JP2000019297A - X線光源装置 - Google Patents
X線光源装置Info
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- JP2000019297A JP2000019297A JP10187752A JP18775298A JP2000019297A JP 2000019297 A JP2000019297 A JP 2000019297A JP 10187752 A JP10187752 A JP 10187752A JP 18775298 A JP18775298 A JP 18775298A JP 2000019297 A JP2000019297 A JP 2000019297A
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- ray
- rays
- optical system
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- polymer film
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】X線光学系へのデブリの付着を確実に防止し、
高強度の軟X線を安定して発生できるX線光源装置とす
る。 【解決手段】ターゲット30とX線光学系6との間に、高
分子フィルム70を供給する供給装置51と高分子フィルム
70を回収する回収装置52とを備えた。真空槽1内を浮遊
している飛散粒子は高分子フィルム70に遮蔽されるた
め、X線光学系6にデブリが付着するのが防止される。
高強度の軟X線を安定して発生できるX線光源装置とす
る。 【解決手段】ターゲット30とX線光学系6との間に、高
分子フィルム70を供給する供給装置51と高分子フィルム
70を回収する回収装置52とを備えた。真空槽1内を浮遊
している飛散粒子は高分子フィルム70に遮蔽されるた
め、X線光学系6にデブリが付着するのが防止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高エネルギーのレ
ーザー光をターゲットに照射することによりレーザープ
ラズマ軟X線を発生させるX線光源装置の構造に関す
る。本発明のX線光源装置は、X線リソグラフ、X線顕
微鏡、ナノ構造解析などの電子及び材料分野に利用され
る。
ーザー光をターゲットに照射することによりレーザープ
ラズマ軟X線を発生させるX線光源装置の構造に関す
る。本発明のX線光源装置は、X線リソグラフ、X線顕
微鏡、ナノ構造解析などの電子及び材料分野に利用され
る。
【0002】
【従来の技術】近年、所定のターゲットにレーザービー
ムを照射してX線を発生させるX線光源装置が知られて
いる。例えばターゲットとして平板状あるいは円柱状の
固体金属を用い、このターゲットの表面にレーザービー
ムを集光させることによって高密度プラズマを生成し、
この自由膨張したプラズマ中から発生するX線をX線光
学系を介して外部へ導く構造のものが知られている。
ムを照射してX線を発生させるX線光源装置が知られて
いる。例えばターゲットとして平板状あるいは円柱状の
固体金属を用い、このターゲットの表面にレーザービー
ムを集光させることによって高密度プラズマを生成し、
この自由膨張したプラズマ中から発生するX線をX線光
学系を介して外部へ導く構造のものが知られている。
【0003】また近年、10〜 100MW/cm2以上の強度をも
つ高エネルギーのレーザー光が開発され、このレーザー
光を用いてレーザープラズマ軟X線を発生させる装置が
提案され(特開平7-128500号公報など)、X線リソグラ
フやX線顕微鏡などへの応用が期待されている。しかし
このようなX線光源装置では、過熱による不具合を回避
するために数10分以上の間隔をあけて間欠的にレーザー
光の照射を行っているのが現状である。これでは連続的
に軟X線を取り出すことが困難であるが、近年、特開平
7-94296号公報に開示されているように、波形制御され
たパルス列の固体レーザーを用いることにより、1Hz又
は10Hzの繰り返しでレーザープラズマ軟X線を発生させ
ることができるようになっている。
つ高エネルギーのレーザー光が開発され、このレーザー
光を用いてレーザープラズマ軟X線を発生させる装置が
提案され(特開平7-128500号公報など)、X線リソグラ
フやX線顕微鏡などへの応用が期待されている。しかし
このようなX線光源装置では、過熱による不具合を回避
するために数10分以上の間隔をあけて間欠的にレーザー
光の照射を行っているのが現状である。これでは連続的
に軟X線を取り出すことが困難であるが、近年、特開平
7-94296号公報に開示されているように、波形制御され
