JP2000017261A - 反強誘電性液晶組成物及びこれを用いた液晶素子、表示装置 - Google Patents
反強誘電性液晶組成物及びこれを用いた液晶素子、表示装置Info
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- JP2000017261A JP2000017261A JP10185817A JP18581798A JP2000017261A JP 2000017261 A JP2000017261 A JP 2000017261A JP 10185817 A JP10185817 A JP 10185817A JP 18581798 A JP18581798 A JP 18581798A JP 2000017261 A JP2000017261 A JP 2000017261A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた均一配向性と小さな自発分極を有する
反強誘電性のカイラルスメクチック液晶組成物を提供
し、該組成物を用いて大面積、高精細、高性能の液晶素
子を構成する。 【解決手段】 少なくとも、ビシクロ環またはトリシク
ロ環構造を有する化合物を含有する液晶組成物とする。
反強誘電性のカイラルスメクチック液晶組成物を提供
し、該組成物を用いて大面積、高精細、高性能の液晶素
子を構成する。 【解決手段】 少なくとも、ビシクロ環またはトリシク
ロ環構造を有する化合物を含有する液晶組成物とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子、及
び、該液晶素子に用いられる反強誘電性液晶組成物と、
該液晶素子を用いた表示装置に関する。
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子、及
び、該液晶素子に用いられる反強誘電性液晶組成物と、
該液晶素子を用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしては、ＣＲＴが知られており、テレビ
やＶＴＲなどの動画出力、或いはパーソナルコンピュー
タ等のモニターとして広く用いられている。しかしなが
らＣＲＴはその特性上、静止画像に対してはフリッカや
解像度不足による走査縞等が視認性を低下させたり、焼
き付きによる蛍光体の劣化が起こったりする。また最近
では、ＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪影響を与える
ことがわかり、ＶＤＴ作業者の健康を害することが懸念
されている。また、ＣＲＴはその構造上、画面後方に広
く体積を有することが必須であることから、情報機器の
利便性を著しく阻害し、オフィス、家庭の省スペースを
阻害している。
ディスプレイとしては、ＣＲＴが知られており、テレビ
やＶＴＲなどの動画出力、或いはパーソナルコンピュー
タ等のモニターとして広く用いられている。しかしなが
らＣＲＴはその特性上、静止画像に対してはフリッカや
解像度不足による走査縞等が視認性を低下させたり、焼
き付きによる蛍光体の劣化が起こったりする。また最近
では、ＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪影響を与える
ことがわかり、ＶＤＴ作業者の健康を害することが懸念
されている。また、ＣＲＴはその構造上、画面後方に広
く体積を有することが必須であることから、情報機器の
利便性を著しく阻害し、オフィス、家庭の省スペースを
阻害している。
【０００３】上記のようなＣＲＴの問題点を解決するも
のとして、液晶表示素子がある。例えばエム・シャット
（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュ・ヘルフリッヒ（Ｗ．
Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、アプライド・フィジックス・レ
ターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）
第１２７頁〜１２８頁において示されたツイステッドネ
マチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用
いたものが知られている。近年、このタイプの液晶を用
いてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチング素子と
して用いたアクティブマトリクス方式の液晶素子の開
発、製品化が行なわれている。この方式の液晶素子は、
一つ一つの画素にＴＦＴを作製するものであり、従って
クロストークの問題がなく、また、近年の急速な生産技
術の進歩によって１０〜１２インチクラスのディスプレ
イが生産性良く製造されつつある。
のとして、液晶表示素子がある。例えばエム・シャット
（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュ・ヘルフリッヒ（Ｗ．
Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、アプライド・フィジックス・レ
ターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）
第１２７頁〜１２８頁において示されたツイステッドネ
マチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用
いたものが知られている。近年、このタイプの液晶を用
いてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチング素子と
して用いたアクティブマトリクス方式の液晶素子の開
発、製品化が行なわれている。この方式の液晶素子は、
一つ一つの画素にＴＦＴを作製するものであり、従って
クロストークの問題がなく、また、近年の急速な生産技
術の進歩によって１０〜１２インチクラスのディスプレ
イが生産性良く製造されつつある。
【０００４】しかしながら、さらに大きなサイズ、或い
は動画を問題なく再現するための６０Ｈｚ以上のフレー
ム周波数という点では、未だ生産性、液晶の応答速度に
問題を有している。
は動画を問題なく再現するための６０Ｈｚ以上のフレー
ム周波数という点では、未だ生産性、液晶の応答速度に
問題を有している。
【０００５】また、最近では、プレインモードやＢＴＮ
（Ｂｉｓｔａｂｅｌ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）モードといった新しいモードを利用した液晶素子が
開発されている。特に後者は、速いスイッチングスピー
ドと双安定性を有するため、単純マトリクス方式による
大画面素子の提案がなされている。
（Ｂｉｓｔａｂｅｌ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）モードといった新しいモードを利用した液晶素子が
開発されている。特に後者は、速いスイッチングスピー
ドと双安定性を有するため、単純マトリクス方式による
大画面素子の提案がなされている。
【０００６】一方、双安定性を有する液晶素子として、
カイラルスメクチック液晶素子がクラーク（Ｃｌａｒ
ｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案
されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特
許第４３６７９２４号明細書）。この液晶素子には、一
般にカイラルスメクチックＣ相またはカイラルスメクチ
ックＨ相を有する強誘電性液晶が用いられる。この強誘
電性液晶は、自発分極により反転スイッチングを行なう
ため、非常に速い応答速度を有する上に、メモリー性の
ある双安定状態を発現させることができる。さらに視野
角特性も優れていることから、高速、高精細、大面積の
単純マトリクス表示素子或いはライトバルブとして適し
ていると考えられる。
カイラルスメクチック液晶素子がクラーク（Ｃｌａｒ
ｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案
されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特
許第４３６７９２４号明細書）。この液晶素子には、一
般にカイラルスメクチックＣ相またはカイラルスメクチ
ックＨ相を有する強誘電性液晶が用いられる。この強誘
電性液晶は、自発分極により反転スイッチングを行なう
ため、非常に速い応答速度を有する上に、メモリー性の
ある双安定状態を発現させることができる。さらに視野
角特性も優れていることから、高速、高精細、大面積の
単純マトリクス表示素子或いはライトバルブとして適し
ていると考えられる。
【０００７】また、最近では、チャンダニ、竹添らによ
り、三つの安定状態を有するカイラルスメクチック反強
誘電性液晶素子も提案されている〔ジャパニーズ ジャ
ーナル オブ アプライド フィジックス（Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ）第２７巻、１９８８年Ｌ７２９頁〕。さら
に、反強誘電性液晶材料のうち、ヒステリシスが小さ
く、階調表示に有利なＶ字型応答特性（電圧−透過率特
性がほぼ０Ｖを中心としてＶ字形状をとる特性）を有す
る液晶化合物も報告されている〔ジャパニーズ ジャー
ナル オブ アプライド フィジックス、第３６巻、１
９９７年３５８６頁〕。これを用いてアクティブマトリ
クスタイプの液晶素子を構成し、高速のディスプレイを
実現しようとする提案もなされている（特開平９−５０
０４９号公報）。
り、三つの安定状態を有するカイラルスメクチック反強
誘電性液晶素子も提案されている〔ジャパニーズ ジャ
ーナル オブ アプライド フィジックス（Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ）第２７巻、１９８８年Ｌ７２９頁〕。さら
に、反強誘電性液晶材料のうち、ヒステリシスが小さ
く、階調表示に有利なＶ字型応答特性（電圧−透過率特
性がほぼ０Ｖを中心としてＶ字形状をとる特性）を有す
る液晶化合物も報告されている〔ジャパニーズ ジャー
ナル オブ アプライド フィジックス、第３６巻、１
９９７年３５８６頁〕。これを用いてアクティブマトリ
クスタイプの液晶素子を構成し、高速のディスプレイを
実現しようとする提案もなされている（特開平９−５０
０４９号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなカイラルスメクチック液晶素子においては、例え
ば「強誘電性液晶の構造と物性」（コロナ社、福田敦
夫、竹添秀男著、１９９０年）に記載されているよう
に、ジグザグ状或いは筋状の配向欠陥が発生してコント
ラストを著しく低下させるという問題があり、一部の液
晶素子においてはかなり改善されているものがあるが、
その改善手法が全てに適用し得るわけではなく、カイラ
ルスメクチック液晶の配向性の改善が強く求められてい
る。また、自発分極をスイッチングのトルクとして用い
ているため、反電場が形成されることによるスイッチン
グ異常、電圧保持性の低下、焼き付きといった問題が有
り、性能、信頼性の両面から極力小さい自発分極の材料
が求められている。特に、反強誘電性液晶材料において
は、材料種の制約から、自発分極を小さくできないとい
う問題があった。
ようなカイラルスメクチック液晶素子においては、例え
ば「強誘電性液晶の構造と物性」（コロナ社、福田敦
夫、竹添秀男著、１９９０年）に記載されているよう
に、ジグザグ状或いは筋状の配向欠陥が発生してコント
ラストを著しく低下させるという問題があり、一部の液
晶素子においてはかなり改善されているものがあるが、
その改善手法が全てに適用し得るわけではなく、カイラ
ルスメクチック液晶の配向性の改善が強く求められてい
る。また、自発分極をスイッチングのトルクとして用い
ているため、反電場が形成されることによるスイッチン
グ異常、電圧保持性の低下、焼き付きといった問題が有
り、性能、信頼性の両面から極力小さい自発分極の材料
が求められている。特に、反強誘電性液晶材料において
は、材料種の制約から、自発分極を小さくできないとい
う問題があった。
【０００９】本発明の目的は、上記問題点に鑑みてなさ
れたものであり、優れた均一配向性と小さな自発分極を
有する反強誘電性のカイラルスメクチック液晶組成物を
実現し、該液晶組成物を用いて大面積、高精細、高性能
の液晶素子、及び該液晶素子を用いた表示装置を提供す
ることにある。
れたものであり、優れた均一配向性と小さな自発分極を
有する反強誘電性のカイラルスメクチック液晶組成物を
実現し、該液晶組成物を用いて大面積、高精細、高性能
の液晶素子、及び該液晶素子を用いた表示装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、少なく
とも１種の架橋環化合物を含有することを特徴とする反
強誘電性液晶組成物である。また、本発明の第二は、上
記本発明の反強誘電性液晶組成物を一対の電極を有する
一対の基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子
であり、第三は、本発明の液晶素子と該素子の駆動回路
と備えたことを特徴とする表示装置である。
とも１種の架橋環化合物を含有することを特徴とする反
強誘電性液晶組成物である。また、本発明の第二は、上
記本発明の反強誘電性液晶組成物を一対の電極を有する
一対の基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子
であり、第三は、本発明の液晶素子と該素子の駆動回路
と備えたことを特徴とする表示装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の反強誘電性液晶組成物
は、架橋環化合物を少なくとも１種含んでいる。本発明
において、上記架橋環化合物としては、液晶相の温度
幅、混和性、粘性、配向性の観点から、ビシクロ環また
はトリシクロ環構造を有する化合物が好ましい。
は、架橋環化合物を少なくとも１種含んでいる。本発明
において、上記架橋環化合物としては、液晶相の温度
幅、混和性、粘性、配向性の観点から、ビシクロ環また
はトリシクロ環構造を有する化合物が好ましい。
【００１２】同様の観点から、上記架橋環化合物として
は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物が好ましい。
は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物が好ましい。
【００１３】 Ｒ1 −Ａ1 −Ｂ1 −Ａ2 −Ｂ2 −Ａ3 −Ｂ3 −Ａ4 −Ｒ2 （Ｉ） 尚、上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ単独に炭素原子数
が１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または
−Ｈを表わし、該アルキル基中の１以上の−ＣＨ2 −
