JP2000012548A - 板体加熱装置 - Google Patents
板体加熱装置Info
- Publication number
- JP2000012548A JP2000012548A JP16966598A JP16966598A JP2000012548A JP 2000012548 A JP2000012548 A JP 2000012548A JP 16966598 A JP16966598 A JP 16966598A JP 16966598 A JP16966598 A JP 16966598A JP 2000012548 A JP2000012548 A JP 2000012548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- wire
- heating wire
- heat
- support member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱線の熱膨張による曲がり等が起こりにく
く、また発熱線から真空ステージ等に伝達する熱量を小
さくする。 【解決手段】 板体加熱装置は、内部に空間が形成さ
れ、加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の
加熱物支持部材１と、この加熱物支持部材１の前記加熱
部２の背後の空間部に設けられ、加熱物支持部材１を加
熱する発熱線９と、この発熱線９を配置すべき位置に並
べられると共に、同発熱線９が通され、発熱線９の半径
より充分大きな曲率半径を有する円弧状となった下部内
周部分で前記発熱線９を支持する複数のループ状の発熱
線支持体１２とを有する。発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線状の部材からなり、例えばＵ線状の部材
からなる。
く、また発熱線から真空ステージ等に伝達する熱量を小
さくする。 【解決手段】 板体加熱装置は、内部に空間が形成さ
れ、加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の
加熱物支持部材１と、この加熱物支持部材１の前記加熱
部２の背後の空間部に設けられ、加熱物支持部材１を加
熱する発熱線９と、この発熱線９を配置すべき位置に並
べられると共に、同発熱線９が通され、発熱線９の半径
より充分大きな曲率半径を有する円弧状となった下部内
周部分で前記発熱線９を支持する複数のループ状の発熱
線支持体１２とを有する。発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線状の部材からなり、例えばＵ線状の部材
からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に大面積の半導体ウエハ等の加熱物を高温に加熱
するのに適した板体加熱装置に関する。
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に大面積の半導体ウエハ等の加熱物を高温に加熱
するのに適した板体加熱装置に関する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】現在、半導体メーカは２００
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。
【０００３】従来から使用されている板体加熱手段とし
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱とランプ加熱の改良型で装置開発が進めら
れている。
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱とランプ加熱の改良型で装置開発が進めら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】半導体ウエハ等の
板状の加熱物を１０００℃前後の高温に加熱する場合、
発熱体の支持手段が問題となる。例えば、電気抵抗加熱
に使用されるヒータである加熱線を発熱するときは、加
熱線が熱膨張し、曲がってしまうことがある。電子衝撃
により加熱する場合のフィラメントについても、自らの
発熱と加熱物からの輻射熱で高温となり、同様の問題が
ある。さらに、発熱線で発生した熱がステージ等に伝達
され、真空チャンバが高温に加熱されてしまうと共に、
熱損失が大きくなるという問題もある。
板状の加熱物を１０００℃前後の高温に加熱する場合、
発熱体の支持手段が問題となる。例えば、電気抵抗加熱
に使用されるヒータである加熱線を発熱するときは、加
熱線が熱膨張し、曲がってしまうことがある。電子衝撃
により加熱する場合のフィラメントについても、自らの
発熱と加熱物からの輻射熱で高温となり、同様の問題が
ある。さらに、発熱線で発生した熱がステージ等に伝達
され、真空チャンバが高温に加熱されてしまうと共に、
熱損失が大きくなるという問題もある。
【０００５】本発明は、前記従来の板体加熱装置の課題
に鑑み、発熱線の熱膨張による曲がり等が起こりにく
く、また発熱線から真空ステージ等に伝達する熱量を小
さくすることができる板体加熱装置を提供することを目
的とする。
に鑑み、発熱線の熱膨張による曲がり等が起こりにく
く、また発熱線から真空ステージ等に伝達する熱量を小
さくすることができる板体加熱装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、ループ状の発熱線９を使用し、この発
熱線９を支持する複数の発熱線支持体１２を発熱線９に
沿って並べると共に、発熱線支持体１２に発熱線９を通
し、発熱線支持体１２の発熱線９の半径より充分大きな
曲率半径を有する円弧状となった下部内周部分で、発熱
線９を支持したものである。これにより、発熱線９の熱
膨張による伸び縮みを発熱線支持体１２の円弧状の下部
内周部分で吸収し、発熱線９の曲がり等の変形を無くす
ことができるようにしたものである。また、発熱線９と
発熱線支持体１２との接触面積を小さくし、発熱線支持
体１２を介して伝導される熱を最小限に抑えることがで
きるようにした。
を達成するため、ループ状の発熱線９を使用し、この発
熱線９を支持する複数の発熱線支持体１２を発熱線９に
沿って並べると共に、発熱線支持体１２に発熱線９を通
し、発熱線支持体１２の発熱線９の半径より充分大きな
曲率半径を有する円弧状となった下部内周部分で、発熱
線９を支持したものである。これにより、発熱線９の熱
膨張による伸び縮みを発熱線支持体１２の円弧状の下部
内周部分で吸収し、発熱線９の曲がり等の変形を無くす
ことができるようにしたものである。また、発熱線９と
発熱線支持体１２との接触面積を小さくし、発熱線支持
体１２を介して伝導される熱を最小限に抑えることがで
きるようにした。
【０００７】すなわち、本発明による板体加熱装置は、
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に空間が形成され、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する発熱線９と、この発
熱線９を配置すべき位置に並べられると共に、同発熱線
９が通され、発熱線９の半径より充分大きな曲率半径を
有する円弧状となった下部内周部分で前記発熱線９を支
持する複数のループ状の発熱線支持体１２とを有するこ
とを特徴とする。ここで、発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線状の部材からなり、例えばＵ線状の部材
からなる。
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に空間が形成され、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する発熱線９と、この発
熱線９を配置すべき位置に並べられると共に、同発熱線
９が通され、発熱線９の半径より充分大きな曲率半径を
有する円弧状となった下部内周部分で前記発熱線９を支
持する複数のループ状の発熱線支持体１２とを有するこ
とを特徴とする。ここで、発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線状の部材からなり、例えばＵ線状の部材
からなる。
【０００８】このような板体加熱装置では、発熱線９
は、ループ状の発熱線支持体１２に通され、この発熱線
支持体１２の発熱線９の半径より充分大きな曲率半径を
有する円弧状となった下部内周部分で支持されているた
め、発熱線９が熱膨張し、伸び縮みしたとき、発熱線支
持体１２の円弧状となった下部内周部分に沿って発熱線
９が移動し、その伸び縮みが吸収される。これにより、
高温加熱時の発熱線９の曲がり等の変形が無くなる。
は、ループ状の発熱線支持体１２に通され、この発熱線
支持体１２の発熱線９の半径より充分大きな曲率半径を
有する円弧状となった下部内周部分で支持されているた
め、発熱線９が熱膨張し、伸び縮みしたとき、発熱線支
持体１２の円弧状となった下部内周部分に沿って発熱線
９が移動し、その伸び縮みが吸収される。これにより、
高温加熱時の発熱線９の曲がり等の変形が無くなる。
【０００９】特に、発熱線９をループ状に配置したと
き、発熱線９の熱膨張による伸び縮みは、発熱線９のル
ープの径方向の変動となって現れるので、発熱線支持体
１２の円弧状となった下部内周部分に沿う発熱線９が移
動円滑に行われ、確実に変形を防止する。さらに、発熱
線９と発熱線支持体１２との接触は、ほぼ点接触とな
り、それらの接触面積を小さくすることができるので、
発熱線支持体１２を介して壁部等に放熱される熱を最小
限に抑えることができる。これらの理由により、１００
０℃という高い加熱温度にも充分対応できるようにな
る。
き、発熱線９の熱膨張による伸び縮みは、発熱線９のル
ープの径方向の変動となって現れるので、発熱線支持体
１２の円弧状となった下部内周部分に沿う発熱線９が移
動円滑に行われ、確実に変形を防止する。さらに、発熱
線９と発熱線支持体１２との接触は、ほぼ点接触とな
り、それらの接触面積を小さくすることができるので、
発熱線支持体１２を介して壁部等に放熱される熱を最小
限に抑えることができる。これらの理由により、１００
０℃という高い加熱温度にも充分対応できるようにな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置を使用した半導体製
造装置の例を示すものであり、ここでは半導体製造装置
としてＣＶＤ装置が例示されている。減圧容器６は、図
示していない真空ポンプに接続され、その内部が真空状
態とされる。また、この減圧容器６には、図示していな
いマスフローコントローラを介して反応性ガスの供給源
が接続されており、このガス供給源から減圧容器６内に
半導体の原料となる反応性ガスが導入される。
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置を使用した半導体製
造装置の例を示すものであり、ここでは半導体製造装置
としてＣＶＤ装置が例示されている。減圧容器６は、図
示していない真空ポンプに接続され、その内部が真空状
態とされる。また、この減圧容器６には、図示していな
いマスフローコントローラを介して反応性ガスの供給源
が接続されており、このガス供給源から減圧容器６内に
半導体の原料となる反応性ガスが導入される。
【００１１】この減圧容器６の壁には、冷却液通路７が
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、減圧容器６を冷却できるようになっている。こ
の減圧容器６の底部側には、加熱物ａを載せる平坦な加
熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１が設置され、
その内部は同加熱物支持部材１により、その外側の減圧
容器６と気密に仕切られた空間を有する。より具体的に
は、加熱物支持部材１は、上面側が加熱部２により閉じ
られ、下面側が開口した円筒形状を有しており、加熱部
２の平坦な上面は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物
ａより広くなっている。加熱物支持部材１の下縁部は、
減圧容器６の内底面に当てられて固定されると共に、真
空シール材８により気密にシールされている。
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、減圧容器６を冷却できるようになっている。こ
の減圧容器６の底部側には、加熱物ａを載せる平坦な加
熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１が設置され、
その内部は同加熱物支持部材１により、その外側の減圧
容器６と気密に仕切られた空間を有する。より具体的に
は、加熱物支持部材１は、上面側が加熱部２により閉じ
られ、下面側が開口した円筒形状を有しており、加熱部
２の平坦な上面は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物
ａより広くなっている。加熱物支持部材１の下縁部は、
減圧容器６の内底面に当てられて固定されると共に、真
空シール材８により気密にシールされている。
【００１２】加熱物支持部材１はその全体または少なく
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物ａを加熱する場合において、
加熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる
場合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導
体膜を減圧容器６に接地する。
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物ａを加熱する場合において、
加熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる
場合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導
体膜を減圧容器６に接地する。
【００１３】減圧容器６の底部には、排気通路４が形成
され、この排気通路４に接続された真空ポンプ５によ
り、加熱物支持部材１の内部の空間が排気され、真空に
される。さらに、この加熱物支持部材１の内部には、発
熱線９としてのフィラメントとリフレクタ３が設置され
ている。
され、この排気通路４に接続された真空ポンプ５によ
り、加熱物支持部材１の内部の空間が排気され、真空に
される。さらに、この加熱物支持部材１の内部には、発
熱線９としてのフィラメントとリフレクタ３が設置され
ている。
【００１４】発熱線９は、加熱物支持部材１の加熱部２
の背後に設けられ、この発熱線９には、絶縁シール端子
１６を介して加熱電源１０が接続されている。さらに、
この発熱線９と加熱部２との間には、減圧容器６及び加
熱物支持部材１を介して電子加速電源１１の加速電圧が
印加されている。なお加熱部２は、加熱物支持部材１及
び減圧容器６を介して接地され、発熱線９に対して正電
位に保持される。
の背後に設けられ、この発熱線９には、絶縁シール端子
１６を介して加熱電源１０が接続されている。さらに、
この発熱線９と加熱部２との間には、減圧容器６及び加
熱物支持部材１を介して電子加速電源１１の加速電圧が
印加されている。なお加熱部２は、加熱物支持部材１及
び減圧容器６を介して接地され、発熱線９に対して正電
位に保持される。
【００１５】図２は、加熱物支持部材１を横断した平面
図である。この図２に示すように、発熱線９は、加熱物
支持部材１の中の加熱部２の背後にループ状に配置され
ている。図１において符号１７は接続端子である。図１
に示すように、発熱線９は、発熱線支持体１２により、
減圧容器６の底面から離して支持されている。図３〜図
５は、この発熱線支持体１２の一つを示している。
図である。この図２に示すように、発熱線９は、加熱物
支持部材１の中の加熱部２の背後にループ状に配置され
ている。図１において符号１７は接続端子である。図１
に示すように、発熱線９は、発熱線支持体１２により、
減圧容器６の底面から離して支持されている。図３〜図
５は、この発熱線支持体１２の一つを示している。
【００１６】図３〜図５に示すように、この発熱線支持
体１２は、タングステンやモリブデン等の高融点材料か
らなるＵ字形の線材からなるもので、その下部内周部分
は、発熱線９の半径より充分曲率半径が大きな円弧状と
なっている。図１にも示すように、この発熱線支持体１
２は、減圧容器６の内底面から立設された支持柱１３の
上端から水平に突設されたブラケット１４に吊り下げら
れるようにして取り付けられている。図２に示すよう
に、このような支持柱１３は、前記発熱線９の内側の同
心円上に一定の間隔で並んで配列され、ブラケット１４
は、その支持柱１３の上端から放射状に突設されてい
る。そして、図１及び図３〜図５に示すように、このブ
ラケット１４に吊り下げられた発熱線支持体１２の下部
内周部分に発熱線９が載った状態で支持されている。
体１２は、タングステンやモリブデン等の高融点材料か
らなるＵ字形の線材からなるもので、その下部内周部分
は、発熱線９の半径より充分曲率半径が大きな円弧状と
なっている。図１にも示すように、この発熱線支持体１
２は、減圧容器６の内底面から立設された支持柱１３の
上端から水平に突設されたブラケット１４に吊り下げら
れるようにして取り付けられている。図２に示すよう
に、このような支持柱１３は、前記発熱線９の内側の同
心円上に一定の間隔で並んで配列され、ブラケット１４
は、その支持柱１３の上端から放射状に突設されてい
る。そして、図１及び図３〜図５に示すように、このブ
ラケット１４に吊り下げられた発熱線支持体１２の下部
内周部分に発熱線９が載った状態で支持されている。
【００１７】なお、発熱線支持体１２の形状は、図３に
示すようにＵ字形のものに限られず、少なくとも発熱線
９を支持する下部内周が円弧であればよい。例えば、ブ
ラケット１４に円形リング状の金具を吊り下げたもので
あってもよい。発熱線支持体１２は、タングステンやモ
リブデン等の高融点金属線からなるものがよく、これに
よって発熱線９とそれを支持する発熱線支持体１２の下
部内周は、点接触となる。
示すようにＵ字形のものに限られず、少なくとも発熱線
９を支持する下部内周が円弧であればよい。例えば、ブ
ラケット１４に円形リング状の金具を吊り下げたもので
あってもよい。発熱線支持体１２は、タングステンやモ
リブデン等の高融点金属線からなるものがよく、これに
よって発熱線９とそれを支持する発熱線支持体１２の下
部内周は、点接触となる。
【００１８】リフレクタ３は、加熱物支持部材１の加熱
部２に対し発熱線９の背後側に設けられている。このリ
フレクタ３は、金、銀等の反射率の高い金属、またはモ
リブデン等の融点の高い金属で形成され、少なくともそ
の加熱物支持部材１の加熱部２に対向した面は、鏡面と
なっており、赤外線を反射する。このリフレクタ３は、
多重に配置することができる。
部２に対し発熱線９の背後側に設けられている。このリ
フレクタ３は、金、銀等の反射率の高い金属、またはモ
リブデン等の融点の高い金属で形成され、少なくともそ
の加熱物支持部材１の加熱部２に対向した面は、鏡面と
なっており、赤外線を反射する。このリフレクタ３は、
多重に配置することができる。
【００１９】前記加熱物支持部材１の加熱部２の平坦な
上面には、シリコンウエハ等の薄形平板状の加熱物ａが
載せられる。さらに、この加熱物ａを載せる加熱部２と
対向するその上側と、加熱部２を囲むその周囲には、リ
フレクタ１５が配置されている。このリフレクタ１５の
少なくとも加熱物支持部材１の加熱部２に向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
１５もまた、多重に配置することができる。
上面には、シリコンウエハ等の薄形平板状の加熱物ａが
載せられる。さらに、この加熱物ａを載せる加熱部２と
対向するその上側と、加熱部２を囲むその周囲には、リ
フレクタ１５が配置されている。このリフレクタ１５の
少なくとも加熱物支持部材１の加熱部２に向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
１５もまた、多重に配置することができる。
【００２０】このような板体加熱装置では、減圧容器６
及び加熱物支持部材１の内部空間を減圧し、真空とす
る。次に、加熱手段である発熱線９から熱電子を放出
し、これを電子加速電源１１で印加される加速電圧によ
り加熱物支持部材１の加熱部２に衝突させる。この電子
衝撃により、加熱物支持部材１の加熱部２が加熱され、
この加熱部２の上面に載せられている加熱物ａが加熱さ
れる。
及び加熱物支持部材１の内部空間を減圧し、真空とす
る。次に、加熱手段である発熱線９から熱電子を放出
し、これを電子加速電源１１で印加される加速電圧によ
り加熱物支持部材１の加熱部２に衝突させる。この電子
衝撃により、加熱物支持部材１の加熱部２が加熱され、
この加熱部２の上面に載せられている加熱物ａが加熱さ
れる。
【００２１】このとき、加熱物支持部材１の内部は、真
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物ａを効率的に
加熱することができる。これにより、加熱物ａを短時間
で高温に加熱することができる。
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物ａを効率的に
加熱することができる。これにより、加熱物ａを短時間
で高温に加熱することができる。
【００２２】発熱線９は、は図３に示すように、発熱線
支持体１２の下部内周部分に発熱線９が載った状態で支
持されている。この状態から発熱線９が加熱されると、
発熱線９が熱膨張し、ループ状の発熱線９が伸びて、そ
のループの径が増大する。このとき、図３の矢印Ａ及び
図４の矢印Ｂで示すように、発熱線支持体１２の下部内
周部分に沿って発熱線９が移動し、発熱線９の曲がり等
の変形が防止される。そして、発熱線９が冷却され、発
熱線９が熱収縮すると、ループ状の発熱線９が縮んで、
そのループの径が減少する。このとき、図３の矢印Ａ及
び図４の矢印Ｂで示すように、発熱線支持体１２の下部
内周部分に沿って発熱線９が前記とは反対側に移動し、
発熱線９が元に戻る。
支持体１２の下部内周部分に発熱線９が載った状態で支
持されている。この状態から発熱線９が加熱されると、
発熱線９が熱膨張し、ループ状の発熱線９が伸びて、そ
のループの径が増大する。このとき、図３の矢印Ａ及び
図４の矢印Ｂで示すように、発熱線支持体１２の下部内
周部分に沿って発熱線９が移動し、発熱線９の曲がり等
の変形が防止される。そして、発熱線９が冷却され、発
熱線９が熱収縮すると、ループ状の発熱線９が縮んで、
そのループの径が減少する。このとき、図３の矢印Ａ及
び図４の矢印Ｂで示すように、発熱線支持体１２の下部
内周部分に沿って発熱線９が前記とは反対側に移動し、
発熱線９が元に戻る。
【００２３】加熱物ａを加熱した状態で、例えば減圧容
器にシラン等のプロセスガスを導入し、加熱物ａの表面
にシリコン薄膜を堆積させ、加熱物ａの表面に半導体加
工を施すことができる。図１において、矢印はプロセス
ガスの流れを示す。加熱物ａの表面や加熱物支持部材１
の周囲から放射される輻射熱は、減圧容器６内のリフレ
クタ１５により反射され、減圧容器６の外部への放熱が
防止される。なお以上の例では、発熱線９として熱電子
を放出するフィラメントを示したが、輻射熱を放出する
抵抗加熱ヒータである発熱線も同様にして支持すること
ができるのはもちろんである。
器にシラン等のプロセスガスを導入し、加熱物ａの表面
にシリコン薄膜を堆積させ、加熱物ａの表面に半導体加
工を施すことができる。図１において、矢印はプロセス
ガスの流れを示す。加熱物ａの表面や加熱物支持部材１
の周囲から放射される輻射熱は、減圧容器６内のリフレ
クタ１５により反射され、減圧容器６の外部への放熱が
防止される。なお以上の例では、発熱線９として熱電子
を放出するフィラメントを示したが、輻射熱を放出する
抵抗加熱ヒータである発熱線も同様にして支持すること
ができるのはもちろんである。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、発
熱線９を加熱して加熱物ａを高温に加熱するに当たっ
て、発熱線９の熱膨張による伸び縮みを確実に吸収し、
その曲がり等の変形を確実に防止することが可能とな
る。さらに、発熱線９と発熱線支持体１２との接触面積
を小さくすることができるので、発熱線支持体１２を介
して伝導される熱を最小限に抑えることができる。これ
により、高温加熱に対応した板体加熱装置が得られる。
熱線９を加熱して加熱物ａを高温に加熱するに当たっ
て、発熱線９の熱膨張による伸び縮みを確実に吸収し、
その曲がり等の変形を確実に防止することが可能とな
る。さらに、発熱線９と発熱線支持体１２との接触面積
を小さくすることができるので、発熱線支持体１２を介
して伝導される熱を最小限に抑えることができる。これ
により、高温加熱に対応した板体加熱装置が得られる。
【図１】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の例を示す概略断面図である。
体加工装置の例を示す概略断面図である。
【図２】同板体加熱装置の加熱物支持体の部分を横断面
した平面図である。
した平面図である。
【図３】同板体加熱装置の発熱体支持部の要部正面図図
である。
である。
【図４】同板体加熱装置の発熱体支持部の要部平面図図
である。
である。
【図５】同板体加熱装置の発熱体支持部の要部側面図図
である。
である。
１ 加熱物支持部材 ２ 加熱物支持部材の加熱部 ３ リフレクタ ５ 真空ポンプ ９ 発熱線 １２ 発熱線支持体 ａ 加熱物
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月２１日（１９９９．４．２
１）
１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】すなわち、本発明による板体加熱装置は、
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に空間が形成され、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する発熱線９と、この発
熱線９を配置すべき位置に並べられると共に、同発熱線
９が通され、発熱線（９）の半径より充分大きな曲率半
径を有する円弧状となった下部内周部分で前記発熱線
（９）を支持する複数の発熱線支持体１２とを有するこ
とを特徴とする。ここで、発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線材を下部内周部分が円弧状となるよう形
成されたものからなり、例えばＵ字形に形成された線材
からなる。
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に空間が形成され、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する発熱線９と、この発
熱線９を配置すべき位置に並べられると共に、同発熱線
９が通され、発熱線（９）の半径より充分大きな曲率半
径を有する円弧状となった下部内周部分で前記発熱線
（９）を支持する複数の発熱線支持体１２とを有するこ
とを特徴とする。ここで、発熱線９は、円形ループ状に
配置されている。また、発熱線支持体１２は、高融点金
属で作られた線材を下部内周部分が円弧状となるよう形
成されたものからなり、例えばＵ字形に形成された線材
からなる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K092 PP09 PP20 QA05 QB26 RF03 RF11 RF19 SS18 SS24 SS32 SS47 TT14 VV02 VV26 VV36 5F031 JJ10 KK03 KK07
Claims (5)
- 【請求項１】 薄型平板状の加熱物（ａ）をその背面側
から加熱する平板加熱装置において、内部に空間が形成
され、加熱物（ａ）を載せる平坦な加熱部（２）を有す
る耐熱性の加熱物支持部材（１）と、この加熱物支持部
材（１）の前記加熱部（２）の背後の空間部に設けら
れ、加熱物支持部材（１）を加熱する発熱線（９）と、
この発熱線（９）を配置すべき位置に並べられると共
に、同発熱線（９）が通され、発熱線（９）の半径より
充分大きな曲率半径を有する円弧状となった下部内周部
分で前記発熱線（９）を支持する複数のループ状の発熱
線支持体（１２）とを有することを特徴とする板体加熱
装置。 - 【請求項２】 発熱線（９）は、円形ループ状に配置さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の板体加熱装
置。 - 【請求項３】 発熱線支持体（１２）は、線状の部材か
らなることを特徴とする請求項１または２に記載の板体
加熱装置。 - 【請求項４】 発熱線支持体（１２）は、Ｕ線状の部材
からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載
の板体加熱装置。 - 【請求項５】 発熱線支持体（１２）は、高融点金属か
らなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の
板体加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16966598A JP2966397B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16966598A JP2966397B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2966397B1 JP2966397B1 (ja) | 1999-10-25 |
| JP2000012548A true JP2000012548A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15890661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16966598A Expired - Lifetime JP2966397B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966397B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084557A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱装置 |
| JP2008243950A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 熱処理装置 |
| KR101466816B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2014-12-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
| JP2016200384A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 富士電機機器制御株式会社 | 熱処理装置 |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP16966598A patent/JP2966397B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084557A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱装置 |
| JP2008243950A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 熱処理装置 |
| KR101466816B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2014-12-10 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
| WO2015041392A1 (ko) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
| CN105580127A (zh) * | 2013-09-23 | 2016-05-11 | 国际电气高丽株式会社 | 加热构件及具有该加热构件的基板处理装置 |
| JP2016200384A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 富士電機機器制御株式会社 | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2966397B1 (ja) | 1999-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6198074B1 (en) | System and method for rapid thermal processing with transitional heater | |
| US6399921B1 (en) | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate | |
| US5119761A (en) | Substrate heating apparatus for forming thin films on substrate surface | |
| KR100686411B1 (ko) | 웨이퍼 배치 처리 시스템 및 방법 | |
| KR910007109B1 (ko) | 화학증기증착 반응기용 반사장치 | |
| JP6258334B2 (ja) | 改善されたエッジリングリップ | |
| JPH11508870A (ja) | 半導体基板の熱処理のためのシステムと方法 | |
| JPH0778766A (ja) | ガス処理装置 | |
| JP2001057344A (ja) | 半導体処理システム | |
| JP2966397B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| JPH11354526A (ja) | 板体加熱装置 | |
| JP2002124479A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2912613B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| JP2002146540A (ja) | 基板加熱装置 | |
| JP2912913B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| KR101868463B1 (ko) | 외부 가열용기를 포함하는 고온 증발원 | |
| JP3617860B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2975927B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| JP2912616B1 (ja) | 板体加熱装置 | |
| JP5465828B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR101489366B1 (ko) | 진공 증발원 | |
| TW202235919A (zh) | 用於基板處理的反射板 | |
| JP2002334819A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH07224382A (ja) | 薄膜作製装置の基板加熱機構 | |
| JP3929947B2 (ja) | 電子衝撃加熱装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110813 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120813 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 14 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |