JP2000001445A - ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法 - Google Patents
ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2000001445A JP2000001445A JP16507798A JP16507798A JP2000001445A JP 2000001445 A JP2000001445 A JP 2000001445A JP 16507798 A JP16507798 A JP 16507798A JP 16507798 A JP16507798 A JP 16507798A JP 2000001445 A JP2000001445 A JP 2000001445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- halogenoalkylstyrene
- boiling point
- derivative
- high boiling
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 副生するポリマーを効率よく除去し、高純度
のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を製造する方法
を提供する。 【解決手段】 高沸成分を含有する下記一般式（１） 【化１】 （上記一般式中、ｎは３〜８の整数、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは水素原子、アルキル基或いはハロゲン原子をそ
れぞれ表す）で表されるω−ハロゲノアルキルスチレン
誘導体を、高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留するω−ハロ
ゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法。
のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を製造する方法
を提供する。 【解決手段】 高沸成分を含有する下記一般式（１） 【化１】 （上記一般式中、ｎは３〜８の整数、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは水素原子、アルキル基或いはハロゲン原子をそ
れぞれ表す）で表されるω−ハロゲノアルキルスチレン
誘導体を、高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留するω−ハロ
ゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機能性材料、例え
ば医薬や農薬を製造する上で重要な有機中間体であるω
−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法に関す
る。詳しくは副生するポリマーを効率よく除去すること
のできるω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方
法に関する。
ば医薬や農薬を製造する上で重要な有機中間体であるω
−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法に関す
る。詳しくは副生するポリマーを効率よく除去すること
のできるω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ω−ハロゲノアルキルスチレン誘
導体は、種々の機能剤の原料として使用されている。例
えば、医薬（例えば、コレステロール低減剤）、農薬中
間体原料、イオン交換樹脂、イオン交換膜、イオン交換
繊維、固相合成用担体、コンビナトリアル合成用担体、
クロマトグラフィー用（カラム充填剤）担体、キレート
樹脂、固定化担体、機能性膜、吸着剤、高性能ポリマ
ー、感光性材料、電導性材料、シランカップリング剤等
が挙げられる。
導体は、種々の機能剤の原料として使用されている。例
えば、医薬（例えば、コレステロール低減剤）、農薬中
間体原料、イオン交換樹脂、イオン交換膜、イオン交換
繊維、固相合成用担体、コンビナトリアル合成用担体、
クロマトグラフィー用（カラム充填剤）担体、キレート
樹脂、固定化担体、機能性膜、吸着剤、高性能ポリマ
ー、感光性材料、電導性材料、シランカップリング剤等
が挙げられる。
【０００３】ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造法
に関しては、多くの提案がなされている。例えば特開平
４−３４９９４１号公報には、クロロメチルスチレン
（ＣＭＳ）のグリニャール試薬（ビニルベンジルマグネ
シウムハライド）に１，（ω−１）−ジハロゲノアルカ
ンを作用させ、ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を
合成する方法が、また、J. of Polymer Science and Po
lymer Chemistry Edition,２０巻、１９８２年 Ｐ３０
１５には、クロロスチレンを原料とした３−ブロモプロ
ピルスチレンの合成法が開示されている。
に関しては、多くの提案がなされている。例えば特開平
４−３４９９４１号公報には、クロロメチルスチレン
（ＣＭＳ）のグリニャール試薬（ビニルベンジルマグネ
シウムハライド）に１，（ω−１）−ジハロゲノアルカ
ンを作用させ、ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を
合成する方法が、また、J. of Polymer Science and Po
lymer Chemistry Edition,２０巻、１９８２年 Ｐ３０
１５には、クロロスチレンを原料とした３−ブロモプロ
ピルスチレンの合成法が開示されている。
【０００４】しかしながら、この製造法では、目的物の
ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体は得られるが、目
的物のポリマー、ω−ハロゲノアルキルスチレンポリマ
ーがある程度副生する。反応で副生したポリマーを除去
する方法としては、通常、カラムクロマトグラフィーや
真空蒸留により精製する方法が知られており、これらの
方法でも副生ポリマーを除去してハロゲノアルキルスチ
レン誘導体を高純度で得ることができる。 例えばカラ
ムクロマトグラフィー精製では、ポリマー成分は吸着さ
れるため、溶離した溶液中にはポリマーは含まれない。
また真空蒸留精製の場合、通常ポリマー成分はモノマー
より沸点が高いため、釜残として最後まで残り簡単に除
去することができる。
ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体は得られるが、目
的物のポリマー、ω−ハロゲノアルキルスチレンポリマ
ーがある程度副生する。反応で副生したポリマーを除去
する方法としては、通常、カラムクロマトグラフィーや
真空蒸留により精製する方法が知られており、これらの
方法でも副生ポリマーを除去してハロゲノアルキルスチ
レン誘導体を高純度で得ることができる。 例えばカラ
ムクロマトグラフィー精製では、ポリマー成分は吸着さ
れるため、溶離した溶液中にはポリマーは含まれない。
また真空蒸留精製の場合、通常ポリマー成分はモノマー
より沸点が高いため、釜残として最後まで残り簡単に除
去することができる。
【０００５】しかしながら、カラム精製では大量に製造
する場合には多大の費用（溶媒、充填剤、時間）がかか
る。一方、真空蒸留は、ハロゲノアルキルスチレン誘導
体を少量取得する場合には可能である。しかし、ハロゲ
ノアルキルスチレンの以下のような性質、つまり、ス
チレン誘導体の沸点が比較的高い、スチレン誘導体の
熱重合性が高い、末端官能基の熱安定性に問題があ
る、等の性質により、大量に目的物を得るには、（バッ
チ式）真空蒸留法は好ましくない。
する場合には多大の費用（溶媒、充填剤、時間）がかか
る。一方、真空蒸留は、ハロゲノアルキルスチレン誘導
体を少量取得する場合には可能である。しかし、ハロゲ
ノアルキルスチレンの以下のような性質、つまり、ス
チレン誘導体の沸点が比較的高い、スチレン誘導体の
熱重合性が高い、末端官能基の熱安定性に問題があ
る、等の性質により、大量に目的物を得るには、（バッ
チ式）真空蒸留法は好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これに対し、薄膜蒸留
法はハロゲノアルキルスチレン誘導体のような重合性モ
ノマーを、短い滞留時間で処理するには適している。し
かしながら薄膜蒸留法においてもスチレン誘導体とその
ポリマーを分離する工程では、蒸留条件によっては、缶
出成分（釜残）にスチレン誘導体が含まれないため、缶
出成分の流動性を失い乾固し、ワイパーの攪拌が続けら
れなくなる。また遠心式薄膜蒸留法でも、濃縮されたポ
リマーで遠心盤上に液膜が形成しにくくなり、分離性が
低下し、蒸留が困難になる。
法はハロゲノアルキルスチレン誘導体のような重合性モ
ノマーを、短い滞留時間で処理するには適している。し
かしながら薄膜蒸留法においてもスチレン誘導体とその
ポリマーを分離する工程では、蒸留条件によっては、缶
出成分（釜残）にスチレン誘導体が含まれないため、缶
出成分の流動性を失い乾固し、ワイパーの攪拌が続けら
れなくなる。また遠心式薄膜蒸留法でも、濃縮されたポ
リマーで遠心盤上に液膜が形成しにくくなり、分離性が
低下し、蒸留が困難になる。
【０００７】上述した通り公知の方法では、効率よく高
純度のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を製造する
ことは困難であった。本発明は上記実情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、ω−ハロゲノアルキルスチ
レンを製造する方法において、副生するポリマー等の高
沸成分を効率よく除去し、ω−ハロゲノアルキルスチレ
ン誘導体を安価で効率的に製造する方法を提供すること
にある。
純度のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体を製造する
ことは困難であった。本発明は上記実情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、ω−ハロゲノアルキルスチ
レンを製造する方法において、副生するポリマー等の高
沸成分を効率よく除去し、ω−ハロゲノアルキルスチレ
ン誘導体を安価で効率的に製造する方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、ω−ハロゲノア
ルキルスチレン誘導体の製造方法において、化学的に安
定な高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留精製を行うことによ
り、釜残成分の流動性を保ちながら、ω−ハロゲノアル
キルスチレン誘導体を高純度で回収できることを見い出
して本発明に到達した。即ち、本発明の要旨は、高沸成
分を含有する下記一般式（１）
的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、ω−ハロゲノア
ルキルスチレン誘導体の製造方法において、化学的に安
定な高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留精製を行うことによ
り、釜残成分の流動性を保ちながら、ω−ハロゲノアル
キルスチレン誘導体を高純度で回収できることを見い出
して本発明に到達した。即ち、本発明の要旨は、高沸成
分を含有する下記一般式（１）
【０００９】
【化２】
【００１０】（上記一般式中、ｎは３〜８の整数、Ｘは
ハロゲン原子、Ｒは水素原子、アルキル基或いはハロゲ
ン原子をそれぞれ表す）で表されるω−ハロゲノアルキ
ルスチレン誘導体を、高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留す
ることを特徴とするω−ハロゲノアルキルスチレン誘導
体の製造方法、に存する。
ハロゲン原子、Ｒは水素原子、アルキル基或いはハロゲ
ン原子をそれぞれ表す）で表されるω−ハロゲノアルキ
ルスチレン誘導体を、高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留す
ることを特徴とするω−ハロゲノアルキルスチレン誘導
体の製造方法、に存する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明におけるω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体と
は、
本発明におけるω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体と
は、
【００１２】
【化３】
【００１３】上記一般式（１）で表される末端にハロゲ
ンを有する直鎖状アルキルスチレン誘導体である。式中
の、メチレン鎖数ｎは３〜８の整数である。式（１）で
表される化合物としては、例えば、ブロモプロピルスチ
レン、ヨードプロピルスチレン、クロロブチルスチレ
ン、ブロモブチルスチレン、クロロペンチルスチレン、
ヨードペンチルスチレン、クロロヘキシルスチレン、ブ
ロモヘキシルスチレン、ブロモオクチルスチレン等が挙
げられる。
ンを有する直鎖状アルキルスチレン誘導体である。式中
の、メチレン鎖数ｎは３〜８の整数である。式（１）で
表される化合物としては、例えば、ブロモプロピルスチ
レン、ヨードプロピルスチレン、クロロブチルスチレ
ン、ブロモブチルスチレン、クロロペンチルスチレン、
ヨードペンチルスチレン、クロロヘキシルスチレン、ブ
ロモヘキシルスチレン、ブロモオクチルスチレン等が挙
げられる。
【００１４】これらのスチレン誘導体は、特開平４−３
４９９４１号公報に開示されている方法等により製造す
ることができる。例えば、クロロメチル化した母体モノ
マー（例えばクロルメチルスチレン）に、グリニャール
法により、ポリアルキレンジハライドを反応させる方
法、またはクロル化した母体モノマー（クロルスチレ
ン）にグリニャール法によりポリアルキレンジハライド
を反応する方法等である。これらの方法により得られる
反応物には、目的物のω−ハロゲノアルキルスチレン誘
導体とともに、目的物のポリマー、即ちω−ハロゲノア
ルキルスチレンポリマー等の高沸成分が相当量含有され
る。
４９９４１号公報に開示されている方法等により製造す
ることができる。例えば、クロロメチル化した母体モノ
マー（例えばクロルメチルスチレン）に、グリニャール
法により、ポリアルキレンジハライドを反応させる方
法、またはクロル化した母体モノマー（クロルスチレ
ン）にグリニャール法によりポリアルキレンジハライド
を反応する方法等である。これらの方法により得られる
反応物には、目的物のω−ハロゲノアルキルスチレン誘
導体とともに、目的物のポリマー、即ちω−ハロゲノア
ルキルスチレンポリマー等の高沸成分が相当量含有され
る。
【００１５】本発明においては、上記方法により得られ
た目的生成物であるハロゲノアルキルスチレン誘導体と
副生物であるポリマー等の高沸成分を含有する反応混合
物を、薄膜蒸留によりハロゲノアルキルスチレン誘導体
を含む溶液とポリマー等の高沸成分とを分離する工程を
必須とする。そしてこの薄膜蒸留の際に、薄膜装置の蒸
発面で常に液膜が形成できるよう、薄膜装置の蒸発面の
塗れ剤として、高沸点溶媒を添加し薄膜蒸留することを
特徴とするものである。
た目的生成物であるハロゲノアルキルスチレン誘導体と
副生物であるポリマー等の高沸成分を含有する反応混合
物を、薄膜蒸留によりハロゲノアルキルスチレン誘導体
を含む溶液とポリマー等の高沸成分とを分離する工程を
必須とする。そしてこの薄膜蒸留の際に、薄膜装置の蒸
発面で常に液膜が形成できるよう、薄膜装置の蒸発面の
塗れ剤として、高沸点溶媒を添加し薄膜蒸留することを
特徴とするものである。
【００１６】この目的を達成するため、高沸点溶媒は以
下の条件を満たすことが好ましい。 高沸点溶媒の沸点が高いこと（少なくとも目的物のス
チレン誘導体よりも沸点が高いこと）、薄膜蒸留温度
・条件（滞留時間）で熱媒体が分解し、更に低沸点化合
物が生成しないこと、室温でも粘度が低いこと、ポ
リマー成分と熱媒体との相溶性がよいこと、高沸点溶
媒が安価であること、焼却処分する場合には、高沸点
溶媒の構成元素はＣ、Ｈ、Ｏから成ること（程度にもよ
るが少量のハロゲンを含んでいても良い）等である。
下の条件を満たすことが好ましい。 高沸点溶媒の沸点が高いこと（少なくとも目的物のス
チレン誘導体よりも沸点が高いこと）、薄膜蒸留温度
・条件（滞留時間）で熱媒体が分解し、更に低沸点化合
物が生成しないこと、室温でも粘度が低いこと、ポ
リマー成分と熱媒体との相溶性がよいこと、高沸点溶
媒が安価であること、焼却処分する場合には、高沸点
溶媒の構成元素はＣ、Ｈ、Ｏから成ること（程度にもよ
るが少量のハロゲンを含んでいても良い）等である。
【００１７】は、ハロゲノアルキルスチレン誘導体中
への高沸点溶媒を混入率を低く抑えるため、高沸点溶媒
の沸点はハロゲノアルキルスチレン誘導体中よりはるか
に高いことが望ましく、通常３００℃以上である。
は、高沸成分を除去する際の薄膜蒸留温度（真空度によ
り異なるが、約７０℃〜１８０℃）で高沸点媒体が分解
してはならない。は、高沸点媒体を取り扱う際、粘度
が低い方が作業性がよく、ハロゲノアルキルスチレン誘
導体を含む濃縮液と混合したとき、溶液の粘度を低くす
るためにも、高沸点溶媒の粘度はできる限り低いことが
好ましい。また高沸成分の薄膜蒸留後釜残の粘度を下げ
るためにも高沸点溶媒の粘度が低いことが好ましい。例
えば、２５℃における粘度が１０００ｃｐ以下であるこ
とが望ましい。
への高沸点溶媒を混入率を低く抑えるため、高沸点溶媒
の沸点はハロゲノアルキルスチレン誘導体中よりはるか
に高いことが望ましく、通常３００℃以上である。
は、高沸成分を除去する際の薄膜蒸留温度（真空度によ
り異なるが、約７０℃〜１８０℃）で高沸点媒体が分解
してはならない。は、高沸点媒体を取り扱う際、粘度
が低い方が作業性がよく、ハロゲノアルキルスチレン誘
導体を含む濃縮液と混合したとき、溶液の粘度を低くす
るためにも、高沸点溶媒の粘度はできる限り低いことが
好ましい。また高沸成分の薄膜蒸留後釜残の粘度を下げ
るためにも高沸点溶媒の粘度が低いことが好ましい。例
えば、２５℃における粘度が１０００ｃｐ以下であるこ
とが望ましい。
【００１８】は、高沸点溶媒とハロゲノアルキルスチ
レン誘導体を含む濃縮液を混合したとき、ポリマー成分
が析出/沈殿しないように、ポリマー成分に対して相溶
性が高くなければならない。例えば、グリセリンエステ
ル、ポリグリコール、セルロース、ポリビニルアルコー
ル等は、極性が高く、これらを添加すると沈殿が析出す
る。は、ハロゲノアルキルスチレン誘導体を安価に製
造するため、重要である。は、高沸成分の薄膜蒸留後
の釜残は、燃焼処分される。焼却処分を考え、リン原
子、硫黄、窒素原子、ケイ素原子の他、金属原子を含ま
ないことが望ましい。更に、ハロゲノアルキルスチレン
誘導体にはハロゲン原子が含まれるが、高沸点溶媒はハ
ロゲン原子を含まないことが望ましい。従って、高沸点
溶媒の構成元素は炭素原子、水素原子、必要に応じて酸
素原子であることが望ましい。
レン誘導体を含む濃縮液を混合したとき、ポリマー成分
が析出/沈殿しないように、ポリマー成分に対して相溶
性が高くなければならない。例えば、グリセリンエステ
ル、ポリグリコール、セルロース、ポリビニルアルコー
ル等は、極性が高く、これらを添加すると沈殿が析出す
る。は、ハロゲノアルキルスチレン誘導体を安価に製
造するため、重要である。は、高沸成分の薄膜蒸留後
の釜残は、燃焼処分される。焼却処分を考え、リン原
