JP2000019716A - 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法Info
- Publication number
- JP2000019716A JP2000019716A JP16709199A JP16709199A JP2000019716A JP 2000019716 A JP2000019716 A JP 2000019716A JP 16709199 A JP16709199 A JP 16709199A JP 16709199 A JP16709199 A JP 16709199A JP 2000019716 A JP2000019716 A JP 2000019716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- alignment detection
- substrate surface
- substrate
- opaque material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相シフトマスクおよびそのアライメント検
出を改善し、シリコンウェハにおいて形成可能なトレン
チのサイズを低減する。 【解決手段】 基板表面の選定部分に不透明材料が配置
されている。基板表面第１部分に配置された不透明材料
は十字形スペースを有し、この十字形スペースの第１ラ
インによりアライメント検出領域のための第１アライメ
ント検出指標ペアの第１部分が形成され、第２ラインに
よりアライメント検出領域のための第１アライメント検
出指標ペアの第２部分が形成される。基板表面第２部分
ペアの各々一方の不透明材料は複数のスペースを有して
おり、この第２部分の複数のスペース各々により基板表
面の下に位置する部分が露出され、この第２部分の第１
の領域におけるスペースは十字形スペースの第１ライン
と平行であり、第２部分の第２の領域におけるスペース
は十字形スペースの第２ラインと平行である。
出を改善し、シリコンウェハにおいて形成可能なトレン
チのサイズを低減する。 【解決手段】 基板表面の選定部分に不透明材料が配置
されている。基板表面第１部分に配置された不透明材料
は十字形スペースを有し、この十字形スペースの第１ラ
インによりアライメント検出領域のための第１アライメ
ント検出指標ペアの第１部分が形成され、第２ラインに
よりアライメント検出領域のための第１アライメント検
出指標ペアの第２部分が形成される。基板表面第２部分
ペアの各々一方の不透明材料は複数のスペースを有して
おり、この第２部分の複数のスペース各々により基板表
面の下に位置する部分が露出され、この第２部分の第１
の領域におけるスペースは十字形スペースの第１ライン
と平行であり、第２部分の第２の領域におけるスペース
は十字形スペースの第２ラインと平行である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
およびその製造方法ならびにアライメント検出方法に関
する。
およびその製造方法ならびにアライメント検出方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術において知られているように、
サブミクロンの輪郭をもつ半導体をパターニングするた
めに位相シフトマスクが用いられる。位相シフトマスク
を用いた場合、適切なマスク効果を得るために光線の干
渉が利用される。ターゲットに晒される光の位相は、明
るい領域が有利には互いに１８０゜の位相のずれで形成
されるようにコントロールされる。したがって、弱め合
う干渉により明るい領域の間に暗い領域が生じることに
なる。
サブミクロンの輪郭をもつ半導体をパターニングするた
めに位相シフトマスクが用いられる。位相シフトマスク
を用いた場合、適切なマスク効果を得るために光線の干
渉が利用される。ターゲットに晒される光の位相は、明
るい領域が有利には互いに１８０゜の位相のずれで形成
されるようにコントロールされる。したがって、弱め合
う干渉により明るい領域の間に暗い領域が生じることに
なる。
【０００３】一般に位相シフトマスクは、種々異なる３
つの材料層の上に形成された個々のパターンによって構
成されている。クロムなどの不透明な層により、光を透
過させない領域（つまり著しく光を反射する層または表
面）が形成される。水晶などの第１の透過層により、光
をほぼ１００％通過させる領域が形成される。水晶中に
所定の距離だけエッチングされたエリアなどのような透
過性位相シフト層により、ほぼ１００％光を通過させる
が第１の透過層を通過する光に対し１８０゜位相をシフ
トさせる領域が形成される。第１の透過層と透過性位相
シフト層は、各領域を通って回折した光線がそれらの間
の暗くなった領域で相殺されるようにポジショニングさ
れる。これによって暗い領域と明るい領域のパターンが
生成され、これらのパターンを半導体ウェハ上に所望の
フィーチャを明確に描くために利用できる。
つの材料層の上に形成された個々のパターンによって構
成されている。クロムなどの不透明な層により、光を透
過させない領域（つまり著しく光を反射する層または表
面）が形成される。水晶などの第１の透過層により、光
をほぼ１００％通過させる領域が形成される。水晶中に
所定の距離だけエッチングされたエリアなどのような透
過性位相シフト層により、ほぼ１００％光を通過させる
が第１の透過層を通過する光に対し１８０゜位相をシフ
トさせる領域が形成される。第１の透過層と透過性位相
シフト層は、各領域を通って回折した光線がそれらの間
の暗くなった領域で相殺されるようにポジショニングさ
れる。これによって暗い領域と明るい領域のパターンが
生成され、これらのパターンを半導体ウェハ上に所望の
フィーチャを明確に描くために利用できる。
【０００４】この種の位相シフトマスクの１つのタイプ
は、水晶基板１０によって形成されている（図１〜図３
参照）。この場合、水晶基板１０は、その表面に形成さ
れたクロム層１２を有している。描かれた第１の透過領
域１６および透過性位相シフト領域１８の形成における
成第１のステップのパターンがクロム１２中にエッチン
グされ（つまり”書き込まれ”）、図１〜図３に示され
ているように、下に位置する水晶１０の表面領域が露出
する。なお、アライメント検出領域２０の第１部分のパ
ターンもクロム１２に書き込まれる。アライメント検出
領域２０の第１部分は正方形のクロム・水晶界面２４を
有しており、これには中央に配置された正方形のクロム
パッチ１２１−１２４が設けられていて、これら４つの
正方形のパッチ１２１−１２４の間に十字状領域（すな
わち交差ライン１７ａ，１７ｂのペア）が形成されるよ
うに配置されている。
は、水晶基板１０によって形成されている（図１〜図３
参照）。この場合、水晶基板１０は、その表面に形成さ
れたクロム層１２を有している。描かれた第１の透過領
域１６および透過性位相シフト領域１８の形成における
成第１のステップのパターンがクロム１２中にエッチン
グされ（つまり”書き込まれ”）、図１〜図３に示され
ているように、下に位置する水晶１０の表面領域が露出
する。なお、アライメント検出領域２０の第１部分のパ
ターンもクロム１２に書き込まれる。アライメント検出
領域２０の第１部分は正方形のクロム・水晶界面２４を
有しており、これには中央に配置された正方形のクロム
パッチ１２１−１２４が設けられていて、これら４つの
正方形のパッチ１２１−１２４の間に十字状領域（すな
わち交差ライン１７ａ，１７ｂのペア）が形成されるよ
うに配置されている。
【０００５】次に、最初の書き込みステップ（図１〜図
３参照）で形成された透過性位相シフト領域１８のパタ
ーンを、下に位置する水晶１０の表面領域中にエッチン
グすることによって、透過性位相シフト領域１８のパタ
ーン完成し、これによって図４〜図６に示されているよ
うに水晶１０中に凹部２５が形成される。なお、この第
２の書き込みステップ中に、図４〜図６に描かれている
ように領域２０における水晶１０の表面部分中に、ライ
ン１７′ａ，１７′ｂにより形成された十字がエッチン
グされる。さらに付言すると、このような２つの書き込
みステップによって透過性位相シフト領域１８を第１の
透過領域１６に対し適切なアライメントで生成すれば、
２つの十字（すなわち第１の書き込みステップでライン
１７ａ，１７ｂにより形成された図３の十字と、第２の
書き込みステップでライン１７′ａ，１７′ｂにより形
成された図４の十字）とが互いにアライメントされた
（見当合わせされた）状態になる。ミスアライメントの
量は次のようにして求められる。すなわち、スリット２
１に光（図示せず）を通過させ、アライメント検出領域
２０の表面にわたりスリット２１を、２つの直交する方
向すなわち図５に示されているＸ方向とＹ方向の各々の
ために２つのステップで動かすことにより求められる。
３参照）で形成された透過性位相シフト領域１８のパタ
ーンを、下に位置する水晶１０の表面領域中にエッチン
グすることによって、透過性位相シフト領域１８のパタ
ーン完成し、これによって図４〜図６に示されているよ
うに水晶１０中に凹部２５が形成される。なお、この第
２の書き込みステップ中に、図４〜図６に描かれている
ように領域２０における水晶１０の表面部分中に、ライ
ン１７′ａ，１７′ｂにより形成された十字がエッチン
グされる。さらに付言すると、このような２つの書き込
みステップによって透過性位相シフト領域１８を第１の
透過領域１６に対し適切なアライメントで生成すれば、
２つの十字（すなわち第１の書き込みステップでライン
１７ａ，１７ｂにより形成された図３の十字と、第２の
書き込みステップでライン１７′ａ，１７′ｂにより形
成された図４の十字）とが互いにアライメントされた
（見当合わせされた）状態になる。ミスアライメントの
量は次のようにして求められる。すなわち、スリット２
１に光（図示せず）を通過させ、アライメント検出領域
２０の表面にわたりスリット２１を、２つの直交する方
向すなわち図５に示されているＸ方向とＹ方向の各々の
ために２つのステップで動かすことにより求められる。
【０００６】第１のスキャンステップ中、スリット２１
は、第１の領域（すなわちスキャン領域１）に沿ってア
ライメント検出領域２０の表面上を動かされ、この場
合、スリット２１は、アライメント検出領域２０の中央
部分すなわち４つのクロムパッチ１２１−１２４を横切
って進む。その際、アライメント検出領域２０の表面で
反射した光の量が検知され、そのような反射光の量を表
す電圧が、図７に示されているように時間またはアライ
メント検出領域２０に沿った距離の関数として生成され
る。なお、光はまず最初にアライメント検出領域２０と
接するクロム表面で反射し、ついで水晶１０のエッチン
グされた表面部分とエッチングされていない表面部分で
反射し、次にクロムパッチ１２１−１２４の表面で、そ
れからライン１７ａを形成する水晶１０のエッチングさ
れていない表面で反射し、その後、これらの表面からの
反射が左右対称に繰り返される。
は、第１の領域（すなわちスキャン領域１）に沿ってア
ライメント検出領域２０の表面上を動かされ、この場
合、スリット２１は、アライメント検出領域２０の中央
部分すなわち４つのクロムパッチ１２１−１２４を横切
って進む。その際、アライメント検出領域２０の表面で
反射した光の量が検知され、そのような反射光の量を表
す電圧が、図７に示されているように時間またはアライ
メント検出領域２０に沿った距離の関数として生成され
る。なお、光はまず最初にアライメント検出領域２０と
接するクロム表面で反射し、ついで水晶１０のエッチン
グされた表面部分とエッチングされていない表面部分で
反射し、次にクロムパッチ１２１−１２４の表面で、そ
れからライン１７ａを形成する水晶１０のエッチングさ
れていない表面で反射し、その後、これらの表面からの
反射が左右対称に繰り返される。
【０００７】図７には、スキャン領域１をスキャンした
ときにこのような反射により生成される電圧が示されて
いる。付言すると、この電圧のレベルは界面２４におけ
る第１の遷移点Ａと、２つのパッチ１２２および１２３
の前縁とエッチングされた水晶との間の界面３６におけ
る第２の遷移点Ｂと、２つのパッチ１２２および１２ ３
の後縁と十字のライン１７ａを成す水晶１０のエッチン
グされていない表面との間の界面４０における第３の遷
移点Ｃと、２つのパッチ１２１および１２４の前縁と十
字のライン１７ａを成す水晶１０のエッチングされてい
ない表面との間の界面４０′における第４の遷移点Ｄ
と、パッチ１２１および１２４の後縁とエッチングされ
ていない水晶との間の界面３６′における第５の遷移点
Ｆと、界面２４における第６の遷移点Ｇを有している。
ときにこのような反射により生成される電圧が示されて
いる。付言すると、この電圧のレベルは界面２４におけ
る第１の遷移点Ａと、２つのパッチ１２２および１２３
の前縁とエッチングされた水晶との間の界面３６におけ
る第２の遷移点Ｂと、２つのパッチ１２２および１２ ３
の後縁と十字のライン１７ａを成す水晶１０のエッチン
グされていない表面との間の界面４０における第３の遷
移点Ｃと、２つのパッチ１２１および１２４の前縁と十
字のライン１７ａを成す水晶１０のエッチングされてい
ない表面との間の界面４０′における第４の遷移点Ｄ
と、パッチ１２１および１２４の後縁とエッチングされ
ていない水晶との間の界面３６′における第５の遷移点
Ｆと、界面２４における第６の遷移点Ｇを有している。
【０００８】第２のスキャンステップ中、スリット２１
ここでは一対のスリット２１は、一対の第２の領域（す
なわちスキャン領域２）に沿ってアライメント検出領域
２０の表面上を動かされ、この場合、スリット２１の各
々は、アライメント検出領域の外側周縁部分上を進み、
つまりライン１７′ａからのエッチングされていない水
晶の表面上を進み、次にエッチングされた水晶の表面上
を、その後、エッチングされていない水晶の表面上を進
む。その際、アライメント検出領域２０の表面で反射し
た光の量が検知され、そのような反射光の量を表す電圧
が、図８に示されているように時間またはアライメント
検出領域２０に沿った距離の関数として生成される。
ここでは一対のスリット２１は、一対の第２の領域（す
なわちスキャン領域２）に沿ってアライメント検出領域
２０の表面上を動かされ、この場合、スリット２１の各
々は、アライメント検出領域の外側周縁部分上を進み、
つまりライン１７′ａからのエッチングされていない水
晶の表面上を進み、次にエッチングされた水晶の表面上
を、その後、エッチングされていない水晶の表面上を進
む。その際、アライメント検出領域２０の表面で反射し
た光の量が検知され、そのような反射光の量を表す電圧
が、図８に示されているように時間またはアライメント
検出領域２０に沿った距離の関数として生成される。
【０００９】ここで付言しておくと、この電圧は界面２
４における第１の遷移点Ｈと、エッチングされていない
水晶１０とライン１７′ａの前縁を成すエッチングされ
た水晶１０との間の界面４２における第２の遷移点Ｉ
と、エッチングされていない水晶１０とライン１７′ａ
の後縁を成すエッチングされた水晶１０との間の界面４
２′における第３の遷移点Ｊと、さらに界面２４におけ
る第４の遷移点Ｋを有している。
４における第１の遷移点Ｈと、エッチングされていない
水晶１０とライン１７′ａの前縁を成すエッチングされ
た水晶１０との間の界面４２における第２の遷移点Ｉ
と、エッチングされていない水晶１０とライン１７′ａ
の後縁を成すエッチングされた水晶１０との間の界面４
２′における第３の遷移点Ｊと、さらに界面２４におけ
る第４の遷移点Ｋを有している。
【００１０】なお、スキャン領域１のスキャン中に生成
された電圧レベル（図７）中の第１のノッチ５０は、第
１の書き込み中に形成された十字のライン１７ａをスキ
ャンしたときに遷移点ＣとＤの間で形成され、スキャン
領域２のスキャン中に生成された電圧レベル（図８）中
の第２のノッチ５２は、第２の書き込み中に形成された
十字のライン１７′ａをスキャンしたときに遷移点Ｉと
Ｊの間で形成される。ライン１７ａは第１の透過領域１
６と同じ書き込みステップで形成されたものであり、ラ
イン１７′ａは透過性位相シフト領域１８と同じ書き込
みステップで形成されたものであるので、第１の書き込
み中に形成される第１の透過領域１６が第２の書き込み
で完成される透過性位相シフト領域１８と正確にアライ
メントされているならば、ノッチ５０，５２は互いにア
ライメントされた（すなわち中心の合わせられた）状態
になるであろう。したがって電圧ノッチ５０，５２の各
中心間の偏差量によって、Ｘ方向におけるミスアライメ
ントが表されることになる。２つのスキャンステップは
Ｙ方向に沿っても行われるので、それによってＹ方向に
おけるミスアライメント測定が行われる。
された電圧レベル（図７）中の第１のノッチ５０は、第
１の書き込み中に形成された十字のライン１７ａをスキ
ャンしたときに遷移点ＣとＤの間で形成され、スキャン
領域２のスキャン中に生成された電圧レベル（図８）中
の第２のノッチ５２は、第２の書き込み中に形成された
十字のライン１７′ａをスキャンしたときに遷移点Ｉと
Ｊの間で形成される。ライン１７ａは第１の透過領域１
６と同じ書き込みステップで形成されたものであり、ラ
イン１７′ａは透過性位相シフト領域１８と同じ書き込
みステップで形成されたものであるので、第１の書き込
み中に形成される第１の透過領域１６が第２の書き込み
で完成される透過性位相シフト領域１８と正確にアライ
メントされているならば、ノッチ５０，５２は互いにア
ライメントされた（すなわち中心の合わせられた）状態
になるであろう。したがって電圧ノッチ５０，５２の各
中心間の偏差量によって、Ｘ方向におけるミスアライメ
ントが表されることになる。２つのスキャンステップは
Ｙ方向に沿っても行われるので、それによってＹ方向に
おけるミスアライメント測定が行われる。
【００１１】エッチングされていない水晶とエッチング
された水晶の表面からの反射（すなわち図８の遷移点Ｉ
とＪ）において十分なコントラストを得るためには、水
晶表面のエッチングされていない部分上でのスキャン領
域２におけるスキャンを、比較的一定の信号レベルが得
られるよう十分に長くしなければならず、これに対しエ
ッチングされた表面部分からの反射は即座に検出可能で
ある。それゆえ、下に位置するシリコン半導体材料のか
なり広いエリアが、水晶を通り抜けた光に晒されること
になる。あとで行われるホトリソグラフィにおいて、こ
のように広い範囲にわたり露光されたエリアが生じるこ
とで、シリコン中にかなり大きいトレンチが形成される
ことになる。このようなトレンチは少なくとも部分的に
充填しなければならず、トレンチ充填プロセス中、トレ
ンチ内に汚れがいくらか入り込む可能性がある。しかし
そのような汚れは自由になり、その拘束が解かれて製造
されたディバイスに対し悪影響を及ぼすおそれがある。
された水晶の表面からの反射（すなわち図８の遷移点Ｉ
とＪ）において十分なコントラストを得るためには、水
晶表面のエッチングされていない部分上でのスキャン領
域２におけるスキャンを、比較的一定の信号レベルが得
られるよう十分に長くしなければならず、これに対しエ
ッチングされた表面部分からの反射は即座に検出可能で
ある。それゆえ、下に位置するシリコン半導体材料のか
なり広いエリアが、水晶を通り抜けた光に晒されること
になる。あとで行われるホトリソグラフィにおいて、こ