たパルス列の固体レーザーを用いることにより、1Hz又
は10Hzの繰り返しでレーザープラズマ軟X線を発生させ
ることができるようになっている。
【0004】そして米国特許4,700,371 号などには、テ
ープ形状のターゲットを用いることにより、真空をリー
クすることなく高頻度で繰り返してレーザープラズマ軟
X線を発生させることが提案されている。ところがレー
ザー光を用いたX線光源装置では、ターゲットから燃焼
分解物や破砕物からなる飛散粒子(以下、これをデブリ
という)がX線と同時に放出され、広範囲の領域に飛散
する。また10MW/cm2以上の高エネルギーのレーザー光の
場合は、デブリの速度が特に大きくなり、一層広範囲に
飛散する。そしてこのデブリがX線光学系に付着する
と、装置から取り出されるX線量が減少したり、X線光
学系の要素を劣化させる場合がある。またテープ形状の
ターゲットを用いるなどして、長時間繰り返してレーザ
ープラズマ軟X線を発生させる場合には、短時間の間に
多量のデブリがX線光学系に付着する。
ープ形状のターゲットを用いることにより、真空をリー
クすることなく高頻度で繰り返してレーザープラズマ軟
X線を発生させることが提案されている。ところがレー
ザー光を用いたX線光源装置では、ターゲットから燃焼
分解物や破砕物からなる飛散粒子(以下、これをデブリ
という)がX線と同時に放出され、広範囲の領域に飛散
する。また10MW/cm2以上の高エネルギーのレーザー光の
場合は、デブリの速度が特に大きくなり、一層広範囲に
飛散する。そしてこのデブリがX線光学系に付着する
と、装置から取り出されるX線量が減少したり、X線光
学系の要素を劣化させる場合がある。またテープ形状の
ターゲットを用いるなどして、長時間繰り返してレーザ
ープラズマ軟X線を発生させる場合には、短時間の間に
多量のデブリがX線光学系に付着する。
【0005】そのため従来のX線光源装置では、数十か
ら数千回のレーザー照射毎に装置を常圧に戻し、X線光
学系やレーザー光学系に付着したデブリを除去してい
る。したがって長時間の連続照射が困難であり、作業性
及び生産性が低いという問題があった。そこで特開平4-
112498号公報、特開平8-194100号公報には、ターゲット
とX線光学系との間に高分子フィルムを介在させ、高分
子フィルムを通してX線をX線光学系へ照射する構成の
装置が開示されている。このようにすれば、デブリは高
分子フィルムに付着して捕捉されるので、デブリがX線
光学系に付着するのが防止され、上記不具合が回避され
る。
ら数千回のレーザー照射毎に装置を常圧に戻し、X線光
学系やレーザー光学系に付着したデブリを除去してい
る。したがって長時間の連続照射が困難であり、作業性
及び生産性が低いという問題があった。そこで特開平4-
112498号公報、特開平8-194100号公報には、ターゲット
とX線光学系との間に高分子フィルムを介在させ、高分
子フィルムを通してX線をX線光学系へ照射する構成の
装置が開示されている。このようにすれば、デブリは高
分子フィルムに付着して捕捉されるので、デブリがX線
光学系に付着するのが防止され、上記不具合が回避され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが高分子フィル
ムにデブリが付着するにつれてX線の透過率が低減する
ため、X線強度が徐々に低下してしまう。したがって高
分子フィルムを定期的に新品と交換する必要があるが、
X線光源装置を常圧に戻すと長時間の連続照射の達成が
困難となる。
ムにデブリが付着するにつれてX線の透過率が低減する
ため、X線強度が徐々に低下してしまう。したがって高
分子フィルムを定期的に新品と交換する必要があるが、
X線光源装置を常圧に戻すと長時間の連続照射の達成が
困難となる。
【0007】また高分子フィルムをテープ状として一対
のリール間に懸架し、一方のリールに巻き取ることで移
動させて常に新しい部分が懸架されるように構成すれば
上記不具合は回避されるが、高分子フィルムに強度が必
要となるため、厚さを厚くすると特定の波長の軟X線が
高分子フィルムに吸収されるという問題がある。さら
に、デブリのうち微細なものは真空槽内の広範囲に浮遊
するため、高分子フィルムの裏面側に回り込むものも多
い。このような浮遊粒子を上記したような除去手段で除
去することは困難であり、X線リソグラフ、X線光電子
分光に用いられるX線集光光学素子などの軟X線光学系
で特に問題となる。
のリール間に懸架し、一方のリールに巻き取ることで移
動させて常に新しい部分が懸架されるように構成すれば
上記不具合は回避されるが、高分子フィルムに強度が必
要となるため、厚さを厚くすると特定の波長の軟X線が
高分子フィルムに吸収されるという問題がある。さら
に、デブリのうち微細なものは真空槽内の広範囲に浮遊