子、硫黄、窒素原子、ケイ素原子の他、金属原子を含ま
ないことが望ましい。更に、ハロゲノアルキルスチレン
誘導体にはハロゲン原子が含まれるが、高沸点溶媒はハ
ロゲン原子を含まないことが望ましい。従って、高沸点
溶媒の構成元素は炭素原子、水素原子、必要に応じて酸
素原子であることが望ましい。
【００１９】以上の条件を満たすものとして、反応器用
熱媒体として使用されているＳＫオイル（例えば、綜研
化学（株）製、商品名：ネオＳＫオイル１４００（沸点
３９１℃、粘度１５ｃｐ／４０℃）、ＳＫオイルＬ−４
００（沸点４４０℃、粘度１５９ｃｐ／０℃）、プラス
チックの可塑剤として添加されているフタル酸ジオクチ
ル（沸点３８６℃）、フタル酸ジイソノニル（粘度５５
ｃｐ／２５℃）、フタル酸−２−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジイソデシル（沸点４２０℃）、フタル酸ジイソト
リデシル（沸点２５０℃／２ｍｍＨｇ）、フタル酸ブチ
ルベンジル（沸点３７０℃）等のフタル酸ジエステル
類、トリメリット酸トリス−２−エチルヘキシル（沸点
４３０℃）等のトリメリット酸系可塑剤、リン酸トリク
レシル（沸点４２０℃、粘度５７ｃｐ／２５℃）、リン
酸トリス−２−エチルヘキシル（沸点２２０〜２５０℃
／５ｍｍＨｇ）、リン酸トリクロロエチル（沸点２１０
〜２２０℃／２０ｍｍＨｇ、粘度３５ｃｐ／２５
℃））、リン酸トリフェニル（沸点２６０℃／２０ｍｍ
Ｈｇ）等のリン酸エステル類、アジピン酸ジ−２−エチ
ルヘキシル、アジピン酸ジオクチル（沸点３３５℃）、
セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジオク
チル（沸点３７７℃）、マレイン酸ジ−２−エチルヘキ
シル（沸点１９５−２０７℃／５ｍｍＨｇ、粘度１７ｃ
ｐ／２３℃）等の脂肪酸二塩基酸エステル類、アセチル
リシノール酸ブチル等のオキシ酸エステル、その他、塩
素化パラフィン、塩素化ビフェニル、ジノニルナフタリ
ン等が挙げられる。この中で、フタル酸ジアルキルの可
塑剤が好ましい。例えば、フタル酸ジイソデシル（ＤＩ
ＤＰ）、フタル酸ジイソトリデシル（ＤＴＤＰ）、リン
酸トリクレシル等が挙げられる。
熱媒体として使用されているＳＫオイル（例えば、綜研
化学（株）製、商品名：ネオＳＫオイル１４００（沸点
３９１℃、粘度１５ｃｐ／４０℃）、ＳＫオイルＬ−４
００（沸点４４０℃、粘度１５９ｃｐ／０℃）、プラス
チックの可塑剤として添加されているフタル酸ジオクチ
ル（沸点３８６℃）、フタル酸ジイソノニル（粘度５５
ｃｐ／２５℃）、フタル酸−２−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジイソデシル（沸点４２０℃）、フタル酸ジイソト
リデシル（沸点２５０℃／２ｍｍＨｇ）、フタル酸ブチ
ルベンジル（沸点３７０℃）等のフタル酸ジエステル
類、トリメリット酸トリス−２−エチルヘキシル（沸点
４３０℃）等のトリメリット酸系可塑剤、リン酸トリク
レシル（沸点４２０℃、粘度５７ｃｐ／２５℃）、リン
酸トリス−２−エチルヘキシル（沸点２２０〜２５０℃
／５ｍｍＨｇ）、リン酸トリクロロエチル（沸点２１０
〜２２０℃／２０ｍｍＨｇ、粘度３５ｃｐ／２５
℃））、リン酸トリフェニル（沸点２６０℃／２０ｍｍ
Ｈｇ）等のリン酸エステル類、アジピン酸ジ−２−エチ
ルヘキシル、アジピン酸ジオクチル（沸点３３５℃）、
セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジオク
チル（沸点３７７℃）、マレイン酸ジ−２−エチルヘキ
シル（沸点１９５−２０７℃／５ｍｍＨｇ、粘度１７ｃ
ｐ／２３℃）等の脂肪酸二塩基酸エステル類、アセチル
リシノール酸ブチル等のオキシ酸エステル、その他、塩
素化パラフィン、塩素化ビフェニル、ジノニルナフタリ
ン等が挙げられる。この中で、フタル酸ジアルキルの可
塑剤が好ましい。例えば、フタル酸ジイソデシル（ＤＩ
ＤＰ）、フタル酸ジイソトリデシル（ＤＴＤＰ）、リン
酸トリクレシル等が挙げられる。
【００２０】高沸点溶媒の添加量は、副生するポリマー
の分子量により異なるが、含まれるポリマーの重量を基
準に、５０重量％〜１０００重量％が好ましい。更に
は、１００重量％〜４００重量％が好ましい。高沸点溶
媒の量が少なすぎる場合には薄膜装置の攪拌が困難にな
ったり、缶出液（釜残）の管が閉塞したりする。反対に
熱媒体が多すぎる場合には、ハロゲノアルキルスチレン
誘導体の生産効率が低下するばかりでなく、回収率も低
下する。
の分子量により異なるが、含まれるポリマーの重量を基
準に、５０重量％〜１０００重量％が好ましい。更に
は、１００重量％〜４００重量％が好ましい。高沸点溶
媒の量が少なすぎる場合には薄膜装置の攪拌が困難にな
ったり、缶出液（釜残）の管が閉塞したりする。反対に
熱媒体が多すぎる場合には、ハロゲノアルキルスチレン
誘導体の生産効率が低下するばかりでなく、回収率も低
下する。
【００２１】本発明において高沸点溶媒は、オリゴマー
・ポリマー成分を除去する際に存在すればよく、その添
加時点は特に限定されない。例えば高沸成分を最初に除
去する場合には、この薄膜蒸留の開始時に高沸点溶媒を
添加する必要がある。逆に、軽沸成分（溶媒・過剰に使
用した増炭剤等）を最初に除去し、高沸成分の除去を薄
膜蒸留の最終段階においてする場合には、最初から添加
しておいても良いが、高沸成分の除去の際に添加すれば
よい。本発明における薄膜蒸留において、滞留時間は、
一般に数秒〜５分、好ましくは数秒〜２分程度である。
また真空度は０．１〜１０ｍｍ／Ｈｇ、好ましくは０．
１〜２ｍｍ／Ｈｇ程度であり、温度は８０〜２００℃程
度である。。
・ポリマー成分を除去する際に存在すればよく、その添
加時点は特に限定されない。例えば高沸成分を最初に除
去する場合には、この薄膜蒸留の開始時に高沸点溶媒を
添加する必要がある。逆に、軽沸成分（溶媒・過剰に使
用した増炭剤等）を最初に除去し、高沸成分の除去を薄
膜蒸留の最終段階においてする場合には、最初から添加
しておいても良いが、高沸成分の除去の際に添加すれば
よい。本発明における薄膜蒸留において、滞留時間は、
一般に数秒〜５分、好ましくは数秒〜２分程度である。
また真空度は０．１〜１０ｍｍ／Ｈｇ、好ましくは０．
１〜２ｍｍ／Ｈｇ程度であり、温度は８０〜２００℃程
度である。。
【００２２】
【実施例】以下に実施例により本発明の具体的な態様を
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、これらの実施例によって限定されるものではない。
