JP2000019716A - 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法Info
- Publication number
- JP2000019716A JP2000019716A JP16709199A JP16709199A JP2000019716A JP 2000019716 A JP2000019716 A JP 2000019716A JP 16709199 A JP16709199 A JP 16709199A JP 16709199 A JP16709199 A JP 16709199A JP 2000019716 A JP2000019716 A JP 2000019716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- alignment detection
- substrate surface
- substrate
- opaque material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相シフトマスクおよびそのアライメント検
出を改善し、シリコンウェハにおいて形成可能なトレン
チのサイズを低減する。 【解決手段】 基板表面の選定部分に不透明材料が配置
されている。基板表面第1部分に配置された不透明材料
は十字形スペースを有し、この十字形スペースの第1ラ
インによりアライメント検出領域のための第1アライメ
ント検出指標ペアの第1部分が形成され、第2ラインに
よりアライメント検出領域のための第1アライメント検
出指標ペアの第2部分が形成される。基板表面第2部分
ペアの各々一方の不透明材料は複数のスペースを有して
おり、この第2部分の複数のスペース各々により基板表
面の下に位置する部分が露出され、この第2部分の第1
の領域におけるスペースは十字形スペースの第1ライン
と平行であり、第2部分の第2の領域におけるスペース
は十字形スペースの第2ラインと平行である。
出を改善し、シリコンウェハにおいて形成可能なトレン
チのサイズを低減する。 【解決手段】 基板表面の選定部分に不透明材料が配置
されている。基板表面第1部分に配置された不透明材料
は十字形スペースを有し、この十字形スペースの第1ラ
インによりアライメント検出領域のための第1アライメ
ント検出指標ペアの第1部分が形成され、第2ラインに
よりアライメント検出領域のための第1アライメント検
出指標ペアの第2部分が形成される。基板表面第2部分
ペアの各々一方の不透明材料は複数のスペースを有して
おり、この第2部分の複数のスペース各々により基板表
面の下に位置する部分が露出され、この第2部分の第1
の領域におけるスペースは十字形スペースの第1ライン
と平行であり、第2部分の第2の領域におけるスペース
は十字形スペースの第2ラインと平行である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
およびその製造方法ならびにアライメント検出方法に関
する。
およびその製造方法ならびにアライメント検出方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来技術において知られているように、
サブミクロンの輪郭をもつ半導体をパターニングするた
めに位相シフトマスクが用いられる。位相シフトマスク
を用いた場合、適切なマスク効果を得るために光線の干
渉が利用される。ターゲットに晒される光の位相は、明
るい領域が有利には互いに180゜の位相のずれで形成
されるようにコントロールされる。したがって、弱め合
う干渉により明るい領域の間に暗い領域が生じることに
なる。
サブミクロンの輪郭をもつ半導体をパターニングするた
めに位相シフトマスクが用いられる。位相シフトマスク
を用いた場合、適切なマスク効果を得るために光線の干
渉が利用される。ターゲットに晒される光の位相は、明
るい領域が有利には互いに180゜の位相のずれで形成
されるようにコントロールされる。したがって、弱め合
う干渉により明るい領域の間に暗い領域が生じることに
なる。
【0003】一般に位相シフトマスクは、種々異なる3
つの材料層の上に形成された個々のパターンによって構
成されている。クロムなどの不透明な層により、光を透
過させない領域(つまり著しく光を反射する層または表
面)が形成される。水晶などの第1の透過層により、光
をほぼ100%通過させる領域が形成される。水晶中に
所定の距離だけエッチングされたエリアなどのような透
過性位相シフト層により、ほぼ100%光を通過させる
が第1の透過層を通過する光に対し180゜位相をシフ
トさせる領域が形成される。第1の透過層と透過性位相
シフト層は、各領域を通って回折した光線がそれらの間
の暗くなった領域で相殺されるようにポジショニングさ
れる。これによって暗い領域と明るい領域のパターンが
生成され、これらのパターンを半導体ウェハ上に所望の
フィーチャを明確に描くために利用できる。
つの材料層の上に形成された個々のパターンによって構
成されている。クロムなどの不透明な層により、光を透
過させない領域(つまり著しく光を反射する層または表
面)が形成される。水晶などの第1の透過層により、光
をほぼ100%通過させる領域が形成される。水晶中に
所定の距離だけエッチングされたエリアなどのような透
過性位相シフト層により、ほぼ100%光を通過させる
が第1の透過層を通過する光に対し180゜位相をシフ
トさせる領域が形成される。第1の透過層と透過性位相
シフト層は、各領域を通って回折した光線がそれらの間
の暗くなった領域で相殺されるようにポジショニングさ
れる。これによって暗い領域と明るい領域のパターンが
生成され、これらのパターンを半導体ウェハ上に所望の
フィーチャを明確に描くために利用できる。
【0004】この種の位相シフトマスクの1つのタイプ
は、水晶基板10によって形成されている(図1〜図3
参照)。この場合、水晶基板10は、その表面に形成さ
れたクロム層12を有している。描かれた第1の透過領
域16および透過性位相シフト領域18の形成における
成第1のステップのパターンがクロム12中にエッチン
グされ(つまり”書き込まれ”)、図1〜図3に示され
ているように、下に位置する水晶10の表面領域が露出
する。なお、アライメント検出領域20の第1部分のパ
ターンもクロム12に書き込まれる。アライメント検出
領域20の第1部分は正方形のクロム・水晶界面24を
有しており、これには中央に配置された正方形のクロム
パッチ121−124が設けられていて、これら4つの
正方形のパッチ121−124の間に十字状領域(すな
わち交差ライン17a,17bのペア)が形成されるよ
うに配置されている。
は、水晶基板10によって形成されている(図1〜図3
参照)。この場合、水晶基板10は、その表面に形成さ
れたクロム層12を有している。描かれた第1の透過領
域16および透過性位相シフト領域18の形成における
成第1のステップのパターンがクロム12中にエッチン
グされ(つまり”書き込まれ”)、図1〜図3に示され
ているように、下に位置する水晶10の表面領域が露出
する。なお、アライメント検出領域20の第1部分のパ
ターンもクロム12に書き込まれる。アライメント検出
領域20の第1部分は正方形のクロム・水晶界面24を
有しており、これには中央に配置された正方形のクロム
パッチ121−124が設けられていて、これら4つの
正方形のパッチ121−124の間に十字状領域(すな
わち交差ライン17a,17bのペア)が形成されるよ
うに配置されている。
【0005】次に、最初の書き込みステップ(図1〜図
3参照)で形成された透過性位相シフト領域18のパタ
ーンを、下に位置する水晶10の表面領域中にエッチン
グすることによって、透過性位相シフト領域18のパタ
ーン完成し、これによって図4〜図6に示されているよ
うに水晶10中に凹部25が形成される。なお、この第
2の書き込みステップ中に、図4〜図6に描かれている
ように領域20における水晶10の表面部分中に、ライ
ン17′a,17′bにより形成された十字がエッチン
グされる。さらに付言すると、このような2つの書き込
みステップによって透過性位相シフト領域18を第1の
透過領域16に対し適切なアライメントで生成すれば、
2つの十字(すなわち第1の書き込みステップでライン
17a,17bにより形成された図3の十字と、第2の
書き込みステップでライン17′a,17′bにより形
成された図4の十字)とが互いにアライメントされた
(見当合わせされた)状態になる。ミスアライメントの
量は次のようにして求められる。すなわち、スリット2
1に光(図示せず)を通過させ、アライメント検出領域
20の表面にわたりスリット21を、2つの直交する方
向すなわち図5に示されているX方向とY方向の各々の
ために2つのステップで動かすことにより求められる。
3参照)で形成された透過性位相シフト領域18のパタ
ーンを、下に位置する水晶10の表面領域中にエッチン
グすることによって、透過性位相シフト領域18のパタ
ーン完成し、これによって図4〜図6に示されているよ
うに水晶10中に凹部25が形成される。なお、この第
2の書き込みステップ中に、図4〜図6に描かれている
ように領域20における水晶10の表面部分中に、ライ
ン17′a,17′bにより形成された十字がエッチン
グされる。さらに付言すると、このような2つの書き込
みステップによって透過性位相シフト領域18を第1の
透過領域16に対し適切なアライメントで生成すれば、
2つの十字(すなわち第1の書き込みステップでライン
17a,17bにより形成された図3の十字と、第2の
書き込みステップでライン17′a,17′bにより形
成された図4の十字)とが互いにアライメントされた
(見当合わせされた)状態になる。ミスアライメントの
量は次のようにして求められる。すなわち、スリット2
1に光(図示せず)を通過させ、アライメント検出領域
20の表面にわたりスリット21を、2つの直交する方
向すなわち図5に示されているX方向とY方向の各々の
ために2つのステップで動かすことにより求められる。
【0006】第1のスキャンステップ中、スリット21
は、第1の領域(すなわちスキャン領域1)に沿ってア
ライメント検出領域20の表面上を動かされ、この場
合、スリット21は、アライメント検出領域20の中央
部分すなわち4つのクロムパッチ121−124を横切
って進む。その際、アライメント検出領域20の表面で
反射した光の量が検知され、そのような反射光の量を表
す電圧が、図7に示されているように時間またはアライ
メント検出領域20に沿った距離の関数として生成され
る。なお、光はまず最初にアライメント検出領域20と
接するクロム表面で反射し、ついで水晶10のエッチン
グされた表面部分とエッチングされていない表面部分で
反射し、次にクロムパッチ121−124の表面で、そ
れからライン17aを形成する水晶10のエッチングさ
れていない表面で反射し、その後、これらの表面からの
反射が左右対称に繰り返される。
は、第1の領域(すなわちスキャン領域1)に沿ってア
ライメント検出領域20の表面上を動かされ、この場
合、スリット21は、アライメント検出領域20の中央
部分すなわち4つのクロムパッチ121−124を横切
って進む。その際、アライメント検出領域20の表面で
反射した光の量が検知され、そのような反射光の量を表
す電圧が、図7に示されているように時間またはアライ
メント検出領域20に沿った距離の関数として生成され
る。なお、光はまず最初にアライメント検出領域20と
接するクロム表面で反射し、ついで水晶10のエッチン
グされた表面部分とエッチングされていない表面部分で
反射し、次にクロムパッチ121−124の表面で、そ
れからライン17aを形成する水晶10のエッチングさ
れていない表面で反射し、その後、これらの表面からの
反射が左右対称に繰り返される。
【0007】図7には、スキャン領域1をスキャンした
ときにこのような反射により生成される電圧が示されて
いる。付言すると、この電圧のレベルは界面24におけ
る第1の遷移点Aと、2つのパッチ122および123
の前縁とエッチングされた水晶との間の界面36におけ
る第2の遷移点Bと、2つのパッチ122および12 3
の後縁と十字のライン17aを成す水晶10のエッチン
グされていない表面との間の界面40における第3の遷
移点Cと、2つのパッチ121および124の前縁と十
字のライン17aを成す水晶10のエッチングされてい
ない表面との間の界面40′における第4の遷移点D
と、パッチ121および124の後縁とエッチングされ
ていない水晶との間の界面36′における第5の遷移点
Fと、界面24における第6の遷移点Gを有している。
ときにこのような反射により生成される電圧が示されて
いる。付言すると、この電圧のレベルは界面24におけ
る第1の遷移点Aと、2つのパッチ122および123
の前縁とエッチングされた水晶との間の界面36におけ
る第2の遷移点Bと、2つのパッチ122および12 3
の後縁と十字のライン17aを成す水晶10のエッチン
グされていない表面との間の界面40における第3の遷
移点Cと、2つのパッチ121および124の前縁と十
字のライン17aを成す水晶10のエッチングされてい
ない表面との間の界面40′における第4の遷移点D
と、パッチ121および124の後縁とエッチングされ
ていない水晶との間の界面36′における第5の遷移点
Fと、界面24における第6の遷移点Gを有している。
【0008】第2のスキャンステップ中、スリット21
ここでは一対のスリット21は、一対の第2の領域(す
なわちスキャン領域2)に沿ってアライメント検出領域
20の表面上を動かされ、この場合、スリット21の各
々は、アライメント検出領域の外側周縁部分上を進み、
つまりライン17′aからのエッチングされていない水
晶の表面上を進み、次にエッチングされた水晶の表面上
を、その後、エッチングされていない水晶の表面上を進
む。その際、アライメント検出領域20の表面で反射し
た光の量が検知され、そのような反射光の量を表す電圧
が、図8に示されているように時間またはアライメント
検出領域20に沿った距離の関数として生成される。
ここでは一対のスリット21は、一対の第2の領域(す
なわちスキャン領域2)に沿ってアライメント検出領域
20の表面上を動かされ、この場合、スリット21の各
々は、アライメント検出領域の外側周縁部分上を進み、
つまりライン17′aからのエッチングされていない水
晶の表面上を進み、次にエッチングされた水晶の表面上
を、その後、エッチングされていない水晶の表面上を進
む。その際、アライメント検出領域20の表面で反射し
た光の量が検知され、そのような反射光の量を表す電圧
が、図8に示されているように時間またはアライメント
検出領域20に沿った距離の関数として生成される。
【0009】ここで付言しておくと、この電圧は界面2
4における第1の遷移点Hと、エッチングされていない
水晶10とライン17′aの前縁を成すエッチングされ
た水晶10との間の界面42における第2の遷移点I
と、エッチングされていない水晶10とライン17′a
の後縁を成すエッチングされた水晶10との間の界面4
2′における第3の遷移点Jと、さらに界面24におけ
る第4の遷移点Kを有している。
4における第1の遷移点Hと、エッチングされていない
水晶10とライン17′aの前縁を成すエッチングされ
た水晶10との間の界面42における第2の遷移点I
と、エッチングされていない水晶10とライン17′a
の後縁を成すエッチングされた水晶10との間の界面4
2′における第3の遷移点Jと、さらに界面24におけ
る第4の遷移点Kを有している。
【0010】なお、スキャン領域1のスキャン中に生成
された電圧レベル(図7)中の第1のノッチ50は、第
1の書き込み中に形成された十字のライン17aをスキ
ャンしたときに遷移点CとDの間で形成され、スキャン
領域2のスキャン中に生成された電圧レベル(図8)中
の第2のノッチ52は、第2の書き込み中に形成された
十字のライン17′aをスキャンしたときに遷移点Iと
Jの間で形成される。ライン17aは第1の透過領域1
6と同じ書き込みステップで形成されたものであり、ラ
イン17′aは透過性位相シフト領域18と同じ書き込
みステップで形成されたものであるので、第1の書き込
み中に形成される第1の透過領域16が第2の書き込み
で完成される透過性位相シフト領域18と正確にアライ
メントされているならば、ノッチ50,52は互いにア
ライメントされた(すなわち中心の合わせられた)状態
になるであろう。したがって電圧ノッチ50,52の各
中心間の偏差量によって、X方向におけるミスアライメ
ントが表されることになる。2つのスキャンステップは
Y方向に沿っても行われるので、それによってY方向に
おけるミスアライメント測定が行われる。
された電圧レベル(図7)中の第1のノッチ50は、第
1の書き込み中に形成された十字のライン17aをスキ
ャンしたときに遷移点CとDの間で形成され、スキャン
領域2のスキャン中に生成された電圧レベル(図8)中
の第2のノッチ52は、第2の書き込み中に形成された
十字のライン17′aをスキャンしたときに遷移点Iと
Jの間で形成される。ライン17aは第1の透過領域1
6と同じ書き込みステップで形成されたものであり、ラ
イン17′aは透過性位相シフト領域18と同じ書き込
みステップで形成されたものであるので、第1の書き込
み中に形成される第1の透過領域16が第2の書き込み
で完成される透過性位相シフト領域18と正確にアライ
メントされているならば、ノッチ50,52は互いにア
ライメントされた(すなわち中心の合わせられた)状態
になるであろう。したがって電圧ノッチ50,52の各
中心間の偏差量によって、X方向におけるミスアライメ
ントが表されることになる。2つのスキャンステップは
Y方向に沿っても行われるので、それによってY方向に
おけるミスアライメント測定が行われる。
【0011】エッチングされていない水晶とエッチング
された水晶の表面からの反射(すなわち図8の遷移点I
とJ)において十分なコントラストを得るためには、水
晶表面のエッチングされていない部分上でのスキャン領
域2におけるスキャンを、比較的一定の信号レベルが得
られるよう十分に長くしなければならず、これに対しエ
ッチングされた表面部分からの反射は即座に検出可能で
ある。それゆえ、下に位置するシリコン半導体材料のか
なり広いエリアが、水晶を通り抜けた光に晒されること
になる。あとで行われるホトリソグラフィにおいて、こ
のように広い範囲にわたり露光されたエリアが生じるこ
とで、シリコン中にかなり大きいトレンチが形成される
ことになる。このようなトレンチは少なくとも部分的に
充填しなければならず、トレンチ充填プロセス中、トレ
ンチ内に汚れがいくらか入り込む可能性がある。しかし
そのような汚れは自由になり、その拘束が解かれて製造
されたディバイスに対し悪影響を及ぼすおそれがある。
された水晶の表面からの反射(すなわち図8の遷移点I
とJ)において十分なコントラストを得るためには、水
晶表面のエッチングされていない部分上でのスキャン領
域2におけるスキャンを、比較的一定の信号レベルが得
られるよう十分に長くしなければならず、これに対しエ
ッチングされた表面部分からの反射は即座に検出可能で
ある。それゆえ、下に位置するシリコン半導体材料のか
なり広いエリアが、水晶を通り抜けた光に晒されること
になる。あとで行われるホトリソグラフィにおいて、こ