するため、高分子フィルムの裏面側に回り込むものも多
い。このような浮遊粒子を上記したような除去手段で除
去することは困難であり、X線リソグラフ、X線光電子
分光に用いられるX線集光光学素子などの軟X線光学系
で特に問題となる。
【0008】また、特開平5-346495号公報には、円盤状
のシリコンウエハーや巻回されたマイラーからなる高分
子フィルムを用いてデブリからX線光学系を保護するこ
とが記載されているが、シリコンウエハーの大きさによ
って連続動作時間が異なることや、巻回されたマイラー
では厚さが厚くなるため実用的でないという問題があ
る。
のシリコンウエハーや巻回されたマイラーからなる高分
子フィルムを用いてデブリからX線光学系を保護するこ
とが記載されているが、シリコンウエハーの大きさによ
って連続動作時間が異なることや、巻回されたマイラー
では厚さが厚くなるため実用的でないという問題があ
る。
【0009】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、レーザー光を用いたX線光源装置におい
て、X線光学系へのデブリの付着を確実に防止し、高強
度の軟X線を安定して発生できるX線光源装置とするこ
とを目的とする。
ものであり、レーザー光を用いたX線光源装置におい
て、X線光学系へのデブリの付着を確実に防止し、高強
度の軟X線を安定して発生できるX線光源装置とするこ
とを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項1に記載のX線光源装置の特徴は、真空槽と、真空槽
内に配置されたターゲットと、ターゲットにレーザー光
を照射することによりレーザープラズマX線を発生させ
るレーザー光源と、発生したX線を集光するX線光学系
とを備えてなるX線光源装置において、ターゲットとX
線光学系との間のX線光路にX線光路と略垂直に厚さ3
μm以下の高分子フィルムを供給する供給装置を備えた
ことにある。
項1に記載のX線光源装置の特徴は、真空槽と、真空槽
内に配置されたターゲットと、ターゲットにレーザー光
を照射することによりレーザープラズマX線を発生させ
るレーザー光源と、発生したX線を集光するX線光学系
とを備えてなるX線光源装置において、ターゲットとX
線光学系との間のX線光路にX線光路と略垂直に厚さ3
μm以下の高分子フィルムを供給する供給装置を備えた
ことにある。
【0011】上記X線光源装置は、請求項2に記載され
たように、X線光路に供給された高分子フィルムを回収
する回収装置をさらに備えることが望ましい。また高分
子フィルムとしては、請求項3に記載されたように、ポ
リパラキシレン及びポリプロピレンの少なくとも一種か
ら形成されたものを用いることが望ましい。
たように、X線光路に供給された高分子フィルムを回収
する回収装置をさらに備えることが望ましい。また高分
子フィルムとしては、請求項3に記載されたように、ポ
リパラキシレン及びポリプロピレンの少なくとも一種か
ら形成されたものを用いることが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】X線光学系としては、X線集光ミ
ラー、X線分光器、波長選択用フィルタなどが例示され
る。レーザー光としては、強度が10MW/cm2以上のものを
利用することができ、 100MW/cm2 以上のものが特に好
ましく、 YAGレーザー、ガラスレーザー、エキシマレー
ザー、CO2 ガスレーザーなどのレーザー光を利用でき
る。 100MW/cm2以上の強度のレーザー光を用いれば、2
〜40nmの波長の軟X線を効率よく発生させることができ
る。
ラー、X線分光器、波長選択用フィルタなどが例示され
る。レーザー光としては、強度が10MW/cm2以上のものを
利用することができ、 100MW/cm2 以上のものが特に好
ましく、 YAGレーザー、ガラスレーザー、エキシマレー
ザー、CO2 ガスレーザーなどのレーザー光を利用でき
る。 100MW/cm2以上の強度のレーザー光を用いれば、2
〜40nmの波長の軟X線を効率よく発生させることができ
る。
【0013】また真空槽の真空度は、10-10 〜10-3Pa以
下が一般的に用いられる。さらにターゲットとしては、
レーザープラズマ軟X線を発生させる場合には金属、半
導体、高分子材料、セラミックスなどを用いることがで
きる。このターゲットは平板状、ロッド状、円柱状又は
テープ状などの形状のものが用いられる。特に、テープ
形状として連続的あるいは間欠的にターゲット位置に供
給すれば、ターゲットの交換頻度を低くして常時新しい
ターゲットを供給できるので、長時間の連続運転が可能
となる。
下が一般的に用いられる。さらにターゲットとしては、
レーザープラズマ軟X線を発生させる場合には金属、半
