式〔１〕で表される繰り返し単位、および、一般式
〔２〕で表される繰り返し単位の構成比は、前者が５〜
９５モル％、後者が９５〜５モル％の範囲で選択するこ
とが好ましい。なお、前者の割合が小さすぎると露光部
の溶解速度が低く、感度も低下する傾向にある。従っ
て、前者の割合は５０〜９５モル％がより好ましい。

【００４６】本発明において、テトラカルボン酸二無水
物成分であるビス〔４−〔４−(３,４−ジカルボン酸ベ
ンゾイルアミノ)フェノキシ〕フェニル〕スルホン酸二
無水物〔化５〕は、エーテル結合、アミド結合により、
主鎖の共役結合が切断されているため、可視領域の光の
透明性は高い。

【００４７】液晶素子用のパッシベーション膜は、可視
領域での透明性が、輝度低下を防ぐためには必須であ
る。従って、該樹脂組成物を用いると平坦性のみでな
く、可視領域の光に対する透過性に優れた液晶素子用の
パッシベーション膜が得られる。

【００４８】本発明において、上記ポリアミド酸または
ポリアミド酸エステルに感光性物質を添加することによ
り、感光性樹脂としての性質を付与することができる。
該ポリアミド酸は主鎖にスルホン基、アミド基を有する
こと、屈曲性が高いことからアルカリに対し高い溶解性
を示すため、アルカリ現像性感光性樹脂として効果が期
待できる。

【００４９】本発明のポリアミド酸、ポリアミド酸エス
テルおよびポリイミドにおいては、前記テトラカルボン
酸二無水物と共に、本発明の効果を損なわない範囲でそ
の他のテトラカルボン酸二無水物を使用することができ
る。使用する場合の量としては、テトラカルボン酸二無
水物の総量に対して、７０モル％以下、より好ましくは
５０モル％以下である。

【００５０】前記のその他のテトラカルボン酸二無水物
としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３,３',
４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,３,
３',４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,
２',３,３'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、３,３',４,４'−ビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−シクロペン
タンテトラカルボン酸二無水物、１,２,５,６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、２,３,６,７−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１,４,５,８−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、２,３,５,６−ピリジ
ンテトラカルボン酸二無水物、３,４,９,１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,
４'−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水
物、２,２−ビス(３,４−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン二無水物等の芳香族系テトラカルボン
酸二無水物が挙げられ、これらの一種以上を用いること
ができる。

【００５１】前記一般式〔２〕中のＲ₃、および、一般
式〔３〕中のＲ₅で示される一価の有機基としては、脂
肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、炭素
数としては１〜２０のものが好ましい。

【００５２】前記一価の有機基は、テトラカルボン酸二
無水物とアルコール化合物を反応させて得られるテトラ
カルボン酸ジエステルを、ジアミンと反応させるなどに
より得ることができる。

【００５３】上記アルコール化合物としてはメタノー
ル、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、sec−ブチルア
ルコール、tert−ブチルアルコール、イソブチルアルコ
ール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペン
タノール、イソアミルアルコール、１−ヘキサノール、
２−ヘキサノール、３−ヘキサノール等のアルキルアル
コール、ベンジルアルコール等が挙げられる。

【００５４】テトラカルボン酸二無水物成分であるビス
〔４−〔４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイルアミノ)
フェノキシ〕フェニル〕スルホン酸二無水物〔化５〕
は、エーテル結合、アミド結合により、主鎖の共役結合
が切断されているため、可視紫外領域の光の透明性は高
い。従って、感光性物質との組み合わせにより、高感度
化のために必須である紫外領域の光に対する透明性の高
い感光性耐熱材料が得られる。

【００５５】感光性物質としては、オルトキノンジアジ
ド化合物、アルキルスルホン酸エステル、アリールスル
ホン酸エステル、イミノスルホン酸エステル、ニトロベ
ンジルスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベン
ゾインスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスル
ホン酸エステル、α−スルホニルオキシケトン、ジスル
ホニルジアゾメタンなどが挙げられるが、特に、オルト
キノンジアジド化合物が好ましい。