のように広い範囲にわたり露光されたエリアが生じるこ
とで、シリコン中にかなり大きいトレンチが形成される
ことになる。このようなトレンチは少なくとも部分的に
充填しなければならず、トレンチ充填プロセス中、トレ
ンチ内に汚れがいくらか入り込む可能性がある。しかし
そのような汚れは自由になり、その拘束が解かれて製造
されたディバイスに対し悪影響を及ぼすおそれがある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、これまで述べてきた従来技術の欠点を解消した位
相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメン
ト検出方法を提供することにある。
題は、これまで述べてきた従来技術の欠点を解消した位
相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメン
ト検出方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、透過性基板と、該基板の第1表面部分に配置され第
1アライメント検出指標が得られるように構成された不
透明材料と、基板表面の第2部分に配置されたスペース
のとられた複数の領域の中に配分された第2アライメン
ト検出指標が設けられていることにより解決される。
は、透過性基板と、該基板の第1表面部分に配置され第
1アライメント検出指標が得られるように構成された不
透明材料と、基板表面の第2部分に配置されたスペース
のとられた複数の領域の中に配分された第2アライメン
ト検出指標が設けられていることにより解決される。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明によれば、透過性基板およ
びその表面に配置された不透明材料を有する位相シフト
マスクが提供される。反射性材料は、表面の第1部分に
第1アライメント検出指標が生じるように構成される。
第2アライメント検出指標は、基板の第2表面部分にお
けるスペースのとられた複数の領域中に配分される。
びその表面に配置された不透明材料を有する位相シフト
マスクが提供される。反射性材料は、表面の第1部分に
第1アライメント検出指標が生じるように構成される。
第2アライメント検出指標は、基板の第2表面部分にお
けるスペースのとられた複数の領域中に配分される。
【0015】本発明の別の特徴により提供される位相シ
フトマスクによれば、このマスクは基板表面の一部分に
不透明材料をもつ透過性基板を有している。第1アライ
メント検出指標を生じさせるために、基板の第1表面部
分において反射性材料に1つのスペースが設けられる。
また、表面の第2部分において不透明材料に複数のスペ
ースが設けられ、複数のスペースの各々1つは透過性指
標を有している。複数のスペースにおける透過性指標に
より、第2アライメント検出指標が形成される。
フトマスクによれば、このマスクは基板表面の一部分に
不透明材料をもつ透過性基板を有している。第1アライ
メント検出指標を生じさせるために、基板の第1表面部
分において反射性材料に1つのスペースが設けられる。
また、表面の第2部分において不透明材料に複数のスペ
ースが設けられ、複数のスペースの各々1つは透過性指
標を有している。複数のスペースにおける透過性指標に
より、第2アライメント検出指標が形成される。
【0016】本発明の別の特徴により提供される位相シ
フトマスクによれば、アライメント検出領域と複数の第
1の透過領域と複数の透過性位相領域を有している。こ
の場合、マスクは、透過性基板と、この基板の表面の選
定された部分に配置された不透明材料を有している。基
板表面の第1部分に配置された不透明材料は1つのスペ
ースを有しており、このスペースによりアライメント検
出領域のための第1アライメント検出指標が提供され
る。基板の表面の第2部分に配置された不透明材料は、
複数のスペースを有しており、第2部分におけるそれら
のスペースの各々1つは透過性指標を有している。複数
のスペースにおける透過性指標により、アライメント検
出領域のための第2のアライメント検出指標が形成され
る。
フトマスクによれば、アライメント検出領域と複数の第
1の透過領域と複数の透過性位相領域を有している。こ
の場合、マスクは、透過性基板と、この基板の表面の選
定された部分に配置された不透明材料を有している。基
板表面の第1部分に配置された不透明材料は1つのスペ
ースを有しており、このスペースによりアライメント検
出領域のための第1アライメント検出指標が提供され
る。基板の表面の第2部分に配置された不透明材料は、
複数のスペースを有しており、第2部分におけるそれら
のスペースの各々1つは透過性指標を有している。複数
のスペースにおける透過性指標により、アライメント検
出領域のための第2のアライメント検出指標が形成され
る。
【0017】このような配置構成によれば、位相シフト
マスクのアライメント検出領域によりほとんど透過性が
生じず、これによって位相シフトマスクにより製造され
るシリコンウェハにおいて形成可能なトレンチのサイズ
が低減される。
マスクのアライメント検出領域によりほとんど透過性が
生じず、これによって位相シフトマスクにより製造され
るシリコンウェハにおいて形成可能なトレンチのサイズ
が低減される。
【0018】本発明のさらに別の特徴を有する位相シフ
トマスクによれば、アライメント領域と複数の第1透過
領域と複数の透過性位相シフト領域が設けられている。
この場合、マスクは透過性基板を有しており、基板表面
の選定された部分に不透明材料が配置されている。基板
表面の第1部分に配置された不透明材料は十字形スペー
スを有しており、これによって基板表面の下に位置する
部分が露出される。十字形スペースの第1ラインによ
り、アライメント検出領域のための第1アライメント検
出指標ペアにおける第1の部分が形成される。十字形ス
ペースの第2ラインにより、アライメント検出領域のた
めの第1アライメント検出指標ペアの第2の部分が形成
される。基板表面の第2部分ペアの各々1つに配置され
た不透明材料は、複数のスペースを有している。第2部
分における複数のスペースの各々1つにより、基板表面
の下に位置する部分が露出される。第2部分ペアの第1
の部分におけるスペースは、十字形スペースの第1ライ
ンに平行であり、第2部分ペアの第2の部分におけるス
ペースは、十字形スペースの第2ラインと平行である。
さらに、第2アライメント検出指標ペアが設けられてい
る。第2アライメント検出指標ペアの第1の部分は、複
数の第1の透過性指標を有しており、それらの各々は、
第2部分ペアにおける第1の部分のスペースの対応する
1つに配置されている。第2アライメント検出指標ペア
の第2の部分は、複数の第2の透過性指標を有してお
り、それらの各々1つは第2部分ペアにおける第2の部
分のスペースの対応する1つに配置されている。複数の
第1の透過性指標により、アライメント領域のための第
2アライメント検出指標ペアの第1の部分が形成され、
複数の第2の透過性指標により、アライメント検出領域
のための第2アライメント検出ペアにおける第2の部分
が形成される。
トマスクによれば、アライメント領域と複数の第1透過
領域と複数の透過性位相シフト領域が設けられている。
この場合、マスクは透過性基板を有しており、基板表面
の選定された部分に不透明材料が配置されている。基板
表面の第1部分に配置された不透明材料は十字形スペー
スを有しており、これによって基板表面の下に位置する
部分が露出される。十字形スペースの第1ラインによ
り、アライメント検出領域のための第1アライメント検
出指標ペアにおける第1の部分が形成される。十字形ス
ペースの第2ラインにより、アライメント検出領域のた
めの第1アライメント検出指標ペアの第2の部分が形成
される。基板表面の第2部分ペアの各々1つに配置され
た不透明材料は、複数のスペースを有している。第2部
分における複数のスペースの各々1つにより、基板表面
の下に位置する部分が露出される。第2部分ペアの第1
の部分におけるスペースは、十字形スペースの第1ライ
ンに平行であり、第2部分ペアの第2の部分におけるス
ペースは、十字形スペースの第2ラインと平行である。
さらに、第2アライメント検出指標ペアが設けられてい
る。第2アライメント検出指標ペアの第1の部分は、複
数の第1の透過性指標を有しており、それらの各々は、
第2部分ペアにおける第1の部分のスペースの対応する
1つに配置されている。第2アライメント検出指標ペア
の第2の部分は、複数の第2の透過性指標を有してお
り、それらの各々1つは第2部分ペアにおける第2の部
分のスペースの対応する1つに配置されている。複数の
第1の透過性指標により、アライメント領域のための第
2アライメント検出指標ペアの第1の部分が形成され、
複数の第2の透過性指標により、アライメント検出領域
のための第2アライメント検出ペアにおける第2の部分
が形成される。
【0019】1つの実施形態によれば、複数の透過性位
相シフト領域の各々1つと、エッチングされた指標の各
々1つは、基板表面の一部分にエッチングされた凹部を
有している。十字形スペースの第1ラインと第2ライン
は、互いに直交するように配置されている。アライメン
ト検出領域は4つの正方形を有しており、それらの正方
形のうち第1の部分により基板表面の第1部分が形成さ
れ、それらの正方形のうち第2の部分により、基板表面
の第2部分ペアにおける第1の部分が形成され、それら
の正方形のうち第3の部分により、基板表面の第2部分
ペアのうち第2の部分が形成される。第2および第3の
正方形は、第1の正方形側面に隣接して配置されてい
る。また、スペースは細長く、基板に投影された後、1