のように広い範囲にわたり露光されたエリアが生じるこ
とで、シリコン中にかなり大きいトレンチが形成される
ことになる。このようなトレンチは少なくとも部分的に
充填しなければならず、トレンチ充填プロセス中、トレ
ンチ内に汚れがいくらか入り込む可能性がある。しかし
そのような汚れは自由になり、その拘束が解かれて製造
されたディバイスに対し悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、これまで述べてきた従来技術の欠点を解消した位
相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメン
ト検出方法を提供することにある。
題は、これまで述べてきた従来技術の欠点を解消した位
相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメン
ト検出方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、透過性基板と、該基板の第１表面部分に配置され第
１アライメント検出指標が得られるように構成された不
透明材料と、基板表面の第２部分に配置されたスペース
のとられた複数の領域の中に配分された第２アライメン
ト検出指標が設けられていることにより解決される。
は、透過性基板と、該基板の第１表面部分に配置され第
１アライメント検出指標が得られるように構成された不
透明材料と、基板表面の第２部分に配置されたスペース
のとられた複数の領域の中に配分された第２アライメン
ト検出指標が設けられていることにより解決される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明によれば、透過性基板およ
びその表面に配置された不透明材料を有する位相シフト
マスクが提供される。反射性材料は、表面の第１部分に
第１アライメント検出指標が生じるように構成される。
第２アライメント検出指標は、基板の第２表面部分にお
けるスペースのとられた複数の領域中に配分される。
びその表面に配置された不透明材料を有する位相シフト
マスクが提供される。反射性材料は、表面の第１部分に
第１アライメント検出指標が生じるように構成される。
第２アライメント検出指標は、基板の第２表面部分にお
けるスペースのとられた複数の領域中に配分される。
【００１５】本発明の別の特徴により提供される位相シ
フトマスクによれば、このマスクは基板表面の一部分に
不透明材料をもつ透過性基板を有している。第１アライ
メント検出指標を生じさせるために、基板の第１表面部
分において反射性材料に１つのスペースが設けられる。
また、表面の第２部分において不透明材料に複数のスペ
ースが設けられ、複数のスペースの各々１つは透過性指
標を有している。複数のスペースにおける透過性指標に
より、第２アライメント検出指標が形成される。
フトマスクによれば、このマスクは基板表面の一部分に
不透明材料をもつ透過性基板を有している。第１アライ
メント検出指標を生じさせるために、基板の第１表面部
分において反射性材料に１つのスペースが設けられる。
また、表面の第２部分において不透明材料に複数のスペ
ースが設けられ、複数のスペースの各々１つは透過性指
標を有している。複数のスペースにおける透過性指標に
より、第２アライメント検出指標が形成される。
【００１６】本発明の別の特徴により提供される位相シ
フトマスクによれば、アライメント検出領域と複数の第
１の透過領域と複数の透過性位相領域を有している。こ
の場合、マスクは、透過性基板と、この基板の表面の選
定された部分に配置された不透明材料を有している。基
板表面の第１部分に配置された不透明材料は１つのスペ
ースを有しており、このスペースによりアライメント検
出領域のための第１アライメント検出指標が提供され
る。基板の表面の第２部分に配置された不透明材料は、
複数のスペースを有しており、第２部分におけるそれら
のスペースの各々１つは透過性指標を有している。複数
のスペースにおける透過性指標により、アライメント検
出領域のための第２のアライメント検出指標が形成され
る。
フトマスクによれば、アライメント検出領域と複数の第
１の透過領域と複数の透過性位相領域を有している。こ
の場合、マスクは、透過性基板と、この基板の表面の選
定された部分に配置された不透明材料を有している。基
板表面の第１部分に配置された不透明材料は１つのスペ
ースを有しており、このスペースによりアライメント検
出領域のための第１アライメント検出指標が提供され
る。基板の表面の第２部分に配置された不透明材料は、
複数のスペースを有しており、第２部分におけるそれら
のスペースの各々１つは透過性指標を有している。複数
のスペースにおける透過性指標により、アライメント検
出領域のための第２のアライメント検出指標が形成され
る。
【００１７】このような配置構成によれば、位相シフト
マスクのアライメント検出領域によりほとんど透過性が
生じず、これによって位相シフトマスクにより製造され
るシリコンウェハにおいて形成可能なトレンチのサイズ
が低減される。
マスクのアライメント検出領域によりほとんど透過性が
生じず、これによって位相シフトマスクにより製造され
るシリコンウェハにおいて形成可能なトレンチのサイズ
が低減される。
【００１８】本発明のさらに別の特徴を有する位相シフ
トマスクによれば、アライメント領域と複数の第１透過
領域と複数の透過性位相シフト領域が設けられている。
この場合、マスクは透過性基板を有しており、基板表面
の選定された部分に不透明材料が配置されている。基板
表面の第１部分に配置された不透明材料は十字形スペー
スを有しており、これによって基板表面の下に位置する
部分が露出される。十字形スペースの第１ラインによ
り、アライメント検出領域のための第１アライメント検
出指標ペアにおける第１の部分が形成される。十字形ス
ペースの第２ラインにより、アライメント検出領域のた
めの第１アライメント検出指標ペアの第２の部分が形成
される。基板表面の第２部分ペアの各々１つに配置され
た不透明材料は、複数のスペースを有している。第２部
分における複数のスペースの各々１つにより、基板表面
の下に位置する部分が露出される。第２部分ペアの第１
の部分におけるスペースは、十字形スペースの第１ライ
ンに平行であり、第２部分ペアの第２の部分におけるス
ペースは、十字形スペースの第２ラインと平行である。
さらに、第２アライメント検出指標ペアが設けられてい
る。第２アライメント検出指標ペアの第１の部分は、複
数の第１の透過性指標を有しており、それらの各々は、
第２部分ペアにおける第１の部分のスペースの対応する
１つに配置されている。第２アライメント検出指標ペア
の第２の部分は、複数の第２の透過性指標を有してお
り、それらの各々１つは第２部分ペアにおける第２の部
分のスペースの対応する１つに配置されている。複数の
第１の透過性指標により、アライメント領域のための第
２アライメント検出指標ペアの第１の部分が形成され、
複数の第２の透過性指標により、アライメント検出領域
のための第２アライメント検出ペアにおける第２の部分
が形成される。
トマスクによれば、アライメント領域と複数の第１透過
領域と複数の透過性位相シフト領域が設けられている。
この場合、マスクは透過性基板を有しており、基板表面
の選定された部分に不透明材料が配置されている。基板
表面の第１部分に配置された不透明材料は十字形スペー
スを有しており、これによって基板表面の下に位置する
部分が露出される。十字形スペースの第１ラインによ
り、アライメント検出領域のための第１アライメント検
出指標ペアにおける第１の部分が形成される。十字形ス
ペースの第２ラインにより、アライメント検出領域のた
めの第１アライメント検出指標ペアの第２の部分が形成
される。基板表面の第２部分ペアの各々１つに配置され
た不透明材料は、複数のスペースを有している。第２部
分における複数のスペースの各々１つにより、基板表面
の下に位置する部分が露出される。第２部分ペアの第１
の部分におけるスペースは、十字形スペースの第１ライ
ンに平行であり、第２部分ペアの第２の部分におけるス
ペースは、十字形スペースの第２ラインと平行である。
さらに、第２アライメント検出指標ペアが設けられてい
る。第２アライメント検出指標ペアの第１の部分は、複
数の第１の透過性指標を有しており、それらの各々は、
第２部分ペアにおける第１の部分のスペースの対応する
１つに配置されている。第２アライメント検出指標ペア
の第２の部分は、複数の第２の透過性指標を有してお
り、それらの各々１つは第２部分ペアにおける第２の部
分のスペースの対応する１つに配置されている。複数の
第１の透過性指標により、アライメント領域のための第
２アライメント検出指標ペアの第１の部分が形成され、
複数の第２の透過性指標により、アライメント検出領域
のための第２アライメント検出ペアにおける第２の部分
が形成される。
【００１９】１つの実施形態によれば、複数の透過性位
相シフト領域の各々１つと、エッチングされた指標の各
々１つは、基板表面の一部分にエッチングされた凹部を
有している。十字形スペースの第１ラインと第２ライン
は、互いに直交するように配置されている。アライメン
ト検出領域は４つの正方形を有しており、それらの正方
形のうち第１の部分により基板表面の第１部分が形成さ
れ、それらの正方形のうち第２の部分により、基板表面
の第２部分ペアにおける第１の部分が形成され、それら
の正方形のうち第３の部分により、基板表面の第２部分
ペアのうち第２の部分が形成される。第２および第３の
正方形は、第１の正方形側面に隣接して配置されてい
る。また、スペースは細長く、基板に投影された後、１
μよりも狭い幅であり数μの長さである。
