JP2000010111A - 電極基板の製造方法 - Google Patents

電極基板の製造方法

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JP2000010111A
JP2000010111A JP10172598A JP17259898A JP2000010111A JP 2000010111 A JP2000010111 A JP 2000010111A JP 10172598 A JP10172598 A JP 10172598A JP 17259898 A JP17259898 A JP 17259898A JP 2000010111 A JP2000010111 A JP 2000010111A
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drive circuit
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manufacturing
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Koji Taniguchi
浩司 谷口
Masayuki Inoue
雅之 井上
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の電極と該複数の電極を駆動するための
駆動回路部とを備えた電極基板を製造する際に、ガラス
基板などの材料の有効利用および良品率の向上を図るこ
とができる製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板などの絶縁性表面を有するマ
ザー基板上に液晶表示装置などの複数の電極基板を製造
する方法において、マザー基板上に複数の電極部を所定
の数配置し、それ以外の領域に該複数の電極を駆動する
ための駆動回路部を所定の数配置する。そして、複数の
電極部と駆動回路部との双方が完成後、それぞれを個々
に分断して良品同士を接続し、電極基板を完成させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に複数の電
極を形成した電極基板、例えば薄膜トランジスタなどの
半導体素子を画素電極のスイッチング素子として用いた
アクティブマトリクス型液晶表示装置などに用いられる
電極基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】これまで、IC、LSIに代表される半
導体素子や、これらの半導体素子を組み込んだ電子機器
あるいは家庭電化製品が開発または製造され、市場で大
量に販売されてきた。今日においては、テレビ受像機は
勿論のこと、VTRやパーソナルコンピュータなども広
く一般に普及しており、さほど珍しいものではなくなっ
ている。そして、これらの機器は年々高性能化してお
り、情報化社会の進展に伴い利用者に多くの情報を提供
するツールとして現代社会において欠かすことのできな
いものとなっている。
【0003】このような機器類には、多くの情報を利用
者に的確に伝達するための情報を表示する手段、いわゆ
るディスプレイを有しているものが多いが、そのディス
プレイの性能や特徴によって扱える情報の種類や情報量
が左右されてしまうため、その開発動向などに強い関心
が寄せられている。特に、近年では薄型で軽量、かつ低
消費電力である利点を有したディスプレイとして液晶表
示装置、中でも各画素電極毎に薄膜トランジスタ(以
下、TFTと呼ぶ。)などのスイッチング素子を設け、
各画素電極を制御するようにしたアクティブマトリクス
型の液晶表示装置が、解像度に優れ、鮮明な画像が得ら
れるなどの理由から注目されている。
【0004】以下、このような一般的な液晶表示装置に
用いられる電極基板ついて簡単に説明する。
【0005】従来のスイッチング素子としては、非晶質
シリコン薄膜を用いたTFTが知られており、現在この
TFTを搭載したアクティブマトリクス型の液晶表示装
置が数多く商品化されている。そして、この非晶質シリ
コン薄膜を用いたTFTを搭載したアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置は、OA機器や民生機器のディスプ
レイとして主流の位置を占めようとしている。
【0006】一方、この非晶質シリコン薄膜を用いたT
FTに代わるスイッチング素子として、画素電極を駆動
させるための画素用TFTと、その画素用TFTを駆動
させるためのTFTなどからなる駆動回路部を一つの基
板上に一体形成することができる可能性が有る多結晶シ
リコン薄膜を用いたTFTを形成する技術に大きな期待
が寄せられている。
【0007】この多結晶シリコン薄膜は、従来のTFT
に用いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度
を有しており、高性能なTFTを形成することが可能で
ある。また、画素用TFTを駆動させるための駆動回路
部を一つの安価なガラス基板などの上に一体形成するこ
とが実現されると、ICやLSIから構成される駆動回
路基板を取り付ける必要がなくなり、従来に比べて製造
コストが大幅に低減されることになる。
【0008】このような多結晶シリコン薄膜を用いたT
FTの活性層となる多結晶シリコン薄膜をガラス基板な
どの上に作成する技術としては、ガラス基板などの上に