μよりも狭い幅であり数μの長さである。
相シフト領域の各々1つと、エッチングされた指標の各
々1つは、基板表面の一部分にエッチングされた凹部を
有している。十字形スペースの第1ラインと第2ライン
は、互いに直交するように配置されている。アライメン
ト検出領域は4つの正方形を有しており、それらの正方
形のうち第1の部分により基板表面の第1部分が形成さ
れ、それらの正方形のうち第2の部分により、基板表面
の第2部分ペアにおける第1の部分が形成され、それら
の正方形のうち第3の部分により、基板表面の第2部分
ペアのうち第2の部分が形成される。第2および第3の
正方形は、第1の正方形側面に隣接して配置されてい
る。また、スペースは細長く、基板に投影された後、1
μよりも狭い幅であり数μの長さである。
【0020】本発明の別の特徴によれば、位相シフトマ
スクの製造方法が提供される。この方法は、透過性基板
に不透明材料を設けるステップを有している。不透明材
料をパターニングして、基板表面の第1部分に第1アラ
イメント検出指標を形成し、基板表面の第2部分に複数
のスペースを形成し、これにより基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、さらに基板表面の第3部分に
第1の透過性領域を形成する。その際、第2アライメン
ト検出指標が位相シフト領域といっしょに形成し、これ
らの位相シフト領域を第1の透過性領域とインタリーブ
させ、上記の第2アライメント検出指標を、基板表面の
第2部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。
スクの製造方法が提供される。この方法は、透過性基板
に不透明材料を設けるステップを有している。不透明材
料をパターニングして、基板表面の第1部分に第1アラ
イメント検出指標を形成し、基板表面の第2部分に複数
のスペースを形成し、これにより基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、さらに基板表面の第3部分に
第1の透過性領域を形成する。その際、第2アライメン
ト検出指標が位相シフト領域といっしょに形成し、これ
らの位相シフト領域を第1の透過性領域とインタリーブ
させ、上記の第2アライメント検出指標を、基板表面の
第2部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。
【0021】本発明による別の特徴によれば、位相シフ
トマスクにおける第1の透過領域と位相シフト領域のア
ライメントを判定する方法が提供される。この方法は、
透過性基板の基板表面上に不透明材料を設けるステップ
を有している。さらに不透明材料をパターニングし、基
板表面の第1領域に第1アライメント検出指標を形成
し、基板表面の第2部分に複数のスペースを形成し、基
板表面の下に位置する部分を露出させ、基板表面の第3
部分に複数の第1の透過領域を形成する。第2アライメ
ント検出指標は位相シフト領域といっしょに形成し、こ
れらの位相シフト領域を第1の透過領域とインタリーブ
させ、上記の第2アライメント検出指標を、基板表面の
第2部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。この場合、基板表面の第1の部分と第2の
部分をスキャンして、第1アライメント指標および第2
アライメント指標において反射したエネルギーを表す信
号を生成する。第1アライメント検出指標と第2アライ
メント検出指標との間の空間的偏差を求めるために、生
成された信号を走査する。
トマスクにおける第1の透過領域と位相シフト領域のア
ライメントを判定する方法が提供される。この方法は、
透過性基板の基板表面上に不透明材料を設けるステップ
を有している。さらに不透明材料をパターニングし、基
板表面の第1領域に第1アライメント検出指標を形成
し、基板表面の第2部分に複数のスペースを形成し、基
板表面の下に位置する部分を露出させ、基板表面の第3
部分に複数の第1の透過領域を形成する。第2アライメ
ント検出指標は位相シフト領域といっしょに形成し、こ
れらの位相シフト領域を第1の透過領域とインタリーブ
させ、上記の第2アライメント検出指標を、基板表面の
第2部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。この場合、基板表面の第1の部分と第2の
部分をスキャンして、第1アライメント指標および第2
アライメント指標において反射したエネルギーを表す信
号を生成する。第1アライメント検出指標と第2アライ
メント検出指標との間の空間的偏差を求めるために、生
成された信号を走査する。
【0022】次に、図面を参照しながら実施例に基づき
本発明について詳しく説明する。
本発明について詳しく説明する。
【0023】
【実施例】図11および図12を参照すると、これらの
図面には位相シフトマスク100が描かれており、これ
はアライメント検出領域102、複数の第1の透過領域
104、およびそれらにインタリーブされた複数の透過
性位相シフト領域106を有している。マスク100
は、透過性基板109ここでは水晶を有している。ま
た、不透明材料110ここではクロムなどの反射材料
が、基板109の表面112の選定された位置の上に配
置されている。基板109における表面112の第1部
分114上に配置された不透明材料110は、その中に
形成された十字形スペース116を有しており、これに
よって基板109における表面112の下に位置する部
分が露出される。十字形スペース116の第1ライン1
18により、アライメント検出領域102のための第1
アライメント検出指標(indicia)のペアにおける第1
部分が形成される。十字形スペース116の第2ライン
120により、アライメント検出領域102のための第
1アライメント検出指標のペアにおける第2部分が形成
される。基板109の表面112における第2部分12
2a,122bのペアの各々一方の上に配置された不透
明材料110は、それぞれその中に形成された複数のス
ペース124a,124bを有している。第2部分11
2a,122bにおけるスペース124a,124bの
各々1つによって、基板109の表面112の下に位置
する部分が露出される。第2部分の第1の領域(すなわ
ち122a)におけるスペース124aは、十字形スペ
ース116の第1ライン118と平行であり、第2部分
の第2の領域(すなわち122b)におけるスペース1
24bは十字形スペース116の第2ライン120と平
行である。
図面には位相シフトマスク100が描かれており、これ
はアライメント検出領域102、複数の第1の透過領域
104、およびそれらにインタリーブされた複数の透過
性位相シフト領域106を有している。マスク100
は、透過性基板109ここでは水晶を有している。ま
た、不透明材料110ここではクロムなどの反射材料
が、基板109の表面112の選定された位置の上に配
置されている。基板109における表面112の第1部
分114上に配置された不透明材料110は、その中に
形成された十字形スペース116を有しており、これに
よって基板109における表面112の下に位置する部
分が露出される。十字形スペース116の第1ライン1
18により、アライメント検出領域102のための第1
アライメント検出指標(indicia)のペアにおける第1
部分が形成される。十字形スペース116の第2ライン
120により、アライメント検出領域102のための第
1アライメント検出指標のペアにおける第2部分が形成
される。基板109の表面112における第2部分12
2a,122bのペアの各々一方の上に配置された不透
明材料110は、それぞれその中に形成された複数のス
ペース124a,124bを有している。第2部分11
2a,122bにおけるスペース124a,124bの
各々1つによって、基板109の表面112の下に位置
する部分が露出される。第2部分の第1の領域(すなわ
ち122a)におけるスペース124aは、十字形スペ
ース116の第1ライン118と平行であり、第2部分
の第2の領域(すなわち122b)におけるスペース1
24bは十字形スペース116の第2ライン120と平
行である。
【0024】透過性位相シフト領域106の形成中の第
2部分122a,122bにおけるアライメント検出領
域102のために、第2アライメント検出指標(indici
a)が設けられている。さらに詳しく説明すると、位相
シフト領域106は、図12に示されているように基板
109の表面112内に作られた凹部として形成され
る。このような凹部が基板109に書き込まれる同じス
テップにおいて、それぞれ領域122a,122b内の
不透明材料110に形成されたスペース124a,12
4b中に、凹部130a,130bがエッチングされ
る。ここで述べておくと、第1の透過領域104が透過
性位相シフト領域106と正確にアライメントされてい
れば、凹部130aは十字形スペース116の第2ライ
ン120に沿って配置されることになるし、凹部130
bは十字形スペース116の第1ライン118に沿って
配置されることになる。
2部分122a,122bにおけるアライメント検出領
域102のために、第2アライメント検出指標(indici
a)が設けられている。さらに詳しく説明すると、位相
シフト領域106は、図12に示されているように基板
109の表面112内に作られた凹部として形成され
る。このような凹部が基板109に書き込まれる同じス
テップにおいて、それぞれ領域122a,122b内の
不透明材料110に形成されたスペース124a,12
4b中に、凹部130a,130bがエッチングされ
る。ここで述べておくと、第1の透過領域104が透過