相シフト領域の各々１つと、エッチングされた指標の各
々１つは、基板表面の一部分にエッチングされた凹部を
有している。十字形スペースの第１ラインと第２ライン
は、互いに直交するように配置されている。アライメン
ト検出領域は４つの正方形を有しており、それらの正方
形のうち第１の部分により基板表面の第１部分が形成さ
れ、それらの正方形のうち第２の部分により、基板表面
の第２部分ペアにおける第１の部分が形成され、それら
の正方形のうち第３の部分により、基板表面の第２部分
ペアのうち第２の部分が形成される。第２および第３の
正方形は、第１の正方形側面に隣接して配置されてい
る。また、スペースは細長く、基板に投影された後、１
μよりも狭い幅であり数μの長さである。
【００２０】本発明の別の特徴によれば、位相シフトマ
スクの製造方法が提供される。この方法は、透過性基板
に不透明材料を設けるステップを有している。不透明材
料をパターニングして、基板表面の第１部分に第１アラ
イメント検出指標を形成し、基板表面の第２部分に複数
のスペースを形成し、これにより基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、さらに基板表面の第３部分に
第１の透過性領域を形成する。その際、第２アライメン
ト検出指標が位相シフト領域といっしょに形成し、これ
らの位相シフト領域を第１の透過性領域とインタリーブ
させ、上記の第２アライメント検出指標を、基板表面の
第２部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。
スクの製造方法が提供される。この方法は、透過性基板
に不透明材料を設けるステップを有している。不透明材
料をパターニングして、基板表面の第１部分に第１アラ
イメント検出指標を形成し、基板表面の第２部分に複数
のスペースを形成し、これにより基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、さらに基板表面の第３部分に
第１の透過性領域を形成する。その際、第２アライメン
ト検出指標が位相シフト領域といっしょに形成し、これ
らの位相シフト領域を第１の透過性領域とインタリーブ
させ、上記の第２アライメント検出指標を、基板表面の
第２部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。
【００２１】本発明による別の特徴によれば、位相シフ
トマスクにおける第１の透過領域と位相シフト領域のア
ライメントを判定する方法が提供される。この方法は、
透過性基板の基板表面上に不透明材料を設けるステップ
を有している。さらに不透明材料をパターニングし、基
板表面の第１領域に第１アライメント検出指標を形成
し、基板表面の第２部分に複数のスペースを形成し、基
板表面の下に位置する部分を露出させ、基板表面の第３
部分に複数の第１の透過領域を形成する。第２アライメ
ント検出指標は位相シフト領域といっしょに形成し、こ
れらの位相シフト領域を第１の透過領域とインタリーブ
させ、上記の第２アライメント検出指標を、基板表面の
第２部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。この場合、基板表面の第１の部分と第２の
部分をスキャンして、第１アライメント指標および第２
アライメント指標において反射したエネルギーを表す信
号を生成する。第１アライメント検出指標と第２アライ
メント検出指標との間の空間的偏差を求めるために、生
成された信号を走査する。
トマスクにおける第１の透過領域と位相シフト領域のア
ライメントを判定する方法が提供される。この方法は、
透過性基板の基板表面上に不透明材料を設けるステップ
を有している。さらに不透明材料をパターニングし、基
板表面の第１領域に第１アライメント検出指標を形成
し、基板表面の第２部分に複数のスペースを形成し、基
板表面の下に位置する部分を露出させ、基板表面の第３
部分に複数の第１の透過領域を形成する。第２アライメ
ント検出指標は位相シフト領域といっしょに形成し、こ
れらの位相シフト領域を第１の透過領域とインタリーブ
させ、上記の第２アライメント検出指標を、基板表面の
第２部分におけるスペースのおかれた複数の領域の間に
配分させる。この場合、基板表面の第１の部分と第２の
部分をスキャンして、第１アライメント指標および第２
アライメント指標において反射したエネルギーを表す信
号を生成する。第１アライメント検出指標と第２アライ
メント検出指標との間の空間的偏差を求めるために、生
成された信号を走査する。
【００２２】次に、図面を参照しながら実施例に基づき
本発明について詳しく説明する。
本発明について詳しく説明する。
【００２３】
【実施例】図１１および図１２を参照すると、これらの
図面には位相シフトマスク１００が描かれており、これ
はアライメント検出領域１０２、複数の第１の透過領域
１０４、およびそれらにインタリーブされた複数の透過
性位相シフト領域１０６を有している。マスク１００
は、透過性基板１０９ここでは水晶を有している。ま
た、不透明材料１１０ここではクロムなどの反射材料
が、基板１０９の表面１１２の選定された位置の上に配
置されている。基板１０９における表面１１２の第１部
分１１４上に配置された不透明材料１１０は、その中に
形成された十字形スペース１１６を有しており、これに
よって基板１０９における表面１１２の下に位置する部
分が露出される。十字形スペース１１６の第１ライン１
１８により、アライメント検出領域１０２のための第１
アライメント検出指標（indicia）のペアにおける第１
部分が形成される。十字形スペース１１６の第２ライン
１２０により、アライメント検出領域１０２のための第
１アライメント検出指標のペアにおける第２部分が形成
される。基板１０９の表面１１２における第２部分１２
２ａ，１２２ｂのペアの各々一方の上に配置された不透
明材料１１０は、それぞれその中に形成された複数のス
ペース１２４ａ，１２４ｂを有している。第２部分１１
２ａ，１２２ｂにおけるスペース１２４ａ，１２４ｂの
各々１つによって、基板１０９の表面１１２の下に位置
する部分が露出される。第２部分の第１の領域（すなわ
ち１２２ａ）におけるスペース１２４ａは、十字形スペ
ース１１６の第１ライン１１８と平行であり、第２部分
の第２の領域（すなわち１２２ｂ）におけるスペース１
２４ｂは十字形スペース１１６の第２ライン１２０と平
行である。
図面には位相シフトマスク１００が描かれており、これ
はアライメント検出領域１０２、複数の第１の透過領域
１０４、およびそれらにインタリーブされた複数の透過
性位相シフト領域１０６を有している。マスク１００
は、透過性基板１０９ここでは水晶を有している。ま
た、不透明材料１１０ここではクロムなどの反射材料
が、基板１０９の表面１１２の選定された位置の上に配
置されている。基板１０９における表面１１２の第１部
分１１４上に配置された不透明材料１１０は、その中に
形成された十字形スペース１１６を有しており、これに
よって基板１０９における表面１１２の下に位置する部
分が露出される。十字形スペース１１６の第１ライン１
１８により、アライメント検出領域１０２のための第１
アライメント検出指標（indicia）のペアにおける第１
部分が形成される。十字形スペース１１６の第２ライン
１２０により、アライメント検出領域１０２のための第
１アライメント検出指標のペアにおける第２部分が形成
される。基板１０９の表面１１２における第２部分１２
２ａ，１２２ｂのペアの各々一方の上に配置された不透
明材料１１０は、それぞれその中に形成された複数のス
ペース１２４ａ，１２４ｂを有している。第２部分１１
２ａ，１２２ｂにおけるスペース１２４ａ，１２４ｂの
各々１つによって、基板１０９の表面１１２の下に位置
する部分が露出される。第２部分の第１の領域（すなわ
ち１２２ａ）におけるスペース１２４ａは、十字形スペ
ース１１６の第１ライン１１８と平行であり、第２部分
の第２の領域（すなわち１２２ｂ）におけるスペース１
２４ｂは十字形スペース１１６の第２ライン１２０と平
行である。
【００２４】透過性位相シフト領域１０６の形成中の第
２部分１２２ａ，１２２ｂにおけるアライメント検出領
域１０２のために、第２アライメント検出指標（indici
a）が設けられている。さらに詳しく説明すると、位相
シフト領域１０６は、図１２に示されているように基板
１０９の表面１１２内に作られた凹部として形成され
る。このような凹部が基板１０９に書き込まれる同じス
テップにおいて、それぞれ領域１２２ａ，１２２ｂ内の
不透明材料１１０に形成されたスペース１２４ａ，１２
４ｂ中に、凹部１３０ａ，１３０ｂがエッチングされ
る。ここで述べておくと、第１の透過領域１０４が透過
性位相シフト領域１０６と正確にアライメントされてい
れば、凹部１３０ａは十字形スペース１１６の第２ライ
ン１２０に沿って配置されることになるし、凹部１３０
ｂは十字形スペース１１６の第１ライン１１８に沿って
配置されることになる。
２部分１２２ａ，１２２ｂにおけるアライメント検出領
域１０２のために、第２アライメント検出指標（indici
a）が設けられている。さらに詳しく説明すると、位相
シフト領域１０６は、図１２に示されているように基板
１０９の表面１１２内に作られた凹部として形成され
る。このような凹部が基板１０９に書き込まれる同じス
テップにおいて、それぞれ領域１２２ａ，１２２ｂ内の
不透明材料１１０に形成されたスペース１２４ａ，１２
４ｂ中に、凹部１３０ａ，１３０ｂがエッチングされ
る。ここで述べておくと、第１の透過領域１０４が透過
性位相シフト領域１０６と正確にアライメントされてい
れば、凹部１３０ａは十字形スペース１１６の第２ライ