非晶質シリコン薄膜を堆積した後に、600℃程度の温
度で数時間〜数十時間熱処理して結晶化させる固相成長
法やエキシマレーザーなどのパルスレーザー光を照射し
て、その部分の非晶質シリコン薄膜を瞬時に熔融させ再
結晶化させるレーザー結晶化法などの方法が提案されて
いる。
【0009】しかしながら、画素用TFTとそれを駆動
させるための駆動回路部とを一つの基板に一体形成す
る、いわゆるドライバモノリシック型の液晶表示装置を
製造する場合においては、次のような大きな問題点が発
生する。
【0010】従来の非晶質シリコン薄膜を用いた液晶表
示装置の場合は、画素用TFTと配線とからなる表示部
を形成したTFT基板と、ICやLSIから構成される
駆動回路基板の端子とを接続する、いわゆる実装工程を
行っていたが、この工程ではそれぞれ予め良品として選
別されたTFT基板と駆動回路基板とによって行われて
いるため、最終的な良品率を著しく低下させることは無
かった。
【0011】ところが、画素用TFT部と駆動回路部と
を一つのTFT基板に一体形成する多結晶シリコンTF
T液晶表示装置では、最終的な良品率は画素用TFT部
の良品率と駆動回路部の良品率との積となる。
【0012】例えば、画素用TFT部の良品率が90
%、駆動回路部の良品率が70%であったとすると、最
終的な良品率は63%となる。つまり、多結晶シリコン
TFT液晶表示装置のように画素用TFT部と駆動回路
部とを一つのTFT基板に一体形成する場合には、画素
用TFT部あるいは駆動回路部の何れかに不良の発生し
やすい箇所が存在すると、その箇所の良品率によって最
終的な良品率が大きく低下する結果となってしまう。
【0013】従って、画素用TFT部と駆動回路部とを
一つのTFT基板に一体形成する多結晶シリコンTFT
液晶表示装置では、画素用TFT部と駆動回路部との双
方に高い良品率が要求されることになる。
【0014】そこで、従来は特開平4−12327号公
報あるいは特開平4−12328号公報に示されるよう
に、安価なガラス基板に表示部を形成し、他方の耐熱性
を有するガラス基板に多結晶シリコンTFTで構成した
駆動回路部を形成し、双方を接続する方法が提案されて
いる。この方法は、TFTの高速動作が要求される駆動
回路部のみを耐熱性を有するガラス基板に多結晶シリコ
ン薄膜によって形成することで低コストで液晶表示装置
を製造することを目的としたものであって、良品率に関
して言及した箇所はないが、この方法を用いると表示部
と駆動回路部とでそれぞれ予め良品の判定を行い、その
後、双方の良品同士を接続することが可能であることが
容易に考えられる。
【0015】また、上述のレーザー結晶化法を用いれ
ば、表示部を形成する安価なガラス基板と同様のガラス
基板に駆動回路を形成することが可能である。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような方法によると、次のような問題が発生すること
が考えられる。
【0017】上述の方法は、駆動回路部を耐熱性を有す
るガラス基板に形成するものであるが、駆動回路部は表
示部に比べて小面積の基板に形成されている。ところが
液晶表示装置を製造するためには、成膜装置やエッチン
グ装置などの製造装置が必要であり、これらの製造装置
は大量生産を目的としているため、多様な大きさの液晶
表示装置を製造することができるような仕様になってい
ないことが殆どである。つまり、一旦製造装置を導入す
ると、基板サイズなどを変更することや複数の基板サイ
ズが扱えるように製造装置の仕様を変更することは事実
上不可能に近いのである。
【0018】上述の方法では、TFT基板と駆動回路部
で使用する基板サイズが異なるため、最悪の場合、全て
の工程において2種類の製造装置を用意する必要が有
り、設備投資が多大なものとなってしまう。仮に基板サ
イズを統一したとしても、駆動回路部は表示部に比べて
面積が小さいため、一枚の基板で製造される個数が必然
的に多くなる。そこで、駆動回路部が過剰生産とならな
いように生産調整を行う必要があるが、製造装置に何ら
かのトラブルが発生するとその基板全体が不良品となる
ため駆動回路部の不足が生じたり、TFT基板の完成時
期と駆動回路部の完成時期とが必ずしも一致しないの
で、何れかが完成するまで待機しておく時間が多くな
り、液晶表示装置の製造に遅滞を招く可能性を有してい
る。
【0019】また、図9に示すように、絶縁性基板から
なる一枚のマザー基板で、製造されるTFT基板の個数
に合わせて駆動回路部を製造すると、このマザー基板上
に大きな未使用部分ができてしまう。このマザー基板の
未使用部分は何も利用されることのない無駄な部分とな
ってしまうため、結果として極めて不経済なものとなっ
てしまう。
【0020】この絶縁性基板からなるマザー基板の未使
用部分は、図10に示すように、TFT基板側にもでき
てしまう。例えば、370mm×470mmの大きさの
マザー基板に、画面の対角4インチのTFT基板を配置
した場合には、約25%程度の未使用部分が発生し、4
00mm×500mmの大きさのマザー基板に、画面の
対角4インチのTFT基板を配置した場合には、約35
%程度の未使用部分が発生してしまう。同様に画面の対
角5インチのTFT基板を配置した場合には前者で約2
0%程度、後者で約30%程度の未使用部分が発生して
しまう。
【0021】上述のように、液晶表示装置を製造する場
合には、使用するガラス基板のサイズを決定して一旦製