【００５６】ポリアミド酸はアルカリ現像液に可溶であ
るため、オルトキノンジアジド化合物との組み合わせに
より、アルカリ現像ポジ型の機能を有する感光性耐熱性
樹脂が得られる。該オルトキノンジアジド化合物として
は、分子内にオルトキノンジアジド基を含有する化合物
であればよく、特に限定されない。該オルトキノンジア
ジド基としては、１,２−ナフトキノン−２−ジアジド
−４−スルホニル基、１,２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホニル基などが挙げられる。

【００５７】上記オルトキノンジアジド化合物は、通
常、オルトキノンジアジドスルホン酸塩化物と、水酸基
を有する化合物、アミノ基を有する化合物、または水酸
基とアミノ基を有する化合物との縮合反応により得られ
る。

【００５８】上記水酸基を有する化合物としては、１,
２−ジヒドロキシベンゾフェノン、２,３,４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２,２',４,４'−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、トリス(４−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、１,１−ビス(４−ヒドロキシフェニル)−１−〔４
−〔１−(４−ヒドロキシフェニル)−１−メチルエチ
ル〕フェニル〕エタンなどが挙げられる。

【００５９】上記アミノ基を有する化合物としては、ア
ニリン、ベンジルアミン、１−ナフチルアミン、２−ナ
フチルアミン、へキシルアミン、オクチルアミン、ドデ
シルアミン、オクタデシルアミン、１,３−ジアミノベ
ンゼン、１,４−ジアミノベンゼン、４,４'−ジアミノ
ビフェニル、４,４'−ジアミノジフェニルメタン、４,
４'−ジアミノジフェニルエーテル、４,４'−ジアミノ
ジフェニルケトン、４,４'−ジアミノジフェニルスルフ
ォン、２,２−ビス(４−アミノフェニル)プロパン、２,
２−ビス(４−アミノフェニル)−１,１,１,３,３,３−
ヘキサフルオロプロパン、ビス(３−アミノプロピル)テ
トラメチルジシロキサン、１,２,４−トリアミノベンゼ
ン、１,３,５−トリアミノベンゼン、３,４,４'−トリ
アミノジフェニルエーテル、３,３',４,４'−ジアミノ
ビフェニル、３,３',４,４'−テトラアミノジフェニル
エーテル、３,３',４,４'−テトラアミノジフェニルス
ルフォン、１,２−ジアミノエチレン、Ｎ,Ｎ'−ジメチ
ル−１,２−ジアミノエチレン、１,３−ジアミノプロパ
ン、１,４−ジアミノブタン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル−１,４
−ジアミノブタン、１,６−ジアミノヘキサン、１,８−
ジアミノオクタン、１,１０−ジアミノデカン、１,１２
−ジアミノドデカン、２−ブチル−２−エチルー１,５
−ペンタンジアミン、４−アミノメチル−１,８−ジア
ミノオクタン、ジエチレントリアミン、ビス(ヘキサメ
チレン)トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミンなどが挙げられる。

【００６０】上記水酸基とアミノ基を有する構造として
は、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４
−アミノフェノール、２,３−ジアミノフェノール、２,
４−ジアミノフェノール、４−アミノレゾルシノール、
４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフェニル、
３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフェニル、
２−アミノエタノール、Ｎ−メチル−２−アミノエタ
ノール、３−アミノプロパノール、２−アミノブタノー
ル、２−アミノ−３−メチルブタノール、４−アミノブ
タノール、５−アミノペンタノール、６−アミノヘキサ
ノール、４−アミノシクロヘキサノール、２−アミノヘ
プタノール、６−アミノ−２−メチル−２−ヘプタノー
ル、８−アミノオクタノール、１０−アミノデカノー
ル、１２−アミノドデカノール、１−アミノ−２,３−
プロパンジオール、２−アミノ−１,３−プロパンジオ
ール、２−アミノ−２エチル−１,３−プロパンジオー
ル、ビス−ホモトリス、トリス(ヒドロキシメチル)アミ
ノメタンなどが挙げられる。

【００６１】上記オルトキノンジアジド化合物は、その
構造中に尿素を含むと特に高い感光特性を示す。こうし
たオルトキノンジアジド化合物は、オルトキノンジアジ
ドスルホン酸塩化物と、尿素および水酸基を有する化合
物との縮合反応により得られる。

【００６２】尿素基と水酸基を有する構造としては、２
−(３−フェニルウレイド)フェノール、３−(３−フェ
ニルウレイド)フェノール、４−(３−フェニルウレイ
ド)フェノール、２,３−ビス(３−フェニルウレイド)フ
ェノール、２,４−ビス(３−フェニルウレイド)フェノ
ール、２−(３−ベンジルウレイド)フェノール、３−
(３−ベンジルウレイド)フェノール、４−(３−ベンジ
ルウレイド)フェノール、２,３−ビス(３−ベンジルウ
レイド)フェノール、２,４−ビス(３−ベンジルウレイ
ド)フェノール、２−(３−プロピルウレイド)フェノー
ル、３−(３−プロピルウレイド)フェノール、４−(３
−プロピルウレイド)フェノール、２,３−ビス(３−プ
ロピルウレイド)フェノール、２,４−ビス(３−プロピ
ルウレイド)フェノールなどが挙げられる。

【００６３】上記オルトキノンジアジド化合物は、樹脂
成分１００重量部に対して、５〜１００量部添加するの
が望ましい。さらに望ましくは５〜４０重量部が良い。
５重量部未満では溶解阻害効果が小さく、感度、解像度
が不十分である。

【００６４】本発明の感光性樹脂は、前記方法によって
合成されたポリアミド酸と、光によって酸を発生する物
質を混合することによって容易に達成される。本発明に
おいて三重項増感剤との併用、各種アミン化合物からな
る密着向上剤、界面活性剤等との併用が可能である。

【００６５】

【実施例】〔実施例 １〕ビス−(４−アミノフェニル)
スルホン（ＤＤＳＯ）〔化６〕４.９７ｇ(２０ｍｍｏ
ｌ)のＮＭＰ(１１０ｍｌ)溶液に室温で、ビス〔４−
〔４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイルアミノ）フェノ
キシ〕フェニル〕スルホン酸二無水物（ＴＭＡＰＳ）
〔化５〕１５.６ｇ(２０ｍｍｏｌ)を添加し室温で１０
時間撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下すること
によりポリアミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＤＤＳＯ）固体１
９.５ｇを得た。重量平均分子量は１８０００であっ
た。

【００６６】

【化１７】

【００６７】得られたポリアミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＤＤ
ＳＯ）が新規物質であることは、赤外スペクトル法〔Ｉ
Ｒ（ｆｉｌｍ）１６７０，１５９０，１５３０，１５１
０，１２４０，１１５０ｃｍ~²〕、および、プロトンＮ
ＭＲスペクトル法〔（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ１３.４
（ｂｓ，２Ｈ），１１.０〜１０.５（ｍ，４Ｈ），８.
６〜６.５（ｍ，３０Ｈ）〕により立証した。

【００６８】固形分含量２０重量％のポリアミド酸（Ｔ
ＭＡＰＳ／ＤＤＳＯ）のＮ−メチルピロリジノン（ＮＭ
Ｐ）溶液を調製し、４−(１,２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−５−スルホニルアミノ)−１−(１,２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホニルオキシ)ベンゼ
ン（ｐＡＰ−Ｑ）〔化７〕を、固形分に対して２０重量
％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００６９】

【化１８】

【００７０】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.８μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【００７１】ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド）の２.３８％水溶液中で５０秒現像したとこ
ろ、未露後部の残膜率８８％で、ポジ型の８μｍ角のホ
ールパターンを得ることができた。さらに３００℃で１
時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上で１５ｋｇ／
ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフパターンを得
ることができた。

【００７２】〔実施例 ２〕実施例１で調製したポリア
ミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＤＤＳＯ）を固形分含量で２３重
量％含むＮＭＰ溶液を調製する。１−〔４−(１,２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−５−スルフォキシ)フェニ
ル〕−３−フェニル尿素（ＰＩ−Ｑ）〔化８〕を固形分
に対して２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００７３】

【化１９】

【００７４】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【００７５】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０秒現
像したところ、未露後部の残膜率９３％で、ポジ型の６
μｍ角のホールパターンを得ることができた。さらに３
００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上で
１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフパ
ターンを得ることができた。

【００７６】〔実施例 ３〕実施例１で調製したポリア
ミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＤＤＳＯ）を固形分含量で２３重
量％含むＮＭＰ溶液を調製する。トリフルオロメタンス
ルホニルオキシナフタルイミド〔化９〕を固形分に対し
て２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００７７】

【化２０】

【００７８】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【００７９】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０秒現
像したところ、未露後部の残膜率９４％で、ポジ型の１
０μｍ角のホールパターンを得ることができた。さらに
３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上
で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフ
パターンを得ることができた。

【００８０】〔実施例 ４〕ビス−(４−アミノフェニ
ル)エーテル（ＤＤＥ）〔化１０〕４.００ｇ（２０ｍｍ
ｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室温で、ビス〔４
−〔４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイルアミノ）フェ
ノキシ〕フェニル〕スルホン酸二無水物(ＴＭＡＰＳ)１
５.６ｇ(２０ｍｍｏｌ)を添加し室温で１０時間撹拌す
る。

【００８１】

【化２１】

【００８２】反応液を水（１.５ｌ）に滴下することに
よりポリアミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＤＤＥ）固体１９.１
ｇを得た。重量平均分子量は３５０００であった。

【００８３】固形分含量２２重量％のポリアミド酸（Ｔ
ＭＡＰＳ／ＤＤＥ）のＮＭＰ溶液を調製し、ｐＡＰ−Ｑ
〔化７〕を、固形分に対して２０重量％加え感光性樹脂
組成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法
によってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾
燥することにより膜厚５.０μｍのフィルムを調製し
た。高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタお
よび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射し
た。

【００８４】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で４０秒現
像したところ、未露後部の残膜率８０％で、ポジ型の１
０μｍ角のホールパターンを得ることができた。さらに
３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上
で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフ
パターンを得ることができた。

【００８５】〔実施例 ５〕１,３−ビス(３−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン（ＢＡＰＢ）〔化１１〕５.８５ｇ
(２０ｍｍｏｌ)のＮＭＰ(１１０ｍｌ)溶液に室温で、ビ
ス〔４−〔４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイルアミ
ノ）フェノキシ〕フェニル〕スルホン酸二無水物（ＴＭ
ＡＰＳ）〔化５〕１５.６ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し
室温で１０時間撹拌する。

【００８６】

【化２２】

【００８７】反応液を水（１.５ｌ）に滴下することに
よりポリアミド酸（ＴＭＡＰＳ／ＢＡＰＢ）固体１９.
１ｇを得た。重量平均分子量は３００００であった。

【００８８】固形分含量２２重量％のポリアミド酸（Ｔ
ＭＡＰＳ／ＢＡＰＢ）のＮＭＰ溶液を調製し、ｐＡＰ−
Ｑ〔化７〕を、固形分に対して２０重量％加え感光性樹
脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート
法によってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間
乾燥することにより膜厚５.０μｍのフィルムを調製し
た。高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタお
よび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射し
た。

【００８９】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で４０秒現
像したところ、未露後部の残膜率８０％で、ポジ型の１
０μｍ角のホールパターンを得ることができた。さらに
３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上
で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフ
パターンを得ることができた。

【００９０】〔実施例 ６〕ビス(４−(４−(３,４−ジ
カルボン酸ベンゾイルアミノ）フェノキシ)フェニル)ス
ルホン酸二無水物（ＴＭＡＰＳ）１５.６ｇ（２０ｍｍ
ｏｌ）のメタノール溶液（５０ｍｌ）を還流下１時間撹
拌する。過剰量のメタノールを減圧留去する。ベンゼン
５０ｍｌを添加後、塩化チオニル１１.５ｇ（４８.０ｍ
ｍｏｌ）を室温で滴下する。反応液を還流下１時間撹拌
し、過剰量の塩化チオニルを減圧留去することにより、
対応するビス(４−(４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイ
ルアミノ）フェノキシ)フェニル)スルホン−ジメチルジ
クロリド（ＴＭＡＰＳ−ＭｅＣｌ）固体を得た。

【００９１】ビス−(４−アミノフェニル)スルホン（Ｄ
ＤＳＯ）〔化６〕の９.９５ｇ（４０ｍｍｏｌ）のＮＭ
Ｐ溶液（８０ｍｌ）にビス(４−(４−(３,４−ジカルボ
ン酸ベンゾイルアミノ）フェノキシ)フェニル)スルホン
酸二無水物（ＴＭＡＰＳ）１５.６ｇ（２０ｍｍｏｌ）
を添加し、室温で１時間撹拌する。この溶液に、上記調
製したＴＭＡＰＳ−ＭｅＣｌのＮＭＰ溶液（５０ｍｌ）
を、反応溶液を５℃以下に保ちながら滴下し、室温で３
０分撹拌する。

【００９２】濾過後、濾液を水（３ｌ）に滴下すること
によりビス(４−(４−(３,４−ジカルボン酸ベンゾイル
アミノ）フェノキシ)フェニル)スルホン骨格を有するポ
リアミド酸／メチルエステル共重合体（ＴＭＡＰＳ−Ｍ
ｅ／ＤＤＳＯ）の白色固体を得た。

【００９３】固形分含量１２重量％の（ＴＭＡＰＳ−Ｍ
ｅ／ＤＤＳＯ）のＮＭＰ溶液を調製する。４−(１,２−
ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニルアミノ)
−１−(１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホニルオキシ)ベンゼン（ｐＡＰ−Ｑ）〔化７〕を固形
分に対して２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。重
量平均分子量は１５０００であった。

【００９４】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【００９５】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０秒現
像したところ、未露後部の残膜率９３％で、ポジ型の６
μｍ角のホールパターンを得ることができた。更に３０
０℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上で１
５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフパタ
ーンを得ることができた。

【００９６】〔実施例 ７〕実施例６で調製したポリア
ミド酸／メチルエステル共重合体（ＴＭＡＰＳ−Ｍｅ／
ＤＤＳＯ）を固形分含量で２３重量％含むＮＭＰ溶液を
調製する。１−(４−(１,２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルフォキシ)フェニル)−３−フェニル尿素
（ＰＩ−Ｑ）〔化８〕を、固形分に対して２５重量％加
え感光性樹脂組成物を得た。

【００９７】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【００９８】ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０秒現
像したところ、未露後部の残膜率９３％で、ポジ型の６
μｍ角のホールパターンを得ることができた。更に、３
００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上で
１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引張り強度を有するレリーフパ
ターンを得ることができた。

【００９９】〔実施例 ８〕本発明の感光性樹脂組成物
を用いたバッファーコート膜の製造工程を図１に示す。
該バッファーコート膜は、図２に示したＬＳＩ断面図、
および、図３に示したＬＳＩ平面図中のポリイミド１８
に相当する。また、該バッファーコート膜は、図４に示
した半導体素子の断面図中のポリイミド３１に相当す
る。

【０１００】半導体素子の配線形成が終了したシリコン
ウエハー上〔図１（ａ）〕に実施例１の感光性樹脂組成
物３を塗布した〔図１（ｂ）〕。次いで、露光、現像に
よりボンディングワイヤ接続用のホールを有するバファ
ーコート膜を形成した〔図１（ｃ）〕。

【０１０１】塗布工程での平坦性が高く、露光時の光透
過性が高いことから、配線の微細化、高アスペクト比
化、高密度化が実現できた。

【０１０２】〔実施例 ９〕本発明の感光性樹脂組成物
を用いた銅／ポリイミド配線を有する電子装置の製造工
程を図５に示す。

【０１０３】図５(ａ)に示すようにシリコンウエハ５上
に実施例１で用いた感光性樹脂組成物６をスピンコート
する。

【０１０４】図５(ｂ)に示すように露光、現像により配
線パターンを形成し、熱イミド化により膜厚約０.７μ
ｍのポリイミド膜７を得る。

【０１０５】次いで、図５(ｃ)ではスパッタでタンタル
／銅８（ポリイミド膜７の保護膜）を８００Å形成後、
その上に約１μｍの銅９を形成した。

【０１０６】図５(ｄ)ではＣＭＰ(Ｃhemical−Ｍechani
cal Ｐolish)で銅９を平坦に研磨し配線層を得た。図
５(ａ)〜(ｄ)を繰り返すことにより、図５(ｅ)の銅／ポ
リイミド配線を有する電子装置を作製した。

【０１０７】塗布工程での平坦性が高く、露光時の光透
過性が高いことから、配線の微細化、高アスペクト比
化、高密度化が実現できた。

【０１０８】〔実施例 １０〕本発明の感光性樹脂組成
物を用いた多層Ａｌ配線構造を有する電子装置の製造工
程を図６に示す。

【０１０９】図６(ａ)に示すような、表面にＳｉＯ₂膜
１１を有するシリコンウエハ１０にＡｌ被膜を形成し、
これを公知のエッチング法で不要部分のＡｌ被膜を除去
し、所望の配線パターンを有する第１のＡｌ配線層１２
を形成する。

【０１１０】上記Ａｌ配線層１２は、ＳｉＯ₂膜１１の
所定の箇所に設けたスルーホールを介して半導体素子
（図示省略）と電気的に接続される。

【０１１１】次に、図６(ｂ)に示すように、実施例１で
用いた感光性樹脂組成物１３をスピンコートする。

【０１１２】図６(ｃ)に示すように露光、現像により配
線パターンを形成し、熱イミド化により膜厚約０.５μ
ｍのポリイミド膜１４を得る。

【０１１３】図６(ｄ)に示すように、該ポリイミド膜１
４に前記と同様にしてＡｌ被膜からなる第２のＡｌ配線
層１２’を形成し、第１のＡｌ配線層１２と電気的に接
続することによって回路を形成する。

【０１１４】図６(ａ)〜(ｄ)を繰り返すことにより、多
層Ａｌ配線構造を有するＬＳＩを作製した。塗布工程で
の平坦性が高く、露光時の光透過性が高いことから、配
線の微細化、高アスペクト比化、高密度化が実現でき
た。

【０１１５】前記実施例６〜１０において、本発明の感
光性物質を含まない樹脂組成物を用いても、フォトレジ
ストを用いることにより、同様のパターン形成された電
子装置が作製できる。

【０１１６】〔比較例 １〕ビス−(４−アミノフェニ
ル)スルホン（ＤＤＳＯ）４.９７ｇ（２０ｍｍｏｌ）の
ＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室温で、ビス(３,４−ジカ
ルボキシフェニル）エーテル酸二無水物（ＯＤＰＡ）
６．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間撹
拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下することにより
ポリアミド酸（ＯＤＰＡ／ＤＤＳＯ）固体１０.５ｇを
得た。

【０１１７】実施例１における、ポリアミド酸（ＴＭＡ
ＰＳ／ＤＤＳＯ）の代わりに上記のポリアミド酸（ＯＤ
ＰＡ／ＤＤＳＯ）を用いた以外は、全く同様の方法で感
光性樹脂組成物を得た。

【０１１８】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.０μｍのフィルムを調製した。
高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィルタおよび
遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。

【０１１９】ＴＭＡＨの１.１９％水溶液中で２０秒現
像したが、ポジ型の１００μｍ角のホールパターンが得
られなかった。

【０１２０】〔比較例 ２〕ビス−(４−アミノフェニ
ル)スルホン（ＤＤＳＯ）４.９７ｇ（２０ｍｍｏｌ）の
ＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に、室温で２,２−ビス(３,
４−ジカルボキシフェニル)−１,１,１,３,３,３−ヘキ
サフルオロプロパン酸二無水物（６ＦＤＡ）８.８８５
ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間撹拌する。
反応液を水（１.５ｌ)に滴下することによりポリアミド
酸（６ＦＤＡ／ＤＤＳＯ）固体１２.５ｇを得た。

【０１２１】実施例１におけるポリアミド酸（ＴＭＡＰ
Ｓ／ＤＤＳＯ）の代わりに、上記のポリアミド酸（６Ｆ
ＤＡ／ＤＤＳＯ）を用いた以外は、全く同様の方法で感
光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピン
コート法によってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で
３分間乾燥することにより膜厚６.２μｍのフィルムを
調製した。高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフィ
ルタおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照
射した。

【０１２２】ＴＭＡＨの１.１９％水溶液中で２０秒現
像したが、ポジ型の１００μｍ角のホールパターンが得
られなかった。

【０１２３】〔比較例 ３〕ビス−(４−アミノフェニ
ル)スルホン（ＤＤＳＯ）４.９７ｇ（２０ｍｍｏｌ）の
ＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に、室温で２,２−ビス(３,
４−ジカルボキシフェニル)ケトン（ＢＴＤＡ）６.４４
４ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で１０時間撹拌す
る。反応液を水（１.５ｌ）に滴下することによりポリ
アミド酸（ＢＴＤＡ／ＤＤＳＯ）固体１０.５ｇを得
た。

【０１２４】実施例１におけるポリアミド酸（ＴＭＡＰ
Ｓ／ＤＤＳＯ）の代わりに、上記のポリアミド酸（ＢＴ
ＤＡ／ＤＤＳＯ）を用いた以外は、全く同様の方法で感
光性樹脂組成物を得た。

【０１２５】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.２μｍのフィルムを調製した。

【０１２６】高圧水銀灯の光を用い、ｉ線バンドパスフ
ィルタおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²
照射した。ＴＭＡＨの１.１９％水溶液中で２０秒現像
したが、ポジ型の１００μｍ角のホールパターンが得ら
れなかった。

【０１２７】

【表１】

【０１２８】実施例１〜７、および、比較例１〜３の感
光性樹脂組成物の樹脂成分の透明性（波長３６５ｎｍに
おける膜厚１０μｍの吸光度）と、１μｍの段差が２０
μｍ間隔で並ぶ基板上に塗布、熱イミド化して得られた
フィルムの段差（平坦性）を表１に示す。本発明の樹脂
が高い透明性と平坦化性能を有しているのが分かる。

【０１２９】

【発明の効果】本発明によれば、これまでのポリイミド
の特長である耐熱性や機械的強度に加えて、平坦性、可
視紫外光に対する透明性を両立した樹脂組成物が実現で
き、電子装置の配線の微細化、高アスペクト比化、高密
度化に対応できる絶縁膜、バッファーコート膜、パッシ
ベーション膜を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のバッファーコート膜の製造工程図であ
る。

【図２】本発明における半導体素子の断面図である。

【図３】本発明における半導体素子の平面図である。

【図４】本発明における液晶表示素子用基板の断面図で
ある。

【図５】本発明における半導体素子の製造工程図であ
る。

【図６】本発明における半導体素子の製造工程図であ
る。

【符号の説明】

１…ＬＳＩ配線層、２…ボンディングパッド、３…感光
性樹脂組成物、４…ポリイミド、５…シリコンウエハ、
６…感光性樹脂組成物、７…ポリイミド膜、８…タンタ
ル／銅、９…銅、１０…シリコンウエハ、１１…ＳｉＯ
₂膜、１２…Ａｌ配線層、１３…感光性樹脂組成物、１
４…ポリイミド膜、１５…封止材、１６…Ａｌパッド、
１７…Ａｕワイヤ、１８…ポリイミド、１９…ＳｉＮ、
２０…Ａｌ配線、２１…絶縁膜、２２…シリコンウエ
ハ、２３…リードフレーム、２４…透明絶縁性基板、２
５…ゲート電極、２６…コモン配線、２７…ゲート絶縁
膜、２８…半導体層、２９…コンタクト層、３０…ドレ
イン電極、３１…ポリイミド、３２…ソース電極、３３
…対向電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三輪 崇夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 岡部 義昭 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA06 AA10 AA20 AB17 AC01 AD03 BE01 CB25 CB43 FA17 FA29 FA39 FA44 2H096 AA27 BA10 EA02 GA08 HA01 4J002 CM041 GP03 GQ05

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）、または、一般式〔２〕（式
   中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し
   数である） 【化１】 で示される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体を含
   むことを特徴とする樹脂組成物。
2. 【請求項２】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し単位が５
   〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機
   基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数である）で示さ
   れる繰り返し単位が９５〜５モル％ 【化２】 を有するポリイミド前駆体を含むことを特徴とする樹脂
   組成物。
3. 【請求項３】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）、または、一般式〔２〕（式
   中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し
   数である） 【化３】 で示される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体と、
   感光性物質を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組
   成物。
4. 【請求項４】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し単位が５
   〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機
   基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数である）で示さ
   れる繰り返し単位が９５〜５モル％ 【化４】 を有するポリイミド前駆体と、感光性物質を含むことを
   特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
5. 【請求項５】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）、または、一般式〔２〕（式
   中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し
   数である） 【化５】 で示される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体を含
   む樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥する工程、 該基板上にフォトレジストを塗布し乾燥する工程、 電磁波をパターン照射する工程、 前記フォトレジストを現像する工程、 前記樹脂組成物をエッチングによりパターン形成する工
   程、 前記フォトレジストを剥離する工程、を含むことを特徴
   とするパターン形成方法。
6. 【請求項６】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し単位が５
   〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機
   基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数である）で示さ
   れる繰り返し単位が９５〜５モル％ 【化６】 を有するポリイミド前駆体を含む樹脂組成物を基板上に
   塗布し乾燥する工程、 該基板上にフォトレジストを塗布し乾燥する工程、 電磁波をパターン照射する工程、 前記フォトレジストを現像する工程、 前記樹脂組成物をエッチングによりパターン形成する工
   程、 前記フォトレジストを剥離する工程、を含むことを特徴
   とするパターン形成方法。
7. 【請求項７】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）、または、一般式〔２〕（式
   中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し
   数である） 【化７】 で示される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体と、
   感光性物質を含むポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗
   布し乾燥する工程、 電磁波をパターン照射する工程、 前記感光性樹脂組成物をアルカリ性現像液で現像しパタ
   ーン形成する工程、を含むことを特徴とするパターン形
   成方法。
8. 【請求項８】 一般式〔１〕（式中Ｒ₁は２価の有機
   基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し単位が５
   〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機
   基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数である）で示さ
   れる繰り返し単位が９５〜５モル％ 【化８】 を有するポリイミド前駆体、および、感光性物質を含む
   ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥する工
   程、 電磁波をパターン照射する工程、 前記感光性樹脂組成物をアルカリ性現像液で現像しパタ
   ーン形成する工程、を含むことを特徴とするパターン形
   成方法。
9. 【請求項９】 電子装置の回路形成面または保護膜形成
   面にパターン形成された膜が、一般式〔１〕（式中Ｒ₁
   は２価の有機基、ｎは繰返し数である）、または、一般
   式〔２〕（式中Ｒ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機
   基、ｍは繰返し数である） 【化９】 で示される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体を含
   む樹脂組成物により形成されたことを特徴とする電子装
   置。
10. 【請求項１０】 電子装置の回路形成面または保護膜形
    成面にパターン形成された膜が、一般式〔１〕（式中Ｒ
    ₁は２価の有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰
    り返し単位が５〜９５モル％と、一般式〔２〕（式中Ｒ
    ₂は２価の有機基、Ｒ₃は１価の有機基、ｍは繰返し数で
    ある）で示される繰り返し単位が９５〜５モル％ 【化１０】 を有するポリイミド前駆体含む樹脂組成物により形成さ
    れたことを特徴とする電子装置。
11. 【請求項１１】 前記パターン形成された膜が感光性物
    質を含む請求項９または１０に記載の電子装置。
12. 【請求項１２】 一般式〔３〕 【化１１】 （式中Ｒ₄は２価の有機基、Ｒ₅は水素原子または１価の
    有機基、ｎは繰返し数である）で示される繰り返し単位
    を有するポリイミド前駆体。
13. 【請求項１３】 一般式〔４〕 【化１２】 （式中Ｒ₆は２価の有機基、ｎは繰返し数である）で示
    される繰り返し単位を有することを特徴とするポリイミ
    ド。
14. 【請求項１４】 電子装置の回路形成面または保護膜形
    成面にパターン形成された膜が、一般式〔４〕 【化１３】 （式中Ｒ₆は２価の有機基、ｎは繰返し数である）で示
    される繰り返し単位を有するポリイミドであることを特
    徴とする電子装置。