JP2000007481A - 単結晶育成方法 - Google Patents
単結晶育成方法Info
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- JP2000007481A JP2000007481A JP18122798A JP18122798A JP2000007481A JP 2000007481 A JP2000007481 A JP 2000007481A JP 18122798 A JP18122798 A JP 18122798A JP 18122798 A JP18122798 A JP 18122798A JP 2000007481 A JP2000007481 A JP 2000007481A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 種子結晶を用意しなくても、所望の大きさの
単結晶を容易に育成することができる単結晶育成方法を
提供すること。 【解決手段】 融液８からの凝固を利用して単結晶９を
育成する方法において、前記融液８を収容する容器４の
底部にインターカレーション機能を有する層状結晶７を
設け、この層状結晶７の結晶層間に融液を侵入させ、そ
の状態で容器４を冷却することにより微細結晶核を形成
し、この微細結晶核を基に単結晶化成長を行わせるよう
にした。
単結晶を容易に育成することができる単結晶育成方法を
提供すること。 【解決手段】 融液８からの凝固を利用して単結晶９を
育成する方法において、前記融液８を収容する容器４の
底部にインターカレーション機能を有する層状結晶７を
設け、この層状結晶７の結晶層間に融液を侵入させ、そ
の状態で容器４を冷却することにより微細結晶核を形成
し、この微細結晶核を基に単結晶化成長を行わせるよう
にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＮａＩやＧａＡ
ｓなど各種の単結晶を育成する方法に関する。
ｓなど各種の単結晶を育成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶の育成方法として、ＣＺ法（チョ
クラルスキー法）やブリッジマン法が公知である。ＣＺ
法は、鉛直方向に保持された種子結晶（所望する結晶方
位をもった核となる小さな単結晶）の一端を、融液の表
面に接触させ、これを静かに回転させながら引上げ、種
子結晶と同じ方位をもつ単結晶に成長させる方法であ
る。
クラルスキー法）やブリッジマン法が公知である。ＣＺ
法は、鉛直方向に保持された種子結晶（所望する結晶方
位をもった核となる小さな単結晶）の一端を、融液の表
面に接触させ、これを静かに回転させながら引上げ、種
子結晶と同じ方位をもつ単結晶に成長させる方法であ
る。
【０００３】また、ブリッジマン法は、例えば図３に示
すように、粉末状の原料を収容した石英製の下端２１ａ
が尖った容器２１を、成長炉２２の上方に設けられた昇
降装置２３によって、原料の融点以上の温度領域２４と
融点以下の温度領域２５の間を昇降できるように、成長
炉２２内に鉛直に保持し、前記容器２１を高温側２４に
おいて加熱して前記原料を溶融して融液とした後、低温
側２５にゆっくりと移動させ、融液を高温と低温との中
間領域で結晶化させる方法である。なお、図２におい
て、２６はモータである。
すように、粉末状の原料を収容した石英製の下端２１ａ
が尖った容器２１を、成長炉２２の上方に設けられた昇
降装置２３によって、原料の融点以上の温度領域２４と
融点以下の温度領域２５の間を昇降できるように、成長
炉２２内に鉛直に保持し、前記容器２１を高温側２４に
おいて加熱して前記原料を溶融して融液とした後、低温
側２５にゆっくりと移動させ、融液を高温と低温との中
間領域で結晶化させる方法である。なお、図２におい
て、２６はモータである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＣＺ法によるときは、種子結晶を常に用意する必要
があり、また、上記従来のブリッジマン法は、ＣＺ法と
は異なり、種子結晶を用いなくてもよいが、温度が最初
に低くなる点を限定し、微細な核結晶を唯一つ生じさせ
るため、容器２１の下端２１ａを尖らせる必要があるな
ど、特殊な容器２１を用いる必要がある。また、このブ
リッジマン法では、核結晶を自然発生的に待つものであ
るため、育成に不安定さが伴うとともに、所望の大き
さ、特に大面積の単結晶が得ることができず、工業生産
手法としては必ずしも適していない。
来のＣＺ法によるときは、種子結晶を常に用意する必要
があり、また、上記従来のブリッジマン法は、ＣＺ法と
は異なり、種子結晶を用いなくてもよいが、温度が最初
に低くなる点を限定し、微細な核結晶を唯一つ生じさせ
るため、容器２１の下端２１ａを尖らせる必要があるな
ど、特殊な容器２１を用いる必要がある。また、このブ
リッジマン法では、核結晶を自然発生的に待つものであ
るため、育成に不安定さが伴うとともに、所望の大き
さ、特に大面積の単結晶が得ることができず、工業生産
手法としては必ずしも適していない。
【０００５】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、種子結晶を用意しなくても、所
望の大きさの単結晶を容易に育成することができる単結
晶育成方法を提供することである。
たもので、その目的は、種子結晶を用意しなくても、所
望の大きさの単結晶を容易に育成することができる単結
晶育成方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、融液からの凝固を利用して単結晶を
育成する方法において、前記融液を収容する容器の底部
にインターカレーション機能を有する層状結晶を設け、
この層状結晶の結晶層間に融液を侵入させ、その状態で
容器を冷却することにより微細結晶核を形成し、この微
細結晶核を基に単結晶化成長を行わせるようにしてい
る。
め、この発明では、融液からの凝固を利用して単結晶を
育成する方法において、前記融液を収容する容器の底部
にインターカレーション機能を有する層状結晶を設け、
この層状結晶の結晶層間に融液を侵入させ、その状態で
容器を冷却することにより微細結晶核を形成し、この微
細結晶核を基に単結晶化成長を行わせるようにしてい
る。
【０００７】ここで、インターカレーション（ｉｎｔｅ
ｒｃａｌａｔｉｏｎ）とは、層状結晶の層間に、結晶を
構成するもの以外に異種原子や分子などが侵入し、母結
晶内に取り込まれたり化合物を形成する現象のことをい
う。層状結晶とは、結晶の３つの主軸のうち、１つの軸
方向の格子定数が他の２つの格子定数に比べて格段に大
きい構造をとる結晶で、層の間はファン・デル・ワール
ス力のような弱い結合で結ばれることが多い。代表的な
例の１つに黒鉛があり、アルカリ土類金属、希土類金属
およびハロゲン、金属ハロゲン化物などが層間に侵入し
て化合物を形成することが知られている。
ｒｃａｌａｔｉｏｎ）とは、層状結晶の層間に、結晶を
構成するもの以外に異種原子や分子などが侵入し、母結
晶内に取り込まれたり化合物を形成する現象のことをい
う。層状結晶とは、結晶の３つの主軸のうち、１つの軸
方向の格子定数が他の２つの格子定数に比べて格段に大
きい構造をとる結晶で、層の間はファン・デル・ワール
ス力のような弱い結合で結ばれることが多い。代表的な
例の１つに黒鉛があり、アルカリ土類金属、希土類金属
およびハロゲン、金属ハロゲン化物などが層間に侵入し
て化合物を形成することが知られている。
【０００８】この発明の単結晶育成方法においては、従
来のＣＺ法とは異なり、種子結晶を必要としない。ま
た、従来のブリッジマン法と異なり、特殊な形状の容器
を用いる必要がない。そして、大面積の単結晶を容易に
しかも確実に得ることができる。さらに、この単結晶育
成方法は、アルカリハライドやフッ化物、ＧａＡｓ、Ｓ
ｉ、Ｇｅなどの単結晶のほか、薄膜単結晶の育成など各
種の単結晶の育成に適用することができる。
来のＣＺ法とは異なり、種子結晶を必要としない。ま
た、従来のブリッジマン法と異なり、特殊な形状の容器
を用いる必要がない。そして、大面積の単結晶を容易に
しかも確実に得ることができる。さらに、この単結晶育
成方法は、アルカリハライドやフッ化物、ＧａＡｓ、Ｓ
ｉ、Ｇｅなどの単結晶のほか、薄膜単結晶の育成など各
種の単結晶の育成に適用することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、図面を参照
しながら説明する。この実施の形態では、ブリッジマン
法にこの発明の単結晶育成方法を適用して、ＮａＩの単
結晶を育成する例を示している。
しながら説明する。この実施の形態では、ブリッジマン
法にこの発明の単結晶育成方法を適用して、ＮａＩの単
結晶を育成する例を示している。
【００１０】図１は、上記単結晶育成方法を実施するた
めの装置の一構成例を概略的に示すもので、図１
（Ｂ），（Ｃ）において、１は成長炉で，その内部はヒ
ータ２によって加熱され、その内部の温度分布は、同図
（Ａ）に示すようになっている。この温度分布を示す同
図（Ａ）において、Ｔm は例えばＮａＩの融点である。
そして、成長炉１は、境界線３から下方は融点より低
く、しかも下方ほど低くなっている。また、境界線３か
ら上方は融点より高く、途中に温度のピーク点があり、
上方にいくほどなだらかに温度が低くなるようにしてあ
る。
めの装置の一構成例を概略的に示すもので、図１
（Ｂ），（Ｃ）において、１は成長炉で，その内部はヒ
ータ２によって加熱され、その内部の温度分布は、同図
（Ａ）に示すようになっている。この温度分布を示す同
図（Ａ）において、Ｔm は例えばＮａＩの融点である。
そして、成長炉１は、境界線３から下方は融点より低
く、しかも下方ほど低くなっている。また、境界線３か
ら上方は融点より高く、途中に温度のピーク点があり、
上方にいくほどなだらかに温度が低くなるようにしてあ
る。
【００１１】４は前記温度分布を有する成長炉１内に設
けられる例えば石英よりなるるつぼで、その底面はフラ
ットである。このるつぼ４は、図示していない昇降装置
によって上下方向に昇降できるように鉛直な状態で吊り
下げ保持されている。５は吊り下げ用ワイヤー、６は滑
車である。
けられる例えば石英よりなるるつぼで、その底面はフラ
ットである。このるつぼ４は、図示していない昇降装置
によって上下方向に昇降できるように鉛直な状態で吊り
下げ保持されている。５は吊り下げ用ワイヤー、６は滑
車である。
【００１２】次に、上記構成の装置を用いて単結晶を育
成させる手順について説明すると、まず、るつぼ４内の
底部にインターカレーション機能を有する黒鉛を適宜の
シート状（例えば、厚さ１ｍｍ×るつぼ４の内底面積）
に形成した層状結晶シート７を水平な状態に設ける。こ
の場合、層状結晶シート７は、予め、表面を清浄にして
おくのが好ましい。そして、るつぼ４内に原料として粉
粒状のＮａＩを入れ、層状結晶シート７の上面側に配置
する。
成させる手順について説明すると、まず、るつぼ４内の
底部にインターカレーション機能を有する黒鉛を適宜の
シート状（例えば、厚さ１ｍｍ×るつぼ４の内底面積）
に形成した層状結晶シート７を水平な状態に設ける。こ
の場合、層状結晶シート７は、予め、表面を清浄にして
おくのが好ましい。そして、るつぼ４内に原料として粉
粒状のＮａＩを入れ、層状結晶シート７の上面側に配置
する。
【００１３】上記の状態においてヒータ２に通電を行っ
て、るつぼ４を加熱すると、るつぼ４内の粉粒状のＮａ
Ｉが溶解して融液８になる。最下層の融液が層状結晶シ
ート７に接触する。そして、この融液８におけるＮａＩ
分子は、層状結晶シート７の結晶層間に侵入し、層間内
に一定の方向に配列され、固定化される。
て、るつぼ４を加熱すると、るつぼ４内の粉粒状のＮａ
Ｉが溶解して融液８になる。最下層の融液が層状結晶シ
ート７に接触する。そして、この融液８におけるＮａＩ
分子は、層状結晶シート７の結晶層間に侵入し、層間内
に一定の方向に配列され、固定化される。
【００１４】そして、前記粉粒状のＮａＩが全て融液に
なると、図１（Ｂ）に示すように、るつぼ４を下降させ
て成長炉１の低温領域（境界線３より下方）において、
るつぼ４を冷却する。これにより、るつぼ４内の層状結
晶シート７が冷却され、前記一定の方向に配列されたＮ
ａＩ分子成長し、微細結晶核となる。この場合、多数の
結晶核が発生しても、各結晶核の方位が互いに一致して
いるので、層状結晶シート７を基にして成長した結晶
は、単一結晶として成長する。
なると、図１（Ｂ）に示すように、るつぼ４を下降させ
て成長炉１の低温領域（境界線３より下方）において、
るつぼ４を冷却する。これにより、るつぼ４内の層状結
晶シート７が冷却され、前記一定の方向に配列されたＮ
ａＩ分子成長し、微細結晶核となる。この場合、多数の
結晶核が発生しても、各結晶核の方位が互いに一致して
いるので、層状結晶シート７を基にして成長した結晶
は、単一結晶として成長する。
【００１５】そして、図１（Ｃ）に示すように、前記る
つぼ４を徐々に下降させることにより、前記微細結晶核
を基に単結晶化成長が行われ、所望の単結晶９が得られ
る。
つぼ４を徐々に下降させることにより、前記微細結晶核
を基に単結晶化成長が行われ、所望の単結晶９が得られ
る。
【００１６】この発明は、上述の実施の形態に限られる
ものではなく、種々に変形して実施することができる。
すなわち、上記構成において、るつぼ４を上下動させる
のではなく、成長炉１の温度分布を変化させて、るつぼ
４を加熱したり、るつぼ４をその下方から徐々に冷却す
るよう静置法を採用してもよい。この静置法によれば、
直径１ｍといった巨大な単結晶を形成することができ
る。また、この静置法において、るつぼ４の冷却方法と
して、水冷法や、空冷法のほか、不活性ガスを用いるよ
うにしてもよい。
ものではなく、種々に変形して実施することができる。
すなわち、上記構成において、るつぼ４を上下動させる
のではなく、成長炉１の温度分布を変化させて、るつぼ
４を加熱したり、るつぼ４をその下方から徐々に冷却す
るよう静置法を採用してもよい。この静置法によれば、
直径１ｍといった巨大な単結晶を形成することができ
る。また、この静置法において、るつぼ４の冷却方法と
して、水冷法や、空冷法のほか、不活性ガスを用いるよ
うにしてもよい。
【００１７】また、この発明はブリッジマン法のみなら
ず、ＣＺ法にも適用できる。すなわち、ＣＺ法において
用いていた種子結晶の代わりに、層状結晶シート７を用
いるのである。
ず、ＣＺ法にも適用できる。すなわち、ＣＺ法において
用いていた種子結晶の代わりに、層状結晶シート７を用
いるのである。
【００１８】なお、層状結晶は、単結晶の材料によって
は、予め目的とする材料の元素成分あるいはその一部を
インターカレートさせる前処理を施してから使うように
してもよい。
は、予め目的とする材料の元素成分あるいはその一部を
インターカレートさせる前処理を施してから使うように
してもよい。
【００１９】そして、層状結晶は、天然材料または一般
工業材料をそのまま必要な形状に加工して用いてもよ
い。また、層状結晶は、各種の基板（例えば、セラミッ
クス、ガラス、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなど）上に、蒸
着、スパッタ、ＣＶＤ、ゾルゲルなど各種の薄膜形成方
法で、層形状方位を制御して堆積したものを使うように
してもよい。
工業材料をそのまま必要な形状に加工して用いてもよ
い。また、層状結晶は、各種の基板（例えば、セラミッ
クス、ガラス、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなど）上に、蒸
着、スパッタ、ＣＶＤ、ゾルゲルなど各種の薄膜形成方
法で、層形状方位を制御して堆積したものを使うように
してもよい。
【００２０】また、層状結晶は、多段に層が形成されて
いるが、層の形成方向と融液との関係は、図２（Ａ）に
示すように、平行（水平）の場合と、同図（Ｂ）に示す
ように、垂直の場合とがある。
いるが、層の形成方向と融液との関係は、図２（Ａ）に
示すように、平行（水平）の場合と、同図（Ｂ）に示す
ように、垂直の場合とがある。
【００２１】そして、層状結晶は、上記シート状のもの
に限られるものではなく、糸状、布状、あるいは適宜の
成形された形状のものにしてもよいことはいうまでもな
い。
に限られるものではなく、糸状、布状、あるいは適宜の
成形された形状のものにしてもよいことはいうまでもな
い。
【００２２】さらに、層状結晶としては、上記黒鉛のほ
かに、次のような物質を用いることができる。層状結晶
には、イオン交換性層状結晶と分子性層状結晶とがあ
る。まず、イオン交換性層状結晶としては、下記のよう
なものがある。陽イオン交換性のものとして、 ケイ酸塩…モンモリロナイト、バーミキュライト、ハイ
デライト チタン酸塩…Ｎａ2 Ｔｉ3 Ｏ7 、ＫＴｉＮｂＯ5 、Ｒｂ
x Ｍｎx Ｔｉ2-x Ｏ4 バナジン酸塩…ＫＶ3 Ｏ6 、Ｋ3 Ｖ5 Ｏ14、ＣａＶ6 Ｏ
16・ｎＨ2 Ｏ、Ｎａ（ＵＯ2 Ｖ3 Ｏ9 ）・ｎＨ2 Ｏ ウラン酸塩…Ｎａ2 Ｕ2 Ｏ7 、Ｋ2 Ｕ2 Ｏ7 リン酸塩…Ｚｒ（ＨＰＯ4 ）2 ・ｎＨ2 Ｏ、Ｔｉ（ＨＰ
Ｏ4 ）2 ・ｎＨ2 Ｏ、Ｎａ（ＵＯ2 ＰＯ4 ）・ｎＨ2 Ｏ ニオブ酸塩…ＫＮｂ3 Ｏ6 、Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ17、ＫＣａ2
Ｎｂ3 Ｏ10 タングステン酸塩…Ｎａ2 Ｗ4 Ｏ13、Ａｇ4 Ｗ10Ｏ33 モリブデン酸塩…Ｍｇ2 Ｍｏ2 Ｏ17、Ｃｓ2 Ｍｏ
2 Ｏ14、Ｃｓ2 Ｍｏ7 Ｏ22、Ａｇ4 Ｍｏ10Ｏ33 があり、また、イオン交換性のものとして、 〔Ｍｇ4 Ａｌ2 （ＯＨ）12〕ＣＯ3 、〔Ａｌ2 Ｌｉ（Ｏ
Ｈ）4 〕ＮＯ3 、Ｃｕ2 （ＯＨ）3 （ＯＣＯＣＨ3 ）・
Ｈ2 Ｏ がある。
かに、次のような物質を用いることができる。層状結晶
には、イオン交換性層状結晶と分子性層状結晶とがあ
る。まず、イオン交換性層状結晶としては、下記のよう
なものがある。陽イオン交換性のものとして、 ケイ酸塩…モンモリロナイト、バーミキュライト、ハイ
デライト チタン酸塩…Ｎａ2 Ｔｉ3 Ｏ7 、ＫＴｉＮｂＯ5 、Ｒｂ
x Ｍｎx Ｔｉ2-x Ｏ4 バナジン酸塩…ＫＶ3 Ｏ6 、Ｋ3 Ｖ5 Ｏ14、ＣａＶ6 Ｏ
16・ｎＨ2 Ｏ、Ｎａ（ＵＯ2 Ｖ3 Ｏ9 ）・ｎＨ2 Ｏ ウラン酸塩…Ｎａ2 Ｕ2 Ｏ7 、Ｋ2 Ｕ2 Ｏ7 リン酸塩…Ｚｒ（ＨＰＯ4 ）2 ・ｎＨ2 Ｏ、Ｔｉ（ＨＰ
Ｏ4 ）2 ・ｎＨ2 Ｏ、Ｎａ（ＵＯ2 ＰＯ4 ）・ｎＨ2 Ｏ ニオブ酸塩…ＫＮｂ3 Ｏ6 、Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ17、ＫＣａ2
Ｎｂ3 Ｏ10 タングステン酸塩…Ｎａ2 Ｗ4 Ｏ13、Ａｇ4 Ｗ10Ｏ33 モリブデン酸塩…Ｍｇ2 Ｍｏ2 Ｏ17、Ｃｓ2 Ｍｏ
2 Ｏ14、Ｃｓ2 Ｍｏ7 Ｏ22、Ａｇ4 Ｍｏ10Ｏ33 があり、また、イオン交換性のものとして、 〔Ｍｇ4 Ａｌ2 （ＯＨ）12〕ＣＯ3 、〔Ａｌ2 Ｌｉ（Ｏ
Ｈ）4 〕ＮＯ3 、Ｃｕ2 （ＯＨ）3 （ＯＣＯＣＨ3 ）・
Ｈ2 Ｏ がある。
【００２３】そして、分子性層状結晶としては、下記の
ようなものがある。 単体…黒鉛 カルコゲン化合物…遷移金属ジカルコゲン化物（ＴｉＳ
2 、ＮｂＳｅ2 、ＭｏＳ2 など） 二価金属リンカルコゲン化物（ＭＰＳ3 、ＭＰＳｅ3 な
ど） 酸化物…ＭｏＯ3 、Ｖ2 Ｏ5 水酸化物…Ｚｎ（ＯＨ）2 、Ｃｕ（ＯＨ）2 オキシハロゲン化物…ＦｅＯＣｌ、ＶＯＣｌ、ＣｒＯＣ
ｌ 窒化ハロゲン化物…ＺｒＮＣｌ、ＺｒＮＢｒ ケイ酸塩…カオリナイト、ハロイサイト、Ｈ2 Ｓｉ2 Ｏ
5 、Ｈ2 Ｓｉ14Ｏ29・５Ｈ2 Ｏ その他…Ｎｉ（ＣＮ）2 、ＶＯＳＯ4 、Ａｇ2 Ｃ2 Ｏ がある。
ようなものがある。 単体…黒鉛 カルコゲン化合物…遷移金属ジカルコゲン化物（ＴｉＳ
2 、ＮｂＳｅ2 、ＭｏＳ2 など） 二価金属リンカルコゲン化物（ＭＰＳ3 、ＭＰＳｅ3 な
ど） 酸化物…ＭｏＯ3 、Ｖ2 Ｏ5 水酸化物…Ｚｎ（ＯＨ）2 、Ｃｕ（ＯＨ）2 オキシハロゲン化物…ＦｅＯＣｌ、ＶＯＣｌ、ＣｒＯＣ
ｌ 窒化ハロゲン化物…ＺｒＮＣｌ、ＺｒＮＢｒ ケイ酸塩…カオリナイト、ハロイサイト、Ｈ2 Ｓｉ2 Ｏ
5 、Ｈ2 Ｓｉ14Ｏ29・５Ｈ2 Ｏ その他…Ｎｉ（ＣＮ）2 、ＶＯＳＯ4 、Ａｇ2 Ｃ2 Ｏ がある。
【００２４】なお、この発明の単結晶育成方法は、蒸
着、スパッタ、ＣＶＤ（化学蒸着法）、ＭＢＥ（分子ビ
ームエピタキシャル法）などの装置によってエピタキシ
ャル成長させる薄膜単結晶育成法にも同様に適用するこ
とができる。図３は、ＣＶＤ装置１０内に、例えばセラ
ミックス基板１０を設け、その上面に層状結晶７および
単結晶９を設けた状態で、成分ガスＧを供給して所望の
薄膜単結晶の育成を行うようにした例を示す図である。
着、スパッタ、ＣＶＤ（化学蒸着法）、ＭＢＥ（分子ビ
ームエピタキシャル法）などの装置によってエピタキシ
ャル成長させる薄膜単結晶育成法にも同様に適用するこ
とができる。図３は、ＣＶＤ装置１０内に、例えばセラ
ミックス基板１０を設け、その上面に層状結晶７および
単結晶９を設けた状態で、成分ガスＧを供給して所望の
薄膜単結晶の育成を行うようにした例を示す図である。
【００２５】
【発明の効果】この発明の単結晶育成方法によれば、融
液を収容する容器の底部にインターカレーション機能を
有する層状結晶を設け、この層状結晶の結晶層間に融液
を侵入させ、その状態で容器を冷却することにより微細
結晶核を形成し、この微細結晶核を基に単結晶化成長を
行わせるようにしているので、所望の単結晶を容易にし
かも確実に形成することができる。
液を収容する容器の底部にインターカレーション機能を
有する層状結晶を設け、この層状結晶の結晶層間に融液
を侵入させ、その状態で容器を冷却することにより微細
結晶核を形成し、この微細結晶核を基に単結晶化成長を
行わせるようにしているので、所望の単結晶を容易にし
かも確実に形成することができる。
【図１】この発明の単結晶育成方法を説明するための図
である。
である。
【図２】融液と層状結晶との配置関係を示す図である。
【図３】薄膜単結晶の育成方法の一例を示す図である。
【図４】従来技術を説明するための図である。
４…容器、７…層状結晶、８…融液、９…単結晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川崎 宏一 神奈川県茅ヶ崎市赤羽根1361 株式会社東 京電子冶金研究所内 (72)発明者 前島 善文 神奈川県茅ヶ崎市赤羽根1361 株式会社東 京電子冶金研究所内 Ｆターム(参考） 4G050 DB04 DB31 4G077 AA02 BE04 BE46 CD02 ED01
Claims (1)
- 【請求項１】 融液からの凝固を利用して単結晶を育成
する方法において、前記融液を収容する容器の底部にイ
ンターカレーション機能を有する層状結晶を設け、この
層状結晶の結晶層間に融液を侵入させ、その状態で容器
を冷却することにより微細結晶核を形成し、この微細結
晶核を基に単結晶化成長を行わせることを特徴とする単
結晶育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18122798A JP2000007481A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 単結晶育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18122798A JP2000007481A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 単結晶育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000007481A true JP2000007481A (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=16097041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18122798A Pending JP2000007481A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 単結晶育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000007481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101866478B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2018-06-11 | 선문대학교 산학협력단 | 유기용매를 이용한 꽃송이버섯(Sparassis crispa) 추출물의 제조방법 |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP18122798A patent/JP2000007481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101866478B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2018-06-11 | 선문대학교 산학협력단 | 유기용매를 이용한 꽃송이버섯(Sparassis crispa) 추출물의 제조방법 |
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