造装置を導入すると、その後、基板サイズを変更するこ
とは事実上不可能となってしまう。
【0022】一方、市場の要求により製造するべき液晶
表示装置のサイズ(パネルサイズ)は様々に変化してい
る。そこで、製造しようとするTFT基板を一定のサイ
ズのマザー基板上にできるだけ多く配置するためのレイ
アウトを工夫しているが、そのレイアウトにも限界があ
り、多くの場合、製品に寄与しない未使用部分が生じて
しまうのである。
【0023】更に、多結晶シリコンTFTの場合は、そ
の製造工程における各種の条件、例えば成膜条件や結晶
化条件の変動に対して敏感である。TFT基板と駆動回
路部とをそれぞれ別々のマザー基板上に形成すると、そ
れぞれのTFTの特性にばらつきが生じてしまい、TF
T基板と駆動回路部との整合が取りずらくなることが懸
念される。
【0024】本発明は上述したような問題点に鑑みなさ
れたものであって、その目的とするところは、複数の電
極と該複数の電極を駆動するための駆動回路部とを備え
た電極基板を製造する際に、ガラス基板などの材料の有
効利用および良品率の向上を図ることができる電極基板
の製造方法を提供することにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明の電極基板の製造
方法は、複数の電極と、該複数の電極を駆動するための
駆動回路とを有する電極基板の製造方法において、同じ
絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前記複数の
電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形成する工
程と、前記複数の電極部および前記駆動回路部の双方が
完成した後、それぞれマザー基板を分断して、複数の電
極を有する基板と駆動回路を有する基板とを作製する工
程と、前記複数の電極を有する基板上に前記駆動回路を
有する基板を接続する工程と、を含むことを特徴として
いる。
【0026】即ち、本発明は、液晶表示装置に用いられ
る電極基板を例とすると、同じ絶縁性表面を有する1枚
のマザー基板上に、液晶を駆動させるための複数の電極
を形成した表示部と、表示部の各電極を駆動させるため
の駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後に
それぞれを分断して表示部に駆動回路部を接続すること
により、液晶表示装置の電極基板を完成させるというも
のである。
【0027】従って、液晶表示装置を製造するために必
要なガラス基板などの絶縁性表面を有するマザー基板に
無駄を生じさせることなく有効に利用することが可能で
あり、完成した複数の電極部(表示部)と駆動回路部と
を個々に検査して良品同士のみを接続することができる
ため、最終的な良品率を向上させることが可能となって
いる。そのことにより、液晶表示装置の生産性の向上や
材料コストの低減を図ることも可能となっている。
【0028】また、本発明の電極基板の製造方法は、前
記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前記
複数の電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形成
する工程において、該複数の電極部は、該同じ絶縁性表
面を有する1枚のマザー基板上に複数組が集中して配置
されるとともに、該駆動回路部は、該複数組が集中して
配置された複数の電極部領域以外の領域に配置されるこ
とも特徴としている。
【0029】即ち、本発明は、液晶表示装置に用いられ
る電極基板を例とすると、同じ絶縁性表面を有する1枚
のマザー基板上に、液晶を駆動させるための複数の電極
を形成した表示部と、表示部の各電極を駆動させるため
の駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後に
それぞれを分断して表示部に駆動回路部を接続すること
により、液晶表示装置の電極基板を完成させるというも
のであって、その際、複数の電極部(表示部)を1枚の
マザー基板上に集中して配置し、駆動回路部をその領域
以外の領域に集中して配置するというものである。
【0030】従って、例えばレーザーアニールなどによ
って複数の電極部(表示部)に形成された素子と駆動回
路部に形成された素子とで異なる性能の素子を形成しよ
うとする場合であっても、レーザーの走査が複雑なもの
とならず、マザー基板の分断なども容易に可能となって
いる。
【0031】また、本発明の電極基板の製造方法は、前
記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前記
複数の電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形成
する工程において、該複数の電極部は、該同じ絶縁性表
面を有する1枚のマザー基板上に複数組が分散して配置
されるとともに、該駆動回路部は、該複数組が分散して
配置された複数の電極部同士の間隙に配置されることも
特徴としている。
【0032】即ち、本発明は、液晶表示装置に用いられ
る電極基板を例とすると、同じ絶縁性表面を有する1枚
のマザー基板上に、液晶を駆動させるための複数の電極
を形成した表示部と、表示部の各電極を駆動させるため
の駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後に
それぞれを分断して表示部に駆動回路部を接続すること
により、液晶表示装置の電極基板を完成させるというも
のであって、その際、複数の電極部(表示部)を1枚の
マザー基板上に分散して配置し、駆動回路部を表示部の
周辺に分散して配置するというものである。
【0033】従って、複数の電極部(表示部)と駆動回
路部とが近接して配置されることになるため、マザー基
板上での半導体薄膜や絶縁膜などの膜厚分布による素子
特性のばらつき、あるいはレーザーアニールを行う際の
レーザーの強度分布による素子特性のばらつきが緩和す
ることが可能となっている。また、レーザーアニールを
行う場合には、そのレーザーの走査が複雑なものになら
ないという利点も有している。
【0034】また、本発明の電極基板の製造方法は、前
記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前記
複数の電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形成
する工程において、該同じ絶縁性表面を有する1枚のマ
ザー基板上における該複数の電極部の形成枚数と該駆動
回路部の形成枚数とが異なっていることも特徴としてい
る。
【0035】即ち、本発明は、液晶表示装置に用いられ
る電極基板を例とすると、同じ絶縁性表面を有する1枚
のマザー基板上に、液晶を駆動させるための複数の電極
を形成した表示部と、表示部の各電極を駆動させるため
の駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後に
それぞれを分断して表示部に駆動回路部を接続すること
により、液晶表示装置の電極基板を完成させるというも
のであって、その際、複数の電極部(表示部)および駆
動回路部それぞれの良品率を考慮して、複数の電極部
(表示部)あるいは駆動回路部の何れか一方を他方より
多く配置して製造するというものである。
【0036】従って、複数の電極部(表示部)と駆動回
路部との何れか一方に過不足が生じることが無く、効率
よく液晶表示装置の電極基板を製造することが可能とな
っている。例えば、上述した従来例のように、複数の電
極部(表示部)の良品率が90%で、駆動回路部の良品
率が70%である場合には、1枚のマザー基板上に駆動
回路部を複数の電極部(表示部)に比べて30%〜40
%程度多くレイアウトして形成し、完成した良品同士を
接続することによって、最終的に液晶表示装置の電極基
板を約90%の良品率で製造することが可能になる。
【0037】これは、上述した従来例のように、複数の
電極部(表示部)と駆動回路部とを一体形成した場合の
最終的な良品率約63%に比べて大きな差を有してお
り、材料あるいは製造にかかるコストを考慮すると格段
に有利であることが伺える。
【0038】さらに、本発明の電極基板の製造方法は、
前記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前
記複数の電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形
成する工程において、該複数の電極部および該駆動回路
部には、それぞれを接続するための端子部が双方に形成
されるとともに、該複数の電極部および該駆動回路部に
は、それぞれアライメントマークが形成されることも特
徴としている。
【0039】即ち、本発明は、液晶表示装置に用いられ
る電極基板を例とすると、同じ絶縁性表面を有する1枚
のマザー基板上に、液晶を駆動させるための複数の電極
を形成した表示部と、表示部の各電極を駆動させるため
の駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後に
それぞれを分断して表示部に駆動回路部を接続すること
により、液晶表示装置の電極基板を完成させるというも
のであって、その際、複数の電極部(表示部)と駆動回
路部との双方に、互いの端子間を接続するためのアライ
メントマークを形成し、このアライメントマークによっ
てそれぞれの位置合わせを行うというものである。
【0040】従って、複数の電極部(表示部)と駆動回
路部との端子同士の接続のための位置合わせが容易とな
り、複数の電極部(表示部)と駆動回路部との接続工程
における不良の発生を効果的に抑制することが可能にな
るとともに、作業効率を大幅に向上させるという効果を
も有するものである。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
る電極基板について、図面を用いて詳細に説明する。
【0042】図1は、本実施の形態における電極基板を
製造するための絶縁性基板の基本的なレイアウトを示す
平面図である。本実施の形態では、このガラスなどから
なる大型の絶縁性基板(マザー基板)1上に複数の表示
部2が形成され、該絶縁性基板(マザー基板)1上の未
使用部分に駆動回路部3が形成される。
【0043】これら表示部2および駆動回路部3が形成
された絶縁性基板(マザー基板)1は、完成後個々に分
断され、良品の判定がなされた後に良品同士が接続され
る。本実施の形態では、表示部2あるいは駆動回路部3
の何れか不良の発生しやすい側の個数を予め多めに絶縁
性基板(マザー基板)1上に製造することで、表示部2
あるいは駆動回路部3の個数の過不足を発生させること
なく、材料の有効利用および液晶表示装置としての最終
的な良品率を向上させることが可能となっている。
【0044】(実施の形態1)次に、本発明の実施の形
態1における電極基板の製造方法について、図面を用い
て詳細に説明する。
【0045】図2は、370mm×470mmの大きさ
の絶縁性表面を有するマザー基板1上に画面の対角サイ
ズが4インチの表示部2および駆動回路部3を配置した
場合の電極基板のレイアウトを示す平面図である。
【0046】この表示部2における画素用TFTは、上
述したように、多結晶シリコン薄膜を用いて形成するこ
とができるが、非晶質シリコン薄膜を用いるものであっ
ても差し支えない。また、駆動回路部3は、回路を構成
する素子に高い性能、いわゆる高移動度が要求されるた
め、多結晶シリコン薄膜で形成することが望ましい。
【0047】なお、画素用TFTや駆動回路部3を構成
する素子については、従来知られている方法によって製
造することができるため、その製造方法の詳細に関して
の説明はここでは省略する。
【0048】本実施の形態1における絶縁性表面を有す
るマザー基板1上のレイアウトでは、表示部2をマザー
基板1上の一方向に寄せて配置し、残りの未使用部分に
駆動回路部3を配置した。このように配置することによ
り、表示部2と駆動回路部3との分断が容易となり、上
述したように、表示部2を非晶質シリコン薄膜で形成
し、駆動回路部3を多結晶シリコン薄膜で形成するよう
な場合などに特に好適である。
【0049】また、表示部2を非晶質シリコン薄膜で形
成し、駆動回路部3を多結晶シリコン薄膜で形成するよ
うな場合には、駆動回路部3を構成する素子を形成する
ための多結晶シリコン薄膜をレーザーアニールなどによ
って形成するが、その際にレーザーを照射するべき領域
がマザー基板上の一方に偏って配置されているために、
レーザーの走査が複雑なものとならずに、かつ処理時間
の短縮などが図れるという利点を有している。
【0050】また、表示部2および駆動回路部3を共に
多結晶シリコン薄膜で形成するような場合であっても、
素子特性の向上のために、表示部2あるいは駆動回路部
3の作成条件を他方と異なる条件にする場合が考えられ
る。例えば、レーザーアニールの条件を表示部2と駆動
回路部3とで異ならせる場合など、本実施の形態1のマ
ザー基板のようなレイアウトとすることによって容易と
なる。即ち、レーザーの走査を複雑なものとせずに、か
つ処理時間の短縮などが図られるためである。
【0051】次に、表示部2および駆動回路部3の絶縁
性表面を有するマザー基板1上でのレイアウトに関して
説明する。
【0052】図2に示すように、370mm×470m
mの大きさの絶縁性表面を有するマザー基板1上に、画
面の対角サイズが4インチの表示部2をレイアウトす
る。この大きさのマザー基板であれば、画面の対角サイ
ズが4インチの表示部2を最大16枚レイアウトするこ
とが可能である。そして、このときのマザー基板の未使
用部分に駆動回路部3をレイアウトする。
【0053】なお、絶縁性表面を有するマザー基板1の
基板端から約10mm程度の部分は、半導体薄膜や絶縁
膜などを成膜する際に成膜装置のトレイなどで保持され
る部分であるため、膜が被着されない部分である。従っ
て、表示部2および駆動回路部3は、この領域よりも内
側にレイアウトする必要がある。
【0054】上述したように、例えば、表示部の良品率
が90%、駆動回路部の良品率が70%であったとする
と、表示部を15枚レイアウトし、未使用部分に走査線
側駆動回路部とデータ線側駆動回路部とをそれぞれ20
枚レイアウトし、最後に良品のみを接続するようにすれ
ば、約14枚の液晶表示装置を完成させることができ
る。この場合の最終的な良品率は約90%となる。
【0055】上述の例を従来のドライバモノリシック型
TFT基板を製造する場合と比較すると次のようにな
る。絶縁性表面を有するマザー基板上に、ドライバモノ
リシック型TFT基板を16枚レイアウトし、画素用T
FT部の良品率が90%、駆動回路部の良品率が70%
であったとすると、最終的な良品率はそれぞれの積とな
り63%となる。従って、16枚の内、約10枚が良品
となる。
【0056】一方、本実施の形態1の場合は、絶縁性表
面を有するマザー基板上に、画素用TFT部を形成した
表示部を15枚レイアウトし、駆動回路部を20枚レイ
アウトし、画素用TFT部の良品率が90%、駆動回路
部の良品率が70%であったとすると、それぞれ13〜
14枚の良品が得られ、その良品同士を接続することの
より、ほぼ同数の最終的な良品を得ることができる。
【0057】このように、一枚の絶縁性表面を有するマ
ザー基板において、最終的な良品の数に3〜4枚程度の
差が生じるのである。
【0058】図3は、370mm×470mmの大きさ
の絶縁性表面を有するマザー基板1上に、画面の対角サ
イズが5インチの表示部2を配置した場合のマザー基板
のレイアウトを示した平面図である。この大きさの絶縁
性表面を有するマザー基板であれば、画面の対角サイズ
が5インチの表示部2を最大12枚レイアウトすること
が可能である。そして、このときのマザー基板1の未使
用部分には駆動回路部3をレイアウトする。
【0059】上述したように、例えば、表示部の良品率
が90%、駆動回路部の良品率が70%であったとする
と、表示部2を11枚レイアウトし、未使用部分には走
査線側駆動回路部とデータ線側駆動回路部とをそれぞれ
15枚レイアウトし、最後に良品のみを接続するように
すれば、約10枚の液晶表示装置を完成させることがで
きる。この場合の最終的な良品率は約90%となる。
【0060】次に、マザー基板の未使用部分に形成され
る駆動回路部3に関して説明する。この駆動回路部3
は、図4に示すように、短冊状に形成される。駆動回路
部3には、表示部側に形成された画素用TFTを駆動さ
せるための駆動回路31や表示部側と接続するための端
子32などが形成されている。駆動回路部3の大きさ
は、短辺方向は約10mm、長辺方向はTFT基板2の
画面部分の長辺方向とほぼ同じ長さである。この駆動回
路部3は、マザー基板1の完成後個々に分断され、良品
判別された後に表示部2の端子部に接続される。
【0061】図5は、上述した表示部2と駆動回路部3
とを接続した状態を示したものである。表示部2側には
画素用TFT21およびマトリクス状の配線22などが
形成されている。表示部2側の端子23と駆動回路部3
の端子32との接続には、異方性導電樹脂などを用いる
ことができる。
【0062】以上のように、本実施の形態1における電
極基板の製造方法によれば、画素用TFTと駆動回路部
とを一体形成したドライバモノリシック型TFT基板を
絶縁性表面を有するマザー基板上に最も多く配置して製
造した場合に比べて、最終的な良品率を大幅に向上させ
ることが可能となっている。
【0063】(実施の形態2)次に、本発明の実施の形
態2における電極基板の製造方法について、図面を用い
て詳細に説明する。
【0064】図6は、370mm×470mmの大きさ
の絶縁性表面を有するマザー基板1上に画面の対角サイ
ズが4インチの表示部2および駆動回路部3を配置した
場合の電極基板のレイアウトを示す平面図である。
【0065】この表示部2における画素用TFTは、上
述したように、多結晶シリコン薄膜を用いて形成するこ
とができるが、非晶質シリコン薄膜を用いるものであっ
ても差し支えない。また、駆動回路部3は、回路を構成
する素子に高い性能、いわゆる高移動度が要求されるた
め、多結晶シリコン薄膜で形成することが望ましい。
【0066】なお、画素用TFTや駆動回路部3を構成
する素子については、従来知られている方法によって製
造することができるため、その製造方法の詳細に関して
の説明はここでは省略する。
【0067】本実施の形態1における絶縁性表面を有す
るマザー基板1上のレイアウトでは、隣接する表示部2
間に駆動回路部3を配置した。このように配置すること
により、例えば、表示部2および駆動回路部3を共にレ
ーザーアニールによる同様の多結晶シリコン薄膜で形成
するような場合には、レーザーの照射条件やレーザーの
走査を複雑なものとすることがなく、処理時間の短縮な
どを図ることができる。
【0068】また、表示部2と駆動回路部3とがそれぞ
れ隣接して形成されるため、絶縁性基板1上での多結晶
シリコン薄膜の膜厚分布あるいはレーザーアニール時の
レーザー強度の分布などによって生じる素子特性のばら
つきの程度が、表示部2と駆動回路部3とで同程度とな
る。即ち、表示部2と駆動回路部3とを構成する素子の
特性が互いに同レベルとなるため、これらを接続した際
に、整合がとり易いという利点も有している。
【0069】次に、表示部2および駆動回路部3の絶縁
性表面を有するマザー基板1上でのレイアウトに関して
説明する。
【0070】図6に示すように、370mm×470m
mの大きさの絶縁性表面を有するマザー基板1上に、画
面の対角サイズが4インチの表示部2をレイアウトす
る。この大きさのマザー基板であれば、画面の対角サイ
ズが4インチの表示部2を最大16枚レイアウトするこ
とが可能である。そして、このときの未使用部分には駆
動回路部3をレイアウトする。
【0071】上述したように、例えば、表示部の良品率
が90%、駆動回路部の良品率が70%であったとする
と、表示部2を15枚レイアウトし、各表示部の周辺お
よび隣接する表示部間に走査線側駆動回路部とデータ線
側駆動回路部とをそれぞれ20枚レイアウトし、最後に
良品のみを接続するようにすれば、約14枚の液晶表示
装置を完成させることができる。この場合の最終的な良
品率は約90%となる。
【0072】なお、表示部2と駆動回路部3との接続に
関しては、上述した実施の形態1と同様であるため、こ
こでは説明を省略する。
【0073】以上のように、本実施の形態2における電
極基板の製造方法によれば、画素用TFTと駆動回路部
とを一体形成したドライバモノリシック型TFT基板を
絶縁性表面を有するマザー基板上に最も多く配置して製
造した場合に比べて、最終的な良品率を大幅に向上させ
ることが可能となっている。
【0074】(実施形態3)次に、本発明の実施の形態
3における電極基板の製造方法について、図面を用いて
詳細に説明する。
【0075】本実施の形態3では、上述したような実施
の形態1および実施の形態2で説明した表示部2および
駆動回路部3をできるだけ容易に接続するために、図7
に示すように、双方に位置合わせのためのアライメント
マークを設けるというものである。
【0076】上述したように、従来の非晶質シリコン薄
膜を用いた液晶表示装置の場合には、ICやLSIから
構成される駆動回路基板をTFT基板に接続していた
が、駆動回路基板側が不透明であるために位置合わせが
困難であったり、場合によっては不良品を発生させてし
まうという問題があった。
【0077】本実施の形態3では、表示部2と駆動回路
部3との双方がガラス基板などからできており、透明で
あることから、双方に位置合わせのためのアライメント
マーク4を設けることにより、表示部2の上面側あるい
は裏面側の何れの方向からでも位置合わせのためのアラ
イメントマーク4を視認することが極めて容易に行え
る。
【0078】従って、従来のような位置合わせの困難性
が格段に緩和され、接続時における良品率の低下を招く
ことを回避することが可能となっている。なお、このア
ライメントマーク4は、表示部2および駆動回路部3を
製造する過程で金属膜などをパターニングすることによ
って容易に作成することができる。
【0079】また、従来はTFT基板側がガラス基板な
どで形成されている関係上、ガラス基板の歪みや熱によ
る収縮などによってTFT基板側の端子のピッチが微妙
に変化して駆動回路基板側の端子の位置と一致しないよ
うな場合があった。しかしながら、本実施の形態3によ
れば、表示部2と駆動回路部3とを同じガラス基板など
の絶縁性表面を有するマザー基板上に形成しているた
め、双方に同程度の誤差が生じることになる。即ち、双
方に同程度の誤差が生じることによって、生じた誤差が
相殺されることになり、双方の端子の相対的な位置関係
には変化が生じることはなくなる。
【0080】ここで、図7では、十字状のアライメント
マーク4の例を示したが、アライメントマーク4はこれ
に限定されるものではない。例えば、図8に示すような
多角形状のものであっても全く差し支えない。このよう
なアライメントマーク4は、双方の端子の位置合わせを
容易にする目的を達成できるものであればよく、形状や
配置などについては適宜決定すればよい。
【0081】以上のように、本実施の形態1における電
極基板の製造方法によれば、表示部と駆動回路部とを極
めて容易に、かつ確実に接続することができるようにな
るため、最終的な良品率を大幅に向上させることが可能
であると共に、作業効率も大幅に向上させることが可能
となっている。
【0082】尚、上述した実施の形態1乃至3では、表
示部2として画素用TFTを形成したアクティブマトリ
クス型の場合に関して説明したが、表示部2は表示用電
極のみを形成した、いわゆる単純マトリクス型であって
も全く差し支えない。また、本発明の電極基板は、液晶
表示装置に限定されるものではなく、イメージセンサ
ー、サーマルヘッドなど、基板上に複数の電極を形成し
た電極基板とそれらの電極を駆動させるための駆動回路
部とを有する構成の装置に適用することができるもので
あり、ガラス基板などの透光性を有する基板を用いて製
造する際に特に好適な製造方法である。
【0083】
【発明の効果】以上のように、本発明の電極基板の製造
方法は、同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上
に、複数の電極部と、該複数の電極を駆動させるための
駆動回路部とを並行して形成し、双方が完成した後にそ
れぞれマザー基板を分断して複数の電極部に駆動回路部
を接続して電極基板を製造していることにより、液晶表
示装置を製造するために必要なガラス基板などの絶縁性
表面を有するマザー基板に無駄を生じさせることなく有
効に利用することが可能であり、完成した複数の電極部
と駆動回路部とを個々に検査して良品同士のみを接続す
ることができるため、最終的な良品率を向上させること
が可能である。
【0084】また、同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
ー基板上に、複数の電極部を複数組集中して配置すると
ともに、駆動回路部を該複数組集中して配置した複数の
電極部領域以外の領域に配置することにより、複数の電
極部に形成される素子と駆動回路部に形成される素子と
で異なる性能の素子を形成する場合であっても、工程が
複雑にならず、分断なども容易に行うことが可能であ
る。
【0085】また、同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
ー基板上に、複数の電極部を複数組分散して配置すると
ともに、駆動回路部を該複数組分散して配置した複数の
電極部同士の間隙に配置することにより、複数の電極部
と駆動回路部とが近接して配置されることになるため、
それぞれの素子特性のばらつきを緩和することが可能で
ある。
【0086】また、同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
ー基板上における複数の電極部の形成枚数と駆動回路部
の形成枚数とをそれぞれの良品率を考慮して異ならせる
ことにより、複数の電極部と駆動回路部との何れか一方
に過不足が生じることが無くなるため、効率よく電極基
板を製造することが可能である。
【0087】さらに、同じ絶縁性表面を有する1枚のマ
ザー基板上における複数の電極部および駆動回路部の双
方にそれぞれを接続するための端子部を形成するととも
に、該複数の電極部および駆動回路部の双方にそれぞれ
アライメントマークを形成することにより、複数の電極
部と駆動回路部との端子同士の接続のための位置合わせ
が容易となり、複数の電極部と駆動回路部との接続工程
における不良の発生を効果的に抑制することが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施の形態における表示部お
よび駆動回路部の配置を示すマザー基板の平面図であ
る。
【図2】図2は、本発明の実施の形態1における表示部
および駆動回路部の配置を示すマザー基板の平面図であ
る。
【図3】図3は、本発明の実施の形態1における表示部