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、これらの実施例によって限定されるものではない。
【００２３】実施例１ ４−（４−ブロモブチル）スチレンの製造 窒素ガス導入管、ジムロー冷却管、枝管付き等圧滴下ロ
ート、水銀温度計、温度計用熱電対、攪拌羽根を備えた
ジャケット付き３Ｌ反応缶に金属マグネシウム１４０．
９ｇ（５．４０グラム原子、１．４５当量／ＣｌＳｔ）
を入れ、乾燥窒素ガスで充分置換し、ジャケット温度を
２０℃に設定した。一方、枝管付き等圧滴下ロートに乾
燥脱気ＴＨＦ８６５ｇ（３．０当量／ＣｌＳｔ）と乾燥
脱気トルエン９２１ｇ（２．５当量／ＣｌＳｔ）、乾燥
脱気クロロスチレン（ＣｌＳｔ）（４−クロロスチレン
のみ ５５４ｇ（４．０モル）の溶液を調製した。最
初、乾燥ＴＨＦ４０ｍｌを張り、ＣｌＳｔのＴＨＦ−Ｔ
Ｌ溶液３０ｍｌを滴下し、ここに１，２−ジブロモエタ
ンを０．３ｍｌ滴下すると、溶液が発泡しエチレンが発
生すると同時に、溶液の温度が急激に上昇し、一時的に
３８℃まで達した。数分後、溶液は淡灰緑色になり、更
に１０分後には暗緑色溶液となった。反応溶液が２５〜
２９℃になるように３時間かけ連続的に滴下した。滴下
終了後、内温が２７℃になるようにジャケット温度を調
整し、グリニャール試薬を滴下した。滴下終了後、３時
間攪拌すると、原料のクロロスチレンは０．１％以下
（ＨＰＬＣ分析）にまで減少した。調製したＣｌＳｔの
グリニャール試薬を１０℃まで冷却し、第２工程のグリ
ニャール反応に用いた。
ート、水銀温度計、温度計用熱電対、攪拌羽根を備えた
ジャケット付き３Ｌ反応缶に金属マグネシウム１４０．
９ｇ（５．４０グラム原子、１．４５当量／ＣｌＳｔ）
を入れ、乾燥窒素ガスで充分置換し、ジャケット温度を
２０℃に設定した。一方、枝管付き等圧滴下ロートに乾
燥脱気ＴＨＦ８６５ｇ（３．０当量／ＣｌＳｔ）と乾燥
脱気トルエン９２１ｇ（２．５当量／ＣｌＳｔ）、乾燥
脱気クロロスチレン（ＣｌＳｔ）（４−クロロスチレン
のみ ５５４ｇ（４．０モル）の溶液を調製した。最
初、乾燥ＴＨＦ４０ｍｌを張り、ＣｌＳｔのＴＨＦ−Ｔ
Ｌ溶液３０ｍｌを滴下し、ここに１，２−ジブロモエタ
ンを０．３ｍｌ滴下すると、溶液が発泡しエチレンが発
生すると同時に、溶液の温度が急激に上昇し、一時的に
３８℃まで達した。数分後、溶液は淡灰緑色になり、更
に１０分後には暗緑色溶液となった。反応溶液が２５〜
２９℃になるように３時間かけ連続的に滴下した。滴下
終了後、内温が２７℃になるようにジャケット温度を調
整し、グリニャール試薬を滴下した。滴下終了後、３時
間攪拌すると、原料のクロロスチレンは０．１％以下
（ＨＰＬＣ分析）にまで減少した。調製したＣｌＳｔの
グリニャール試薬を１０℃まで冷却し、第２工程のグリ
ニャール反応に用いた。
【００２４】グリニャール反応用に窒素ガス導入管、ジ
ムロー冷却管、水銀温度計、温度記録計用熱電対、攪拌
羽根、グリニャール溶液滴下管を備えたジャケット付き
５Ｌ反応缶を乾燥窒素で置換した。この中へ、ＴＨＦ１
１５ｇ（０．４当量／ＣｌＳｔ）、触媒Ｌｉ2 ＣｕＣｌ
4 １３．３ｇ（０．０６モル、１．５モル％／ClSt）を
入れ溶解すると、濃オレンジ色透明溶液となった。更
に、１,４−ジブロモブタン３４５４ｇ（１６．０モ
ル、４．０当量／ＣｌＳｔ）を加え１０℃まで冷却し
た。この中へ、左記に調製したグリニャール試薬を、内
温が１０℃を越えないようゆっくり３時間かけて滴下し
た。グリニャール試薬を約２０ｍｌ滴下すると、溶液は
濃オレンジ色から淡黄色溶液、更に無色透明溶液になっ
た。更に滴下を続けると、緑色から暗（黒）緑色透明溶
液になった。滴下終了後、１５℃で１時間攪拌し反応を
終了した。熟成後、溶液中にメタノール２０ｍｌを滴下
し、反応を完結した。目的物の４−（４−ブロモブチ
ル）スチレンの収率は８４％であった。他の成分は、
４，４−ジビニルビフェニル０．２％、１，４−ジビニ
ルフェニルブタン６．８％、スチレン２％、ポリマー
（ポリブロモブチルスチレン）約４％であった。脱塩水
を加え静置分液し、水相を除去した。減圧下、反応で使
用した溶媒のＴＨＦ、トルエン、及び反応で一部生成し
たスチレンを除去した。この濃縮液を、薄膜蒸留で更に
精製した。
ムロー冷却管、水銀温度計、温度記録計用熱電対、攪拌
羽根、グリニャール溶液滴下管を備えたジャケット付き
５Ｌ反応缶を乾燥窒素で置換した。この中へ、ＴＨＦ１
１５ｇ（０．４当量／ＣｌＳｔ）、触媒Ｌｉ2 ＣｕＣｌ
4 １３．３ｇ（０．０６モル、１．５モル％／ClSt）を
入れ溶解すると、濃オレンジ色透明溶液となった。更
に、１,４−ジブロモブタン３４５４ｇ（１６．０モ
ル、４．０当量／ＣｌＳｔ）を加え１０℃まで冷却し
た。この中へ、左記に調製したグリニャール試薬を、内
温が１０℃を越えないようゆっくり３時間かけて滴下し
た。グリニャール試薬を約２０ｍｌ滴下すると、溶液は
濃オレンジ色から淡黄色溶液、更に無色透明溶液になっ
た。更に滴下を続けると、緑色から暗（黒）緑色透明溶
液になった。滴下終了後、１５℃で１時間攪拌し反応を
終了した。熟成後、溶液中にメタノール２０ｍｌを滴下
し、反応を完結した。目的物の４−（４−ブロモブチ
ル）スチレンの収率は８４％であった。他の成分は、
４，４−ジビニルビフェニル０．２％、１，４−ジビニ
ルフェニルブタン６．８％、スチレン２％、ポリマー
（ポリブロモブチルスチレン）約４％であった。脱塩水
を加え静置分液し、水相を除去した。減圧下、反応で使
用した溶媒のＴＨＦ、トルエン、及び反応で一部生成し
たスチレンを除去した。この濃縮液を、薄膜蒸留で更に
精製した。
【００２５】ワイプレン（神鋼パンテック製、２−０３
型 伝熱表面積：０．０３４ｍ2 ）に、この濃縮液を３
００ｇ／ｈｒで供給し、７５℃／５〜１０ｍｍＨｇで
１，４−ジブロモブタンを除去した。１回目の薄膜製造
で４−（４−ブロモブチル）スチレンを５２％まで濃縮
した。更に、この濃縮液を４００ｇ／ｈｒで供給し、７
０℃／１〜２ｍｍＨｇで１，４−ジブロモブタンを除去
した。４−（４−ブロモブチル）スチレンを８２％まで
濃縮した。更に３回目の薄膜製造は、６７℃／０．５〜
０．８ｍｍＨｇで３００ｇ／ｈｒで供給し、９１％まで
濃縮し４−（４−ブロモブチル）スチレン８９０ｇを得
た。溶液は粘調な溶液になった。
型 伝熱表面積：０．０３４ｍ2 ）に、この濃縮液を３
００ｇ／ｈｒで供給し、７５℃／５〜１０ｍｍＨｇで
１，４−ジブロモブタンを除去した。１回目の薄膜製造
で４−（４−ブロモブチル）スチレンを５２％まで濃縮
した。更に、この濃縮液を４００ｇ／ｈｒで供給し、７
０℃／１〜２ｍｍＨｇで１，４−ジブロモブタンを除去
した。４−（４−ブロモブチル）スチレンを８２％まで
濃縮した。更に３回目の薄膜製造は、６７℃／０．５〜
０．８ｍｍＨｇで３００ｇ／ｈｒで供給し、９１％まで
濃縮し４−（４−ブロモブチル）スチレン８９０ｇを得
た。溶液は粘調な溶液になった。
【００２６】この濃縮液に、フタル酸ジイソトリデシル
（Ｃ１３ジエステル）（花王製；ビニサイザー２０）１
０５ｇを室温で添加し溶解した。濃縮液を１６０℃／
０．５ｍｍＨｇの蒸留条件で、２００ｇ／ｈｒで供給し
薄膜製造した。留出成分は、４−（４−ブロモブチル）
スチレン７６０ｇ、ジビニルフェニルブタン１０．５
ｇ、１，４−ジブロモブタン２３ｇ、フタル酸ジイソト
リデシル０．７ｇを得た。缶出成分は、フタル酸ジイソ
トリデシル１０１ｇ、４−（４−ブロモブチル）スチレ
ン０．６ｇ、ジビニルフェニルブタン２１．１ｇ、４−
（４−ブロモブチル）スチレンポリマー６５ｇであっ
た。分析は以下のように行った。
（Ｃ１３ジエステル）（花王製；ビニサイザー２０）１
０５ｇを室温で添加し溶解した。濃縮液を１６０℃／
０．５ｍｍＨｇの蒸留条件で、２００ｇ／ｈｒで供給し
薄膜製造した。留出成分は、４−（４−ブロモブチル）
スチレン７６０ｇ、ジビニルフェニルブタン１０．５
ｇ、１，４−ジブロモブタン２３ｇ、フタル酸ジイソト
リデシル０．７ｇを得た。缶出成分は、フタル酸ジイソ
トリデシル１０１ｇ、４−（４−ブロモブチル）スチレ
ン０．６ｇ、ジビニルフェニルブタン２１．１ｇ、４−
（４−ブロモブチル）スチレンポリマー６５ｇであっ
た。分析は以下のように行った。
【００２７】・ＨＰＬＣ分析；ＯＤＳカラム：Ｉｎｅｒ
ｔｓｉｌ ＯＤＳ−２、溶離液：８０％ＭｅＯＨ水溶
液、流速：２．００ml/min、検出器：ＵＶ２５４ｎｍ、
カラム温度：２５℃
ｔｓｉｌ ＯＤＳ−２、溶離液：８０％ＭｅＯＨ水溶
液、流速：２．００ml/min、検出器：ＵＶ２５４ｎｍ、
カラム温度：２５℃
【００２８】なお、可塑剤ＤＴＤＰは次の条件で行っ
た。Ｉｎｅｒｔｓｉｌ ＯＤＳ−２、溶離液：１００％
ＭｅＯＨ水溶液、流速：１．００ml/min、検出器：ＵＶ
２５４ｎｍ、カラム温度：２５℃
た。Ｉｎｅｒｔｓｉｌ ＯＤＳ−２、溶離液：１００％
ＭｅＯＨ水溶液、流速：１．００ml/min、検出器：ＵＶ
２５４ｎｍ、カラム温度：２５℃
【００２９】・ＧＣ分析；ＧＣカラムＨＰ−１（ヒュー
レットパッカード）又はＤＢ−１（Ｊ＆Ｗ）（ＩＤ０．
２５ｍｍＸ３０ｍ）、５０℃（３ｍｉｎ 保持）→１０
℃／ｍｉｎ→２８０℃（３ｍｉｎ保持）、検出器：ＦＩ
Ｄ、流速２．００ｍｌ／ｍｉｎ、スプリット比；１／５
０、定流量プログラム
レットパッカード）又はＤＢ−１（Ｊ＆Ｗ）（ＩＤ０．
２５ｍｍＸ３０ｍ）、５０℃（３ｍｉｎ 保持）→１０
℃／ｍｉｎ→２８０℃（３ｍｉｎ保持）、検出器：ＦＩ
Ｄ、流速２．００ｍｌ／ｍｉｎ、スプリット比；１／５
０、定流量プログラム
【００３０】なお、可塑剤ＤＴＤＰは次の条件で行っ
た。ＤＢ−１（Ｊ＆Ｗ）（ＩＤ ０．２５ｍｍＸ３０
ｍ）、３００（３ｍｉｎ 保持）→５℃／ｍｉｎ→３５
０℃（１０ｍｉｎ保持）、検出器：ＦＩＤ、流速２．０
０ｍｌ／ｍｉｎ、スプリット比；１／５０、定流量プロ
グラム
た。ＤＢ−１（Ｊ＆Ｗ）（ＩＤ ０．２５ｍｍＸ３０
ｍ）、３００（３ｍｉｎ 保持）→５℃／ｍｉｎ→３５
０℃（１０ｍｉｎ保持）、検出器：ＦＩＤ、流速２．０
０ｍｌ／ｍｉｎ、スプリット比；１／５０、定流量プロ
グラム
【００３１】実施例２ ４−（３−クロロプロピル）スチレンの製造 実施例−１において、増炭剤として１，４−ジブロモブ
タンの代わりに１−ブロモ−３−クロロプロパン１２６
０ｇ（２．０当量／ＣｌＳｔ）を用いた以外は、同様に
反応を行った。目的物の４−（３−ブロモプロピル）ス
チレンの収率は６５％であった。脱塩水を加え静置分液
し、水相を除去した。減圧下、反応で使用した溶媒のＴ
ＨＦ、トルエン、及び反応で一部生成したスチレンを除
去した。この濃縮液を、薄膜蒸留で更に精製した。
タンの代わりに１−ブロモ−３−クロロプロパン１２６
０ｇ（２．０当量／ＣｌＳｔ）を用いた以外は、同様に
反応を行った。目的物の４−（３−ブロモプロピル）ス
チレンの収率は６５％であった。脱塩水を加え静置分液
し、水相を除去した。減圧下、反応で使用した溶媒のＴ
ＨＦ、トルエン、及び反応で一部生成したスチレンを除
去した。この濃縮液を、薄膜蒸留で更に精製した。
【００３２】この濃縮液を４００ｇ／ｈｒで薄膜蒸留器
に供給し、５０℃／５ｍｍＨｇで１−ブロモ−３−クロ
ロプロパンを除去した。２回目の薄膜蒸留の条件は、供
給速度３５０ｇ／ｈｒで５０℃／２ｍｍＨｇ、３回目の
薄膜蒸留条件は４５℃／０．８ｍｍＨｇで３００ｇ／ｈ
ｒで供給し、７４％まで濃縮し、６２０ｇを得た。溶液
は粘調な溶液になった。
に供給し、５０℃／５ｍｍＨｇで１−ブロモ−３−クロ
ロプロパンを除去した。２回目の薄膜蒸留の条件は、供
給速度３５０ｇ／ｈｒで５０℃／２ｍｍＨｇ、３回目の
薄膜蒸留条件は４５℃／０．８ｍｍＨｇで３００ｇ／ｈ
ｒで供給し、７４％まで濃縮し、６２０ｇを得た。溶液
は粘調な溶液になった。
【００３３】この濃縮液に、フタル酸ジイソトリデシル
（Ｃ１３ジエステル）（花王製 ビニサイザー２０）２
５０ｇを室温で添加し、溶解した。濃縮液を１４０℃／
０．５ｍｍＨｇの蒸留条件で、２００ｇ／ｈｒで供給し
薄膜製造した。留出成分は、４−（３−クロロプロピ
ル）スチレン４４０ｇ、１−ブロモ−３−クロロプロパ
ン８ｇ、フタル酸ジイソトリデシル０．４ｇを得た。缶
出成分は、フタル酸ジイソトリデシル２４１ｇ、４−
（３−クロロプロピル）スチレン０．６ｇ、ジビニルビ
フェニル１．１ｇ、４−（３−クロロプロピル）スチレ
ンポリマー１４２ｇであった。
（Ｃ１３ジエステル）（花王製 ビニサイザー２０）２
５０ｇを室温で添加し、溶解した。濃縮液を１４０℃／
０．５ｍｍＨｇの蒸留条件で、２００ｇ／ｈｒで供給し
薄膜製造した。留出成分は、４−（３−クロロプロピ
ル）スチレン４４０ｇ、１−ブロモ−３−クロロプロパ
ン８ｇ、フタル酸ジイソトリデシル０．４ｇを得た。缶
出成分は、フタル酸ジイソトリデシル２４１ｇ、４−
（３−クロロプロピル）スチレン０．６ｇ、ジビニルビ
フェニル１．１ｇ、４−（３−クロロプロピル）スチレ
ンポリマー１４２ｇであった。
【００３４】実施例３ ４−（６−ブロモヘキシル）スチレンの製造 実施例１において、増炭剤として１，４−ジブロモブタ
ンの代わりに１，６−ジブロモヘキサン４８７９ｇ（５
当量／ＣｌＳｔ）を用いた以外は、同様に反応を行っ
た。１，６−ジブロモヘキサンを除去するため、薄膜蒸
留は、１回目、９０℃／５ｍｍＨｇ、２回目８５℃／２
ｍｍＨｇ、３回目は７５℃／０．７ｍｍＨｇで薄膜蒸留
した。 高沸成分は、フタル酸ジイソトリデシル（Ｃ１
３ジエステル）（花王製 ビニサイザー２０／協和発酵
製）１７０ｇを室温で添加し、１８０℃／０．５ｍｍＨ
ｇの蒸留条件で、濃縮液を２００ｇ／ｈｒで供給し薄膜
精製した。留出成分は、４−（６−ブロモヘキシル）ス
チレン８５４ｇ、フタル酸ジイソトリデシル(DTDP)０．
４ｇを得た。
ンの代わりに１，６−ジブロモヘキサン４８７９ｇ（５
当量／ＣｌＳｔ）を用いた以外は、同様に反応を行っ
た。１，６−ジブロモヘキサンを除去するため、薄膜蒸
留は、１回目、９０℃／５ｍｍＨｇ、２回目８５℃／２
ｍｍＨｇ、３回目は７５℃／０．７ｍｍＨｇで薄膜蒸留
した。 高沸成分は、フタル酸ジイソトリデシル（Ｃ１
３ジエステル）（花王製 ビニサイザー２０／協和発酵
製）１７０ｇを室温で添加し、１８０℃／０．５ｍｍＨ
ｇの蒸留条件で、濃縮液を２００ｇ／ｈｒで供給し薄膜
精製した。留出成分は、４−（６−ブロモヘキシル）ス
チレン８５４ｇ、フタル酸ジイソトリデシル(DTDP)０．
４ｇを得た。
【００３５】実施例４ 以下の缶出成分の濃縮液を用いて、高沸成分（ポリマ
ー）を除去するための薄膜蒸留の検討を行った。濃縮液
の組成は、４−（４−ブロモブチル）スチレン７４％、
ジビニルフェニルブタン７％、ポリマー１９％である。
この缶出成分の濃縮液８００ｇに対し、高沸点溶媒（ネ
オＳＫ−オイル１４００綜研化学製）３５０ｇを添加
し、表−１〜表−２に示す温度で薄膜蒸留の検討を行っ
た。真空度は０．８〜１．０ｍｍＨｇの範囲内で検討し
た。高沸点溶媒として、表−１はＤＴＤＰ、表−２はＤ
ＩＤＰ、表−３はネオＳＫ−オイル１４００をそれぞれ
用いた薄膜蒸留の検討結果を示す。表内には、軽沸成分
（留出成分側）の製品（４−（４−ブロモブチル）スチ
レン）の回収率と缶出成分（高沸成分側）への製品（４
−（４−ブロモブチル）スチレン）の混入率を示した。
ー）を除去するための薄膜蒸留の検討を行った。濃縮液
の組成は、４−（４−ブロモブチル）スチレン７４％、
ジビニルフェニルブタン７％、ポリマー１９％である。
この缶出成分の濃縮液８００ｇに対し、高沸点溶媒（ネ
オＳＫ−オイル１４００綜研化学製）３５０ｇを添加
し、表−１〜表−２に示す温度で薄膜蒸留の検討を行っ
た。真空度は０．８〜１．０ｍｍＨｇの範囲内で検討し
た。高沸点溶媒として、表−１はＤＴＤＰ、表−２はＤ
ＩＤＰ、表−３はネオＳＫ−オイル１４００をそれぞれ
用いた薄膜蒸留の検討結果を示す。表内には、軽沸成分
（留出成分側）の製品（４−（４−ブロモブチル）スチ
レン）の回収率と缶出成分（高沸成分側）への製品（４
−（４−ブロモブチル）スチレン）の混入率を示した。
【００３６】比較例１ 実施例４で使用した缶出成分の濃縮液を用いて、薄膜蒸
留条件の検討を行った。真空度は、０．８ｍｍＨｇ〜
１．０ｍｍＨｇとした。薄膜蒸留温度を１４０℃に設定
し、高沸点溶媒使用することなく濃縮液を供給したとこ
ろ、３０分後には、薄膜蒸留装置内部で異常音（最初は
カタカタ・・、次第にガタンガタン…と言う音）が発生
し始め下部でポリマーが析出した。更に続けると一部冷
却管にポリマーが付着し始め、流出成分中に製品が混入
し始めた。更に１時間蒸留を続けるとポリマーが蒸発面
下部で析出し、ワイパーが攪拌できなくなり薄膜蒸留を
停止した。
留条件の検討を行った。真空度は、０．８ｍｍＨｇ〜
１．０ｍｍＨｇとした。薄膜蒸留温度を１４０℃に設定
し、高沸点溶媒使用することなく濃縮液を供給したとこ
ろ、３０分後には、薄膜蒸留装置内部で異常音（最初は
カタカタ・・、次第にガタンガタン…と言う音）が発生
し始め下部でポリマーが析出した。更に続けると一部冷
却管にポリマーが付着し始め、流出成分中に製品が混入
し始めた。更に１時間蒸留を続けるとポリマーが蒸発面
下部で析出し、ワイパーが攪拌できなくなり薄膜蒸留を
停止した。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】
【表３】
【００４０】
【発明の効果】本発明方法のω−ハロゲノアルキルスチ
レン誘導体の製造方法によれば、副生するポリマーを効
率よく除去し、目的物であるω−ハロゲノアルキルスチ
レン誘導体を、安価、高収率で製造することができる。
レン誘導体の製造方法によれば、副生するポリマーを効
率よく除去し、目的物であるω−ハロゲノアルキルスチ
レン誘導体を、安価、高収率で製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高崎 直子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 渡辺 純哉 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AB46 AB84 AD11 AD40 BB11 BB17 BD10 EA21 EB26 EB34
Claims (7)
- 【請求項１】 高沸成分を含有する下記一般式（１） 【化１】 （上記一般式中、ｎは３〜８の整数、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは水素原子、アルキル基或いはハロゲン原子をそ
れぞれ表す）で表されるω−ハロゲノアルキルスチレン
誘導体を、高沸点溶媒の存在下に薄膜蒸留することを特
徴とするω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方
法。 - 【請求項２】 高沸点溶媒が、沸点が３００℃以上、粘
度が２５℃で１０００ｃｐ以下であるものである請求項
１に記載のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造
方法。 - 【請求項３】 高沸点溶媒が、炭素原子、水素原子及び
酸素原子を構成元素とするものである請求項１または２
に記載のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方
法。 - 【請求項４】 高沸点溶媒の添加量が、含有されるポリ
マーに対して５０〜１０００重量％である請求項１〜３
のいずれかに記載のω−ハロゲノアルキルスチレン誘導
体の製造方法。 - 【請求項５】 高沸点溶媒が、フタル酸ジイソトリデシ
ル（ＤＴＤＰ）である請求項１〜４のいずれかに記載の
ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 高沸点溶媒が、フタル酸ジイソデシル
（ＤＩＤＰ）である請求項１〜４のいずれかに記載のω
−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法。 - 【請求項７】 高沸点溶媒が、ジベンジルトルエン誘導
体である請求項１〜４のいずれかに記載のω−ハロゲノ