性位相シフト領域106と正確にアライメントされてい
れば、凹部130aは十字形スペース116の第2ライ
ン120に沿って配置されることになるし、凹部130
bは十字形スペース116の第1ライン118に沿って
配置されることになる。
【0025】したがって複数の透過性指標のペアが、凹
部130a,130bにより与えられる。このペアの第
1の部分における透過性指標130aの各々1つは、第
2部分における第1の領域122a内のスペース124
aのうち対応する1つの中に配置されており、このペア
の第2の部分における透過性指標130bの各々1つ
は、第2部分における第2の領域122b内のスペース
124bのうち対応する1つに配置されている。このペ
アの第1部分における透過性指標130aにより、アラ
イメント検出領域102のための第2アライメント方向
指標ペアの第1の部分が形成され、このペアの第2部分
における透過性指標130bにより、アライメント検出
領域102のための第2のアライメント方向指標ペアの
第2部分が形成される。
部130a,130bにより与えられる。このペアの第
1の部分における透過性指標130aの各々1つは、第
2部分における第1の領域122a内のスペース124
aのうち対応する1つの中に配置されており、このペア
の第2の部分における透過性指標130bの各々1つ
は、第2部分における第2の領域122b内のスペース
124bのうち対応する1つに配置されている。このペ
アの第1部分における透過性指標130aにより、アラ
イメント検出領域102のための第2アライメント方向
指標ペアの第1の部分が形成され、このペアの第2部分
における透過性指標130bにより、アライメント検出
領域102のための第2のアライメント方向指標ペアの
第2部分が形成される。
【0026】十字形スペース116の第1ライン118
および第2ライン120は、互いに直交している。アラ
イメント検出領域102は4つの正方形を有している。
これらの正方形のうち第1の正方形は第1部分114で
あり、第2の正方形は第2部分のペアのうち第1部分1
22aであり、第3の正方形は第2部分のペアのうち第
2部分122bである。第2および第3の正方形は、第
1の正方形の側面に隣接して配置されている。スペース
122a,122bは細長い。スペース122a,12
2bは基板に投影された後、幅が1μよりも小さくなっ
ており、ここでは0.5μの幅である。スペース122
a,122bは基板への投影後、数μの長さを有してお
り、たとえば約9μの長さである。
および第2ライン120は、互いに直交している。アラ
イメント検出領域102は4つの正方形を有している。
これらの正方形のうち第1の正方形は第1部分114で
あり、第2の正方形は第2部分のペアのうち第1部分1
22aであり、第3の正方形は第2部分のペアのうち第
2部分122bである。第2および第3の正方形は、第
1の正方形の側面に隣接して配置されている。スペース
122a,122bは細長い。スペース122a,12
2bは基板に投影された後、幅が1μよりも小さくなっ
ており、ここでは0.5μの幅である。スペース122
a,122bは基板への投影後、数μの長さを有してお
り、たとえば約9μの長さである。
【0027】次に図11および図12に付随して述べた
上記のマスク100を形成する方法について、図9およ
び図10を参照しながら説明する。この方法によれば、
基板109の表面112上に不透明材料110が設けら
れる。そして基板109の表面112の選択された部分
において、不透明材料110がパターニングされる。詳
細には、基板109の表面122の第1部分114にお
いては、十字状スペース116でパターニングされ、領
域122a,122bにおいてはスペース124a,1
24bがそれぞれ形成され、さらに第1の透過領域10
4のためのスペースが設けられ、これはスペース10
6′とインタリーブされ、これによって基板109にお
ける表面112の下に位置する部分が露出される。
上記のマスク100を形成する方法について、図9およ
び図10を参照しながら説明する。この方法によれば、
基板109の表面112上に不透明材料110が設けら
れる。そして基板109の表面112の選択された部分
において、不透明材料110がパターニングされる。詳
細には、基板109の表面122の第1部分114にお
いては、十字状スペース116でパターニングされ、領
域122a,122bにおいてはスペース124a,1
24bがそれぞれ形成され、さらに第1の透過領域10
4のためのスペースが設けられ、これはスペース10
6′とインタリーブされ、これによって基板109にお
ける表面112の下に位置する部分が露出される。
【0028】次に、これに続く第2のステップにおい
て、透過性位相シフト領域106が完成され、同じステ
ップ中、第2のアライメント検出指標ペア130a,1
30b(図11および図12)が書き込まれ、すなわち
基板109における表面112の一部分に凹部をエッチ
ングすることにより形成される。
て、透過性位相シフト領域106が完成され、同じステ
ップ中、第2のアライメント検出指標ペア130a,1
30b(図11および図12)が書き込まれ、すなわち
基板109における表面112の一部分に凹部をエッチ
ングすることにより形成される。
【0029】マスク100(図11および図12)の形
成後、位相シフトマスク100における第1の透過領域
104と透過性位相シフト領域106のアライメントを
検出する方法が実行される。第1の透過領域104は、
図5のスリット21のようなスリットによりX軸に沿っ
てスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料すな
わち不透明材料110と第1ライン118で反射したエ
ネルギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリ
ットが第1ライン118の上すなわち第1アライメント
検出指標ペアの一方の上を通過するとき、この電圧はノ
ッチを有することになる。
成後、位相シフトマスク100における第1の透過領域
104と透過性位相シフト領域106のアライメントを
検出する方法が実行される。第1の透過領域104は、
図5のスリット21のようなスリットによりX軸に沿っ
てスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料すな
わち不透明材料110と第1ライン118で反射したエ
ネルギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリ
ットが第1ライン118の上すなわち第1アライメント
検出指標ペアの一方の上を通過するとき、この電圧はノ
ッチを有することになる。
【0030】次に、領域122bがスリットによりX方
向でスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料で
ある不透明材料110、スペース124bにより露出さ
れたエッチングされていない表面112、およびこのよ
うなスペース124bの凹部130bで反射したエネル
ギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリット
がラインスペース124bの上すなわち第2アライメン
ト検出指標ペアの一方の上を通過したときに電圧中にノ
ッチが生じることになる。さらに付言すると、クロムの
ストリップとエッチングされていない水晶との組み合わ
せにより、それらの間において複合的な安定した反射基
準バックグラウンドが得られ、これに対しエッチングさ
れた水晶により形成されたラインからの反射を弁別する
ことができる。これら2つのスキャンは領域114の上
ついで領域122aの上でY軸に沿って繰り返され、こ
れによって第2の電圧のペアが形成され、その際、この
ようなスキャンが第2ライン120と凹部130aの上
を通過したときに、この電圧にノッチが生じる。そして
これらの電圧が処理されて、そこに含まれるノッチの形
状から、第1のアライメント指標と第2のアライメント
指標との間における空間的偏差が求められる。
向でスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料で
ある不透明材料110、スペース124bにより露出さ
れたエッチングされていない表面112、およびこのよ
うなスペース124bの凹部130bで反射したエネル
ギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリット
がラインスペース124bの上すなわち第2アライメン
ト検出指標ペアの一方の上を通過したときに電圧中にノ
ッチが生じることになる。さらに付言すると、クロムの
ストリップとエッチングされていない水晶との組み合わ
せにより、それらの間において複合的な安定した反射基
準バックグラウンドが得られ、これに対しエッチングさ
れた水晶により形成されたラインからの反射を弁別する
ことができる。これら2つのスキャンは領域114の上
ついで領域122aの上でY軸に沿って繰り返され、こ
れによって第2の電圧のペアが形成され、その際、この
ようなスキャンが第2ライン120と凹部130aの上
を通過したときに、この電圧にノッチが生じる。そして
これらの電圧が処理されて、そこに含まれるノッチの形
状から、第1のアライメント指標と第2のアライメント
指標との間における空間的偏差が求められる。
【0031】他の実施形態も本発明の枠内に含まれる。
【図1】従来技術による製造方法の第1ステップにおけ
る位相シフトマスクの平面図である。
る位相シフトマスクの平面図である。
【図2】図1のライン1B−1Bに沿ってカットした位
相シフトマスクの断面図である。
相シフトマスクの断面図である。
【図3】従来技術による製造方法の第1ステップにおけ
る位相シフトマスクのアライメント領域を示すアイソメ
トリックスケッチである。
る位相シフトマスクのアライメント領域を示すアイソメ
トリックスケッチである。
【図4】従来技術による図1の位相シフトマスクの完成
したアライメント領域を示すアイソメトリックスケッチ
である。
したアライメント領域を示すアイソメトリックスケッチ
である。
【図5】図3のアライメント領域をもつ従来技術による
完成した位相シフトマスクの平面図である。
完成した位相シフトマスクの平面図である。
【図6】図5のライン2B−2Bに沿ってカットした位
相シフトマスクの断面図である。
相シフトマスクの断面図である。
【図7】従来技術による図5および図6のマスクの一方
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
【図8】従来技術による図5および図6のマスクの他方
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
【図9】本発明による製造方法の第1ステップにおける
位相シフトマスクの平面図である。
位相シフトマスクの平面図である。
【図10】図9のライン4−4に沿ってカットされた本
発明による製造方法の第1ステップにおける位相シフト
マスクの断面図である。
発明による製造方法の第1ステップにおける位相シフト
マスクの断面図である。
【図11】本発明によるアライメント領域を有する完成
した位相シフトマスクの平面図である。
した位相シフトマスクの平面図である。
【図12】図11のライン6−6に沿ってカットした図
11の位相シフトマスクの断面図である。
11の位相シフトマスクの断面図である。
100 位相シフトマスク 102 アライメント検出領域 104 第1の透過領域 106 透過性位相シフト領域 109 透過性基板 110 不透明材料 112 基板表面 114 第1部分 116 十字形スペース 118 第1ライン 120 第2ライン 122a,122b 第2部分 124a,124b スペース 130a,130b 凹部
Claims (26)
- 【請求項1】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、 該基板の第1表面部分に配置され第1アライメント検出
指標が得られるように構成された不透明材料と、 基板表面の第2部分に配置されたスペースのおかれた複
数の領域の間に配分された第2アライメント検出指標が
設けられていることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項2】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と不透明材料が設けられており、 該不透明材料は前記基板の第1表面部分に、第1アライ
メント検出指標を形成するための1つのスペースを有し
ており、第2表面部分に複数のスペースを有しており、
該複数のスペースの各々1つは透過性指標を有し、複数
のスペースにおける該透過性指標により第2アライメン
ト検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項3】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第1部分に配置された不透明材料は1つ
のスペースを有しており、該スペースにより第1アライ
メント検出指標が形成され、 前記基板表面の第2部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースおよび複数の透過性指標を有しており、前
記第2部分の複数のスペースにより基板表面の下に位置
する部分が露出され、前記複数の透過性指標により第2
アライメント検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項4】 アライメント領域と複数の第1透過領域
と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマス
クにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第1部分に配置された不透明材料は、基
板表面の下に位置する部分を露出させる1つのスペース
を有しており、該スペースによりアライメント領域のた
めの第1アライメント検出指標が形成され、 前記基板表面の第2部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースと透過性指標を有しており、前記第2領域
における複数のスペースの各々により、基板表面の下に
位置する部分が露出され、前記透過性指標により、アラ
イメント領域のための第2アライメント検出指標が形成
されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項5】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第1部分に配置された不透明材料は、内
部に形成されたスペースを有しており、該スペースによ
り基板表面の下に位置する部分が露出され、 前記基板表面の第2部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースと透過性指標を有しており、前記マスク第
2部分における複数のスペースの各々により、基板表面
の下に位置する部分が露出され、前記の透過性指標と第
1部分に配置された不透明材料におけるスペースによ
り、それぞれ第1アライメント検出指標と第2アライメ
ント検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項6】 アライメント領域と複数の第1透過領域
と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマス
クにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 基板表面の第1部分に配置された不透明材料は、十字形
スペースを有しており、該十字形スペースにより基板表
面の下に位置する部分が露出され、 該十字形スペースの第1ラインにより、アライメント検
出領域のための第1アライメント検出指標ペアの第1部
分が形成され、 該十字形スペースの第2ラインにより、アライメント検
出領域のための第1アライメント検出指標ペアの第2部
分が形成され、 基板表面の第2部分ペアの各々一方に配置された不透明
材料は、複数のスペースを有しており、該第2部分の複
数のスペースの各々1つにより、基板表面の下に位置す
る部分が露出され、該第2部分の第1の領域におけるス
ペースは前記十字形スペースの第1ラインと平行であ
り、該第2部分の第2の領域におけるスペースは、十字
形スペースの第2ラインと平行であり、 複数の透過性指標ペアが設けられており、該ペアの第1
の部分における透過性指標の各々1つは、前記第2部分
の第1の領域におけるスペースの対応する1つに配置さ
れており、 該ペアの第2の部分における透過性指標の各々1つは、
前記第2部分の第2の領域におけるスペースの対応する
1つに配置され、 前記ペアの第1の部分における透過性指標により、アラ
イメント検出領域のための第2アライメント検出指標ペ
アのうち第1の部分が形成され、 前記ペアの第2の部分における透過性指標により、アラ
イメント検出領域のための第2検出指標ペアのうち第2
の部分が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項7】 前記複数の透過性指標の各々1つは、基
板表面の一部分にエッチングされた凹部を有する、請求
項6記載のマスク。 - 【請求項8】 前記十字形スペースの第1ラインと第2
ラインは互いに直交している、請求項7記載のマスク。 - 【請求項9】 前記アライメント検出領域は4つの正方
形を有しており、該正方形の第1部分により基板表面の
第1部分が形成され、前記正方形の第2部分により、基
板表面の第2部分ペアのうち第1の部分が形成され、前
記正方形の第3の部分により、基板表面の第2部分ペア
のうち第2の部分が形成される、請求項8記載のマス
ク。 - 【請求項10】 前記の第2の正方形と第3の正方形
は、第1の正方形の側面と隣り合って配置されている、
請求項9記載のマスク。 - 【請求項11】 前記スペースは細長い、請求項10記
載のマスク。 - 【請求項12】 前記スペースは1μよりも小さい幅で
投影される、請求項11記載のマスク。 - 【請求項13】 前記スペースは数μの長さで投影され
る、請求項11記載のマスク。 - 【請求項14】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を前記表面の第1部分においてパターニン
グして第1アライメント検出指標を形成し、 前記表面の第2部分における不透明材料をパターニング
して第2アライメント検出指標を形成し、該第2アライ
メント検出指標を、前記基板表面の第2部分における複
数のスペース領域中に配分することを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項15】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を前記基板表面の選定された部分において
パターニングし、 該不透明材料を基板表面の第1部分においてパターニン
グして、第1アライメント検出指標を成す1つのスペー
スを形成し、 該不透明材料を基板表面の第2部分においてパターニン
グして複数のスペースを形成し、該第2部分における複
数のスペースにより、基板表面の下に位置する部分を露
出させ、 前記表面の第2部分におけるスペースの対応する1つ
に、複数の透過性指標の各々1つを形成し、スペースの
おかれた透過性位相シフト領域により、第2アライメン
ト検出指標を生じさせることを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項16】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料をパターニングして、前記表面の第1部分
に第1アライメント検出指標を形成し、前記表面の第2
部分に複数のスペースを形成して基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、前記表面の第3部分に第1透
過領域を形成し、 位相シフト領域といっしょに第2アライメント検出指標
を形成し、前記位相シフト領域を前記第1透過領域とイ
ンタリーブさせ、前記第2アライメント検出指標を、表
面の第2部分におけるスペースのおかれた複数の領域の
間に配分させることを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項17】 アライメント領域と複数の第1透過領
域と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマ
スクの製造方法において、 透過性基板の表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を基板表面の選定された部分においてパタ
ーニングし、 該不透明材料を基板表面の第1部分においてパターニン
グして1つのスペースを形成し、これにより基板表面の
下に位置する部分を露出させ、該スペースによりアライ
メント領域のための第1アライメント検出指標を形成
し、 基板表面の第2部分に配置された不透明材料をパターニ
ングして複数のスペースを形成し、該第2部分における
複数のスペースの各々1つにより、基板表面の下に位置
する部分を露出させ、 マスクの透過性位相シフト領域を形成し、該位相シフト
領域の一部分をスペースのおかれた複数の部分に形成
し、 該位相シフト領域の一部分における各々1つを、基板表
面の第2部分におけるスペースのうち対応する1つに形
成し、アライメント領域のための第2アライメント検出
指標を生じさせ、 位相シフト領域のその他の部分を、基板表面の第2部分
におけるスペースのうち択一的な1つに形成することを
特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項18】 位相シフトマスクの第1透過領域と透
過性位相シフト領域のアライメント検出方法において、 透過性基板の表面に反射性材料を設けるステップと、 不透明材料を前記表面の第1部分においてパターニング
して、前記表面の第1部分に第1アライメント検出指標
を形成し、前記表面の第2部分に第1透過領域を形成
し、前記基板の第3部分に透過性位相シフト領域の部分
的に成形された部分を形成するステップと、 部分的に成形された透過性位相シフト領域の成形を完了
させる一方、前記表面の第4部分に第2アライメント検
出指標を形成し、該第2アライメント検出指標を、スペ
ースのおかれた複数の領域の間に配分するステップと、 前記基板表面の第1部分と第2部分をスキャンして、前
記反射材料および前記第1と第2のアライメント検出指
標で反射したエネルギーを表す信号を生じさせるステッ
プと、 該信号を処理して、第1および第2のアライメント検出
指標の空間的偏差を求めるステップを有することを特徴
とする、 アライメント検出方法。 - 【請求項19】 不透明材料をパターニングする前記ス
テップは、基板表面の下に位置する部分を露出させる十
字形スペースを形成するステップを有しており、 該十字形スペースの第1ラインにより、アライメント検
出領域のための第1アライメント検出指標ペアの第1の
部分を生じさせ、該十字形スペースの第2ラインによ
り、アライメント検出領域のための第1アライメント検
出指標ペアの第2の部分を生じさせ、 基板表面の第2部分ペアの各々一方に配置された不透明
材料をパターニングして複数のスペースを形成し、該第
2部分における複数のスペースの各々により、基板表面
の下に位置する部分を露出させ、 前記第2部分における第1の部分のスペースを、前記十
字形スペースの第1ラインと平行にし、前記第2部分に
おける第2の部分のスペースを、前記十字形スペースの
第2ラインと平行にし、 部分的に成形された透過性位相シフト領域の成形を完了
させる前記ステップは、前記基板表面の第4部分に第2
アライメント検出指標を形成するステップを有してお
り、該第2アライメント検出指標を、スペースのおかれ
た複数の領域の間に配分させることを特徴とする、 請求項14記載の方法。 - 【請求項20】 複数の透過性位相シフト領域の各々1
つを形成する前記ステップは、基板表面の一部分に凹部
をエッチングするステップを有する、請求項19記載の
方法。 - 【請求項21】 十字形スペースの第1ラインと第2ラ
インを互いに直交させて形成する、請求項20記載の方
法。 - 【請求項22】 4つの正方形としてアライメント検出
領域を形成するステップを有しており、前記正方形の第
1の部分により基板表面の第1部分を生じさせ、前記正
方形の第2の部分により基板表面の第2部分ペアにおけ
る第1の部分を生じさせ、前記正方形の第3部分により
基板表面の第2部分ペアにおける第2の部分を生じさせ
る、請求項21記載の方法。 - 【請求項23】 前記の第2および第3の正方形を第1
の正方形の側面に隣接して形成する、請求項22記載の
方法。 - 【請求項24】 前記スペースを細長いスペースとして
形成する、請求項23記載の方法。 - 【請求項25】 1μよりも小さい幅で投影されるよう
前記スペースを形成する、請求項24記載の方法。 - 【請求項26】 数μの長さで投影されるよう前記スペ
ースを形成する、請求項24記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/098785 | 1998-06-17 | ||
US09/098,785 US6042972A (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Phase shift mask having multiple alignment indications and method of manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000019716A true JP2000019716A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=22270881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16709199A Withdrawn JP2000019716A (ja) | 1998-06-17 | 1999-06-14 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6042972A (ja) |
EP (1) | EP0965884A3 (ja) |
JP (1) | JP2000019716A (ja) |
KR (1) | KR100598258B1 (ja) |
CN (1) | CN1146019C (ja) |
TW (1) | TW413843B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395432B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-05-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of determining processing alignment in the forming of phase shift regions |
JP4860023B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク |
US6416909B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-07-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor |
JP4876357B2 (ja) | 2001-09-06 | 2012-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法 |
US20030147077A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Infineon Technologies North America Corp. | Mask alignment method |
KR100450674B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2004-10-01 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크, 그 제조 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 노광설비의 광학적 특성을 공정 중에 측정하는 방법 |
US7909396B2 (en) * | 2004-01-08 | 2011-03-22 | Audiovox Corporation | Automobile entertainment system |
US7435533B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-10-14 | Photronics, Inc. | Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
US7396617B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-07-08 | Photronics, Inc. | Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
JP2015204351A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 感光膜の設置方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
TWI710821B (zh) * | 2019-06-04 | 2020-11-21 | 緯創資通股份有限公司 | 具有對位校準圖樣的面板裝置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
KR970010666B1 (ko) * | 1993-12-27 | 1997-06-30 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 소자의 패턴 중첩오차 측정방법 |
WO1996004592A1 (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-15 | Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
US5477058A (en) * | 1994-11-09 | 1995-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks |
US5478679A (en) * | 1994-11-23 | 1995-12-26 | United Microelectronics Corporation | Half-tone self-aligning phase shifting mask |
KR970016756A (ko) * | 1995-09-07 | 1997-04-28 | 김광호 | 하프톤 위상반전마스크 |
KR0172790B1 (ko) * | 1995-09-18 | 1999-03-20 | 김영환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
KR0156422B1 (ko) * | 1995-10-05 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체장치 제조용 레티클 |
KR100215850B1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법 |
JPH1032156A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクを用いた露光装置およびパターン形成方法 |
US5792578A (en) * | 1997-01-13 | 1998-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming multiple layer attenuating phase shifting masks |
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,785 patent/US6042972A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-22 TW TW088106428A patent/TW413843B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-26 EP EP99108176A patent/EP0965884A3/en not_active Withdrawn
- 1999-06-14 JP JP16709199A patent/JP2000019716A/ja not_active Withdrawn
- 1999-06-17 CN CNB991086333A patent/CN1146019C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-17 KR KR1019990022715A patent/KR100598258B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1244030A (zh) | 2000-02-09 |
US6042972A (en) | 2000-03-28 |
EP0965884A2 (en) | 1999-12-22 |
KR20000006250A (ko) | 2000-01-25 |
EP0965884A3 (en) | 2000-04-05 |
CN1146019C (zh) | 2004-04-14 |
TW413843B (en) | 2000-12-01 |
KR100598258B1 (ko) | 2006-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0139030B1 (ko) | 감쇠 위상-쉬프트 마스크 구조 및 제조 방법 | |
JP3274396B2 (ja) | パターン測定方法 | |
US5766806A (en) | Method of optical lithography using phase shift masking | |
KR100955985B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 위상 시프트 마스크 제조 방법 | |
JPH08227140A (ja) | 位相シフト・リソグラフィ・マスクおよびその製造方法 | |
KR920006800A (ko) | 마스크, 그 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법및 마스크 블랭크 | |
JP2000019716A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 | |
TWI388922B (zh) | 圖案形成方法及相位移遮罩的製造方法 | |
US5936738A (en) | Focus monitor for alternating phase shifted masks | |
KR0180266B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
US6780568B1 (en) | Phase-shift photomask for patterning high density features | |
US6901576B2 (en) | Phase-width balanced alternating phase shift mask design | |
US5756235A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
KR19990023707A (ko) | 위상 전이 마스크 | |
US6558854B2 (en) | Process for forming features on a semiconductor wafer using a phase shifting mask that can be used with two different wavelengths of light | |
US6797527B2 (en) | Manufacturing method of a phase shift mask, method of forming a resist pattern and manufacturing method of a semiconductor device | |
KR20100129134A (ko) | 노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR100886419B1 (ko) | 위상시프트 마스크의 제조 방법 및 위상시프트 마스크 | |
JP4254603B2 (ja) | レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
JPH10104819A (ja) | 位相シフトマスクとその形成方法 | |
KR0143340B1 (ko) | 위상반전 마스크 | |
JP3161348B2 (ja) | 位相差測定用パターンおよび位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2000338647A (ja) | 位相マスクおよびその作成方法 | |
JP2976193B2 (ja) | 位相反転マスクの欠陥補正方法 | |
JP2995061B2 (ja) | フォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060227 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080221 |