ITRM940022A1 - Circuito di deflessione orizzontale per apparecchi televisivi. - Google Patents

Description

DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo: "CIRCUITO DI DEFLESSIONE ORIZZONTALE PER APPARECCHI TELEVISIVI"

DESCRIZIONE

BASE TECNICA DELL'INVENZIONE

Campo dell'invenzione

La presente invenzione si riferisce ad un circuito di deflessione orizzontale per un ricevitore televisivo e, più particolarmente, ad un circuito di deflessione orizzontale per un tubo a raggi catodici (abbreviato in seguito come "CRT"). Descrizione della tecnica correlata.

Un CRT piatto avente un cannone elettronico, ed uno schermo fluorescente inclinato sotto un angolo relativamente piccolo rispetto all'asse di centro del cannone elettronico è illustrato, ad esempio, nel brevetto giapponese esposto al pubblico n° 59-1755547. Questo CRT piatto è munito di un circuito di deflessione orizzontale per fornire una corrente a dente di sega alle bobina di deflessione orizzontale del CRT piatto. In un circuito di deflessione orizzontale convenzionale, un circuito di pilotaggio dell'orizzontale applica impulsi di pilotaggio dell'orizzontale alla base del transistore. In seguito alla applicazione di un impulso positivo alla base del transistore, il transistore viene portato in conduzione e, conseguentemente, viene applicata una corrente crescente con il tempo alle bobine di deflessione.

Quando viene applicato un impulso negativo alla base del transistore, il transistore viene interdetto. Tuttavia, un condensatore di risonanza fornisce corrente alle bobine di deflessione. Successivamente la corrente fornita alle bobine di deflessione scorre attraverso un diodo di smorzamento. Tuttavia, la perdita di potenza nel diodo di smorzamento costituisce un problema. Se viene omesso il diodo di smorzamento, la corrente scorre attraverso la giunzione del diodo basecollettore del transistore. Tuttavia, la omissione del diodo di smorzamento è svantaggiosa per il circuito di deflessione orizzontale per quanto riguarda la perdita di potenza e la linearità di scansione .

SOMMARIO DELL'INVENZIONE

Conseguentemente, è un primo scopo della presente invenzione è quello di fornire un circuito di deflessione orizzontale perfezionato per un ricevitore televisivo.

Un secondo scopo è quello di fornire un circuito di deflessione orizzontale per un ricevitore televisivo, che comporti una perdita di potenza relativamente piccola.

Un terzo scopo della presente invenzione è quello di fornire un circuito di deflessione orizzontale per un ricevitore televisivo, che consenta al ricevitore televisivo di visualizzare immagini con elevata qualità di immagine.

BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI

I precedenti ed altri scopi, caratteristiche e vantaggi della presente invenzione diverranno più chiari nella presente descrizione considerata in unione ai disegni allegati, in cui:

le figure 1A ed 1B sono rispettivamente una vista laterale ed una vista frontale, di un CRT piatto ;

la figura 2 è uno schema circuitale di un tipo separato di circuito ad alta tensione.

Le figure 3A, 3, 3C, 3D e 3E sono rispettivamente diagrammi che mostrano le forme d'onda di un segnale impulsivo di pilotaggio, una' corrente di collettore, una corrente di smorzamento, una corrente di bobina a bassa tensione ed una tensione di collettore (tensione impulsiva di risonanza) che si presentano nel circuito ad alta tensione di figura 2;

la figura 4 è una vista in sezione schematica di un convenzionale trasformatore flyback;

la figura 5 è uno schema circuitale di un circuito di pilotaggio per pilotare un CRT piatto;

la figura 6 è uno schema a blocchi di un circuito di deflessione orizzontale convenzionale incluso in un ricevitore di televisione munito di un CRT o di un CRT piatto convenzionale;

la figura 7 è uno schema circuitale di un circuito di uscita dell'orizzontale;

le figure 8A, 8B, 8C, 8D e 8E sono rispettivamente diagrammi che illustrano le forme d'onda di un segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale, una corrente di collettore, una corrente di deflessione, una corrente di smorzamento ed una tensione di collettore che si presentano nel circuito di uscita dell'orizzontale di figura 7;

la figura 9 è un diagramma circuitale del circuito di deflessione orizzontale e del circuito ad alta tensione di un CRT piatto;

la figura 10 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una prima forma di realizzazione secondo la presente invenzione ;

la figura 11 è un grafico che illustra le caratteristiche di un MOSFET (transistore ad effetto di campo a semiconduttore-ossido-metallo);

le figure 12A, 12B, 12C, 12D, 12E, 12FD e 12G sono rispettivamente diagrammi che illustrano le forme d'onda di una uscita di oscillazione, una uscita di prepilotaggio, un segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale, una corrente di drain, una tensione di drain, una corrente di condensatore di risonanza ed una corrente di deflessione che si verificano nel circuito di deflessione orizzontale di figura 10;

la figura 13 è uno schema circuitale di un circuito di pilotaggio dell'orizzontale secondo la presente invenzione;

la figura 14 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una seconda forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 15 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una terza forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 16 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una quarta forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 17 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una quinta forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 18 è uno schema circuitale di un circuito di deflessione orizzontale in una sesta forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 19 è uno schema circuitale di un tipo separato di circuito di deflessione orizzontale in una settima forma di realizzazione secondo la presente invenzione;

la figura 20 è uno schema circuitale di una parte di una modifica del circuito di deflessione orizzontale della figura 19;

la figura 21 è uno schema circuitale di un circuito ad alta tensione da impiegare in unione al circuito di deflessione orizzontale di figura 19;

la figura 22 è una vista schematica in sezione di un trasformatore di flyback; e

la figura 23 è una vista frammentaria schematica del trasformatore di flyback di figura 22.

DESCRIZIONE PARTICOLAREGGIATA DELLE FORME DI REALIZZAZIONE PREFERITE

Facendo riferimento alla figura 1, un CRT 1 piatto è munito di una parte di collo la munita internamente di un cannone elettronico, non mostrato, una sezione lb ad imbuto, un pannello le di schermo formato da vetro trasparente, un pannello frontale ld costituito da vetro trasparente, ed uno schermo fluorescente le formato sul pannello le dello schermo. Lo schermo fluorescente le è inclinato sotto un angolo relativamente piccolo rispetto all'asse di centro del cannone elettronico. Immagini visualizzate sullo schermo fluorescente le sono osservate dal fianco del pannello frontale ld in una direzione sostanzialmente perpendicolare all'asse di centro del cannone elettronico.

Si verifica necessariamente una distorsione a trapezio in questo CRT piatto per effetto della costruzione del CRT piatto. Lo schermo fluorescente le viene esplorato per la esplorazione di deflessione orizzontale dalla sua sommità verso il basso. Dato che l’angolo di deflessione in cima Θ1 attraverso cui il fascio elettrone viene deviato quando avviene la scansione della parte superiore dello schermo fluorescente 1e e l'angolo di deflessione inferiore θ2 attraverso il quale il fascio di elettroni viene deviato quando si esplora il fondo dello schermo fluorescente le sono diversi l'uno dall'altro, la ampiezza di scansione diminuisce con la distanza dalla parte superiore dello schermo fluorescente le per provocare una distorsione a trapezio, se la potenza di deflessione (corrente di deflessione) viene mantenuta ad un valore fisso.

La corrente di deflessione orizzontale deve essere aumentata gradualmente quando lo schermo fluorescente le viene esplorato dalla parte superiore verso il basso per correggere la distorsione a trapezio. La relazione tra la tensione di alimentazione per il circuito di deflessione orizzontale e la corrente Ipp di deflessione è espressa da:

in cui eo è tensione di alimentazione, Ipp è corrente di deflessione orizzontale, e Ly è la induttanza delle bobine di deviazione orizzontale (H-HY). Come è ovvio dalla precedente espressione, la tensione di alimentazione eo deve essere variata dinamicamente per aumentare dinamicamente la corrente di deflessione orizzontale Ipp . In genere, la tensione di alimentazione viene modulata dal cosiddetto sistema di modulazione della alimentazione di energia elettrica che modula la tensione di alimentazione con un segnale a dente di sega.

I CRT sono muniti di un circuito del tipo separato comprendente un circuito di deflessione orizzontale ed un circuito di alta tensione oppure un circuito di tipo convenzionale che comprende integralmente un circuito di deflessione orizzontale ed un circuito per l'alta tensione. Il circuito del tipo convenzionale è adatto per un CRT in cui la distorsione delle immagini quali la distorsione a puntaspilli o la distorsione a trapezio, sono insignificanti. Il circuito del tipo convenzionale non è adatto per un CRT in cui la distorsione delle immagini è apprezzabile, poiché la correzione della distorsione ha un notevole effetto sul circuito ad alta tensione. Dato che la distorsione a trapezio delle immagini è significativa nel CRT piatto come sopra menzionato, viene impiegato nel CRT piatto un circuito del tipo separato .

Facendo riferimento alla figura 2 che mostra un circuito ad alta tensione incluso in un circuito del tipo separato, un segnale impulsivo di pilotaggio fornito da un circuito di pilotaggio per alta tensione, non mostrato, viene applicato alla base di un transistore 11 di uscita per l'alta tensione. L'emettitore del transistore 11 è collegato a terra, e un circuito in parallelo di un diodo 12 di smorzamento ed un condensatore 13 di risonanza viene collegato attraverso il collettore del transistore 11 e massa. Il collettore del transistore 11 è collegato attraverso la bobina a bassa tensione 14a (bobina del primario) di un trasformatore 14 di flyback (in seguito abbreviato come "FBT"), cioè, un trasformatore di generazione di alta tensione, verso un terminale 15 di energia elettrica al quale viene applicata una tensione in continua VCC. La bobina 14b dell'alta tensione (bobina secondaria) del FBT 14 ha un estremo collegato ad un circuito 16 rettificatore per alta tensione. Il circuito 16 rettificatore per alta tensione rettifica un impulso di tensione aumentata che si presenta ad un estremo della bobina 14b dell'alta tensione, e la alta tensione rettificata HV viene applicata ad un terminale di uscita 17. L'altro estremo della bobina 14b dell'alta tensione del FBT 14 è collegata ad un estremo della bobina 14a della bassa tensione.

Le figure da 3A a 3E mostrano un segnale impulsivo di pilotaggio per un periodo di scansione orizzontale che deve essere applicato alla base del transistore 11, una corrente di collettore Icp, una corrente di smorzamento Id, una corrente iL1 che scorre attraverso la bobina 14a della bassa tensione ed una tensione di collettore Vcp, rispettivamente. Nelle figure 3A fino a 3E, tr è un intervallo di cancellazione, e ts è un intervallo di scansione.

Il valore massimo della corrente di collettore icp è calcolato dalla espressione (1):

corrente di collettore icp. Conseguentemente, la corrente che passa attraverso la bobina 14a a bassa tensione nell'intervallo di cancellazione Tr è:

dove 0 è la frequenza angola di risonanza della bobina 14a a bassa tensione e del condensatore 13 di risonanza. Conseguentemente, la frequenza angola di risonanza è espressa

dove è la induttanza della bobina 14a a bassa tensione, C-1 è la capacità del circuito di risonanza 13 e fg è la frequenza di risonanza. Metà del reciproco della frequenza di risonanza fo è eguale all'intervallo di cancellazione tr.

Il circuito di alta tensione mostrato in figura 2 sviluppa una alta tensione HV dalla tensione impulsiva ottenuta come l'innalzamento della tensione impulsiva di risonanza espressa dalla espressione (6) e il rapporto di spire nel FBT 14. Come è ovvio dalla espressione (6), quando si accorcia il periodo di ritraccia, t aumenta la tensione di collettore VCpm e, come è ovvio dalla espressione (3) e (4), l'intervallo di ritraccia tr è dipendente dalla induttanza L1 della bobina a bassa tensione e dalla capacità C1 del condensatore 13 di risonanza. Conseguentemente, si devono prendere in considerazione sia le variazioni della induttanza L·1 sia della capacità C1 per mantenere costante la alta tensione HV.

Un circuito di protezione che opera in seguito alla rivelazione di una tensione anormalmente elevata o un condensatore a quattro bracci in qualità di condensatore 13 di risonanza viene impiegato per impedire una avaria per tensione elevata in modo anormale. Il condensatore a quattro estremità è munito di una coppia di piedini terminali collegati a ciascuno dei suoi terminali, e le due coppie di piedini terminali sono collegate ad un pannello a circuito stampato per ridurre la probabilità di una condizione di apertura attribuibili al distacco del condensatore dal circuito.

Tuttavia, piccoli CRT, quali i CRT piatti, impiegano una tensione elevata HV relativamente bassa di ragioni di sicurezza dato che i piccoli CRT sono compatti e debbono essere fabbricati con un costo relativamente basso. Tuttavia, quando la alta tensione HV relativamente bassa viene impiegata per pilotare il CRT, la accelerazione degli elettroni del fascio elettroni viene ad essere ridotta e la capacità di focalizzazione del CRT viene deteriorata, il che comporta una riduzione della risoluzione ed una deteriorazione della qualità dell'immagine.

Facendo riferimento alla figura 4 che mostra un FBT 14, una bobina di bassa tensione 14a viene avvolta su un rocchetto 14c di bassa tensione, ed una bobina di alta tensione 14b viene avvolta su un rocchetto 14d di alta tensione, e il rocchetto 14c di bassa tensione ed il rocchetto 14d di alta tensione sono combinati con un nucleo 14e. In questo FBT 14, la bobina 14a di bassa tensione e la bobina 14b di alta tensione sono avvolte rispettivamente su rocchetti separati 14c e 14d disposti in disposizione concentrica per cui la bobina 14a a bassa tensione e la bobina I4b ad alta tensione sono strettamente accoppiate e viene ad essere ridotta la capacità distribuita per sopprimere gli effetti dannosi delle dispersioni di flusso, quali variazioni di alta tensione e oscillazioni spurie sul reticolo.

Facendo riferimento alla figura 5, che mostra un circuito di pilotaggio per pilotare un CRT 1 piatto viene mostrato un catodo K, una prima griglia Gi, una seconda griglia G2 che serve come griglia di accelerazione, una terza griglia G3 che serve come elettrodo di focalizzazione , ed un schermo fluorescente 2. Una alta tensione HV sviluppata rettificando la tensione impulsiva di uscita di un FBT viene applicata allo schermo fluorescente 2. Il catodo K è un elettrodo a riscaldamento diretto che è in grado di essere fatto funzionare con una potenza relativamente bassa e che aumenta rapidamente in luogo di un elettrodo a riscaldamento indiretto che viene generalmente impiegato nei CRT. La tensione impulsiva di uscita del FBT viene applicata come tensione 3 di riscaldatore al catodo K per la accensione ad impulso. Dato che la bobina del FBT è collegata al catodo K, la capacità parassita del catodo K aumenta e, quando viene impiegato un sistema di pilotaggio di catodo che applica segnali video al catodo K, la perdita di potenza sul circuito video aumenta; cioè, dato che la impedenza del lato di uscita del circuito video deve essere ridotta in modo che possa essere trascurato l'effetto della capacità parassita e viene impiegata una configurazione ad inseguito di emettitore pere migliorare le caratteristiche in frequenza, aumentano le perdite nel circuito video.

Conseguentemente, viene impiegato un sistema di pilotaggio che applica i segnali video alla prima griglia G·1 avente una capacità parassita relativamente piccola. Segnali video SV vengono applicati ad un terminale 5 collegato alla base di un transistore 4npn, cioè, un componente dell'amplificatore del segnale video. Un circuito in parallelo costituito dal resistore 6 e da un condensatore 7 è collegato attraverso l'emettitore del transistore 4 e massa, ed il collettore del medesimo è collegato attraverso un resistore 8 ad un terminale di energie di alimentazione B al quale viene applicata, ad esempio, una tensione pari a 50 V.

I segnali video che si presentano sulla giunzione del collettore del transistore 4 e del resistore 8 vengono applicati attraverso un condensatore 9 alla prima griglia G-1 del CRT 1. Una alimentazione B avente una tensione di uscita di, ad esempio, 900 V, viene collegata attraverso un circuito serie di un resistore 10 variabile di focalizzazione , un resistore 11 variabile di regolazione di interdizione ed un resistore 12 verso massa. Una tensione che si presenta sul terminale mobile del resistore variabile 10 vine applicata attraverso il resistore 13 alla terza griglia G2 del CRT 1. Un condensatore 14 viene collegato attraverso il terminale mobile del resistore variabile 11 e massa. Una tensione che si presenta sul punto di giunzione del terminale mobile del resistore variabile 11 e del condensatore 14 viene applicata alla seconda griglia G2, del CRT 1.

Una alimentazione B2 avente una tensione di uscita, ad esempio, di 140 V viene collegata attraverso un resistore 15 di taratura di regolazione del fondo di luminosità, un resistore 16, un resistore 17 di regolazione della luminosità, ed un resistore 18 incluso in un circuito a corrente costante verso massa. Una tensione che si presenta sul terminale mobile del resistore variabile 17 viene applicata attraverso un resistore 19 al catodo K.

Tensioni applicate alla seconda griglia G2 e al catodo K sono variate per regolare la interdizione del CRT 1.

Tensione applicata alla seconda griglia HG2 viene regolata variando il resistore variabile 11 per determinare l'interdizione del CRT 1, ed una tensione applicata al catodo K viene regolata regolando il resistore 15 di taratura per determinare la base diu luminosità.. Dato che la tensione applicata al catodo K viene variata attraverso la regolazione della base di luminosità per mezzo del resistore 15 di taratura e la regolazione della luminosità per mezzo del resistore variabile 17, il resistore 19 ha un valore di resistenza relativamente elevato, ad esempio, di 100 Kohm. Tuttavia, come è generalmente noto, una corrente di fascio con intensità proporzionale alla ampiezza del segnale video scorre nel catodo K e la impedenza del circuito deve essere mantenuta ad un livello basso. Conseguentemente, il catodo K del CRT 1 viene ricondotto a massa attraverso il condensatore 20 per ridurre la impedenza in corrente alternata.

La figura 6 mostra un circuito di deflessione orizzontale per un ricevitore di televisione munito di uno dei ben noti CRT, inclusi i CRT piatti. Facendo riferimento alla figura 6, un circuito 21 di AFC riceve un segnale di sincronizzazione dell'orizzontale separato da un segnale video SV, un segnale di impulso di orizzontale fornito da un circuito 24 di uscita dell'orizzontale, confronta il segnale di sincronizzazione dell'orizzontale ed il segnale di uscita dell'orizzontale, e quindi fornire un segnale di errore come segnale di controllo per un circuito 22 di oscillazione dell'orizzontale. Successivamente, il circuito 22 di oscillazione dell'orizzontale fornisce un segnale di uscita oscillante attraverso un circuito 23 di pilotaggio orizzontale verso il circuito 24 di uscita orizzontale.

Facendo riferimento alla figura 7 che mostra la configurazione del circuito 24 di uscita orizzontale, il segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale fornito dal circuito 23 di pilotaggio orizzontale viene applicato alla base del transistore 31 di uscita orizzontale avente un emettitore collegato a massa ed un collettore collegato attraverso la bobina 32 del primario di un FBT verso un terminale di alimentazione +VCC . Un diodo 33 di smorzamento, un condensatore 34 di risonanza, ed un circuito serie di una bobina 35 di deviazione orizzontale ed un condensatore 36 di correzione di distorsione a S sono collegati attraverso il collettore del transistore 31 e massa.

Facendo riferimento alle figure 8A fino ad 8E, quando un segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale mostrato in figura 8a viene applicato alla base del transistore 31, passa una corrente di deflessione a dente di sega mostrata in figura 8c attraverso la bobina 35 di deviazione orizzontale. Quando viene applicato un impulso positivo alla base del transistore 31, il transistore 31 viene portato in conduzione e la corrente di deflessione che passa attraverso la bobina 35 di deviazione orizzontale aumenta linearmente con il tempo in un periodo tra i tempi ti e t2. Quando viene applicato un impulso negativo alla base del transistore 21, il transistore 31 viene interdetto. Tuttavia, la corrente di deflessione continua a scorrere nella medesima direzione per la inerzia dell'induttanza al fine di caricare il condensatore 34 di risonanza. Questa corrente di carica decresce con il tempo e la tensione del condensatore 34 di risonanza aumenta in un periodo tra i tempi t2 e t43 e, infine, la corrente di carica decresce verso lo zero e la tensione del condensatore 34 di risonanza raggiunge un picco.

Successivamente, in un periodo tra i tempi t3 e t4, la carica del condensatore 34 di risonanza viene scaricata attraverso la bobina 35 di deviazione orizzontale, la tensione del condensatore 34 di risonanza decresce gradualmente, la intensità della corrente inversa che scorre attraverso la bobina 35 di deflessione di deviazione orizzontale aumentarla tensione del condensatore 34 di risonanza ritorna alla tensione iniziale, e la intensità della corrente inversa raggiunge un picco.

In un periodo tra i tempi t4 e t5, passa una corrente attraverso il diodo 33 di smorzamento per effetto della forza controelettromotrice della bobina 35 di deviazione orizzontale, per cui continua a scorrere corrente nella medesima direzione. La intensità della corrente decresce gradualmente a zero al tempo t^. In questa condizione, l'impulso positivo a viene applicato alla base del transistore del transistore 31 per portare in zona attiva il transistore 31. Conseguentemente, scorre di nuovo una corrente crescente linearmente attraverso la bobina 35 di deviazione orizzontale. Di conseguenza, viene ripetuto il ciclo precedente e scorre una corrente di deflessione a dente di sega attraverso la bobina 35 di deviazione orizzontale.

Nel circuito 24 di uscita orizzontale mostrato in figura 7, si verifica una perdita di potenza nel diodo 33 di smorzamento poiché una parte della corrente di deflessione dente di sega scorre attraverso il diodo 33 di smorzamento. Se il diodo 33 di smorzamento venisse omesso per impedire la perdita di potenza, una parte della corrente di deflessione a dente di sega scorre attraverso la giunzione del diodo base-collettore del transistore 31.

In genere, il fattore di amplificazione di corrente (hFE = (corrente di collettore Ic) / (corrente di base IB) < 1) del transistore 31, cioè, un transistore ordinario, nella regione inversa è estremamente piccola. Di conseguenza, è molto difficile che il transistore 31 funzioni correttamente nella regione inversa.

Il circuito 23 di pilotaggio dell'orizzontale ampiamente usato pilota il transistore 31 mediante un accoppiamento a trasformatore impiegando un trasformatore di pilotaggio. Quando si pilota il transistore 31 con accoppiamento a trasformatore, viene inserito un resistore tra la bobina del secondario del trasformatore di pilotaggio e la base del transistore 31 per applicare una corrente di base ottimale alla base del transistore 31. In un CRT piatto come mostrato in figura 4 che impiega una corrente di deflessione orizzontale molto bassa, si impiegano un condensatore ed un diodo fissatore di livello in luogo del trasformatore di pilotaggio .

Conseguentemente, la omissione del diodo 33 di smorzamento non è desiderabile dia punto di vista della perdita di energia e della linearità di scansione.

Anche se si potrebbe usare un transistore di potenza con un diodo di smorzamento disposto al suo interno invece del transistore 31 per omettere il diodo 33 di smorzamento, un tale transistore di potenza ancora presenta il problema di una perdita di potenza che verrebbe causata dal diodo interno di smorzamento ed inoltre un tale transistore sarebbe più costoso del transistore 31.

La figura 9 mostra il circuito del tipo separato per un CRT piatto, che ha separatamente un circuito di deflessione orizzontale e un circuito per l'alta tensione.

Facendo riferimento alla figura 9, una tensione in corrente continua di VCC, ad esempio, pari a 10V viene applicata ad un terminale 12 di alimentazione. Il terminale 12 di alimentazione è collegato a massa attraverso un circuito serie che serve come filtro passabasso, costituito da un resistore 13 e da un condensatore 14, ed il punto di giunzione P2 del resistore 13 e del condensatore 14 viene collegato ad un circuito 11 di oscillazione orizzontale per fornire energia al circuito 11 di oscillazione orizzontale. Un segnale di oscillazione orizzontale fornito dal circuito 11 di oscillazione orizzontale viene alimentato attraverso un resistore 15 alla base del transistore 16 di pilotaggio ad alta tensione avente l'emettitore collegato a massa ed il collettore collegato attraverso un resistore 17 al terminale di alimentazione 12. Il punto di giunzione del collettore del transistore 16 di pilotaggio e del resistore 17 è collegato a massa attraverso un condensatore 18 di accoppiamento ed un diodo 19 fissatore di livello. Il punto di giunzione del condensatore 18 e del diodo 19 fissatore di livello è collegato alla base di un transistore 20. L'emettitore del transistore 20 è collegato a massa ed il collettore del medesimo è collegato alla presa centrale della bobina 21a del primario di un FBT 21. Un circuito parallelo formato dal condensatore 22 di risonanza e dal diodo 23 di smorzamento è collegato attraverso il collettore del transistore 20 e massa. Un circuito serie costituito da una bobina 24 e da un condensatore 25 e che serve come filtro passabasso è collegato attraverso il terminale 12 di alimentazione e massa. Il punto di giunzione della bobina 24 e del condensatore 25 è collegato ad un estremo della bobina 21a del primario del FBT 21.

La bobina 21b del secondario del FBT 21 ha un estremo collegato ad un circuito 26 rettificatore dell'alta tensione. Il circuito 26 rettificatore dell'alta tensione rettifica un segnale di tensione impulsiva che si presenta su un estremo della bobina 21b del secondario ed applica una tensione elevata HV ad un terminale 27. Le altre rispettive estremità della bobina 2 la del primario e della bobina 21b del secondario del FBT 21 sono collegate l'una all'altra in un punto di giunzione collegato a massa con un circuito di livellamento costituito da un diodo 28 e da un condensatore 29.

Un segnale di oscillazione orizzontale fornito dal circuito 11 di oscillazione orizzontale viene applicato attraverso un resistore 30 alla base di un transistore 31 di pilotaggio orizzontale avente l ' emettitore collegato a massa ed il collettore collegato attraverso un resistore 32 al terminale 12 di alimentazione. Il punto di giunzione del collettore del transistore 32 e del resistore 32 è posto a massa attraverso un condensatore 33 di accoppiamento ed un diodo 34 fissatore di livello. Il punto di giunzione del condensatore 33 di accoppiamento e del diodo 34 fissatore di livello è collegato alla base di un transistore 35 di uscita orizzontale.

L'emettitore del transistore 35 è collegato a massa ed il collettore del medesimo è collegato attraverso una bobina 36 di induttanza di arresto ed un circuito 37 di correzione della distorsione a trapezio al punto di giunzione P1 del diodo 28 e del condensatore 29. Il circuito 37 di correzione della distorsione a trapezio modula la tensione che si presenta sul punto di giunzione P1 con un segnale a dente di sega per correggere la distorsione a trapezio. Un circuito in parallelo di un condensatore 38 di risonanza, un diodo 39 di smorzamento ed un circuito serie di una bobina 40 di deviazione orizzontale e un condensatore 41 di correzione di distorsione a forma di S sono collegati attraverso il collettore del transistore 35 e massa.

Dato che il CRT piatto richiede una potenza di deflessione relativamente piccola, il transistore 31 di pilotaggio dell'orizzontale caricato con il resistore 32 è in grado di pilotare il transistore 35 di uscita orizzontale. Ad esempio, per un CRT piatto da 4 pollici, la corrente di collettore del transistore 35 è nell'intervallo tra 0,7 e 1A (picco-a-picco) . Conseguentemente, la corrente di base del transistore 35 è di soli 15 mA se il fattore di amplificazione di corrente hFE del transistore 35 soddisfa la ineguaglianza: hFE ≥ 100.

Conseguentemente, quando la resistenza del resistore 32 è di 1,5 KΩ, la base del transistore 35 può essere accoppiata con il punto di giunzione del collettore del transistore 31 e del resistore 32 mediante il condensatore 33 di accoppiamento.

Generalmente, il circuito 11 di oscillazione orizzontale è un VCO (oscillatore controllato in tensione) . Il VCO è molto sensibile a segnali di controllo ed è suscettibile di subire funzionamenti difettosi per effetto del rumore, particolarmente, per effetto del rumore sulla tensione di alimentazione. Ad esempio, quando la temperatura ambiente è dell'ordine di -10°C, la capacità dei condensatori elettrolitici inclusi nel circuito dell'alta tensione e dell'alimentazione di energia da rete decresce bruscamente e di conseguenza aumenta la impedenza della sorgente di alimentazione. Conseguentemente, il VCO viene condotto a funzionare in modo non corretto per variazioni della frequenza di oscillazione per effetto del rumore impulsivo generato dal circuito ad alta tensione e trasmesso attraverso la linea di alimentazione di energia elettrica. Inoltre, un circuito di AFC, non mostrato, opera per controllare la frequenza di oscillazione per far sì che si presenti rumore di immagine che fa in modo che le parti superiori delle linee verticali vengano ad essere ondulate. Il filtro passabasso costituito dal resistore 13 e dal condensatore 14 viene inserito nella linea di alimentazione di energia elettrica del circuito 112 di oscillazione orizzontale per impedire la risposta del VCO al rumore impulsivo.

Quando il filtro passabasso viene inserito nella linea di alimentazione di energia elettrica del circuito 11 di oscillazione orizzontale, l'aumento della tensione di alimentazione per il circuito 11 di oscillazione orizzontale viene ritardato dietro 1'aumento della tensione di alimentazione per il circuito di pilotaggio e il circuito di uscita, per cui il circuito di oscillazione orizzontale inizia a funzionare dopo l'inizio del funzionamento del circuito di pilotaggio e del circuito di uscita e, nel peggiore dei casi, salta il fusibile del circuito di alimentazione; cioè, dato che i transistori 16 e 31 rimangono nella condizione di interdizione ed i transistori 20 e 35 rimangono nello stato di conduzione quando il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizia il suo funzionamento, si avrà uno scorrimento eccessivo di corrente attraverso la linea di alimentazione con conseguente interruzione del fusibile.

Per impedire tale malfunzionamento, le costanti di tempo richieste per l 'aumento dell'alimentazione applicata al circuito di pilotaggio deve essere maggiore della costante di tempo RL.C2 richiesto per l'aumento dell'energia di alimentazione applicata al circuito 11 di oscillazione orizzontale. Ad esempio, le costanti di tempo sono determinate in modo da soddisfare la ineguaglianza

dove RL . C2 è la costante di tempo del circuito di pilotaggio, e L . C è la costante di tempo del circuito ad alta tensione.

Tuttavia, in alcuni casi, un aumento delle costanti di tempo del circuito di deflessione orizzontale e del circuito di pilotaggio per pilotare il circuito ad alta tensione ha un effetto negativo sulle caratteristiche di risposta ai transitori (caratteristiche di commutazione dei transistori 20 e 35) .

Verrà descritto in seguito facendo riferimento alla figura 10 un circuito di deflessione orizzontale in una prima forma di realizzazione secondo la presente invenzione.

Facendo riferimento alla figura 10, una uscita di oscillazione orizzontale fornita da un circuito 22 di oscillazione orizzontale viene applicata alla base di un transistore Q3 npn incluso nel circuito 23P di prepilotaggio dell'orizzontale. Un resistore RI è collegato attraverso la base del transistore Q3 e l'emettitore dello stesso transistore Q3 . Un resistore R2 è collegato attraverso il collettore del transistore Q3 ed un terminale di alimentazione VCC, ed un resistore R3 è collegato attraverso l'emettitore del medesimo e massa. Il punto di giunzione del collettore del transistore Q3 e del resistore R2 è collegato alla base di un transistore Q4 npn. Il transistore Q4 ha il collettore collegato al terminale di alimentazione VCC e l'emettitore collegato attraverso un resistore R4 al collettore di un transistore Q5 npn. Il punto di giunzione dell'emettitore del transistore Q3 e del resistore R3 è collegato alla base del transistore Q5, e l'emettitore del transistore Q5 è collegato a massa. Un resistore R5 è collegato tra il punto di giunzione del collettore del transistore Q5 ed il resistore R4 e massa, ed un resistore R4 e massa, ed un resistore R6 è collegato attraverso il punto di giunzione e la base di un transistore Q1 npn incluso in un circuito 23 di pilotaggio orizzontale e che serve quale elemento di commutazione. L'emettitore del transistore Q1 è collegato a massa ed il collettore del medesimo è collegato attraverso un resistore R7 all'alimentazione VCC- Il punto di giunzione del collettore del transistore Q1 e del resistore R7 è collegato al gate di un transistore MOSFET ad incremento a canale n (transistore ad effetto di campo semiconduttore ossido metallo) Q2 incluso nel circuito 24 di uscita orizzontale. La sorgente del MOSFET Q2 è collegata a massa e il drain del medesimo è collegato attraverso la bobina 32 del primario di un FBT al terminale di alimentazione VCC . Un circuito in parallelo costituito da un condensatore 34 di risonanza ed un circuito 6 di una bobina 35 di deviazione orizzontale ed un condensatore 36 di correzione di distorsione a S è collegato attraverso il drain del MOSFET Q2 e massa.

La figura 11 mostra le caratteristiche del MOSFET Q2, in cui la tensione drain-sorgente VDS viene misurata sull'asse orizzontale e la corrente di drain ID viene misurata sull'asse verticale. Nella figura 11, una curva a rappresenta la relazione tra la tensione tra sorgente e drain VDS e la corrente di drain ID quando il MOSFET Q2 viene portato in conduzione (nella parte delle caratteristiche attive) ed una curva b rappresenta la relazione tra la tensione drain-sorgente VDS e la corrente di drain ID quando il MOSFET Q2 viene interdetto (caratteristica a diodo).

Verrà descritto in seguito con riferimento alle figure 12A fino a 12G il funzionamento del circuito di deflessione orizzontale. Si supponga che il circuito 22 di oscillazione orizzontale fornisca un segnale impulsivo come mostrato nella figura 12A al circuito 23P di prepilotaggio. Quando il segnale impulsivo di uscita del circuito 22 di oscillazione orizzontale è a livello basso, i transistori Q3 e Q5 sono portati ad interdizione, il transistore Q4 è portato in zona attiva ed il segnale di uscita del circuito 23P di prepilotaggio va al livello alto. Quando il segnale impulsivo di uscita del circuito 22 di oscillazione orizzontale è a livello alto, i transistori Q3 e Q5 sono portati in conduzione, il transistore Q4 viene interdetto ed il segnale di uscita del circuito 23P di prepilotaggio va al livello basso (figura 12B). Quando il segnale di uscita del circuito 23 di prepilotaggio è a livello alto, il transistore Ql viene portato in zona attiva ed il segnale di uscita del circuito 23 di pilotaggio, cioè, il segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale applicato al gate del MOSFET Q2, va a livello basso. Quando il segnale di uscita del circuito 23P di prepilotaggio è a livello basso, il transistore Ql viene interdetto e il segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale va a livello alto (figura 12C).

Quando il circuito 22 di oscillazione orizzontale fornisce il segnale impulsivo come mostrato nella figura 12A, il circuito 23P di prepilotaggio fornisce un segnale di uscita mostrato in figura 12B e il circuito 23 di pilotaggio fornisce un segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale mostrato in figura 12C. Il MOSFET Q32 viene commutato in interdizione quando il transistore Ql viene commutato in zona attiva e il segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale è a livello basso, ed il MOSFET Q2 viene portato in conduzione quando il transistore Ql viene commutato in interdizione ed il segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale è a livello alto, Di conseguenza, i transistori Q1 e Q2 sono complementari l'uno con l'altro. Naturalmente, i transistori Q2, Q3 e Q5 sono nella condizione di interdizione ed i transistori Q4 e Q1 sono nello stato di conduzione quando viene arrestato il circuito 22 di oscillazione dell'orizzontale, per cui si può impedire la distruzione del circuito che si verificherebbe quando il MOSFET Q2 viene mantenuto nella condizione di conduzione.

Verrà descritto oltre il funzionamento del circuito 24 di uscita orizzontale. Quando un segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale mostrato in figura 12c viene applicato al gate del MOSFET Q2, una corrente di deviazione a dente di sega mostrata in figura 12G scorre attraverso la bobina 35 di deviazione; cioè, quando viene applicato un impulso positivo alla base del MOSFET Q2 , il MOSFET Q2 viene portato in conduzione e scorre una corrente crescente linearmente con il tempo attraverso la bobina 35 di deviazione in un periodo tra i tempi t11 e t12- Quando viene applicato un impulso negativo al gate del MOSFET Q2 si fa in modo che continui a scorrere corrente nella medesima direzione per effetto della inerzia dell'induttanza per caricare il condensatore 34 di risonanza. In un periodo tra i tempi t12 e t13 , questa corrente di carica decresce con il tempo ed aumenta la tensione sul condensatore 34 di risonanza. Infine, la corrente di carica diminuisce a zero e la tensione sul condensatore 34 di risonanza (tensione di drain) raggiunge un picco.

Successivamente, in un periodo tra i tempi t13 e t14 il condensatore 34 di risonanza si scarica attraverso la bobina 35 di deviazione, la tensione del condensatore 34 di risonanza decresce naturalmente, la corrente di deflessione inversa che scorre attraverso la bobina 35 di deviazione aumenta e, infine, la tensione del condensatore 34 di risonanza ritorna alla tensione iniziale e la corrente inversa di deflessione raggiunge un picco.

Successivamente, in un periodo tra i tempi t14 e t15, il MOSFET Q2 diviene conduttore come diodo (la curva b di caratteristica a diodo in figura il) e la corrente di deflessione inversa continua a scorrere nella stessa direzione e decresce naturalmente. Quando viene applicato un impulso positivo al gate del MOSFET Q2 per portare in conduzione il MOSFET Q2, la corrente del transistore varia lungo la curva a di caratteristica in zona attiva (figura 11), la corrente di deviazione inversa continua a scorrere nella stessa direzione e decresce gradualmente verso zero in un periodo tra i tempi t15 e t16.

Dato che il MOSFET Q2 si trova nella condizione di conduzione, scorre di nuovo una corrente crescente linearmente con il tempo attraverso la bobina 35 di deviazione. Conseguentemente, il ciclo precedente viene ripetuto per fornire la corrente a dente di sega alla bobina 35 di deviazione.

Dato che il circuito 24 di uscita dell'orizzontale del circuito di deflessione orizzontale in questa forma di realizzazione è munito del MOSFET Q2 quale elemento di commutazione e non è munito di alcun diodo di smorzamento, si impedisce la perdita di energia attribuibile ad un diodo di smorzamento e di conseguenza è relativamente piccola la perdita di energia nel circuito di deflessione orizzontale.

Dato che il lato di uscita del circuito 22 di oscillazione orizzontale è collegato attraverso il circuito 23P di prepilotaggio alla base del transistore Q1 del circuito 23 di pilotaggio, ed dii collettore del transistore Q1 sul quale si presenta il segnale ad impulso di pilotaggio dell'orizzontale è collegato direttamente al gate del MOSFET Q2 del circuito 24 di uscita orizzontale, il segnale di uscita del circuito 22 di oscillazione orizzontale viene trasferito con completa fedeltà e senza essere distorto, per cui il MOSFET Q2 è in grado di operare ad alta velocità di commutazione.

Sebbene non detto precedentemente, non vi è alcun problema nella tensione che deve sopportare dato che la tensione massima drainsorgente del MOSFET Q2 del circuito 24 di uscita orizzontale è nell'intervallo tra 100 fino a circa 150 V quando il circuito di deviazione orizzontale viene impiegato in combinazione con un CRT piatto.

Sebbene il drain del MOSFET Q2 sia collegato attraverso la bobina 32 del primario del FBT al terminale VCC di alimentazione in questa forma di realizzazione, naturalmente il drain del MOSFET Q2 può essere collegato attraverso una bobina ad impedenza di arresto al terminale VCC di alimentazione .

Dato che il circuito di alimentazione dell 'orizzontale del circuito di deflessione orizzontale secondo la presente invenzione è munito del MOSFET quale elemento di commutazione per fornire la corrente, che scorre attraverso un diodo di smorzamento nel circuito convenzionale di deflessione orizzontale, attraverso il MOSFET per eliminare il diodo di smorzamento, la perdita di energia nel circuito di deflessione orizzontale è relativamente piccola.

Dato che il lato di uscita del circuito di oscillazione orizzontale è collegato attraverso il circuito di prepilotaggio all'elemento di commutazione del circuito di pilotaggio, e il lato di uscita dell'elemento di commutazione è collegato direttamente al MOSFET del circuito di uscita orizzontale, il segnale di uscita del circuito di oscillazione orizzontale può essere trasferito con fedeltà senza distorsioni verso il MOSFET, per cui può essere aumentata la velocità di commutazione del MOSFET.

Facendo riferimento alla figura 13, un circuito di pilotaggio orizzontale ha un transistore 31 di pilotaggio orizzontale avente il collettore collegato attraverso un resistore 32 ad un punto di giunzione P2, e viene applicata energia elettrica sia al circuito di pilotaggio dell' orizzontale e ad un circuito 11 di oscillazione orizzontale con una unica alimentazione di energia elettrica. Conseguentemente, la tensione di alimentazione applicata al circuito di pilotaggio dell'orizzontale non aumenterà prima dell'aumento della tensione di alimentazione applicata al circuito il di oscillazione orizzontale anche se viene inserito un filtro passabasso costituito da un resistore 13 e da un condensatore 14 in una linea di alimentazione collegata al circuito 11 di oscillazione orizzontale per rimuovere rumore impulsivo e, conseguentemente, non scorrerà una corrente eccessiva del circuito di alimentazione attraverso il circuito di uscita orizzontale che faccia fondere il fusibile e la affidabilità del circuito viene ad essere aumentata. Il circuito di pilotaggio del circuito di uscita orizzontale non deve avere una grande costante di tempo come quella del circuito di pilotaggio del circuito di uscita orizzontale convenzionale per impedire errore di funzionamento, per cui non viene ad essere ridotta la stabilità dell'immagine.

Facendo riferimento alla figura 13, il segnale di oscillazione orizzontale di uscita del circuito 11 di oscillazione orizzontale viene applicato attraverso un resistere 30 alla base del transistore 31 di pilotaggio orizzontale. L'emettitore del transistore 31 è collegato a massa ed il collettore del medesimo è collegato attraverso un resistore 32 al punto di giunzione Ί?2 del resistore 13 e del condensatore 14 che costituiscono il filtro passabasso. Il punto di giunzione del collettore del transistore 31 ed il resistore 32 sono collegati al gate di un MOSFET 51 a canale n del tipo ad incremento. La sorgente del MOSFET 51 è collegata a massa e il drain del medesimo è collegato ad un estremo della bobina 21a del primario di un FBT 21. Un circuito in parallelo di un condensatore 38 di risonanza ed un circuito serie costituito da una bobina 40 di deviazione orizzontale e da un condensatore 41 di correzione della distorsione a S è collegato attraverso il drain del MOSFET 51 e la massa.

Come mostrato in figura 13, dato che il collettore del transistore 31 incluso nel circuito di pilotaggio orizzontale collegato attraverso il resistore 32 al punto di giunzione P2 e la al imentazione è collegata sia al circuito di pilotaggio orizzontale sia al circuito 11 di oscillazione orizzontale, la tensione di alimentazione applicata al circuito di pilotaggio dell'orizzontale non aumenta prima dell'aumento della tensione di alimentazione applicata al circuito 11 di oscillazione orizzontale anche se il filtro passabasso costituito dal resistore 13 e dal condensatore 14 viene inserito nella linea di alimentazione collegata al circuito 11 di oscillazione orizzontale, per cui si può impedire il passaggio di una corrente eccessiva attraverso il circuito di uscita orizzontale che farà saltare il fusibile del circuito di alimentazione, e viene ad essere aumentata l'affidabilità del circuito di deflessione orizzontale. Dato che la costante di tempo del circuito di pilotaggio del circuito di uscita orizzontale non deve essere molto grande per impedire errori di funzionamento, non verrà ad essere ridotta la stabilità delle immagini.

Verrà descritto oltre facendo riferimento alla figura 14, un circuito di deflessione orizzontale secondo una seconda forma di realizzazione della presente invenzione. Questo circuito di deflessione orizzontale è del tipo separato dal circuito di alta tensione.

Facendo riferimento alla figura 14, il drain di un MOSFET 51 che serve quale transistore di uscita orizzontale è collegato attraverso una bobina 36 di induttanza di arresto ed un circuito 37 di correzione di distorsione a trapezio ad un punto di giunzione P1 . Il gate di un MOSFET 52 ad incremento è collegato al punto di giunzione del collettore di un transistore 31 e di un resistore 32. La sorgente del MOSFET 52 è collegata a massa e il drain del medesimo è collegato alla presa centrale della bobina 21a del primario di un FBT 21. Un condensatore 22 di risonanza è collegato tra il drain del MOSFET 52 e massa. Il modo di funzionamento di un circuito di uscita orizzontale munito del MOSFET 52 che serve quale transistore di uscita di alta tensione è identico a quello del circuito dì uscit-a orizzontale del circuito di deflessione orizzontale della prima forma di realizzazione. Dato che il circuito di uscita orizzontale non richiede di essere munito di alcun diodo di smorzamento che comporta perdita di energia, la perdita di energia nel circuito dell'alta tensione è relativamente piccola. Dato che il MOSFET 52 può essere controllato sempl i cemente controllando la tensione da applicare al gate del MOSFET 52, si può impiegare un circuito di pilotaggio orizzontale avente una configurazione molto semplice. Dato che la resistenza di carico può essere grande, la perdite di potenza è piccola. Conseguentemente, ambedue i MOSFET 51 e 52 possono essere controllati dal solo transistore 31.

Dato che il collettore del transistore 31 per pilotare sia il circuito di pilotaggio orizzontale sia il circuito dell'alta tensione è collegato attraverso il resistore 32 ad un punto di giunzione P2 e una unica alimentazione fornisce alimentazione sia al circuito di pilotaggio sia al circuito di oscillazione orizzontale, la tensione di alimentazione applicata al circuito di pilotaggio non deve salire prima che salga la tensione di alimentazione applicata al circuito 11 di oscillazione orizzontale anche se viene inserito un filtro passabasso costituito da un resistore 13 e da un condensatore 14 nella linea di alimentazione collegata al circuito 11 di oscillazione orizzontale, per cui non scorrerà attraverso il circuito di uscita dell'orizzontale un flusso eccessivo di corrente, che farà saltare il fusibile del circuito di alimentazione e il circuito di uscita dell'alta tensione e di conseguenza può essere aumentata l'affidabilità del circuito. Le rispettive costanti di tempo del circuito di oscillazione orizzontale, ed il circuito di pilotaggio dell'orizzontale dei circuiti di uscita ad alta tensione non devono essere così grandi come quelle del circuito orizzontale e del circuito di pilotaggio del circuito di uscita ad alta tensione del circuito convenzionale di deflessione orizzontale per impedire errori di funzionamento, per cui non viene ad essere ridotta la stabilità dell 'immagine.

Verrà descritto oltre facendo riferimento alla figura 15 un circuito di deflessione orizzontale di una terza forma di realizzazione secondo la presente invenzione.

Facendo riferimento alla figura 15, il collettore di un transistore 16 incluso nel circuito di pilotaggio di un circuito per l'alta tensione è collegato attraverso un resistore 17 ad un punto di giunzione P2 ed una unica alimentazione fornisce alimentazione sia al circuito di pilotaggio dell'alta tensione sia al circuito 11 di oscillazione orizzontale. Conseguentemente, la tensione di alimentazione applicata al circuito di pilotaggio dell'alta tensione non aumenterà prima dell'aumento della tensione di alimentazione applicata al circuito di alimentazione orizzontale, anche se viene inserito un filtro passabasso costituito da un resistore 13 e da un condensatore 14 nella linea di alimentazione collegata al circuito 11 di oscillazione orizzontale per eliminare rumore impulsivo, per cui può essere impedito il passaggio di una .corrente eccessiva che farebbe saltare' il fusibile dell'alimentazione, attraverso il circuito di pilotaggio dell'alta tensione per effetto di un errore di funzionamento e può essere aumentata la affidabilità del circuito di deflessione orizzontale.

Dato che viene applicata energia elettrica dal circuito dell'alta tensione attraverso il circuito di correzione di distorsione a trapezio 37 ad un circuito di uscita orizzontale, il circuito di uscita orizzontale non funzionerà prima che inizi a funzionare il circuito 11 di oscillazione orizzontale, per cui non passerà una eccessiva corrente dovuta ad errore di funzionamento attraverso il circuito di uscita orizzontale. Inoltre, le rispettive costanti di· tempo del circuito di uscita orizzontale e del circuito di pilotaggio del circuito di uscita dell'alta tensione non deve essere così grande come quella del circuito di uscita orizzontale e la corrente di pilotaggio del circuito di deflessione orizzontale convenzionale per impedire errori di funzionamento, per cui non verrà ad essere ridotta la stabilità dell 'immagine.

Dato che la unica alimentazione fornisce alimentazione sia al circuito di pilotaggio orizzontale sia al circuito di oscillazione orizzontale, la tensione di alimentazione applicata al circuito di pilotaggio orizzontale non salirà prima che salga la tensione di alimentazione applicata al circuito di oscillazione orizzontale anche se viene inserito un filtro passabasso nella linea di alimentazione collegata al circuito di oscillazione orizzontale, per cui può essere impedito il passaggio di corrente eccessiva che farà saltare il fusibile del circuito di alimentazione, attraverso il circuito di uscita orizzontale per effetto di errori di funzionamento, e può essere aumentata la affidabilità del circuito di deflessione orizzontale. Dato che la costante di tempo del circuito di pilotaggio del circuito di uscita orizzontale non deve essere grande per impedire errori di funzionamento, non verrà ridotta la stabilità delle immagini.

Dato che la unica alimentazione fornisce alimentazioni sia al circuito di pilotaggio per pilotare il circuito di uscita dell'alta tensione, ed il circuito di oscillazione orizzontale, le tensioni di alimentazione applicate al circuito di uscita dell'alta tensione e al circuito di uscita orizzontale non saliranno prima che salga la tensione di alimentazione applicata al circuito di oscillazione orizzontale anche se viene inserito un filtro passabasso nella linea di alimentazione collegata al circuito di oscillazione orizzontale per cui verrà impedito il passaggio di una corrente eccessiva, che farebbe saltare il fusibile del circuito di alimentazione, attraverso il circuito dell'alta tensione ed il circuito di uscita orizzontale e può essere aumentata la affidabilità del circuito di deflessione orizzontale. Dato che le rispettive costanti di tempo del circuito di uscita orizzontale, e del circuito di pilotaggio del circuito di uscita dell'alta tensione non debbono essere molto grandi per impedire errori di funzionamento ,non verrà ad essere ridotta la stabilità delle immagini.

In seguito, facendo riferimento alla figura 16 verrà descritto un circuito di deflessione orizzontale di una quarta forma di realizzazione secondo la presente invenzione.

Facendo riferimento alla figura 16, un resistore 131 è collegato attraverso il gate e la sorgente di un MOSFET 51 che serve come transistore di uscita orizzontale. La resistenza R del resistore 131 è determinata in modo che una tensione che si presenta sul punto di giunzione di un resistore 32 ed il resistore 131 cioè, la tensione di gate VQ del MOSFET 51, quando una tensione V1 che si verifica su un punto di giunzione P2 è uguale alla tensione VQSC di inizio oscillazione di un circuito 11 di oscillazione orizzontale è più bassa della tensione di soglia di gate VTH nell'intervallo che va da circa 2,5 a 4,5 V del MOSFET 51. Ad esempio, quando la tensione di inizio dell'oscillazione VOSC del circuito 11 di oscillazione orizzontale è di3 V e la resistenza RL del resistore è di 2,7 kn, la resistenza R del resistore 131 è di 6,8 kO. La tensione di gate VQ è espressa dalla espressione (1).

Dato che il resistore 131 è collegato attraverso il gate e la sorgente del MOSFET 51 che serve come transistore di uscita orizzontale, la tensione di gate VG del MOSFET 51 viene mantenuta sotto la tensione di soglia di gate VTH del MOSFET 51 fin quando la tensione sul punto di giunzione P2 raggiunge la tensione di inizio oscillazione VOSC e il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizia il suo funzionamento dopo il collegamento del circuito 11 di oscillazione orizzontale all’alimentazione. Conseguentemente, il MOSFET 51 non viene mai portato in conduzione prima che il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizia il suo funzionamento, e verrà impedito il flusso di una corrente eccessiva, che farebbe saltare il fusibile dell’alimentatore, attraverso il circuito di uscita orizzontale, e può essere aumentata la affidabilità del circuito di deflessione orizzontale.

La costante di tempo del circuito di pilotaggio dell'orizzontale non deve essere altrettanto grande quanto quella del circuito di pilotaggio orizzontale del circuito di deflessione orizzontale convenzionale per impedire che il MOSFET 51 venga portato in conduzione prima che il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizi il suo funzionamento, per cui le caratteristiche di risposta ai transitori (caratteristiche di commutazione) del circuito di uscita orizzontale non vengono ad essere deteriorate e non verrà ridotta la stabilità delle immagini.

Dato che non è necessaria la selezione di MOSFET avente una tensione di soglia di gate superiore alla tensione VOSC di inizio delle oscillazioni del circuito 11 di oscillazione orizzontale perl 'impiego come MOSFET 51, non è necessario il lavoro di selezione del MOSFET, e si possono evitare gli inconvenienti che sono utilizzabili solo MOSFET che soddisfino a particolari condizioni.

Dato che il resiatore 131 è collegato attraverso gate e sorgente del MOSFET 51, la impedenza tra il gate e la sorgente del MOSFET 51 è piccola, per cui il MOSFET 51 non verrà portato in conduzione anche se il rumore impulsivo provocato dalla scarica del CRT associato è applicato al gate del MOSFET 51 non verrà visualizzato rumore impulsivo .

In seguito facendo riferimento alla figura 17 verrà descritto un circuito di deflessione orizzontale secondo una quinta forma di realizzazione della presente invenzione.

Facendo riferimento alla figura 17 un resistore 138 è collegato attraverso il gate e sorgente di un MOSFET 52 che serve come transistore di uscita per l'alta tensione. Dopo che il circuito di deflessione orizzontale è stato collegato alla alimentazione, la tensione di gate del MOSFET 52 viene tenuta sotto una tensione di soglia di gate fin quando la tensione V1 sulla giunzione raggiunge una tensione VOSC di inizio oscillazione ed il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizia il suo funzionamento. Conseguentemente, il MOSFET 52 non verrà portato in conduzione prima che il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizi il suo funzionamento, per cui verrà impedito il flusso di una corrente eccessiva che farebbe saltare il fusibile dell'alimentatore attraverso il circuito dell'alta tensione e può essere aumentata la affidabilità del circuito di deflessione orizzontale .

Dato che la costante di tempo di un circuito di pilotaggio orizzontale non deve essere molto grande per impedire che il MOSFET 52 venga portato in conduzione prima che il circuito 11 di oscillazione orizzontale inizi il suo funzionamento, le caratteristiche di risposta ai transitori (caratteristiche di commutazione) di un circuito di uscita orizzontale non sono deteriorate e non verrà ridotta la stabilità delle immagini.

Dato che il resistore 138 è collegato anche attraverso gate e sorgente di un MOSFET 51 , la impedenza tra gate e sorgente del MOSFET 51 è bassa, il MOSFET 51 non verrà portato in conduzione anche se il rumore impulsivo generato dalla scarica del CRT associato viene applicato al gate del MOSFET 51 e il rumore impulsivo non verrà visualizzato .

Verrà descritto oltre facendo riferimento alla figura 18, un circuito di deflessione orizzontale secondo una sesta forma di realizzazione della presente invenzione.

Facendo riferimento alla figura 18, il punto di giunzione del collettore di un transistore 31 di pilotaggio orizzontale ed un resistore 32 sono collegati alla base di un transistore npn 227 collegato in un circuito ad inseguitore di emettitore che serve quale mezzo di variazione di impedenza. Un resistore 238 viene collegato attraverso l'emettitore del transistore 227 e massa, ed il collettore del transistore 227 è collegato al punto di giunzione P2 di un resistore 13 e di un condensatore 14. Un diodo 229 viene collegato tra l'emettitore alla base del transistore 227. La giunzione dell'emettitore del transistore 227 ed il resistore 228 è collegata al gate di un MOSFET 51.

Dato che è previsto un circuito di pilotaggio orizzontale sul suo lato di uscita con il circuito ad inseguito di emettitore comprendente il transistore 227, il circuito di pilotaggio orizzontale pilota il MOSFET 51 con una impedenza bassa. Di conseguenza, la precisione della forma d'onda del segnale impulsivo di pilotaggio dell'orizzontale non viene ridotta anche se viene collegato un. condensatore 31 tra il gate e la sorgente del MOSFET 51. Quando il transistore 31 di' pilotaggio dell'orizzontale viene portato all'interdizione, il transistore 227 viene portato in conduzione e viene applicata energia elettrica attraverso il collettore e l'emettitore del transistore 227 per caricare il condensatore 31 e, conseguentemente, sale immediatamente un impulso di pilotaggio dell'orizzontale applicato al gate del MOSFET 51. Conseguentemente, il MOSFET 51 viene commutato in conduzione immediatamente al tempo di accensione ton senza ritardo, e il funzionamento della deflessione orizzontale non viene alterato in senso dannoso dal ritardo nella commutazione in conduzione del MOSFET 51.

La carica elettrica immagazzinata nel condensatore 31 mentre il transistore 31 è nella condizione di interdizione, cioè quando il transistore 227 ed il MOSFET 51 sono nello stato di conduzione, viene scaricata immediatamente attraverso il diodo ed il collettore e l'emettitore del transistore 31 quando il transistore 31 viene portato in conduzione, cioè, quando il transistore 227 viene commutato in interdizione. Conseguentemente, un impulso di pilotaggio orizzontale applicato al gate del MOSFET 51 cade immediatamente ed il MOSFET 51 viene disinserito immediatamente. Di conseguenza, il diodo 229 aumenta la velocità di commutazione del MOSFET 51.

Dato che la resistenza RL del resistore 32 di carico e la resistenza R del resistore 228 del circuito di pilotaggio dell'orizzontale possono essere grandi, la dissipazione di energia nel circuito di pilotaggio orizzontale è molto piccola ed il consumo di energia del circuito di pilotaggio dell'orizzontale può essere limitato ad uin valore relativamente piccolo. Ad esempio, RL = 18 kΩ e R = 10 kΩ .

Verrà descritto oltre facendo riferimento alla figura 19 un circuito di deflessione orizzontale di una settima forma di realizzazione secondo la presente invenzione in cui il circuito di deflessione orizzontale è separato dal circuito dall'alta tensione.

Facendo riferimento alla figura 19, il punto di giunzione dell'emettitore di un transistore 227 e di un resistore 228 è collegato al gate di un MOSFET 52 ad incremento che serve come transistore di uscita per l'alta tensione. La sorgente del MOSFET 52 è collegata a massa e il drain del medesimo è collegato alla presa centrale della bobina 21a del primario di un FBT 19. Il modo di funzionare del MOSFET 52 che serve come transistore di uscita per alta tensione è identico a quello del MOSFET 52 del precedente circuito di uscita orizzontale. Dato che non è necessario alcun diodo di smorzamento, si può ridurre la perdita di energia nel circuito dell'alta tensione.

Dato che è previsto un circuito di pilotaggio dell'orizzontale sul suo lato di uscita con un circuito ad inseguitore di emettitore che comprende un transistore 227, il circuito di pilotaggio dell'orizzontale pilota un transistore 31 ed il MOSFET 52 con una bassa impedenza. Conseguentemente, la resistenza RL di un resistore 32 e la resistenza R di un resistore 228 del circuito di pilotaggio dell'orizzontale può essere grande, per cui la perdita di energia nel circuito di pilotaggio dell'orizzontale è molto piccola ed il consumo di potenza del circuito di pilotaggio dell'orizzontale può essere limitato ad un valore relativamente piccolo.

In questa forma di realizzazione, carica elettrica immagazzinata nei condensatori 131, 131A e 131B quando un transistore 31 si trova nella condizioni di interdizione, cioè, mentre i transistori 227 e 31 sono nella condizione attiva, viene scaricata attraverso un percorso di scarica fornito da un diodo 229 quando il transistore 31 viene interdetto. In una modifica, la carica elettrica può essere scaricata attraverso un percorso di scarica munito di un transistore pnp 230 come mostrato in figura 20. Il transistore 230 ha la base collegata al punto di giunzione del collettore del transistore 31 ed il resistore 32 di carico e il collettore collegato a massa.I transistori 227 e 230 costituito un circuito SEPP.

Nella modifica mostrata in figura 20,il transistore 230 viene portato in condizione attiva per scaricare la carica elettrica immagazzinata dei condensatori 131, 131A e 131B attraverso l'emettitore ed il collettore del transistore 230 quando il transistore 31 viene portato in conduzione ed il transistore 227 passa all'interdizione. Quando viene impiegato questo percorso di scarica previsto con il transistore 230, la tensione di saturazione vcE(SAT) 0,2 V) è bassa in confronto alla tensione diretta VF («= 0.6 V) e la carica elettrica può essere scaricata in modo efficiente.

Conseguentemente, il circuito di pilotaggio orizzontale pilota il MOSFET che serve quale circuito di uscita orizzontale con una bassa impedenza e la riduzione nella precisione della forma d'onda dell'impulso di pilotaggio orizzontale per pilotare il MOSFET può essere soppressa. Conseguentemente, la resistenza di carico del circuito di pilotaggio orizzontale può essere grande, la perdita di energia nel circuito di pilotaggio orizzontale piccola ed il consumo di energia elettrica del circuito di pilotaggio dell'orizzontale può essere limitato ad un valore relativamente piccolo.

Facendo rifermento alla figura 21, il circuito 140 dell'alta tensione ha un MOSFET 52 ad incremento a canale n che serve quale transistore di uscita per l'alta tensione. Un impulso di pilotaggio dell'orizzontale viene applicato al gate del MOSFET 52. La sorgente del MOSFET 52 è collegata a massa ed il drain del medesimo è collegato attraverso la bobina di bassa tensione (la bobina del primario) 21a di un FBT ed un filtro passabasso 143 ad un terminale 144 di alimentazione sul quale viene applicata una tensione in continua VCC . La bobina dell'alta tensione {bobina del secondario) 21b del FBT 21 ha un estremo collegato attraverso un circuito 26 rettificatore per alta tensione ad un terminale e l'altro estremo collegato ad un estremo della bobina 21a di bassa tensione del FBT 21.

La modalità di funzionamento del MOSFET 52 che serve come transistore di uscita per l'alta tensione è fondamentalmente identica a quella del MOSFET 51 del circuito 20 di deflessione orizzontale. Nel circuito 140 per l'alta tensione, non viene collegato alcun condensatore di risonanza al MOSFET 52 e soltanto la induttanza della bobina 21a di bassa tensione del FBT 21 e la capacità distribuita interna funziona come circuito di risonanza. Una tensione di impulso di risonanza si presenta sul drain del MOSFET 52, la bobina 21b dell'alta tensione del FBT 21 fornisce una tensione impulsiva aumentata, ed il circuito 26 rettificatore dell'alta tensione applica la alta tensione HV al terminale 27.

Dato che il circuito di risonanza è costituito soltanto dalla induttanza della bobina 21a di bassa tensione e dalla capacità distribuita interna non è necessario installare un qualsiasi condensatore di risonanza su un pannello a circuito stampato e di conseguenza si può impedire il verificarsi di problemi comprendenti la apertura del condensatore di risonanza per effetto di lavoro di montaggio difettoso o per difetti nel disegno dei collegamenti nel pannello a circuito stampato. Conseguentemente, l'impiego del circuito 140 dell'alta tensione in combinazione con il CRT di un ricevitore televisivo impedisce il deterioramento della risoluzione attribuibile ad una focalizzazione insufficientemente acuta, poiché si può impiegare una tensione relativamente elevata. Il circuito dell'alta tensione non richiede di essere munito di un qualsiasi circuito di protezione in grado di rilevare una tensione anormalmente elevata e di proteggere il circuito dell'alta tensione.

Facendo riferimento alla figura 22, il FBT 21 ha un rocchetto due volte sdoppiato 42c avente una prima fenditura in cui viene avvolta la bobina 21a della bassa tensione, una seconda fenditura nella quale viene avvolta la prima bobina 21b1 di alta tensione della bobina 2lb dell'alta tensione, ed una terza fenditura in cui avvolta la seconda bobina di alta tensione 21b2 della bobina 21b di alta tensione. Un estremo della bobina 21b di alta tensione è collegato al circuito rettificatore dell'alta tensione. Il rocchetto 42c è montato su un nucleo 42d. Il FBT 21 è contenuto in una custodia 47 di schermaggio metallico e vuoti tra il FBT 21 e la custodia 47 di schermaggio sono riempiti con un resina siliconica isolante 48 per migliorare la resistenza dielettrica.

Come mostrato nella figura 23, esiste una capacità distribuita nel FBT 21 tra la custodia 47 di schermaggio e le bobine 21a e 21b e la tra la bobina 21a di bassa tensione e la bobina 21b di alta tensione. Dato che la bobina 21a di bassa tensione e la bobina 21b di alta tensione sono avvolte separatamente sul rocchetto 42c, la bobina 2la di bassa tensione e la bobina 21b di alta tensione sono debolmente accoppiate e quindi la capacità distribuita tra la bobina 21a di bassa tensione e la bobina 21b di alta tensione è relativamente grande. Quindi la capacità distribuita che esiste all'interno del FBT 21 è equivalente alla capacità del condensatore di risonanza del primario del circuito 140 dell'alta tensione. La costante dielettrica della resina siliconica isolante 48 viene usata vantaggiosamente per produrre la capacità distribuita. Dato che sia la bobina 21a di bassa tensione e la bobina 21b di alta tensione sono avvolte sullo stesso rocchetto 42c , la capacità distribuita è distribuita più uniformemente nel FBT 21 rispetto ad un FBT in cui la bobina di bassa tensione e la bobina di alta tensione sono rispettivamente avvolte su rocchetti separati .

Come detto precedentemente, il flusso di perdita aumenta provocando, oscillazioni sul reticolo che deteriorano la qualità dell'immagine quando la bobina 2la di bassa tensione e la bobina 2lb di alta tensione sono debolmente accoppiate. Per impedire il deterioramento della qualità delle immagine riducendo il flusso di perdita, la bobina 21b di alta tensione è costituita dalla prima bobina 21b1 di alta tensione avvolta nella seconda fenditura, e la seconda bobina 21b2 di alta tensione avvolta nella terza fenditura ed avente un numero di spire inferiore a quello della prima bobina di alta tensione 21b1.

Dato che il circuito di risonanza è costituito soltanto dalla induttanza della bobina di bassa tensione e dalla capacità interna distribuita del FBT, non è necessario montare un qualsiasi condensatore di risonanza su un pannello a circuito stampato e quindi si può impedire il verificarsi di problemi comprendenti la apertura del condensatore di risonanza per lavoro di montaggio difettoso o per difetti nel disegno dei collegamenti del pannello a circuito stampato. Conseguentemente, la perdita di risoluzione attribuibile ad una scarsa focalizzazione può essere impedita dato che può essere usata una tensione relativamente elevata.. Inoltre, il circuito dell'alta tensione non deve essere munito di elementi circuitali di protezione in grado di rivelare una tensione anormalmente elevata e di protezione del circuito ad alta tensione .

Dato chela bobina di bassa tensione e la bobina di alta tensione del FBT sono avvolte separatamente sul rocchetto a fenditura singola per cui la bobina di bassa tensione e la bobina dell'alta tensione sono debolmente accoppiate, la capacità distribuita tra la bobina di bassa tensione e la bobina dell'alta tensione è relativamente grande ed è distribuita in un modo uniforme .

Il flusso di dispersione del FBT viene ridotto impiegando la bobina di alta tensione che è costituita dalla prima bobina di alta tensione e dalla seconda bobina di bassa tensione avente un numero di spire inferiore a quello della prima bobina di alta tensione, per cui l'impiego del FBT riduce l'effetto del flusso di dispersione sul'immagine per sopprimere la deteriorazione della qualità dell'immagine.

Anche se l'invenzione è stata descritta in una forma di realizzazione preferita con un certo grado di dettaglio, ovviamente sono possibili in essa numerose variazioni e modifiche. Si deve quindi comprendere che l'invenzione può essere realizzata in pratica in modo diverso da quanto specificamente qui descritto senza allontanarsi dall'ambito e dallo spirito delle medesima.

Claims (1)

1. RIVENDICAZIONI 1. Circuito di deflessione orizzontale avente una bobina di deviazione orizzontale ed un condensatore di risonanza per un ricevitore televisivo, detto circuito di deflessione orizzontale comprendendo: um MOSFET collegato ad un circuito in parallelo del condensatore di risonanza e della bobina di deviazione orizzontale, e un circuito di pilotaggio che fornisce una corrente in una direzione al MOSFET in parte di ciascun periodo di scansione orizzontale e fornisce una corrente nell'altra direzione del MOSFET nel resto di ciascun periodo di scansione orizzontale in modo che scorra una corrente a dente di sega attraverso la bobina di deviazione orizzontale, 2 . Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1, in cui il circuito di pilotaggio è munito di un elemento di commutazione collegato direttamente al gate del MOSFET, il MOSFET si trova nella condizione di interdizione quando l’elemento di commutazione è nello stato di conduzione, ed il MOSFET è nello stato di conduzione quando l'elemento di commutazione è nello stato di interdizione. 3. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1 comprendente ulteriormente un circuito di oscillazione orizzontale che applica un segnale di deflessione orizzontale al circuito di pilotaggio orizzontale, ed un alimentatore per fornire energia elettrica sia al circuito di pilotaggio dell'orizzontale sia al circuito di oscillazione orizzontale. 4. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1, in cui viene collegato un elemento a resistenza tra gate e sorgente del MOSFET . 5. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1, in cui il MOSFET viene incluso in un circuito di alta tensione, ed un elemento di resistenza è collegato tra gate e sorgente del MOSFET . 6. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1,in cui il circuito di pilotaggio orizzontale pilota il MOSFET con bassa impedenza . 7. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 1, in cui il circuito di pilotaggio orizzontale è munito sul suo lato di uscita di mezzi di conversione di impedenza. 8. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 7, in cui i mezzi di conversione di impedenza sono un circuito ad inseguitore di emettitore . 9. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 5, in cui il circuito dell'alta tensione ha una induttanza della bobina di bassa tensione di un FBT e la capacità interna distribuita è equivalente ad un circuito di risonanza . 10. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 9, in cui il FBT comprende un rocchetto a doppia fenditura, una bobina a bassa tensione e una bobina per alta tensione avvolte separatamente sul rocchetto a doppia fenditura in modo che la bobina di bassa tensione e la bobina di alta tensione siano debolmente accoppiate. 11. Circuito di deflessione orizzontale secondo la rivendicazione 10, in cui la bobina di alta tensione è costituita da una prima bobina per alta tensione avvolta in adiacenza alla bobina di bassa tensione sul rocchetto a doppia fenditura, ed una seconda bobina di alta tensione avvolta in adiacenza alla bobina di alta tensione sul rocchetto a doppia fenditura, ed il numero di spire della prima bobina di alta tensione è non inferiore a quello della seconda bobina di alta tensione,