ン１２０に沿って配置されることになるし、凹部１３０
ｂは十字形スペース１１６の第１ライン１１８に沿って
配置されることになる。
【００２５】したがって複数の透過性指標のペアが、凹
部１３０ａ，１３０ｂにより与えられる。このペアの第
１の部分における透過性指標１３０ａの各々１つは、第
２部分における第１の領域１２２ａ内のスペース１２４
ａのうち対応する１つの中に配置されており、このペア
の第２の部分における透過性指標１３０ｂの各々１つ
は、第２部分における第２の領域１２２ｂ内のスペース
１２４ｂのうち対応する１つに配置されている。このペ
アの第１部分における透過性指標１３０ａにより、アラ
イメント検出領域１０２のための第２アライメント方向
指標ペアの第１の部分が形成され、このペアの第２部分
における透過性指標１３０ｂにより、アライメント検出
領域１０２のための第２のアライメント方向指標ペアの
第２部分が形成される。
部１３０ａ，１３０ｂにより与えられる。このペアの第
１の部分における透過性指標１３０ａの各々１つは、第
２部分における第１の領域１２２ａ内のスペース１２４
ａのうち対応する１つの中に配置されており、このペア
の第２の部分における透過性指標１３０ｂの各々１つ
は、第２部分における第２の領域１２２ｂ内のスペース
１２４ｂのうち対応する１つに配置されている。このペ
アの第１部分における透過性指標１３０ａにより、アラ
イメント検出領域１０２のための第２アライメント方向
指標ペアの第１の部分が形成され、このペアの第２部分
における透過性指標１３０ｂにより、アライメント検出
領域１０２のための第２のアライメント方向指標ペアの
第２部分が形成される。
【００２６】十字形スペース１１６の第１ライン１１８
および第２ライン１２０は、互いに直交している。アラ
イメント検出領域１０２は４つの正方形を有している。
これらの正方形のうち第１の正方形は第１部分１１４で
あり、第２の正方形は第２部分のペアのうち第１部分１
２２ａであり、第３の正方形は第２部分のペアのうち第
２部分１２２ｂである。第２および第３の正方形は、第
１の正方形の側面に隣接して配置されている。スペース
１２２ａ，１２２ｂは細長い。スペース１２２ａ，１２
２ｂは基板に投影された後、幅が１μよりも小さくなっ
ており、ここでは０．５μの幅である。スペース１２２
ａ，１２２ｂは基板への投影後、数μの長さを有してお
り、たとえば約９μの長さである。
および第２ライン１２０は、互いに直交している。アラ
イメント検出領域１０２は４つの正方形を有している。
これらの正方形のうち第１の正方形は第１部分１１４で
あり、第２の正方形は第２部分のペアのうち第１部分１
２２ａであり、第３の正方形は第２部分のペアのうち第
２部分１２２ｂである。第２および第３の正方形は、第
１の正方形の側面に隣接して配置されている。スペース
１２２ａ，１２２ｂは細長い。スペース１２２ａ，１２
２ｂは基板に投影された後、幅が１μよりも小さくなっ
ており、ここでは０．５μの幅である。スペース１２２
ａ，１２２ｂは基板への投影後、数μの長さを有してお
り、たとえば約９μの長さである。
【００２７】次に図１１および図１２に付随して述べた
上記のマスク１００を形成する方法について、図９およ
び図１０を参照しながら説明する。この方法によれば、
基板１０９の表面１１２上に不透明材料１１０が設けら
れる。そして基板１０９の表面１１２の選択された部分
において、不透明材料１１０がパターニングされる。詳
細には、基板１０９の表面１２２の第１部分１１４にお
いては、十字状スペース１１６でパターニングされ、領
域１２２ａ，１２２ｂにおいてはスペース１２４ａ，１
２４ｂがそれぞれ形成され、さらに第１の透過領域１０
４のためのスペースが設けられ、これはスペース１０
６′とインタリーブされ、これによって基板１０９にお
ける表面１１２の下に位置する部分が露出される。
上記のマスク１００を形成する方法について、図９およ
び図１０を参照しながら説明する。この方法によれば、
基板１０９の表面１１２上に不透明材料１１０が設けら
れる。そして基板１０９の表面１１２の選択された部分
において、不透明材料１１０がパターニングされる。詳
細には、基板１０９の表面１２２の第１部分１１４にお
いては、十字状スペース１１６でパターニングされ、領
域１２２ａ，１２２ｂにおいてはスペース１２４ａ，１
２４ｂがそれぞれ形成され、さらに第１の透過領域１０
４のためのスペースが設けられ、これはスペース１０
６′とインタリーブされ、これによって基板１０９にお
ける表面１１２の下に位置する部分が露出される。
【００２８】次に、これに続く第２のステップにおい
て、透過性位相シフト領域１０６が完成され、同じステ
ップ中、第２のアライメント検出指標ペア１３０ａ，１
３０ｂ（図１１および図１２）が書き込まれ、すなわち
基板１０９における表面１１２の一部分に凹部をエッチ
ングすることにより形成される。
て、透過性位相シフト領域１０６が完成され、同じステ
ップ中、第２のアライメント検出指標ペア１３０ａ，１
３０ｂ（図１１および図１２）が書き込まれ、すなわち
基板１０９における表面１１２の一部分に凹部をエッチ
ングすることにより形成される。
【００２９】マスク１００（図１１および図１２）の形
成後、位相シフトマスク１００における第１の透過領域
１０４と透過性位相シフト領域１０６のアライメントを
検出する方法が実行される。第１の透過領域１０４は、
図５のスリット２１のようなスリットによりＸ軸に沿っ
てスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料すな
わち不透明材料１１０と第１ライン１１８で反射したエ
ネルギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリ
ットが第１ライン１１８の上すなわち第１アライメント
検出指標ペアの一方の上を通過するとき、この電圧はノ
ッチを有することになる。
成後、位相シフトマスク１００における第１の透過領域
１０４と透過性位相シフト領域１０６のアライメントを
検出する方法が実行される。第１の透過領域１０４は、
図５のスリット２１のようなスリットによりＸ軸に沿っ
てスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料すな
わち不透明材料１１０と第１ライン１１８で反射したエ
ネルギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリ
ットが第１ライン１１８の上すなわち第１アライメント
検出指標ペアの一方の上を通過するとき、この電圧はノ
ッチを有することになる。
【００３０】次に、領域１２２ｂがスリットによりＸ方
向でスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料で
ある不透明材料１１０、スペース１２４ｂにより露出さ
れたエッチングされていない表面１１２、およびこのよ
うなスペース１２４ｂの凹部１３０ｂで反射したエネル
ギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリット
がラインスペース１２４ｂの上すなわち第２アライメン
ト検出指標ペアの一方の上を通過したときに電圧中にノ
ッチが生じることになる。さらに付言すると、クロムの
ストリップとエッチングされていない水晶との組み合わ
せにより、それらの間において複合的な安定した反射基
準バックグラウンドが得られ、これに対しエッチングさ
れた水晶により形成されたラインからの反射を弁別する
ことができる。これら２つのスキャンは領域１１４の上
ついで領域１２２ａの上でＹ軸に沿って繰り返され、こ
れによって第２の電圧のペアが形成され、その際、この
ようなスキャンが第２ライン１２０と凹部１３０ａの上
を通過したときに、この電圧にノッチが生じる。そして
これらの電圧が処理されて、そこに含まれるノッチの形
状から、第１のアライメント指標と第２のアライメント
指標との間における空間的偏差が求められる。
向でスキャンされ、このようなスキャン中、反射材料で
ある不透明材料１１０、スペース１２４ｂにより露出さ
れたエッチングされていない表面１１２、およびこのよ
うなスペース１２４ｂの凹部１３０ｂで反射したエネル
ギーを表す電圧が生成される。なお、スキャンスリット
がラインスペース１２４ｂの上すなわち第２アライメン
ト検出指標ペアの一方の上を通過したときに電圧中にノ
ッチが生じることになる。さらに付言すると、クロムの
ストリップとエッチングされていない水晶との組み合わ
せにより、それらの間において複合的な安定した反射基
準バックグラウンドが得られ、これに対しエッチングさ
れた水晶により形成されたラインからの反射を弁別する
ことができる。これら２つのスキャンは領域１１４の上
ついで領域１２２ａの上でＹ軸に沿って繰り返され、こ
れによって第２の電圧のペアが形成され、その際、この
ようなスキャンが第２ライン１２０と凹部１３０ａの上
を通過したときに、この電圧にノッチが生じる。そして
これらの電圧が処理されて、そこに含まれるノッチの形
状から、第１のアライメント指標と第２のアライメント
指標との間における空間的偏差が求められる。
【００３１】他の実施形態も本発明の枠内に含まれる。
【図１】従来技術による製造方法の第１ステップにおけ
る位相シフトマスクの平面図である。
る位相シフトマスクの平面図である。
【図２】図１のライン１Ｂ−１Ｂに沿ってカットした位
相シフトマスクの断面図である。
相シフトマスクの断面図である。
【図３】従来技術による製造方法の第１ステップにおけ
る位相シフトマスクのアライメント領域を示すアイソメ
トリックスケッチである。
る位相シフトマスクのアライメント領域を示すアイソメ
トリックスケッチである。