は、ヘテロ原子が隣接しない条件で、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられ
ていても良い。
が１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または
−Ｈを表わし、該アルキル基中の１以上の−ＣＨ2 −
は、ヘテロ原子が隣接しない条件で、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられ
ていても良い。
【００１４】Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 はそれぞれ単独に単結合
または無置換或いは２個以下の置換基（−Ｆ、−Ｃｌ、
−Ｂｒ、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 ）を有する、１，４−フェ
ニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，
５−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン−
３，６−ジイル、１，４−シクロヘキシレン、１，３，
２−ジオキサボリナン−２，５−ジイル、１，３−ジオ
キサン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−
ジイル、ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル、ベンゾ
オキサゾール−２，６−ジイル、ベンゾチアゾール−
２，５−ジイル、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル、
ベンゾフラン−２，５−ジイル、ベンゾフラン−２，６
−ジイル、キノキサリン−２，６−ジイル、キノリン−
２，６−ジイル、２，６−ナフチレン、インダン−２，
５−ジイル、２−アルキルインダン−２，５−ジイル
（アルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐
状のアルキル基である。）、インダノン−２，６−ジイ
ル，２−アルキルインダノン−２，６−ジイル（アルキ
ル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアル
キル基である。）、クマラン−２，５−ジイル、２−ア
ルキルクマラン−２，５−ジイル（アルキル基は炭素原
子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基であ
る。）、５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン−
２，６−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９，１
０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル、チオフ
ェン−２，５−ジイル、チアゾール−２，５−ジイル、
チアジアゾール−２，５−ジイルのいずれかを表わす。
または無置換或いは２個以下の置換基（−Ｆ、−Ｃｌ、
−Ｂｒ、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 ）を有する、１，４−フェ
ニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，
５−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン−
３，６−ジイル、１，４−シクロヘキシレン、１，３，
２−ジオキサボリナン−２，５−ジイル、１，３−ジオ
キサン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−
ジイル、ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル、ベンゾ
オキサゾール−２，６−ジイル、ベンゾチアゾール−
２，５−ジイル、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル、
ベンゾフラン−２，５−ジイル、ベンゾフラン−２，６
−ジイル、キノキサリン−２，６−ジイル、キノリン−
２，６−ジイル、２，６−ナフチレン、インダン−２，
５−ジイル、２−アルキルインダン−２，５−ジイル
（アルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐
状のアルキル基である。）、インダノン−２，６−ジイ
ル，２−アルキルインダノン−２，６−ジイル（アルキ
ル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアル
キル基である。）、クマラン−２，５−ジイル、２−ア
ルキルクマラン−２，５−ジイル（アルキル基は炭素原
子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基であ
る。）、５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン−
２，６−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９，１
０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル、チオフ
ェン−２，５−ジイル、チアゾール−２，５−ジイル、
チアジアゾール−２，５−ジイルのいずれかを表わす。
【００１５】Ａ4 はノルボルナン−２，５−ジイル、ビ
シクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル、アダ
マンタン−１，４−ジイルのいずれかを表わす。
シクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル、アダ
マンタン−１，４−ジイルのいずれかを表わす。
【００１６】Ｂ1 、Ｂ2 、Ｂ3 はそれぞれ単独に、単結
合、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2
−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−の
いずれかを表わす。
合、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2
−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−の
いずれかを表わす。
【００１７】また、本発明においては、自発分極を小さ
くするために、上記架橋環化合物が不斉炭素原子を含ま
ないことが好ましい。
くするために、上記架橋環化合物が不斉炭素原子を含ま
ないことが好ましい。
【００１８】本発明に好ましく用いられる架橋環化合物
の具体例を下記表１、２に示す。尚、以後、本発明にお
いて用いられる略記は以下の基を示す。
の具体例を下記表１、２に示す。尚、以後、本発明にお
いて用いられる略記は以下の基を示す。
【００１９】
【化１】
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】本発明の液晶組成物は、より安定な反強誘
電性相を得るため、その高温領域にカイラルスメクチッ
クＣ相を有していないことが好ましい。また、本発明の
液晶組成物は、前記した液晶素子の信頼性を向上する上
で、自発分極の値が５０ｎＣ／ｃｍ2 以下であることが
好ましい。