および駆動回路部の他の配置を示すマザー基板の平面図
である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態1における駆動回
路部を示す平面図である。
【図5】図5は、本発明の実施の形態1における表示部
および駆動回路部の接続状態を示す斜視図である。
【図6】図6は、本発明の実施の形態2における表示部
および駆動回路部の配置を示すマザー基板の平面図であ
る。
【図7】図7は、本発明の実施の形態3における表示部
および駆動回路部の接続を示す斜視図である。
【図8】図8は、本発明の実施の形態3における表示部
および駆動回路部の他の接続を示す斜視図である。
【図9】図9は、従来の駆動回路部の配置を示すマザー
基板の平面図である。
【図10】図10は、従来の表示部(TFT基板)の配
置を示すマザー基板の平面図である。
【符号の説明】
1 絶縁性基板 2 表示部 3 駆動回路部 4 アライメントマーク 21 画素用TFT 22 配線 23 端子 31 駆動回路 32 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 HA17 HA40 NA55 NA60 QA12 QA13 RA05 TA01 TA03 TA09 2H092 GA59 KA04 KA07 MA08 MA13 MA17 MA30 PA06 QA07 5C094 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 EA04 EB05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の電極と、該複数の電極を駆動する
    ための駆動回路とを有する電極基板の製造方法におい
    て、 同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上に、前記複
    数の電極部と前記駆動回路部とをそれぞれ複数組形成す
    る工程と、 前記複数の電極部および前記駆動回路部の双方が完成し
    た後、それぞれマザー基板を分断して、複数の電極を有
    する基板と駆動回路を有する基板とを作製する工程と、 前記複数の電極を有する基板上に前記駆動回路を有する
    基板を接続する工程と、を含むことを特徴とする電極基
    板の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
    ー基板上に、前記複数の電極部と前記駆動回路部とをそ
    れぞれ複数組形成する工程において、 該複数の電極部は、該同じ絶縁性表面を有する1枚のマ
    ザー基板上に複数組が集中して配置されるとともに、該
    駆動回路部は、該複数組が集中して配置された複数の電
    極部領域以外の領域に配置されることを特徴とする請求
    項1に記載の電極基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
    ー基板上に、前記複数の電極部と前記駆動回路部とをそ
    れぞれ複数組形成する工程において、 該複数の電極部は、該同じ絶縁性表面を有する1枚のマ
    ザー基板上に複数組が分散して配置されるとともに、該
    駆動回路部は、該複数組が分散して配置された複数の電
    極部同士の間隙に配置されることを特徴とする請求項1
    に記載の電極基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
    ー基板上に、前記複数の電極部と前記駆動回路部とをそ
    れぞれ複数組形成する工程において、 該同じ絶縁性表面を有する1枚のマザー基板上における
    該複数の電極部の形成枚数と該駆動回路部の形成枚数と
    が異なっていることを特徴とする請求項1乃至3に記載
    の電極基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記同じ絶縁性表面を有する1枚のマザ
    ー基板上に、前記複数の電極部と前記駆動回路部とをそ
    れぞれ複数組形成する工程において、 該複数の電極部および該駆動回路部には、それぞれを接
    続するための端子部が双方に形成されるとともに、該複
    数の電極部および該駆動回路部には、それぞれアライメ
    ントマークが形成されることを特徴とする請求項1乃至
    4に記載の電極基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002091332A (ja) * 2000-05-12 2002-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7273403B2 (en) 2001-12-27 2007-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing flat display panels of different sizes from a common base substrate
US7995024B2 (en) 2000-05-12 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

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