JP2000020935A - 磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録装置Info
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- JP2000020935A JP2000020935A JP10184312A JP18431298A JP2000020935A JP 2000020935 A JP2000020935 A JP 2000020935A JP 10184312 A JP10184312 A JP 10184312A JP 18431298 A JP18431298 A JP 18431298A JP 2000020935 A JP2000020935 A JP 2000020935A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライト特性に優れ、低ノイズで、高
密度記録が可能な磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に、外部作用により内部応力を生
じ得る物質からなる歪み制御層を形成し、歪み制御層に
歪みを発生させた状態で、さらに磁性層を積層する。
密度記録が可能な磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に、外部作用により内部応力を生
じ得る物質からなる歪み制御層を形成し、歪み制御層に
歪みを発生させた状態で、さらに磁性層を積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、計算機周辺記憶
装置、画像・音声記録等の磁気記録媒体及びこれを用い
た磁気ディスク装置に関する。
装置、画像・音声記録等の磁気記録媒体及びこれを用い
た磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク（ＨＤＤ）は、高速・高
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。
【０００３】従来より、ＨＤＤに用いられる磁気記録媒
体の角型比をあげ、高磁力および低ノイズの磁気記録媒
体を得るために、例えば基板にテクスチャをつけること
によって、その下地層に形状異方性を与え、走行方向の
保磁力角型比（Ｓ* ）を改善する試みがあった。しかし
ながら、この技術では、現在の様に磁気スペーシングを
小さくするために、浮上量を下げようとしているような
状況で、このようなテクスチャをつけると、磁気記録媒
体のトライポロジーに影響を与え、磁気記録媒体のグラ
イドハイトが高くなってしまうという問題が生じてい
た。
体の角型比をあげ、高磁力および低ノイズの磁気記録媒
体を得るために、例えば基板にテクスチャをつけること
によって、その下地層に形状異方性を与え、走行方向の
保磁力角型比（Ｓ* ）を改善する試みがあった。しかし
ながら、この技術では、現在の様に磁気スペーシングを
小さくするために、浮上量を下げようとしているような
状況で、このようなテクスチャをつけると、磁気記録媒
体のトライポロジーに影響を与え、磁気記録媒体のグラ
イドハイトが高くなってしまうという問題が生じてい
た。
【０００４】このようなことから、上述のように磁気記
録媒体のトライポロジーに影響を与えることなく、高磁
力および低ノイズの平滑な磁気記録媒体を得ることが望
まれている。
録媒体のトライポロジーに影響を与えることなく、高磁
力および低ノイズの平滑な磁気記録媒体を得ることが望
まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、高保磁力で、オーバーライト特性に優れ、低ノイズ
で、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高保磁力で、オーバーラ
イト特性に優れ、低ノイズで、高密度記録が可能な磁気
記録媒体を製造するための方法を提供することにある。
は、高保磁力で、オーバーライト特性に優れ、低ノイズ
で、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高保磁力で、オーバーラ
イト特性に優れ、低ノイズで、高密度記録が可能な磁気
記録媒体を製造するための方法を提供することにある。
【０００６】本発明の第３の目的は、高保磁力で、オー
バーライト特性に優れた磁気記録媒体を用いて、低ノイ
ズで高密度記録が可能な磁気ディスク装置を提供するこ
とにある。
バーライト特性に優れた磁気記録媒体を用いて、低ノイ
ズで高密度記録が可能な磁気ディスク装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、基板と、該基板上に形成され、外部からの作用によ
り内部応力を生じ得る物質からなる歪み制御層と、該歪
み制御層上に形成された磁性層とを具備することを特徴
とする。
は、基板と、該基板上に形成され、外部からの作用によ
り内部応力を生じ得る物質からなる歪み制御層と、該歪
み制御層上に形成された磁性層とを具備することを特徴
とする。
【０００８】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板
上に、外部からの作用により内部応力を生じる得る物質
からなる歪み制御層を形成する工程と、該歪み制御層に
熱または電場を与えて歪みを発生させる工程と、内部応
力が生じた歪み制御層上に磁性層を形成する工程とを具
備することを特徴とする。
上に、外部からの作用により内部応力を生じる得る物質
からなる歪み制御層を形成する工程と、該歪み制御層に
熱または電場を与えて歪みを発生させる工程と、内部応
力が生じた歪み制御層上に磁性層を形成する工程とを具
備することを特徴とする。
【０００９】本発明の磁気記録装置は、基板、該基板上
に形成され、外部からの作用により内部応力を生じ得る
物質からなる歪み制御層、及び該歪み制御層上に形成さ
れた磁性層を有する磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を
支持および回転駆動する駆動手段と、該磁気記録媒体に
対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、とを具備す
ることを特徴とする。
に形成され、外部からの作用により内部応力を生じ得る
物質からなる歪み制御層、及び該歪み制御層上に形成さ
れた磁性層を有する磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を
支持および回転駆動する駆動手段と、該磁気記録媒体に
対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、とを具備す
ることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】従来のテクスチャ、下地の配向性
等を利用して磁性粒子の異方性を面内方向に制御する方
法では、結晶Ｃ軸が面内に向くように制御することは可
能であるが、磁性粒子の方向性の制御は困難であった。
本発明者らは、磁性粒子の方向性を制御することに着目
して鋭意研究を行い、本発明をなすに至った。
等を利用して磁性粒子の異方性を面内方向に制御する方
法では、結晶Ｃ軸が面内に向くように制御することは可
能であるが、磁性粒子の方向性の制御は困難であった。
本発明者らは、磁性粒子の方向性を制御することに着目
して鋭意研究を行い、本発明をなすに至った。
【００１１】本発明の磁気記録媒体は、基板と、基板上
に形成された歪み制御層と、磁性層とを有するもので、
この歪み制御層は、外部からの作用により内部応力を生
じ得る物質から実質的になる。
に形成された歪み制御層と、磁性層とを有するもので、
この歪み制御層は、外部からの作用により内部応力を生
じ得る物質から実質的になる。
【００１２】本発明の製造方法によれば、この磁気記録
媒体は、基板上に、外部からの作用により内部応力を生
じる得る物質からなる歪み制御層を形成し、歪み制御層
に外部からの作用を与えて歪みを発生させ、歪みが生じ
た状態で、歪み制御層上に磁性層を形成することにより
得られる。
媒体は、基板上に、外部からの作用により内部応力を生
じる得る物質からなる歪み制御層を形成し、歪み制御層
に外部からの作用を与えて歪みを発生させ、歪みが生じ
た状態で、歪み制御層上に磁性層を形成することにより
得られる。
【００１３】また、本発明の磁気記録装置は、このよう
な磁気記録媒体を用いたもので、この磁気記録媒体と、
磁気記録媒体を支持および回転駆動する駆動手段と、磁
気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと
を有する。
な磁気記録媒体を用いたもので、この磁気記録媒体と、
磁気記録媒体を支持および回転駆動する駆動手段と、磁
気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと
を有する。
【００１４】本発明の磁性体、内部応力を生じる層（歪
み制御層）を基板面に供給する手段としては、スパッタ
法、真空蒸着法、ガス中スパッタ法、ガスフロースパッ
タ法等の物理蒸着法が用いられる。
み制御層）を基板面に供給する手段としては、スパッタ
法、真空蒸着法、ガス中スパッタ法、ガスフロースパッ
タ法等の物理蒸着法が用いられる。
【００１５】磁性体としては、少なくともＣｏ、Ｆｅ、
Ｎｉから選択された少なくとも一種の元素を含有する強