導体、高分子材料、セラミックスなどを用いることがで
きる。このターゲットは平板状、ロッド状、円柱状又は
テープ状などの形状のものが用いられる。特に、テープ
形状として連続的あるいは間欠的にターゲット位置に供
給すれば、ターゲットの交換頻度を低くして常時新しい
ターゲットを供給できるので、長時間の連続運転が可能
となる。
【0014】X線光学系へのデブリの付着を抑制するに
は、X線光学系の近傍でデブリを除去することが最も効
果的である。そこで本発明の最大の特徴は、ターゲット
とX線光学系との間に、X線光路と略垂直に高分子フィ
ルムを供給する供給装置と、好ましくはデブリが付着し
た高分子フィルムを回収する回収装置とを備えたことに
ある。
は、X線光学系の近傍でデブリを除去することが最も効
果的である。そこで本発明の最大の特徴は、ターゲット
とX線光学系との間に、X線光路と略垂直に高分子フィ
ルムを供給する供給装置と、好ましくはデブリが付着し
た高分子フィルムを回収する回収装置とを備えたことに
ある。
【0015】したがって本発明のX線光源装置では、真
空槽内を浮遊しているデブリが高分子フィルムに遮蔽さ
れるため、X線光学系にデブリが付着するのを防止する
ことができる。そして、デブリが付着して汚れた高分子
フィルムは回収装置に回収され、供給装置によって新し
い高分子フィルムがターゲットとX線光学系との間のX
線光路に配置されるので、X線の透過率が低下するのが
防止されている。またこの供給装置と回収装置は真空槽
内に配置して駆動できるので、数万回以上のレーザー照
射に対しても装置の真空をリークすることなく長時間の
連続使用が可能となって作業性及び生産性が向上する。
空槽内を浮遊しているデブリが高分子フィルムに遮蔽さ
れるため、X線光学系にデブリが付着するのを防止する
ことができる。そして、デブリが付着して汚れた高分子
フィルムは回収装置に回収され、供給装置によって新し
い高分子フィルムがターゲットとX線光学系との間のX
線光路に配置されるので、X線の透過率が低下するのが
防止されている。またこの供給装置と回収装置は真空槽
内に配置して駆動できるので、数万回以上のレーザー照
射に対しても装置の真空をリークすることなく長時間の
連続使用が可能となって作業性及び生産性が向上する。
【0016】高分子フィルムとしてはX線の透過率が高
いことが望ましく、ポリプロピレン、ポリパラキシレン
などを用いることが好ましい。また高分子フィルムの厚
さは、0.05μmから3μm以下の範囲とすることが望ま
しい。高分子フィルムの厚さが3μmより厚くなるとX
線透過率が低下し、0.05μmより薄くなると強度に不足
する。
いことが望ましく、ポリプロピレン、ポリパラキシレン
などを用いることが好ましい。また高分子フィルムの厚
さは、0.05μmから3μm以下の範囲とすることが望ま
しい。高分子フィルムの厚さが3μmより厚くなるとX
線透過率が低下し、0.05μmより薄くなると強度に不足
する。
【0017】供給装置及び回収装置は、高分子フィルム
の形状によって適宜選択して構成することができる。例
えば金属製や樹脂製などのフレームに高分子フィルムを
保持した構成とすれば、後述の実施例のようなカートリ
ッジを用いて供給装置及び回収装置を構成することがで
きる。
の形状によって適宜選択して構成することができる。例
えば金属製や樹脂製などのフレームに高分子フィルムを
保持した構成とすれば、後述の実施例のようなカートリ
ッジを用いて供給装置及び回収装置を構成することがで
きる。
【0018】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。図1に本実施例のターゲット駆動装置をもつX線光
源装置を示す。このX線光源装置は、側壁にレーザー光
入射窓10をもつ真空槽1と、真空槽1外部に配置された
集光レンズ2と、真空槽1内部に配置されたターゲット
駆動装置3と、飛散粒子除去装置4と、遮蔽部材5と、
X線光学系6とから構成されている。
る。図1に本実施例のターゲット駆動装置をもつX線光
源装置を示す。このX線光源装置は、側壁にレーザー光
入射窓10をもつ真空槽1と、真空槽1外部に配置された
集光レンズ2と、真空槽1内部に配置されたターゲット
駆動装置3と、飛散粒子除去装置4と、遮蔽部材5と、
X線光学系6とから構成されている。
【0019】真空槽1には図示しない排気装置が接続さ
れ、真空槽1内を10-4Paまで減圧可能とされている。ま
たレーザー光入射窓10は石英ガラスから形成され、真空
槽1の側壁に真円形状に形成されている。ターゲット駆
動装置3にはターゲット30が保持され、ターゲット30と
レーザー光入射窓10との間には飛散粒子除去装置4にお
いて供給されるポリエチレンフィルム40が、レーザー光