【図４】従来技術による図１の位相シフトマスクの完成
したアライメント領域を示すアイソメトリックスケッチ
である。
したアライメント領域を示すアイソメトリックスケッチ
である。
【図５】図３のアライメント領域をもつ従来技術による
完成した位相シフトマスクの平面図である。
完成した位相シフトマスクの平面図である。
【図６】図５のライン２Ｂ−２Ｂに沿ってカットした位
相シフトマスクの断面図である。
相シフトマスクの断面図である。
【図７】従来技術による図５および図６のマスクの一方
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
【図８】従来技術による図５および図６のマスクの他方
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
の領域のスキャンによる光の反射により生成された電圧
の時間的履歴である。
【図９】本発明による製造方法の第１ステップにおける
位相シフトマスクの平面図である。
位相シフトマスクの平面図である。
【図１０】図９のライン４−４に沿ってカットされた本
発明による製造方法の第１ステップにおける位相シフト
マスクの断面図である。
発明による製造方法の第１ステップにおける位相シフト
マスクの断面図である。
【図１１】本発明によるアライメント領域を有する完成
した位相シフトマスクの平面図である。
した位相シフトマスクの平面図である。
【図１２】図１１のライン６−６に沿ってカットした図
１１の位相シフトマスクの断面図である。
１１の位相シフトマスクの断面図である。
１００ 位相シフトマスク １０２ アライメント検出領域 １０４ 第１の透過領域 １０６ 透過性位相シフト領域 １０９ 透過性基板 １１０ 不透明材料 １１２ 基板表面 １１４ 第１部分 １１６ 十字形スペース １１８ 第１ライン １２０ 第２ライン １２２ａ，１２２ｂ 第２部分 １２４ａ，１２４ｂ スペース １３０ａ，１３０ｂ 凹部
Claims (26)
- 【請求項１】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、 該基板の第１表面部分に配置され第１アライメント検出
指標が得られるように構成された不透明材料と、 基板表面の第２部分に配置されたスペースのおかれた複
数の領域の間に配分された第２アライメント検出指標が
設けられていることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項２】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と不透明材料が設けられており、 該不透明材料は前記基板の第１表面部分に、第１アライ
メント検出指標を形成するための１つのスペースを有し
ており、第２表面部分に複数のスペースを有しており、
該複数のスペースの各々１つは透過性指標を有し、複数
のスペースにおける該透過性指標により第２アライメン
ト検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項３】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第１部分に配置された不透明材料は１つ
のスペースを有しており、該スペースにより第１アライ
メント検出指標が形成され、 前記基板表面の第２部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースおよび複数の透過性指標を有しており、前
記第２部分の複数のスペースにより基板表面の下に位置
する部分が露出され、前記複数の透過性指標により第２
アライメント検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項４】 アライメント領域と複数の第１透過領域
と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマス
クにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第１部分に配置された不透明材料は、基
板表面の下に位置する部分を露出させる１つのスペース
を有しており、該スペースによりアライメント領域のた
めの第１アライメント検出指標が形成され、 前記基板表面の第２部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースと透過性指標を有しており、前記第２領域
における複数のスペースの各々により、基板表面の下に
位置する部分が露出され、前記透過性指標により、アラ
イメント領域のための第２アライメント検出指標が形成
されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項５】 位相シフトマスクにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 前記基板表面の第１部分に配置された不透明材料は、内
部に形成されたスペースを有しており、該スペースによ
り基板表面の下に位置する部分が露出され、 前記基板表面の第２部分に配置された不透明材料は、複
数のスペースと透過性指標を有しており、前記マスク第
２部分における複数のスペースの各々により、基板表面
の下に位置する部分が露出され、前記の透過性指標と第
１部分に配置された不透明材料におけるスペースによ
り、それぞれ第１アライメント検出指標と第２アライメ
ント検出指標が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項６】 アライメント領域と複数の第１透過領域
と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマス
クにおいて、 透過性基板と、基板表面の選定された部分に配置された
不透明材料が設けられており、 基板表面の第１部分に配置された不透明材料は、十字形
スペースを有しており、該十字形スペースにより基板表
面の下に位置する部分が露出され、 該十字形スペースの第１ラインにより、アライメント検
出領域のための第１アライメント検出指標ペアの第１部
分が形成され、 該十字形スペースの第２ラインにより、アライメント検
出領域のための第１アライメント検出指標ペアの第２部
分が形成され、 基板表面の第２部分ペアの各々一方に配置された不透明
材料は、複数のスペースを有しており、該第２部分の複
数のスペースの各々１つにより、基板表面の下に位置す
る部分が露出され、該第２部分の第１の領域におけるス
ペースは前記十字形スペースの第１ラインと平行であ
り、該第２部分の第２の領域におけるスペースは、十字
形スペースの第２ラインと平行であり、 複数の透過性指標ペアが設けられており、該ペアの第１
の部分における透過性指標の各々１つは、前記第２部分
の第１の領域におけるスペースの対応する１つに配置さ
れており、 該ペアの第２の部分における透過性指標の各々１つは、
前記第２部分の第２の領域におけるスペースの対応する
１つに配置され、 前記ペアの第１の部分における透過性指標により、アラ
イメント検出領域のための第２アライメント検出指標ペ
アのうち第１の部分が形成され、 前記ペアの第２の部分における透過性指標により、アラ
イメント検出領域のための第２検出指標ペアのうち第２
の部分が形成されることを特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項７】 前記複数の透過性指標の各々１つは、基
板表面の一部分にエッチングされた凹部を有する、請求
項６記載のマスク。 - 【請求項８】 前記十字形スペースの第１ラインと第２
ラインは互いに直交している、請求項７記載のマスク。 - 【請求項９】 前記アライメント検出領域は４つの正方
形を有しており、該正方形の第１部分により基板表面の
第１部分が形成され、前記正方形の第２部分により、基
板表面の第２部分ペアのうち第１の部分が形成され、前
記正方形の第３の部分により、基板表面の第２部分ペア
のうち第２の部分が形成される、請求項８記載のマス
ク。 - 【請求項１０】 前記の第２の正方形と第３の正方形
は、第１の正方形の側面と隣り合って配置されている、
請求項９記載のマスク。 - 【請求項１１】 前記スペースは細長い、請求項１０記
載のマスク。 - 【請求項１２】 前記スペースは１μよりも小さい幅で
投影される、請求項１１記載のマスク。 - 【請求項１３】 前記スペースは数μの長さで投影され
る、請求項１１記載のマスク。 - 【請求項１４】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を前記表面の第１部分においてパターニン
グして第１アライメント検出指標を形成し、 前記表面の第２部分における不透明材料をパターニング
して第２アライメント検出指標を形成し、該第２アライ
メント検出指標を、前記基板表面の第２部分における複
数のスペース領域中に配分することを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１５】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を前記基板表面の選定された部分において
パターニングし、 該不透明材料を基板表面の第１部分においてパターニン
グして、第１アライメント検出指標を成す１つのスペー
スを形成し、 該不透明材料を基板表面の第２部分においてパターニン
グして複数のスペースを形成し、該第２部分における複
数のスペースにより、基板表面の下に位置する部分を露
出させ、 前記表面の第２部分におけるスペースの対応する１つ
に、複数の透過性指標の各々１つを形成し、スペースの
おかれた透過性位相シフト領域により、第２アライメン
ト検出指標を生じさせることを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１６】 位相シフトマスクの製造方法におい
て、 透過性基板の基板表面に不透明材料を設け、 該不透明材料をパターニングして、前記表面の第１部分
に第１アライメント検出指標を形成し、前記表面の第２
部分に複数のスペースを形成して基板表面の下に位置す
る複数の部分を露出させ、前記表面の第３部分に第１透
過領域を形成し、 位相シフト領域といっしょに第２アライメント検出指標
を形成し、前記位相シフト領域を前記第１透過領域とイ
ンタリーブさせ、前記第２アライメント検出指標を、表
面の第２部分におけるスペースのおかれた複数の領域の
間に配分させることを特徴とする、 位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１７】 アライメント領域と複数の第１透過領
域と複数の透過性位相シフト領域を有する位相シフトマ
スクの製造方法において、 透過性基板の表面に不透明材料を設け、 該不透明材料を基板表面の選定された部分においてパタ
ーニングし、 該不透明材料を基板表面の第１部分においてパターニン
グして１つのスペースを形成し、これにより基板表面の
下に位置する部分を露出させ、該スペースによりアライ
メント領域のための第１アライメント検出指標を形成
し、 基板表面の第２部分に配置された不透明材料をパターニ
ングして複数のスペースを形成し、該第２部分における
複数のスペースの各々１つにより、基板表面の下に位置
する部分を露出させ、 マスクの透過性位相シフト領域を形成し、該位相シフト
領域の一部分をスペースのおかれた複数の部分に形成
し、 該位相シフト領域の一部分における各々１つを、基板表
面の第２部分におけるスペースのうち対応する１つに形
成し、アライメント領域のための第２アライメント検出
指標を生じさせ、 位相シフト領域のその他の部分を、基板表面の第２部分
におけるスペースのうち択一的な１つに形成することを
特徴とする、 位相シフトマスク。 - 【請求項１８】 位相シフトマスクの第１透過領域と透
過性位相シフト領域のアライメント検出方法において、 透過性基板の表面に反射性材料を設けるステップと、 不透明材料を前記表面の第１部分においてパターニング
して、前記表面の第１部分に第１アライメント検出指標
を形成し、前記表面の第２部分に第１透過領域を形成
し、前記基板の第３部分に透過性位相シフト領域の部分
的に成形された部分を形成するステップと、 部分的に成形された透過性位相シフト領域の成形を完了
させる一方、前記表面の第４部分に第２アライメント検
出指標を形成し、該第２アライメント検出指標を、スペ
ースのおかれた複数の領域の間に配分するステップと、 前記基板表面の第１部分と第２部分をスキャンして、前
記反射材料および前記第１と第２のアライメント検出指
標で反射したエネルギーを表す信号を生じさせるステッ
プと、 該信号を処理して、第１および第２のアライメント検出
指標の空間的偏差を求めるステップを有することを特徴
とする、 アライメント検出方法。 - 【請求項１９】 不透明材料をパターニングする前記ス
テップは、基板表面の下に位置する部分を露出させる十
字形スペースを形成するステップを有しており、 該十字形スペースの第１ラインにより、アライメント検
出領域のための第１アライメント検出指標ペアの第１の
部分を生じさせ、該十字形スペースの第２ラインによ
り、アライメント検出領域のための第１アライメント検
出指標ペアの第２の部分を生じさせ、 基板表面の第２部分ペアの各々一方に配置された不透明
材料をパターニングして複数のスペースを形成し、該第
２部分における複数のスペースの各々により、基板表面
の下に位置する部分を露出させ、 前記第２部分における第１の部分のスペースを、前記十
字形スペースの第１ラインと平行にし、前記第２部分に
おける第２の部分のスペースを、前記十字形スペースの
第２ラインと平行にし、 部分的に成形された透過性位相シフト領域の成形を完了
させる前記ステップは、前記基板表面の第４部分に第２
アライメント検出指標を形成するステップを有してお
り、該第２アライメント検出指標を、スペースのおかれ
た複数の領域の間に配分させることを特徴とする、 請求項１４記載の方法。 - 【請求項２０】 複数の透過性位相シフト領域の各々１
つを形成する前記ステップは、基板表面の一部分に凹部
をエッチングするステップを有する、請求項１９記載の
方法。 - 【請求項２１】 十字形スペースの第１ラインと第２ラ
インを互いに直交させて形成する、請求項２０記載の方
法。 - 【請求項２２】 ４つの正方形としてアライメント検出
領域を形成するステップを有しており、前記正方形の第
１の部分により基板表面の第１部分を生じさせ、前記正
方形の第２の部分により基板表面の第２部分ペアにおけ
る第１の部分を生じさせ、前記正方形の第３部分により
基板表面の第２部分ペアにおける第２の部分を生じさせ
る、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 前記の第２および第３の正方形を第１
の正方形の側面に隣接して形成する、請求項２２記載の
方法。 - 【請求項２４】 前記スペースを細長いスペースとして
形成する、請求項２３記載の方法。 - 【請求項２５】 １μよりも小さい幅で投影されるよう
前記スペースを形成する、請求項２４記載の方法。 - 【請求項２６】 数μの長さで投影されるよう前記スペ
ースを形成する、請求項２４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/098785 | 1998-06-17 | ||
| US09/098,785 US6042972A (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | Phase shift mask having multiple alignment indications and method of manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019716A true JP2000019716A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=22270881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16709199A Withdrawn JP2000019716A (ja) | 1998-06-17 | 1999-06-14 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6042972A (ja) |
| EP (1) | EP0965884A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000019716A (ja) |
| KR (1) | KR100598258B1 (ja) |
| CN (1) | CN1146019C (ja) |
| TW (1) | TW413843B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395432B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-05-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of determining processing alignment in the forming of phase shift regions |
| JP4860023B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク |
| US6416909B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-07-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor |
| JP4876357B2 (ja) | 2001-09-06 | 2012-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法 |
| US20030147077A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Infineon Technologies North America Corp. | Mask alignment method |
| KR100450674B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2004-10-01 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크, 그 제조 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 노광설비의 광학적 특성을 공정 중에 측정하는 방법 |
| US7909396B2 (en) * | 2004-01-08 | 2011-03-22 | Audiovox Corporation | Automobile entertainment system |
| US7435533B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-10-14 | Photronics, Inc. | Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
| US7396617B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-07-08 | Photronics, Inc. | Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
| US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| JP2015204351A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 感光膜の設置方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| TWI710821B (zh) * | 2019-06-04 | 2020-11-21 | 緯創資通股份有限公司 | 具有對位校準圖樣的面板裝置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
| KR970010666B1 (ko) * | 1993-12-27 | 1997-06-30 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 소자의 패턴 중첩오차 측정방법 |
| WO1996004592A1 (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-15 | Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
| US5477058A (en) * | 1994-11-09 | 1995-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks |
| US5478679A (en) * | 1994-11-23 | 1995-12-26 | United Microelectronics Corporation | Half-tone self-aligning phase shifting mask |
| KR970016756A (ko) * | 1995-09-07 | 1997-04-28 | 김광호 | 하프톤 위상반전마스크 |
| KR0172790B1 (ko) * | 1995-09-18 | 1999-03-20 | 김영환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR0156422B1 (ko) * | 1995-10-05 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체장치 제조용 레티클 |
| KR100215850B1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법 |
| JPH1032156A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクを用いた露光装置およびパターン形成方法 |
| US5792578A (en) * | 1997-01-13 | 1998-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming multiple layer attenuating phase shifting masks |
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,785 patent/US6042972A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-22 TW TW088106428A patent/TW413843B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-26 EP EP99108176A patent/EP0965884A3/en not_active Withdrawn
- 1999-06-14 JP JP16709199A patent/JP2000019716A/ja not_active Withdrawn
- 1999-06-17 CN CNB991086333A patent/CN1146019C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-17 KR KR1019990022715A patent/KR100598258B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1244030A (zh) | 2000-02-09 |
| US6042972A (en) | 2000-03-28 |
| EP0965884A2 (en) | 1999-12-22 |
| KR20000006250A (ko) | 2000-01-25 |
| EP0965884A3 (en) | 2000-04-05 |
| CN1146019C (zh) | 2004-04-14 |
| TW413843B (en) | 2000-12-01 |
| KR100598258B1 (ko) | 2006-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0139030B1 (ko) | 감쇠 위상-쉬프트 마스크 구조 및 제조 방법 | |
| JP3274396B2 (ja) | パターン測定方法 | |
| US5766806A (en) | Method of optical lithography using phase shift masking | |
| KR100955985B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 위상 시프트 마스크 제조 방법 | |
| JPH08227140A (ja) | 位相シフト・リソグラフィ・マスクおよびその製造方法 | |
| KR920006800A (ko) | 마스크, 그 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법및 마스크 블랭크 | |
| JP2000019716A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにアライメント検出方法 | |
| TWI388922B (zh) | 圖案形成方法及相位移遮罩的製造方法 | |
| US5936738A (en) | Focus monitor for alternating phase shifted masks | |
| KR0180266B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| US6780568B1 (en) | Phase-shift photomask for patterning high density features | |
| US6901576B2 (en) | Phase-width balanced alternating phase shift mask design | |
| US5756235A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| KR19990023707A (ko) | 위상 전이 마스크 | |
| US6558854B2 (en) | Process for forming features on a semiconductor wafer using a phase shifting mask that can be used with two different wavelengths of light | |
| US6797527B2 (en) | Manufacturing method of a phase shift mask, method of forming a resist pattern and manufacturing method of a semiconductor device | |
| KR20100129134A (ko) | 노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100886419B1 (ko) | 위상시프트 마스크의 제조 방법 및 위상시프트 마스크 | |
| JP4254603B2 (ja) | レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH10104819A (ja) | 位相シフトマスクとその形成方法 | |
| KR0143340B1 (ko) | 위상반전 마스크 | |
| JP3161348B2 (ja) | 位相差測定用パターンおよび位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2000338647A (ja) | 位相マスクおよびその作成方法 | |
| JP2976193B2 (ja) | 位相反転マスクの欠陥補正方法 | |
| JP2995061B2 (ja) | フォトマスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060227 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080221 |