電性相を得るため、その高温領域にカイラルスメクチッ
クＣ相を有していないことが好ましい。また、本発明の
液晶組成物は、前記した液晶素子の信頼性を向上する上
で、自発分極の値が５０ｎＣ／ｃｍ2 以下であることが
好ましい。
【００２３】本発明の液晶組成物においては、上記架橋
環化合物を１〜４０重量％含有していることが本発明の
効果を得る上で好ましい。
環化合物を１〜４０重量％含有していることが本発明の
効果を得る上で好ましい。
【００２４】次に、本発明の液晶素子について説明す
る。図１は、本発明の液晶素子の一実施形態の構成を模
式的に示す部分断面図であり、図２はその電極構成を模
式的に示す平面図である。本実施形態の液晶素子は図２
に示されるように、上下各基板にストライプ状の電極群
を形成し、これらの電極群を互いに直交するように基板
を対向させ、その間隙に本発明の液晶組成物を挟持して
なる単純マトリクス方式の液晶素子である。
る。図１は、本発明の液晶素子の一実施形態の構成を模
式的に示す部分断面図であり、図２はその電極構成を模
式的に示す平面図である。本実施形態の液晶素子は図２
に示されるように、上下各基板にストライプ状の電極群
を形成し、これらの電極群を互いに直交するように基板
を対向させ、その間隙に本発明の液晶組成物を挟持して
なる単純マトリクス方式の液晶素子である。
【００２５】図１において、１は本発明の液晶組成物で
あり、通常、強誘電相の安定性を得るため、層厚は５μ
ｍ以下としてらせん構造を解除することが好ましい。２
ａ，２ｂは基板であり、ガラス、プラスチック等が用い
られる。３ａ，３ｂはストライプ状電極であり、通常Ｉ
ＴＯ等の透明導電材によって形成される。反射型の液晶
素子を構成する場合には、基板２ａ，２ｂのいずれか一
方或いは電極のいずれか一方を光を反射可能な素材で形
成する場合もある。さらに、４ａ，４ｂは配向膜であ
り、少なくともいずれか一方は一軸配向制御膜とする。
一軸配向制御膜の形成方法としては、例えば基板上に溶
液塗工または蒸着、或いはスパッタリング等により、一
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリ
ウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物
などの無機物や、ポリビニルアルコール、ポリイミド、
ポリイミドアミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポリス
チレン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂などの有機物を用いて被
膜形成した後、表面をビロード、布或いは紙等の繊維状
のもので摺擦（ラビング）することにより得られる。ま
た、ＳｉＯ等の酸化物或いは窒化物などを基板の斜方か
ら蒸着する、斜方蒸着法なども用いられ得る。
あり、通常、強誘電相の安定性を得るため、層厚は５μ
ｍ以下としてらせん構造を解除することが好ましい。２
ａ，２ｂは基板であり、ガラス、プラスチック等が用い
られる。３ａ，３ｂはストライプ状電極であり、通常Ｉ
ＴＯ等の透明導電材によって形成される。反射型の液晶
素子を構成する場合には、基板２ａ，２ｂのいずれか一
方或いは電極のいずれか一方を光を反射可能な素材で形
成する場合もある。さらに、４ａ，４ｂは配向膜であ
り、少なくともいずれか一方は一軸配向制御膜とする。
一軸配向制御膜の形成方法としては、例えば基板上に溶
液塗工または蒸着、或いはスパッタリング等により、一
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリ
ウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物
などの無機物や、ポリビニルアルコール、ポリイミド、
ポリイミドアミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポリス
チレン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂などの有機物を用いて被
膜形成した後、表面をビロード、布或いは紙等の繊維状
のもので摺擦（ラビング）することにより得られる。ま
た、ＳｉＯ等の酸化物或いは窒化物などを基板の斜方か
ら蒸着する、斜方蒸着法なども用いられ得る。
【００２６】特に、より良好な一軸配向性を得るために
ポリイミドラビング膜を一軸配向制御膜として用いるこ
とが好ましい。また、通常ポリイミドはポリアミック酸
の形で塗布し、焼成することで得られる。ポリアミック
酸は溶剤に易溶解性であるため生産性に優れる。最近で
は溶剤に可溶なポリイミドも生産されており、そういっ
た技術の進歩の上からもポリイミドはより良好な一軸配
向性が得られ、高い生産性を有する点で好ましく用いら
れる。
ポリイミドラビング膜を一軸配向制御膜として用いるこ
とが好ましい。また、通常ポリイミドはポリアミック酸
の形で塗布し、焼成することで得られる。ポリアミック
酸は溶剤に易溶解性であるため生産性に優れる。最近で
は溶剤に可溶なポリイミドも生産されており、そういっ
た技術の進歩の上からもポリイミドはより良好な一軸配
向性が得られ、高い生産性を有する点で好ましく用いら
れる。
【００２７】また、本実施形態の液晶素子は、例えば図
３に示される駆動波形を印加して所望のパターン表示を
得る。即ち、図２に示されるように、ストライプ状電極
３ａ，３ｂの一方を走査電極群１１、他方を情報電極群
１２とし、走査電極群１１には順次図３（ａ）に示され
る走査信号を、情報電極群１２には、該走査信号に同期
して図３（ｂ）、（ｃ）に示される情報信号を印加す
る。
３に示される駆動波形を印加して所望のパターン表示を
得る。即ち、図２に示されるように、ストライプ状電極
３ａ，３ｂの一方を走査電極群１１、他方を情報電極群
１２とし、走査電極群１１には順次図３（ａ）に示され
る走査信号を、情報電極群１２には、該走査信号に同期
して図３（ｂ）、（ｃ）に示される情報信号を印加す
る。
【００２８】図３において、（ｂ）はオン信号、（ｃ）
はオフ信号である。当該駆動波形においては、選択期間
に走査電極には±Ｖw のパルスが印加され、これに同期
して情報信号にはそれぞれオン信号或いはオフ信号が印
加される。その後、Ｖholdによって、上記オン信号或い
はオフ信号によって決定した表示を維持する。引き続き
次のフレームで書き換える前に、一旦液晶に印加された
電圧が０にリセットされる。
はオフ信号である。当該駆動波形においては、選択期間
に走査電極には±Ｖw のパルスが印加され、これに同期
して情報信号にはそれぞれオン信号或いはオフ信号が印
加される。その後、Ｖholdによって、上記オン信号或い
はオフ信号によって決定した表示を維持する。引き続き
次のフレームで書き換える前に、一旦液晶に印加された
電圧が０にリセットされる。
【００２９】次に、本発明の液晶素子の第２の実施形態
としてアクティブマトリクス方式の液晶素子を例示す
る。図４は当該液晶素子を用いた液晶パネルの構成を模
式的に示す断面図であり、図５は平面図である。本実施
形態において、４１は本発明の液晶組成物である。また
４２ａ，４２ｂは基板であり、通常ガラスやプラスチッ
ク、また反射型の場合にはシリコン基板などが用いられ
る。下側の基板４２ｂには、ＩＴＯ等からなる画素電極
４３ｂとスイッチング素子４５が二次元状にマトリクス
配置した画素毎に形成されている。スイッチング素子４
５としては、例えばＴＦＴが用いられる。図５ではＴＦ
Ｔを示している。
としてアクティブマトリクス方式の液晶素子を例示す
る。図４は当該液晶素子を用いた液晶パネルの構成を模
式的に示す断面図であり、図５は平面図である。本実施
形態において、４１は本発明の液晶組成物である。また
４２ａ，４２ｂは基板であり、通常ガラスやプラスチッ
ク、また反射型の場合にはシリコン基板などが用いられ
る。下側の基板４２ｂには、ＩＴＯ等からなる画素電極
４３ｂとスイッチング素子４５が二次元状にマトリクス
配置した画素毎に形成されている。スイッチング素子４
５としては、例えばＴＦＴが用いられる。図５ではＴＦ
Ｔを示している。
【００３０】ＴＦＴは例えば、基板４２ｂ上に形成され
たゲート電極とこれを覆うゲート絶縁膜とその上に形成
された半導体層と、さらに該半導体層の上に形成された
ソース電極及びドレイン電極から構成される。さらに基
板４２ｂには、画素の行間に走査信号線５３が、列間に
情報信号線５４が配線され、ＴＦＴ４５のゲート電極は
対応する走査信号線５３に、ソース電極は対応する情報
信号線５４にそれぞれ接続されている。走査信号線５３
は端部において走査信号印加回路５１に接続され、該回
路より走査信号が走査信号線５３に印加される。また、
情報信号線５４は端部において情報信号印加回路５２に
接続され、該回路より表示データに対応する情報信号が
情報信号線に印加される。走査信号線５３は走査信号印
加回路５１との接続部を除いて上記ゲート絶縁膜で覆わ
れており、情報信号線５４は、上記ゲート絶縁膜の上に
形成されている。また、画素電極４３ｂは上記ゲート絶
縁膜の上に形成され、ＴＦＴ４５のドレイン電極に接続
されている。
たゲート電極とこれを覆うゲート絶縁膜とその上に形成
された半導体層と、さらに該半導体層の上に形成された
ソース電極及びドレイン電極から構成される。さらに基
板４２ｂには、画素の行間に走査信号線５３が、列間に
情報信号線５４が配線され、ＴＦＴ４５のゲート電極は
対応する走査信号線５３に、ソース電極は対応する情報
信号線５４にそれぞれ接続されている。走査信号線５３
は端部において走査信号印加回路５１に接続され、該回
路より走査信号が走査信号線５３に印加される。また、
情報信号線５４は端部において情報信号印加回路５２に
接続され、該回路より表示データに対応する情報信号が
情報信号線に印加される。走査信号線５３は走査信号印
加回路５１との接続部を除いて上記ゲート絶縁膜で覆わ
れており、情報信号線５４は、上記ゲート絶縁膜の上に
形成されている。また、画素電極４３ｂは上記ゲート絶
縁膜の上に形成され、ＴＦＴ４５のドレイン電極に接続
されている。
【００３１】また、図４の基板４２ａには、画素電極４
３ｂと対向する電極として、表示領域全体にわたる面積
の１枚の共通電極４３ａが形成され、基準電圧が印加さ
れる。尚、スイッチング素子としては、上記したＴＦＴ
以外にも、ＭＩＭ等非線形二端子素子を用いることがで
きる。また、配向膜等や素材については先の実施形態と
同様である。
３ｂと対向する電極として、表示領域全体にわたる面積
の１枚の共通電極４３ａが形成され、基準電圧が印加さ
れる。尚、スイッチング素子としては、上記したＴＦＴ
以外にも、ＭＩＭ等非線形二端子素子を用いることがで
きる。また、配向膜等や素材については先の実施形態と
同様である。
【００３２】上記本発明の液晶素子は、いずれも透過型
の場合には、通常一対の偏光板に挟持して用いる。
の場合には、通常一対の偏光板に挟持して用いる。
【００３３】本発明の液晶素子は、本発明の反強誘電性
液晶組成物を用いることが必須条件であり、それ以外の
部材については、製法、素材、形状等、従来の液晶素子
の技術をそのまま用いることができる。
液晶組成物を用いることが必須条件であり、それ以外の
部材については、製法、素材、形状等、従来の液晶素子
の技術をそのまま用いることができる。
【００３４】本発明の液晶組成物では、その材料構成を
調整して、これを用いた素子でその電圧−透過率特性が
メモリ性のないＶ字形状をとるようにしてもよい。この
ような素子を上述したアクティブマトリクス方式の素子
とし、高速での中間調表示を実現することもできる。
調整して、これを用いた素子でその電圧−透過率特性が
メモリ性のないＶ字形状をとるようにしてもよい。この
ような素子を上述したアクティブマトリクス方式の素子
とし、高速での中間調表示を実現することもできる。
【００３５】本発明の液晶素子は、種々の機能を持った
液晶装置を構成するが、その一例が、該素子を表示パネ
ル部に用い、駆動回路を設けて表示装置とする本発明の
表示装置であり、例えば、図６、図７に示した走査信号
線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータフォーマ
ット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとることによ
り、表示装置を実現するものである。図中の符号はそれ
ぞれ以下の通りである。
液晶装置を構成するが、その一例が、該素子を表示パネ
ル部に用い、駆動回路を設けて表示装置とする本発明の
表示装置であり、例えば、図６、図７に示した走査信号
線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータフォーマ
ット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとることによ
り、表示装置を実現するものである。図中の符号はそれ
ぞれ以下の通りである。
【００３６】１０１ 液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査信号線駆動回路 １０５ 情報信号線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ
【００３７】上記表示装置において、画像情報の発生は
本体装置のグラフィックコントローラ１０２によって行
なわれ、図６、図７に示した信号伝達手段に従って表示
パネル１０３へと転送される。グラフィックコントロー
ラ１０２はＧＣＰＵ（中央演算装置）１１２及びＶＲＡ
Ｍ（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ
１１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信
を司っている。尚、該表示パネルの裏面には光源が配置
されている。
本体装置のグラフィックコントローラ１０２によって行
なわれ、図６、図７に示した信号伝達手段に従って表示
パネル１０３へと転送される。グラフィックコントロー
ラ１０２はＧＣＰＵ（中央演算装置）１１２及びＶＲＡ
Ｍ（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ
１１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信
を司っている。尚、該表示パネルの裏面には光源が配置
されている。
【００３８】本発明の表示装置においては、良好なスイ
ッチング特性を示す本発明の液晶組成物を用いた液晶素
子を用いて構成しているため、優れた駆動特性、信頼性
を発揮し、高精細、高速、大面積の表示画像を得ること
ができる。
ッチング特性を示す本発明の液晶組成物を用いた液晶素
子を用いて構成しているため、優れた駆動特性、信頼性
を発揮し、高精細、高速、大面積の表示画像を得ること
ができる。
【００３９】
【実施例】［実施例１］標準的な反強誘電性のカイラル
スメクチック液晶組成物であるチッソ石油化学社製「Ｃ
Ｓ−４０００」と先に示した例示化合物Ｎｏ．１とを、
９０重量％：１０重量％の重量比で混合し、液晶組成物
Ａを得た。得られた液晶組成物Ａの相転移温度を下記に
示す。
スメクチック液晶組成物であるチッソ石油化学社製「Ｃ
Ｓ−４０００」と先に示した例示化合物Ｎｏ．１とを、
９０重量％：１０重量％の重量比で混合し、液晶組成物
Ａを得た。得られた液晶組成物Ａの相転移温度を下記に
示す。
【００４０】
【化２】 （Ｃｒｙ：結晶相、ＳｍＣＡ* ：反強誘電性相、ＳｍＣ
* ：強誘電性相、ＳｍＡ：スメクチックＡ相、Ｉｓｏ：
等方相）
* ：強誘電性相、ＳｍＡ：スメクチックＡ相、Ｉｓｏ：
等方相）
【００４１】０．７ｍｍ厚の２枚のガラス板を基板とし
て用意し、それぞれのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、
さらにその上にＳｉＯ2 を蒸着させ、絶縁層とした。か
かるガラス板上にシランカップリング材（信越化学社製
「ＫＢＭ−６０２」）の０．２重量％イソプロピルアル
コール溶液を２０００ｒｐｍで１５秒間、スピンナー塗
布し、表面処理を施した。この後、１２０℃で２０分間
加熱乾燥処理を施した。さらに、表面処理を行なったＩ
ＴＯ膜付きのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体（東レ
社製「ＳＰ−７１０」）の１．５重量％ジメチルアセト
アミド溶液を２０００ｒｐｍで１５秒間スピンナー塗布
し、成膜後６０分間、３００℃の条件で加熱焼成処理を
施した。この時の塗膜の膜厚は２５０Åであった。
て用意し、それぞれのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、
さらにその上にＳｉＯ2 を蒸着させ、絶縁層とした。か
かるガラス板上にシランカップリング材（信越化学社製
「ＫＢＭ−６０２」）の０．２重量％イソプロピルアル
コール溶液を２０００ｒｐｍで１５秒間、スピンナー塗
布し、表面処理を施した。この後、１２０℃で２０分間
加熱乾燥処理を施した。さらに、表面処理を行なったＩ
ＴＯ膜付きのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体（東レ
社製「ＳＰ−７１０」）の１．５重量％ジメチルアセト
アミド溶液を２０００ｒｐｍで１５秒間スピンナー塗布
し、成膜後６０分間、３００℃の条件で加熱焼成処理を
施した。この時の塗膜の膜厚は２５０Åであった。
【００４２】上記焼成後の被膜に、アセテート植毛布に
よるラビング処理を施し、その後、イソプロピルアルコ
ール液で洗浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを
一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処
理軸が互いに平行になるようにして接着シール剤（三井
東圧社製「ストラクトボンド」）を用いて貼りあわせ、
６０分間、１７０℃にて加熱乾燥してセルを作製した。
このセルに、上記液晶組成物Ａを等方性液体状態で注入
し、等方相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷することに
より、液晶素子を作製した。このセルのセル厚（液晶層
厚）をベレック位相板によって測定したところ、約１．
５μｍであった。この素子を用いた３０℃での自発分極
の大きさと、図３の波形でピーク・ツー・ピーク電圧Ｖ
pp＝２０Ｖ／μｍ（セル厚に対して）の電圧印加により
直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変化０〜９０
％）を検知して応答速度を測定し、スイッチング状態を
観察したところ、液晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲
における筋状欠陥は２個であった。また、自発分極Ｐｓ
＝５６．１ｎＣ／ｃｍ2 、応答速度τ＝２５．０μｓで
あった。
よるラビング処理を施し、その後、イソプロピルアルコ
ール液で洗浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを
一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処
理軸が互いに平行になるようにして接着シール剤（三井
東圧社製「ストラクトボンド」）を用いて貼りあわせ、
６０分間、１７０℃にて加熱乾燥してセルを作製した。
このセルに、上記液晶組成物Ａを等方性液体状態で注入
し、等方相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷することに
より、液晶素子を作製した。このセルのセル厚（液晶層
厚）をベレック位相板によって測定したところ、約１．
５μｍであった。この素子を用いた３０℃での自発分極
の大きさと、図３の波形でピーク・ツー・ピーク電圧Ｖ
pp＝２０Ｖ／μｍ（セル厚に対して）の電圧印加により
直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変化０〜９０
％）を検知して応答速度を測定し、スイッチング状態を
観察したところ、液晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲
における筋状欠陥は２個であった。また、自発分極Ｐｓ
＝５６．１ｎＣ／ｃｍ2 、応答速度τ＝２５．０μｓで
あった。
【００４３】尚、上記自発分極ＰｓはＫ．ミヤサト他
「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直接測定方
法」（日本応用物理学会誌、２２、１０号（６６１）１
９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔｈ Ｔ
ｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒ
ｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒｉｚａｔ
ｉｏｎ ｉｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ
ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ．（Ｊａｐ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ６６１
（１９８３）））によって測定した。
「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直接測定方
法」（日本応用物理学会誌、２２、１０号（６６１）１
９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔｈ Ｔ
ｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒ
ｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒｉｚａｔ
ｉｏｎ ｉｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ
ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ．（Ｊａｐ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ６６１
（１９８３）））によって測定した。
【００４４】［比較例１］ＣＳ−４０００のみをセル内
に注入する以外は、実施例１と同様の方法で液晶素子を
作製し、実施例１と同様の方法により自発分極及び応答
速度を測定し、スイッチング状態を観察したところ、液
晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲における筋状欠陥は
２３個であった。また、自発分極Ｐｓ＝８９．７ｎＣ／
ｃｍ2 、応答速度τ＝２４．８μｓであった。
に注入する以外は、実施例１と同様の方法で液晶素子を
作製し、実施例１と同様の方法により自発分極及び応答
速度を測定し、スイッチング状態を観察したところ、液
晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲における筋状欠陥は
２３個であった。また、自発分極Ｐｓ＝８９．７ｎＣ／
ｃｍ2 、応答速度τ＝２４．８μｓであった。
【００４５】［実施例２］ＣＳ−４０００と例示化合物
Ｎｏ．１を８０重量％：２０重量％の重量比で混合して
液晶組成物Ｂを得た。得られた液晶組成物Ｂの相転移温
度を以下に示す。
Ｎｏ．１を８０重量％：２０重量％の重量比で混合して
液晶組成物Ｂを得た。得られた液晶組成物Ｂの相転移温
度を以下に示す。
【００４６】
【化３】 （ＳｍＣＡＸ* ：高次の反強誘電性相）
【００４７】上記液晶組成物Ｂをセル内に注入する以外
は実施例１と同様の方法で液晶素子を作製し、実施例１
と同様の方法により自発分極及び応答速度を測定した。
液晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲における筋状欠陥
は１個、自発分極Ｐｓ＝３６．１ｎＣ／ｃｍ2 、応答速
度τ＝３１．０μｓであった。
は実施例１と同様の方法で液晶素子を作製し、実施例１
と同様の方法により自発分極及び応答速度を測定した。
液晶素子内の０．３ｍｍ2 の視野範囲における筋状欠陥
は１個、自発分極Ｐｓ＝３６．１ｎＣ／ｃｍ2 、応答速
度τ＝３１．０μｓであった。
【００４８】［実施例３〜１０］ＣＳ−４０００と先に
示した例示化合物とを表３に示す重量比で混合し、液晶
組成物Ｃ〜Ｊを得た。
示した例示化合物とを表３に示す重量比で混合し、液晶
組成物Ｃ〜Ｊを得た。
【００４９】
【表３】
【００５０】上記液晶組成物Ｃ〜Ｊはいずれも室温領域
において安定な反強誘電性相を示した。これらの組成物
をそれぞれセル内に注入する以外は実施例１と同様の方
法で液晶素子を作製し、実施例１と同様の方法により自
発分極、応答速度を測定し、０．３ｍｍ2 の視野範囲に
おける筋状欠陥の個数を調べた。結果を表４に示す。
において安定な反強誘電性相を示した。これらの組成物
をそれぞれセル内に注入する以外は実施例１と同様の方
法で液晶素子を作製し、実施例１と同様の方法により自
発分極、応答速度を測定し、０．３ｍｍ2 の視野範囲に
おける筋状欠陥の個数を調べた。結果を表４に示す。
【００５１】
【表４】
【００５２】実施例１〜１０より明らかなように、本発
明の液晶組成物を用いた液晶素子は、配向性が改善さ
れ、且つ自発分極が小さいにもかかわらず大幅な応答速
度の低下を引き起こしていない。
明の液晶組成物を用いた液晶素子は、配向性が改善さ
れ、且つ自発分極が小さいにもかかわらず大幅な応答速
度の低下を引き起こしていない。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反強誘電
性液晶組成物を用いて構成した液晶素子においては、均
一な配向性と速い応答速度が得られ、大画面、高精細な
画像表示に対応し得る上、本発明の反強誘電性液晶組成
物は自発分極が小さいため、スイッチング異常、電圧保
持性の低下、焼き付きといった問題が低減されるため、
信頼性の高い液晶素子及び該素子を用いた表示装置が提
供される。
性液晶組成物を用いて構成した液晶素子においては、均
一な配向性と速い応答速度が得られ、大画面、高精細な
画像表示に対応し得る上、本発明の反強誘電性液晶組成
物は自発分極が小さいため、スイッチング異常、電圧保
持性の低下、焼き付きといった問題が低減されるため、
信頼性の高い液晶素子及び該素子を用いた表示装置が提
供される。
【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の構成を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】図１の液晶素子の電極構成を模式的に示す平面
図である。
図である。
【図３】図１の液晶素子を駆動するための駆動波形の一
例である。
例である。
【図４】本発明の液晶素子の他の実施形態の構成を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図５】図４の液晶素子を用いた液晶パネルの構成を模
式的に示す平面図である。
式的に示す平面図である。
【図６】本発明の液晶素子を備えた液晶表示装置とグラ
フィックコントローラを示すブロック図である。
フィックコントローラを示すブロック図である。
【図７】液晶表示装置とグラフィックコントローラとの
間の画像情報通信タイミングチャートを示す図である。
間の画像情報通信タイミングチャートを示す図である。
１ 液晶組成物 ２ａ，２ｂ 基板 ３ａ，３ｂ ストライプ状電極 ４ａ，４ｂ 配向膜 １１ 液晶パネル １２ 走査電極群 １３ 情報電極群 ４１ 液晶組成物 ４２ａ，４２ｂ 基板 ４３ａ 共通電極 ４３ｂ 画素電極 ４４ａ，４４ｂ 配向膜 ４５ スイッチング素子（ＴＦＴ） ５１ 走査信号印加回路 ５２ 情報信号印加回路 ５３ 走査信号線 ５４ 情報信号線 １０１ 液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査信号線駆動回路 １０５ 情報信号線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ
フロントページの続き (72)発明者 中村 真一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 佐藤 公一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 康志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4H027 BA07 BB10 BC04 BD04 BD08 BD12 BD24 BE03 DM01 DM02 DM03 DM05
Claims (13)
- 【請求項１】 少なくとも１種の架橋環化合物を含有す
ることを特徴とする反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項２】 上記架橋環化合物がビシクロ環またはト
リシクロ環構造を有する請求項１記載の反強誘電性液晶
組成物。 - 【請求項３】 上記架橋環化合物が下記一般式（Ｉ）で
示される化合物である請求項１記載の反強誘電性液晶組
成物。 Ｒ1 −Ａ1 −Ｂ1 −Ａ2 −Ｂ2 −Ａ3 −Ｂ3 −Ａ4 −Ｒ2 （Ｉ） 〔尚、式中、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ単独に炭素原子数が
１〜２０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または−
Ｈを表わし、該アルキル基中の１以上の−ＣＨ2−は、
ヘテロ原子が隣接しない条件で、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられてい
ても良い。Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 はそれぞれ単独に単結合ま
たは無置換或いは２個以下の置換基（−Ｆ、−Ｃｌ、−
Ｂｒ、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 ）を有する、１，４−フェニ
レン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５
−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン−
３，６−ジイル、１，４−シクロヘキシレン、１，３，
２−ジオキサボリナン−２，５−ジイル、１，３−ジオ
キサン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−
ジイル、ベンゾオキサゾール−２，５−ジイル、ベンゾ
オキサゾール−２，６−ジイル、ベンゾチアゾール−
２，５−ジイル、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル、
ベンゾフラン−２，５−ジイル、ベンゾフラン−２，６
−ジイル、キノキサリン−２，６−ジイル、キノリン−
２，６−ジイル、２，６−ナフチレン、インダン−２，
５−ジイル、２−アルキルインダン−２，５−ジイル
（アルキル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐
状のアルキル基である。）、インダノン−２，６−ジイ
ル，２−アルキルインダノン−２，６−ジイル（アルキ
ル基は炭素原子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアル
キル基である。）、クマラン−２，５−ジイル、２−ア
ルキルクマラン−２，５−ジイル（アルキル基は炭素原
子数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基であ
る。）、５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン−
２，６−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９，１
０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル、チオフ
ェン−２，５−ジイル、チアゾール−２，５−ジイル、
チアジアゾール−２，５−ジイルのいずれかを表わす。
Ａ4 はノルボルナン−２，５−ジイル、ビシクロ［２．
２．２］オクタン−１，４−ジイル、アダマンタン−
１，４−ジイルのいずれかを表わす。Ｂ1 、Ｂ2 、Ｂ3
はそれぞれ単独に、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ、−
ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−のいずれかを表わす。〕 - 【請求項４】 上記架橋環化合物が不斉炭素原子を含ま
ない請求項１〜３のいずれかに記載の反強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項５】 カイラルスメクチックＣ相を有さない請
求項１〜４のいずれかに記載の反強誘電性液晶組成物。 - 【請求項６】 自発分極の値が５０ｎＣ／ｃｍ2 以下で
ある請求項１〜５のいずれかに記載の反強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の反強誘
電性液晶組成物を一対の電極を有する一対の基板間に挟
持してなることを特徴とする液晶素子。 - 【請求項８】 上記反強誘電性液晶組成物と接する基板
表面に配向膜が設けられている請求項７記載の液晶素
子。 - 【請求項９】 上記配向膜がラビング処理を施されてい
る請求項８記載の液晶素子。 - 【請求項１０】 上記反強誘電性液晶組成物のらせん構
造が解除されている請求項９記載の液晶素子。 - 【請求項１１】 二次元状に配置した画素毎に画素電極
とスイッチング素子を有するアクティブマトリクス方式
の液晶素子である請求項７〜１０のいずれかに記載の液
晶素子。 - 【請求項１２】 上記スイッチング素子が、薄膜トラン
ジスタ或いは非線形二端子素子である請求項１１記載の
液晶素子。 - 【請求項１３】 請求項７〜１２のいずれかに記載の液
晶素子と該素子の駆動回路を少なくとも備えたことを特
徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185817A JP2000017261A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 反強誘電性液晶組成物及びこれを用いた液晶素子、表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185817A JP2000017261A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 反強誘電性液晶組成物及びこれを用いた液晶素子、表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000017261A true JP2000017261A (ja) | 2000-01-18 |
Family
ID=16177409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185817A Withdrawn JP2000017261A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 反強誘電性液晶組成物及びこれを用いた液晶素子、表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000017261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020751A (ja) * | 2000-05-02 | 2002-01-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電気光学素子 |
| US9246108B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-01-26 | Dow Global Technologies Llc | Quinoline-benzoxazole derived compounds for electronic films and devices |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP10185817A patent/JP2000017261A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020751A (ja) * | 2000-05-02 | 2002-01-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電気光学素子 |
| US9246108B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-01-26 | Dow Global Technologies Llc | Quinoline-benzoxazole derived compounds for electronic films and devices |
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