路に対して垂直方向に移動自在に配置されている。
れ、真空槽1内を10-4Paまで減圧可能とされている。ま
たレーザー光入射窓10は石英ガラスから形成され、真空
槽1の側壁に真円形状に形成されている。ターゲット駆
動装置3にはターゲット30が保持され、ターゲット30と
レーザー光入射窓10との間には飛散粒子除去装置4にお
いて供給されるポリエチレンフィルム40が、レーザー光
路に対して垂直方向に移動自在に配置されている。
【0020】集光レンズ2は、真空槽1外部でレーザー
光入射窓10と同軸的に配置されている。そしてターゲッ
ト30のターゲット法線と、レーザー光入射窓10の中心及
び集光レンズ2の中心が同一直線(レーザー光軸)上に
位置し、その延長線上に図示しないレーザー光源が配置
されている。ターゲット駆動装置3は、リール31に巻回
されたテープ状のターゲット30(アルミニウム製)を間
欠的又は連続的にレーザー光集光部に供給する。
光入射窓10と同軸的に配置されている。そしてターゲッ
ト30のターゲット法線と、レーザー光入射窓10の中心及
び集光レンズ2の中心が同一直線(レーザー光軸)上に
位置し、その延長線上に図示しないレーザー光源が配置
されている。ターゲット駆動装置3は、リール31に巻回
されたテープ状のターゲット30(アルミニウム製)を間
欠的又は連続的にレーザー光集光部に供給する。
【0021】飛散粒子除去装置4は、断面コ字状のベー
ス41と、ベース41に固定されたモータ42と、モータ42の
回転軸に保持された駆動リール43と、駆動リール43に離
間した位置でベース41に回動自在に保持された従動リー
ル44と、駆動リール43及び従動リール44の間に張設され
たポリエチレンフィルム40と、から構成されている。モ
ータ42の回転軸の軸受け、駆動リール43の軸受け、従動
リール44の軸受けなど、全ての可動部分には、真空グリ
ースもしくは固体潤滑剤が塗布され、真空中における回
転が長時間円滑に行われるように工夫されている。また
モータ42は励起用レーザーの繰り返し周波数に同期して
駆動できるように構成されている。
ス41と、ベース41に固定されたモータ42と、モータ42の
回転軸に保持された駆動リール43と、駆動リール43に離
間した位置でベース41に回動自在に保持された従動リー
ル44と、駆動リール43及び従動リール44の間に張設され
たポリエチレンフィルム40と、から構成されている。モ
ータ42の回転軸の軸受け、駆動リール43の軸受け、従動
リール44の軸受けなど、全ての可動部分には、真空グリ
ースもしくは固体潤滑剤が塗布され、真空中における回
転が長時間円滑に行われるように工夫されている。また
モータ42は励起用レーザーの繰り返し周波数に同期して
駆動できるように構成されている。
【0022】X線光学系6は、ターゲット30のレーザー
光集光部で発生する軟X線をレーザー光の光軸に対して
60〜90度傾斜した方向から取り出すように設けられてい
る。さて本実施例のX線光源装置において回り込んだデ
ブリがX線光学系6に付着するのを防止するための遮蔽
部材5は、ターゲット30のレーザー光集光部で発生する
軟X線の光路 100に配置され、図2に示すように、内部
に軟X線が通過する貫通路50が形成されている。そして
貫通路50の両側にはそれぞれ高分子フィルム供給カート
リッジ51及び高分子フィルム回収カートリッジ52が配置
され、モータ53によって直線駆動される直線導入機54が
高分子フィルム供給カートリッジ51に収納されたフレー
ム7を貫通路50へ供給する。
光集光部で発生する軟X線をレーザー光の光軸に対して
60〜90度傾斜した方向から取り出すように設けられてい
る。さて本実施例のX線光源装置において回り込んだデ
ブリがX線光学系6に付着するのを防止するための遮蔽
部材5は、ターゲット30のレーザー光集光部で発生する
軟X線の光路 100に配置され、図2に示すように、内部
に軟X線が通過する貫通路50が形成されている。そして
貫通路50の両側にはそれぞれ高分子フィルム供給カート
リッジ51及び高分子フィルム回収カートリッジ52が配置
され、モータ53によって直線駆動される直線導入機54が
高分子フィルム供給カートリッジ51に収納されたフレー
ム7を貫通路50へ供給する。
【0023】図3に示すフレーム7は、樹脂製で断面平
行四辺形に形成され、中央に平均膜厚 0.2μmのポリプ
ロピレンフィルム70が保持されている。このフレーム7
が貫通路50に配置されることで、軟X線はポリプロピレ
ンフィルム70を透過してX線光学系6に入射されるよう
に構成されている。なお表1に各種高分子フィルムの厚
さと軟X線透過率との関係を示す。
行四辺形に形成され、中央に平均膜厚 0.2μmのポリプ
ロピレンフィルム70が保持されている。このフレーム7
が貫通路50に配置されることで、軟X線はポリプロピレ
ンフィルム70を透過してX線光学系6に入射されるよう
に構成されている。なお表1に各種高分子フィルムの厚
さと軟X線透過率との関係を示す。
【0024】
【表1】 X線リソグラフの光源として有用な波長13nmの軟X線の
透過率が1%以上を評価基準とすると、厚さが3μmを
超えると全ての高分子フィルムは用いることが困難であ
り、厚さが1μm程度であればポリプロピレン及びパリ
レンが使用可能である。また厚さを 0.2μm程度とすれ
ば、全ての高分子フィルムが使用可能である。
透過率が1%以上を評価基準とすると、厚さが3μmを
超えると全ての高分子フィルムは用いることが困難であ
り、厚さが1μm程度であればポリプロピレン及びパリ
レンが使用可能である。また厚さを 0.2μm程度とすれ
ば、全ての高分子フィルムが使用可能である。
【0025】さらに厚さを1μm以下とした場合の高分
子フィルムの強度や耐力を考慮すると、ポリプロピレン
及びポリパラキシレンが好ましい材料と判断されたた
め、本実施例ではポリプロピレンフィルム70を用いてい
る。高分子フィルム供給カートリッジ51及び高分子フィ
ルム回収カートリッジ52には、それぞれスプリング55が
配置され、スプリング55先端には支持板56がそれぞれ保
持されている。そして供給カートリッジ51には、スプリ
ング55を圧縮した状態で複数のフレーム7が積層されて
いる。そして高分子フィルム供給カートリッジ51の端部
側壁にはフレーム7が出入可能な開口57が設けられ、開
口57の反対側の側壁には直線導入機54が出入可能となっ
ている。
子フィルムの強度や耐力を考慮すると、ポリプロピレン
及びポリパラキシレンが好ましい材料と判断されたた
め、本実施例ではポリプロピレンフィルム70を用いてい
る。高分子フィルム供給カートリッジ51及び高分子フィ
ルム回収カートリッジ52には、それぞれスプリング55が
配置され、スプリング55先端には支持板56がそれぞれ保
持されている。そして供給カートリッジ51には、スプリ
ング55を圧縮した状態で複数のフレーム7が積層されて
いる。そして高分子フィルム供給カートリッジ51の端部
側壁にはフレーム7が出入可能な開口57が設けられ、開
口57の反対側の側壁には直線導入機54が出入可能となっ
ている。
【0026】また高分子フィルム回収カートリッジ52の
端部側壁には、フレーム7が出入可能な開口58が設けら
れている。そして先ずモータ53が駆動されて直線導入機
54が前進すると、高分子フィルム供給カートリッジ51に
収納されていた最前端のフレーム7が押し出されて貫通
路50に位置する。貫通路50には板バネ59が配置され、フ
レーム7は遮蔽部材5の内壁と板バネ59の間に挟持され
る。したがって貫通路50を透過する軟X線は、必ずフレ
ーム7のポリプロピレンフィルム70を透過する。そして
貫通路50はフレーム7によって隔離されているため、真
空槽1内を浮遊する細かなデブリも貫通路50内にまで進
入することはない。
端部側壁には、フレーム7が出入可能な開口58が設けら
れている。そして先ずモータ53が駆動されて直線導入機
54が前進すると、高分子フィルム供給カートリッジ51に
収納されていた最前端のフレーム7が押し出されて貫通
路50に位置する。貫通路50には板バネ59が配置され、フ
レーム7は遮蔽部材5の内壁と板バネ59の間に挟持され
る。したがって貫通路50を透過する軟X線は、必ずフレ
ーム7のポリプロピレンフィルム70を透過する。そして
貫通路50はフレーム7によって隔離されているため、真
空槽1内を浮遊する細かなデブリも貫通路50内にまで進
入することはない。
【0027】経時の使用によりポリプロピレンフィルム
70にデブリが付着して軟X線の透過率が低下した場合に
は、一旦原位置に後退した直線導入機54が再び前進され
る。これにより高分子フィルム供給カートリッジ51に収
納されていた最前端のフレーム7’が押し出され、それ
によって貫通路50に位置していた使用済みのフレーム7
が押されて開口58から高分子フィルム回収カートリッジ
52内に収納され、貫通路50には未使用のフレーム7’が
位置する。
70にデブリが付着して軟X線の透過率が低下した場合に
は、一旦原位置に後退した直線導入機54が再び前進され
る。これにより高分子フィルム供給カートリッジ51に収
納されていた最前端のフレーム7’が押し出され、それ
によって貫通路50に位置していた使用済みのフレーム7
が押されて開口58から高分子フィルム回収カートリッジ
52内に収納され、貫通路50には未使用のフレーム7’が
位置する。
【0028】なお、フレーム7,7’は断面平行四辺形
であるため、フレーム7’によって支持板56又はフレー
ム7を押圧することで、支持板56又はフレーム7を直線
導入機54の押圧方向に対して垂直方向へ、つまりスプリ
ング55を圧縮する方向へ押圧することが可能となってい
る。したがって上記作動を繰り返すことで、高分子フィ
ルム回収カートリッジ52内には使用済みのフレーム7が
次々に集積され、貫通路50には未使用のフレーム7’が
常に配置されることになる。
であるため、フレーム7’によって支持板56又はフレー
ム7を押圧することで、支持板56又はフレーム7を直線
導入機54の押圧方向に対して垂直方向へ、つまりスプリ
ング55を圧縮する方向へ押圧することが可能となってい
る。したがって上記作動を繰り返すことで、高分子フィ
ルム回収カートリッジ52内には使用済みのフレーム7が
次々に集積され、貫通路50には未使用のフレーム7’が
常に配置されることになる。
【0029】さらに本実施例のX線光源装置では、遮蔽
部材5とX線光学系6の間に遮蔽板8が介在されてい
る。この遮蔽板8は、図4に示すように中央に透過口80
をもち、透過口80は軟X線の光路 100に貫通路50と同軸
的になるように配置されている。そして遮蔽部材5とX
線光学系6とは、遮蔽板8を介して連結され、X線光学
系6は透過口80を介してのみ貫通路50とX線的に連通し
ている。
部材5とX線光学系6の間に遮蔽板8が介在されてい
る。この遮蔽板8は、図4に示すように中央に透過口80
をもち、透過口80は軟X線の光路 100に貫通路50と同軸
的になるように配置されている。そして遮蔽部材5とX
線光学系6とは、遮蔽板8を介して連結され、X線光学
系6は透過口80を介してのみ貫通路50とX線的に連通し
ている。
【0030】したがって光路 100を進む軟X線は、フレ
ーム7のポリプロピレンフィルム70を透過して貫通路50
内に入り、透過口80を透過してX線光学系6へ入射され
る。これによりデブリはフレーム7で遮蔽されるため、
X線光学系6にデブリが進入するのが防止されている。
またデブリが付着して汚れたフレーム7は、遮蔽部材5
に配置された高分子フィルム供給カートリッジ51と高分
子フィルム回収カートリッジ52によって定期的に新品と
交換されるので、交換時にも真空槽1の真空を維持する
ことができ軟X線を長時間連続して発生させることがで
きる。
ーム7のポリプロピレンフィルム70を透過して貫通路50
内に入り、透過口80を透過してX線光学系6へ入射され
る。これによりデブリはフレーム7で遮蔽されるため、
X線光学系6にデブリが進入するのが防止されている。
またデブリが付着して汚れたフレーム7は、遮蔽部材5
に配置された高分子フィルム供給カートリッジ51と高分
子フィルム回収カートリッジ52によって定期的に新品と
交換されるので、交換時にも真空槽1の真空を維持する
ことができ軟X線を長時間連続して発生させることがで
きる。
【0031】以上、本発明の実施例について説明した
が、この本発明の実施例には特許請求の範囲に記載した
技術的事項以外に次のような各種の技術的事項の実施態
様を有するものであることを付記しておく。 (1)前記X線光路にはX線を透過する貫通路をもつ遮
蔽部材が配置され、前記高分子フィルムは該貫通路に供
給されることを特徴とする請求項1に記載のX線光源装
置。 (2)前記貫通路のX線出口には遮蔽板が配置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載のX線光源装置。
が、この本発明の実施例には特許請求の範囲に記載した
技術的事項以外に次のような各種の技術的事項の実施態
様を有するものであることを付記しておく。 (1)前記X線光路にはX線を透過する貫通路をもつ遮
蔽部材が配置され、前記高分子フィルムは該貫通路に供
給されることを特徴とする請求項1に記載のX線光源装
置。 (2)前記貫通路のX線出口には遮蔽板が配置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載のX線光源装置。
【0032】
【発明の効果】すなわち本発明のX線光源装置によれ
ば、X線光学系へのデブリの付着を確実に防止すること
ができる。また真空槽の真空を長時間維持することが可
能となるため、安定した高強度のX線を長時間連続して
発生させることが可能となる。
ば、X線光学系へのデブリの付着を確実に防止すること
ができる。また真空槽の真空を長時間維持することが可
能となるため、安定した高強度のX線を長時間連続して
発生させることが可能となる。
【図1】本発明の一実施例のX線光源装置の構成を示す
説明図である。
説明図である。
【図2】本発明の一実施例のX線光源装置に用いた遮蔽
部材の断面図である。
部材の断面図である。
【図3】本発明の一実施例のX線光源装置に用いたフレ
ームの斜視図である。
ームの斜視図である。
【図4】本発明の一実施例のX線光源装置に用いた遮蔽
部材と遮蔽板及びX線光学系の接続状態を示す説明断面
図である。
部材と遮蔽板及びX線光学系の接続状態を示す説明断面
図である。
1:真空槽 2:集光レンズ 3:
ターゲット駆動装置 4:飛散粒子除去装置 5:遮蔽部材 6:
X線光学系 7:フレーム 8:遮蔽板 50:
貫通路 51:高分子フィルム供給カートリッジ 52:高分子フィ
ルム回収カートリッジ 80:透過口 100:X線光路
ターゲット駆動装置 4:飛散粒子除去装置 5:遮蔽部材 6:
X線光学系 7:フレーム 8:遮蔽板 50:
貫通路 51:高分子フィルム供給カートリッジ 52:高分子フィ
ルム回収カートリッジ 80:透過口 100:X線光路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 靖彦 愛知県豊田市トヨタ町2番地 株式会社ト ヨタマックス内 (72)発明者 井下 章 愛知県豊田市トヨタ町2番地 株式会社ト ヨタマックス内 (72)発明者 東 博純 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の1株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 間瀬 晃 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 真空槽と、該真空槽内に配置されたター
ゲットと、該ターゲットにレーザー光を照射することに
よりレーザープラズマX線を発生させるレーザー光源
と、発生した該X線を集光するX線光学系とを備えてな
るX線光源装置において、 該ターゲットと該X線光学系との間のX線光路に該X線
光路と略垂直に厚さ3μm以下の高分子フィルムを供給
する供給装置を備えたことを特徴とするX線光源装置。 - 【請求項2】 前記X線光路に供給された前記高分子フ
ィルムを回収する回収装置をさらに備えたことを特徴と
する請求項1に記載のX線光源装置。 - 【請求項3】 前記高分子フィルムは、ポリパラキシレ
ン及びポリプロピレンの少なくとも一種から形成された
ことを特徴とする請求項1に記載のX線光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10187752A JP2000019297A (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | X線光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10187752A JP2000019297A (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | X線光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000019297A true JP2000019297A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16211591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10187752A Pending JP2000019297A (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | X線光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000019297A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692169B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for filtering particles out of a beam of radiation and filter for a lithographic apparatus |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP10187752A patent/JP2000019297A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692169B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for filtering particles out of a beam of radiation and filter for a lithographic apparatus |
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