IT7828583A0 - Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie. - Google Patents

Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie.

Info

Publication number
IT7828583A0
IT7828583A0 IT7828583A IT2858378A IT7828583A0 IT 7828583 A0 IT7828583 A0 IT 7828583A0 IT 7828583 A IT7828583 A IT 7828583A IT 2858378 A IT2858378 A IT 2858378A IT 7828583 A0 IT7828583 A0 IT 7828583A0
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
field effect
memory matrix
storage transistor
effect storage
transistor
Prior art date
Application number
IT7828583A
Other languages
English (en)
Other versions
IT1206642B (it
Original Assignee
New York N Y U S A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New York N Y U S A filed Critical New York N Y U S A
Priority to IT2858378A priority Critical patent/IT1206642B/it
Publication of IT7828583A0 publication Critical patent/IT7828583A0/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1206642B publication Critical patent/IT1206642B/it

Links

IT2858378A 1978-10-10 1978-10-10 Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie. IT1206642B (it)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT2858378A IT1206642B (it) 1978-10-10 1978-10-10 Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT2858378A IT1206642B (it) 1978-10-10 1978-10-10 Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
IT7828583A0 true IT7828583A0 (it) 1978-10-10
IT1206642B IT1206642B (it) 1989-04-27

Family

ID=11223829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT2858378A IT1206642B (it) 1978-10-10 1978-10-10 Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie.

Country Status (1)

Country Link
IT (1) IT1206642B (it)

Also Published As

Publication number Publication date
IT1206642B (it) 1989-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7704633A (nl) Veldeffecttransistor.
NL7712341A (nl) Geheugenstelsel.
IT1084485B (it) Dispositivo ad emissione di campo e metodo di fabbricazione dello stesso.
ES502489A0 (es) Una instalacion de memoria mejorada de transistor de efecto de campo
NL175766C (nl) Geintegreerde geheugencel.
NL7704931A (nl) Capacitieve geheugencel.
IT1076627B (it) Matrice di memoria
IT7925898A0 (it) Dispositivo di memoria nonvolatile.
IT8321107A0 (it) Amplificatore a transistor a effetto di campo con ampia dinamica.
DE2962765D1 (de) Taktgesteuerter statischer Speicher.
IT8025973A0 (it) Cella di memoria perfezionata.
IT7926449A0 (it) Transistore di immagazzinamento.
NL7700880A (nl) Naar willekeur toegankelijk geheugen met junctieveldeffekttransistoren.
NL7708974A (nl) Geheugenmatrix.
DE3072204D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung.
NL7605024A (nl) Matrixgeheugen.
IT7926448A0 (it) Transistore ad effetto di campo aporta isolata.
NL7810256A (nl) Permanent geheugen voorzien van veldeffecttransistors.
NL7703260A (nl) Geheugen voorzien van dummy cellen.
NL7714469A (nl) Dunne-film-transistor-matrix-arrangement.
NL7808151A (nl) Statische geheugencel.
IT8025969A0 (it) Memoria ad accesso multiplo.
NL7712933A (nl) Versterker met veldeffecttransistor.
IT7828583A0 (it) Transistor di immagazzinamento ad effetto di campo e matrice di memorie.
IT8022716A0 (it) Struttura di memoria perfezionata.