磁性体材料、例えば、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＴａＣｒ、Ｃ
ｏＴａＰｔ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＰｔ等が好ましく用い
られる。
Ｎｉから選択された少なくとも一種の元素を含有する強
磁性体材料、例えば、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＴａＣｒ、Ｃ
ｏＴａＰｔ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＰｔ等が好ましく用い
られる。
【００１６】また、歪み制御層としては、例えば強誘電
体、圧電結晶体、軟磁性体が好ましく用いられる。本発
明に用いられる磁性層は、外部作用により、歪み制御層
に内部応力（歪み）が生じ格子定数の変化した状態で形
成されるので、得られる磁性層中の磁性粒子の配向性及
び異方性は、この格子定数の影響を受ける。
体、圧電結晶体、軟磁性体が好ましく用いられる。本発
明に用いられる磁性層は、外部作用により、歪み制御層
に内部応力（歪み）が生じ格子定数の変化した状態で形
成されるので、得られる磁性層中の磁性粒子の配向性及
び異方性は、この格子定数の影響を受ける。
【００１７】例えば基板の上に、歪み制御層を成膜し、
その上に磁性膜を成膜する段階で、基板に電場、熱等の
外部作用を印加することにより、歪み制御層にディスク
の半径方向或いは同心円方向に一様、かつ同一半径上で
は同一方向に歪みを生じさせ、格子定数を制御すること
で、その上に形成される磁性層の磁性粒子の容易軸の向
きを揃えて円周方向に向くようにすることにより、磁性
層の異方性を制御することができる。これにより、磁気
記録媒体の円周方向（走行方向）の保磁力角型比（Ｓ
* ）を良好にすることができる。
その上に磁性膜を成膜する段階で、基板に電場、熱等の
外部作用を印加することにより、歪み制御層にディスク
の半径方向或いは同心円方向に一様、かつ同一半径上で
は同一方向に歪みを生じさせ、格子定数を制御すること
で、その上に形成される磁性層の磁性粒子の容易軸の向
きを揃えて円周方向に向くようにすることにより、磁性
層の異方性を制御することができる。これにより、磁気
記録媒体の円周方向（走行方向）の保磁力角型比（Ｓ
* ）を良好にすることができる。
【００１８】内部応力を生ずる物質としては、強誘電
体、圧電結晶体、及び軟磁性体等が用いられる。この物
質の内部応力を制御する外部作用としては、熱または電
場が好ましく用いられる。この他、磁場あるいは光も使
用し得る。
体、圧電結晶体、及び軟磁性体等が用いられる。この物
質の内部応力を制御する外部作用としては、熱または電
場が好ましく用いられる。この他、磁場あるいは光も使
用し得る。
【００１９】歪み制御層において、内部応力が生じてい
ないときと生じた時の歪みとの差は、１０％以内が好ま
しい。内部応力を生ずる物質として、強誘電体（圧電結
晶体を含む）を用いる場合には、ディスクの内周と外周
に電位差を与える。例えばディスクの内周をアース、外
周に一様に電圧を印加すると、同一円周上が等電位にな
り、半径方向に電場傾度が生じるため、同一半径上では
等しい内部応力（歪み）を発生し得る。
ないときと生じた時の歪みとの差は、１０％以内が好ま
しい。内部応力を生ずる物質として、強誘電体（圧電結
晶体を含む）を用いる場合には、ディスクの内周と外周
に電位差を与える。例えばディスクの内周をアース、外
周に一様に電圧を印加すると、同一円周上が等電位にな
り、半径方向に電場傾度が生じるため、同一半径上では
等しい内部応力（歪み）を発生し得る。
【００２０】また、内部応力を生ずる物質として、熱を
加えることで結晶歪みを生じる結晶、例えば強誘電体を
用い、温度による格子定数の変化、キュリー点Ｔｃ前後
での転移を利用することができる。
加えることで結晶歪みを生じる結晶、例えば強誘電体を
用い、温度による格子定数の変化、キュリー点Ｔｃ前後
での転移を利用することができる。
【００２１】さらに、内部応力を生ずる物質として、軟
磁性体を用い、温度、外部磁場、光等で磁歪を発生させ
ることも可能である。本発明に用いられる歪み制御層
は、基板上に直接形成しても良いし、基板と歪み制御層
との間、あるいは磁性層と歪み制御層との間に、下地層
及びシード層等を適宜を介在させることができる。
磁性体を用い、温度、外部磁場、光等で磁歪を発生させ
ることも可能である。本発明に用いられる歪み制御層
は、基板上に直接形成しても良いし、基板と歪み制御層
との間、あるいは磁性層と歪み制御層との間に、下地層
及びシード層等を適宜を介在させることができる。
【００２２】歪み制御層に内部応力（歪み）が生じた状
態を得るために、外部作用を印加する時期は、歪み制御
層の形成工程、歪み制御層の形成後、及び磁性層の形成
工程に亘り、歪み制御層の特性に応じて適宜設定し得
る。
態を得るために、外部作用を印加する時期は、歪み制御
層の形成工程、歪み制御層の形成後、及び磁性層の形成
工程に亘り、歪み制御層の特性に応じて適宜設定し得
る。
【００２３】例えば外部作用が無くなることで元の状態
に戻ろうとする内部応力による歪みを利用する場合に
は、歪み制御層を形成する工程のみに、外部作用を印加
することができる。あるいは外部作用を与えられた後、
歪みが持続する場合には、歪み制御層の形成後に外部作
用を印加することができる。また、外部作用を与えない
と歪みが発生しない場合には、少なくとも磁性層の形成
工程中は継続して外部作用を印加することが好ましい。
に戻ろうとする内部応力による歪みを利用する場合に
は、歪み制御層を形成する工程のみに、外部作用を印加
することができる。あるいは外部作用を与えられた後、
歪みが持続する場合には、歪み制御層の形成後に外部作
用を印加することができる。また、外部作用を与えない
と歪みが発生しない場合には、少なくとも磁性層の形成
工程中は継続して外部作用を印加することが好ましい。
【００２４】
【実施例】以下、図面を参照し、本発明を具体的に説明
する。図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を表わす概
略断面図である。図示するように、この磁気記録媒体１
０は、基板１上に、歪み制御層２、磁性層３、保護層
４、および潤滑層５を順に積層した構成を有する。
する。図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を表わす概
略断面図である。図示するように、この磁気記録媒体１
０は、基板１上に、歪み制御層２、磁性層３、保護層
４、および潤滑層５を順に積層した構成を有する。
【００２５】図２は、図１に示す構造を有する磁気記録
媒体１０を適用した磁気記録装置の一例を表わす概略図
を示す。図示するように、この磁気記録装置６０は、上
面の開口した矩形箱状のケース１２を有し、ケース１２
内には、図１に示す構造を有する磁気記録媒体としての
磁気ディスク１０、この磁気ディスク１０を指示及び回
転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１８、磁気
ディスク１０に対して情報の書き込み、読み出しを行う
磁気ヘッド７０、この磁気ヘッド７０を磁気ディスク１
０に対して移動自在に指示した回転アーム９０及びヘッ
ドＩＣ等を有する基板ユニット２１が収納されている。
媒体１０を適用した磁気記録装置の一例を表わす概略図
を示す。図示するように、この磁気記録装置６０は、上
面の開口した矩形箱状のケース１２を有し、ケース１２
内には、図１に示す構造を有する磁気記録媒体としての
磁気ディスク１０、この磁気ディスク１０を指示及び回
転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１８、磁気
ディスク１０に対して情報の書き込み、読み出しを行う
磁気ヘッド７０、この磁気ヘッド７０を磁気ディスク１
０に対して移動自在に指示した回転アーム９０及びヘッ
ドＩＣ等を有する基板ユニット２１が収納されている。
【００２６】磁気ディスク１０は、スピンドルモータ１
８の図示しないハブに同軸的に嵌合されていると共にク
ランプばね１７により保持されている。スビンドルモー
タ１８を駆動することにより、磁気ディスク１０は所定
の速度で回転駆動される。回転アーム９０を回転し、磁
気ヘッド７０を磁気ディスク１０の所定位置に位置決め
し、磁気ディスク１０への情報の記録再生が行われる。
８の図示しないハブに同軸的に嵌合されていると共にク
ランプばね１７により保持されている。スビンドルモー
タ１８を駆動することにより、磁気ディスク１０は所定
の速度で回転駆動される。回転アーム９０を回転し、磁
気ヘッド７０を磁気ディスク１０の所定位置に位置決め
し、磁気ディスク１０への情報の記録再生が行われる。
【００２７】以下に、上述の磁気記録装置に適用し得る
磁気記録媒体の具体的な例を示す。 実施例１ 基板として、２．５インチガラスを用意した。Ａｒガス
２ｍＴｏｒｒ雰囲気中で、ガラス基板上に、歪み制御層
として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）をＲＦスパ
ッタで１０ｎｍ成膜した。その後、歪み制御層に電場を
与えた。
磁気記録媒体の具体的な例を示す。 実施例１ 基板として、２．５インチガラスを用意した。Ａｒガス
２ｍＴｏｒｒ雰囲気中で、ガラス基板上に、歪み制御層
として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）をＲＦスパ
ッタで１０ｎｍ成膜した。その後、歪み制御層に電場を
与えた。
【００２８】図３に、歪み制御層に電場を与える様子を
表わす図を示す。図示するように、基板１０内周をアー
スとし、外周に一様にＤＣバイアスを６００Ｗ印加し
た。ＤＣバイアスを印加しながら、ＲＦマグネトロンス
パッタ法を用いて、チタン酸バリウム層上に、ＣｏＰｔ
合金とＳｉＯ2 を二元同時スパッタで成膜し、磁性層を
得た。図中矢印Ｍは、歪み制御により発生し得る磁気異
方性の方向、及び矢印Ｅは、電圧の勾配の方向を示す。
表わす図を示す。図示するように、基板１０内周をアー
スとし、外周に一様にＤＣバイアスを６００Ｗ印加し
た。ＤＣバイアスを印加しながら、ＲＦマグネトロンス
パッタ法を用いて、チタン酸バリウム層上に、ＣｏＰｔ
合金とＳｉＯ2 を二元同時スパッタで成膜し、磁性層を
得た。図中矢印Ｍは、歪み制御により発生し得る磁気異
方性の方向、及び矢印Ｅは、電圧の勾配の方向を示す。
【００２９】最後に、Ｃ保護膜を１０ｎｍ成膜した。こ
れらの工程は、連続して行った。得られた磁気記録媒体
をディスクＡとした。また、比較として、ＢａＴｉＯ3
歪み制御層を成膜しないディスクを形成し、ディスクＢ
とした。
れらの工程は、連続して行った。得られた磁気記録媒体
をディスクＡとした。また、比較として、ＢａＴｉＯ3
歪み制御層を成膜しないディスクを形成し、ディスクＢ
とした。
【００３０】得られたディスクＡ、ＢのＣ保護膜の上に
潤滑剤をディップコートして、電磁変換特性評価を行っ
た。また、ディスクから小片を切出して、磁気特性をＶ
ＳＭで、その構造をＸ−ｒａｙ測定により解析した。
潤滑剤をディップコートして、電磁変換特性評価を行っ
た。また、ディスクから小片を切出して、磁気特性をＶ
ＳＭで、その構造をＸ−ｒａｙ測定により解析した。
【００３１】下記表１に、それぞれのディスクの静磁気
特性を示す。なお、ＣａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 でも同
様な結果が得られた。 実施例２ 実施例１と同様にして基板上に歪み制御層として、Ｓｒ
Ｂｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 （ＳＢＴ）を成膜した後、その上にＶ
下地層を形成し、磁性薄膜としてＣｏＰｔＣｒＯ合金タ
ーゲット（Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ）を用い、酸素０．０
２％を含むＡｒガス０．６Ｐａ中で２００Ｗを投入し、
ＤＣスパッタを行った。
特性を示す。なお、ＣａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 でも同
様な結果が得られた。 実施例２ 実施例１と同様にして基板上に歪み制御層として、Ｓｒ
Ｂｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 （ＳＢＴ）を成膜した後、その上にＶ
下地層を形成し、磁性薄膜としてＣｏＰｔＣｒＯ合金タ
ーゲット（Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ）を用い、酸素０．０
２％を含むＡｒガス０．６Ｐａ中で２００Ｗを投入し、
ＤＣスパッタを行った。
【００３２】Ｖ下地層を形成時及びＤＣスパッタ時に、
歪み制御層に熱を与えた。図４に、歪み制御層に熱を与
える様子を表わす図を示す。図示するように、基板１０
外周にヒーター２０を配置し、外周に一様に熱（１００
℃）を加えた。図中、矢印Ｍは、歪み制御により発生し
得る磁気異方性の方向、及び矢印Ｆは、温度勾配の方向
を示す。
歪み制御層に熱を与えた。図４に、歪み制御層に熱を与
える様子を表わす図を示す。図示するように、基板１０
外周にヒーター２０を配置し、外周に一様に熱（１００
℃）を加えた。図中、矢印Ｍは、歪み制御により発生し
得る磁気異方性の方向、及び矢印Ｆは、温度勾配の方向
を示す。
【００３３】その後、連続して、Ｃ保護膜を１０ｎｍ成
膜した。得られた磁気記録媒体をディスクＣとした。比
較としてＳＢＴを成膜せず、かつ基板の加熱もせずに磁
気記録媒体を形成し、これをディスクＤとする。
膜した。得られた磁気記録媒体をディスクＣとした。比
較としてＳＢＴを成膜せず、かつ基板の加熱もせずに磁
気記録媒体を形成し、これをディスクＤとする。
【００３４】得られたディスクＣ及びＤについて、実施
例１と同様にして電磁変換特性評価行い、その構造をＸ
−ｒａｙ測定により解析した。下記表１に、それぞれの
ディスクの静磁気特性を示す。
例１と同様にして電磁変換特性評価行い、その構造をＸ
−ｒａｙ測定により解析した。下記表１に、それぞれの
ディスクの静磁気特性を示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１から明らかなように、ディスクＢ、Ｄ
は、面内ランダムで特性にほとんど違いは見られない
が、ディスクＡ、Ｃは、半径方向より円周方向の特性が
向上していることがわかる。特に、角型比Ｓ＊が０．５
〜１程度円周方向の方が向上している。
は、面内ランダムで特性にほとんど違いは見られない
が、ディスクＡ、Ｃは、半径方向より円周方向の特性が
向上していることがわかる。特に、角型比Ｓ＊が０．５
〜１程度円周方向の方が向上している。
【００３７】また、Ｘ−ｒａｙ測定から、ディスクＡ、
Ｃの方が、Ｂ、Ｄと比較して、ＣｏＰｔ（１００）、Ｃ
ｏＰｔ（１１０）の強度が強く、シャープに見られたこ
とから、ＣｏＰｔの容易軸（Ｃ軸）が面内に向いている
ことがわかる。
Ｃの方が、Ｂ、Ｄと比較して、ＣｏＰｔ（１００）、Ｃ
ｏＰｔ（１１０）の強度が強く、シャープに見られたこ
とから、ＣｏＰｔの容易軸（Ｃ軸）が面内に向いている
ことがわかる。
【００３８】これらのディスクの電磁変換特性評価を行
ったところ、記録周波数２００ｋｆｃｉにおいて、規格
化媒体ノイズは、どのディスクも０．１μｍ1/2 μＶｒ
ｍｓ／μＶｐｐ以下と非常に低ノイズな結果を示した
が、ディスクＡ、Ｃの方が、ＤＣノイズが約０．０２μ
ｍ1/2 μＶｐｐ／μＶｒｍｓ程度低く、３３ｋｆｃｉの
信号を２００ｋｆｃｉでオーバーライトしたときの値
も、５ｄＢ程度低い値を示した。これは円周方向にＣｏ
Ｐｔの配向性が揃い、配向斑がなくなった効果と考えら
れる。
ったところ、記録周波数２００ｋｆｃｉにおいて、規格
化媒体ノイズは、どのディスクも０．１μｍ1/2 μＶｒ
ｍｓ／μＶｐｐ以下と非常に低ノイズな結果を示した
が、ディスクＡ、Ｃの方が、ＤＣノイズが約０．０２μ
ｍ1/2 μＶｐｐ／μＶｒｍｓ程度低く、３３ｋｆｃｉの
信号を２００ｋｆｃｉでオーバーライトしたときの値
も、５ｄＢ程度低い値を示した。これは円周方向にＣｏ
Ｐｔの配向性が揃い、配向斑がなくなった効果と考えら
れる。
【００３９】以上、歪みを与える外部作用を電場、熱に
関して実例を挙げてきたが、例えば軟磁性体の様に磁場
を印加することで磁歪を生じさせることも可能である
し、光を当てて歪ませることも可能である。ただし、歪
みの制御性の観点から電場、熱の方が好ましい。
関して実例を挙げてきたが、例えば軟磁性体の様に磁場
を印加することで磁歪を生じさせることも可能である
し、光を当てて歪ませることも可能である。ただし、歪
みの制御性の観点から電場、熱の方が好ましい。
【００４０】このように、本発明によれば、磁気記録媒
体の積層の一層として内部応力による歪みを制御する層
を設けることで磁性層の異方性を制御しているので、先
行技術のように媒体のトライポロジーに影響を与えるこ
となく、平滑な媒体の製造が可能である。
体の積層の一層として内部応力による歪みを制御する層
を設けることで磁性層の異方性を制御しているので、先
行技術のように媒体のトライポロジーに影響を与えるこ
となく、平滑な媒体の製造が可能である。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、外部から作用を加える
ことで、内部応力により磁性層の下層に設けられた歪み
制御層の結晶を歪ませ、歪み制御層上に形成される磁性
層の異方性を制御し、円周方向の保磁力角型比を良好に
することができる。これにより、高保磁力で、オーバー
ライト特性に優れた磁気記録媒体が得られる。また、こ
のような、磁気記録媒体を適用した磁気記録装置を用い
ると、低ノイズで、高密度な記録が可能となる。
ことで、内部応力により磁性層の下層に設けられた歪み
制御層の結晶を歪ませ、歪み制御層上に形成される磁性
層の異方性を制御し、円周方向の保磁力角型比を良好に
することができる。これにより、高保磁力で、オーバー
ライト特性に優れた磁気記録媒体が得られる。また、こ
のような、磁気記録媒体を適用した磁気記録装置を用い
ると、低ノイズで、高密度な記録が可能となる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の一例を表わす概略断
面図
面図
【図２】 本発明の磁気記録装置の一例を表わす概略図
【図３】 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一工程を
説明するための図
説明するための図
【図４】 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一工程を
説明するための図
説明するための図
１…基板 ２…歪み制御層 ３…磁性層 １０…磁気ディスク １２…ケース １７…クランプばね １８…スピンドルモータ ２１…基板ユニット ６０…磁気記録装置 ７０…磁気ヘッド ９０…回転アーム
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成され、外部から
の作用により内部応力を生じ得る物質からなる歪み制御
層と、該歪み制御層上に形成された磁性層とを具備する
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記外部からの作用により内部応力を生
じ得る物質は、強誘電体、圧電結晶体、及び軟磁性体か
らなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、外部からの作用により内部応
力を生じる得る物質からなる歪み制御層を形成する工程
と、該歪み制御層に熱または電場を与えて歪みを発生さ
せる工程と、内部応力が生じた歪み制御層上に磁性層を
形成する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項４】 前記外部からの作用により内部応力を生
じ得る物質は、強誘電体、圧電結晶体、及び軟磁性体か
らなる群から選択されることを特徴とする請求項３に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 基板、該基板上に形成され、外部からの
作用により内部応力を生じ得る物質からなる歪み制御
層、及び該歪み制御層上に形成された磁性層を有する磁
気記録媒体と、 該磁気記録媒体を支持および回転駆動する駆動手段と、 該磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッ
ドと、とを具備することを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項６】 前記外部からの作用により内部応力を生
じ得る物質は、強誘電体、圧電結晶体、及び軟磁性体か
らなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記
載の磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10184312A JP2000020935A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10184312A JP2000020935A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000020935A true JP2000020935A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16151145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10184312A Pending JP2000020935A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000020935A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009047866A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体、磁気記録方法および磁気記録装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10184312A patent/JP2000020935A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009047866A1 (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体、磁気記録方法および磁気記録装置 |
| JP4767346B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2011-09-07 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録方法および磁気記録装置 |
| US8374070B2 (en) | 2007-10-12 | 2013-02-12 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium having piezoelectric material and apparatus for recording information data into such magnetic medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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