アルキルスチレン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16507798A JP3915253B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16507798A JP3915253B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001445A true JP2000001445A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3915253B2 JP3915253B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=15805442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16507798A Expired - Fee Related JP3915253B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3915253B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183192A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Dainippon Ink & Chem Inc | （３−アルケニル）−４−クロロベンゼン化合物の製造方法 |
| JP2009520753A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-05-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 純粋な形態のα−キラルクロロメチル化合物の製造方法 |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16507798A patent/JP3915253B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183192A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Dainippon Ink & Chem Inc | （３−アルケニル）−４−クロロベンゼン化合物の製造方法 |
| JP2009520753A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-05-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 純粋な形態のα−キラルクロロメチル化合物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3915253B2 (ja) | 2007-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3632883B1 (en) | Production method for hexafluoro-1,3-butadiene | |
| CN116888133A (zh) | 制备有机锡化合物的方法 | |
| WO1998024743A1 (en) | Tfpx synthesis | |
| US4924022A (en) | Method for preparation of organoalkoxysilanes | |
| US5312947A (en) | Siloxane purification | |
| EP1625108B1 (fr) | Separation d'un diacetal du glyoxal par extraction liquide-liquide a contre-courant | |
| JP3915253B2 (ja) | ω−ハロゲノアルキルスチレン誘導体の製造方法 | |
| JPH0321035B2 (ja) | ||
| JP3777408B2 (ja) | カルボン酸誘導体の製造法 | |
| JPH06211822A (ja) | 光学活性エピクロルヒドリンの製造法 | |
| EP0589621B1 (en) | Substituted styrenes | |
| EP0346250A1 (fr) | Procédé d'hydroxylation de phénols et d'éthers de phénols | |
| TW201706236A (zh) | 氟化烴之製造方法 | |
| JPS59225144A (ja) | ピルビン酸エステルの分離方法 | |
| JPH11508255A (ja) | １−（３−トリアルキルシリルフェニル）−２，２，２−トリフルオロメチルエタノン誘導体を製造する方法 | |
| US4960919A (en) | Process for the preparation of alkyl alkenylphosphinates | |
| FR2612190A1 (fr) | Procede de preparation de cetenes acetals silyles | |
| JP4873207B2 (ja) | 光学活性カルボン酸クロリドの精製方法 | |
| EP0432797B1 (en) | Process for purification of 3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride | |
| JP2848709B2 (ja) | 酢酸３−エトキシブチルエステル化合物とその製造方法 | |
| JP4482280B2 (ja) | ２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアン化合物の精製方法及び製造方法 | |
| CN108516945B (zh) | 一种邻位酯基取代的2-芳基-乙烯基磺酰氟化合物的制备方法 | |
| JP4002114B2 (ja) | アリルアルコール類の製造方法 | |
| JP2023553095A (ja) | エチレンシアノヒドリンの精製方法 | |
| WO2024095043A1 (en) | Process of producing highly pure alkyl acetates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070129 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |