IT1009961B - Procedimento per determinare la stabilita nel tempo delle carat teristiche di dispositivi semi conduttori - Google Patents

Procedimento per determinare la stabilita nel tempo delle carat teristiche di dispositivi semi conduttori

Info

Publication number
IT1009961B
IT1009961B IT21710/74A IT2171074A IT1009961B IT 1009961 B IT1009961 B IT 1009961B IT 21710/74 A IT21710/74 A IT 21710/74A IT 2171074 A IT2171074 A IT 2171074A IT 1009961 B IT1009961 B IT 1009961B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
semi
stability
procedure
determining
over time
Prior art date
Application number
IT21710/74A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Application granted granted Critical
Publication of IT1009961B publication Critical patent/IT1009961B/it

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/316Testing of analog circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2621Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
IT21710/74A 1973-06-25 1974-04-22 Procedimento per determinare la stabilita nel tempo delle carat teristiche di dispositivi semi conduttori IT1009961B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US373042A US3882391A (en) 1973-06-25 1973-06-25 Testing the stability of MOSFET devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
IT1009961B true IT1009961B (it) 1976-12-20

Family

ID=23470672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT21710/74A IT1009961B (it) 1973-06-25 1974-04-22 Procedimento per determinare la stabilita nel tempo delle carat teristiche di dispositivi semi conduttori

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3882391A (it)
JP (1) JPS5519427B2 (it)
DE (1) DE2429836A1 (it)
FR (1) FR2234569B1 (it)
GB (1) GB1469486A (it)
IT (1) IT1009961B (it)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4168432A (en) * 1978-01-16 1979-09-18 Rca Corporation Method of testing radiation hardness of a semiconductor device
DE3232671A1 (de) * 1982-09-02 1984-03-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung und verfahren zur spannungsmessung an einem vergrabenen messobjekt
DE3235100A1 (de) * 1982-09-22 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur messung elektrischer potentiale an vergrabener festkoerpersubstanz
US4509012A (en) * 1982-12-30 1985-04-02 Lin Shi Tron Method for determining the characteristic behavior of a metal-insulator-semiconductor device in a deep depletion mode
DE3312687A1 (de) * 1983-04-08 1984-10-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Einrichtung zur pruefung von elektrische schaltkreise enthaltenden prueflingen
JPS6190464A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置およびその製造方法
US4859938A (en) * 1986-05-05 1989-08-22 Intel Corporation Novel technique to detect oxydonor generation in IC fabrication
US4829243A (en) * 1988-02-19 1989-05-09 Microelectronics And Computer Technology Corporation Electron beam testing of electronic components
FR2674636B1 (fr) * 1991-03-29 1994-07-29 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de qualification d'un systeme capacitif.
DE19610065A1 (de) * 1996-03-14 1997-09-18 Siemens Ag Verfahren zur Abschätzung der Lebensdauer eines Leistungshalbleiter-Bauelements
US5781445A (en) * 1996-08-22 1998-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma damage monitor
US6472233B1 (en) * 1999-08-02 2002-10-29 Advanced Micro Devices, Inc. MOSFET test structure for capacitance-voltage measurements
US7949985B2 (en) * 2007-06-01 2011-05-24 Synopsys, Inc. Method for compensation of process-induced performance variation in a MOSFET integrated circuit
CN109270423B (zh) * 2018-10-03 2020-11-20 大连理工大学 一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3668523A (en) * 1969-05-07 1972-06-06 Bell Telephone Labor Inc Electrical testing of dielectric layers, exhibiting voltage dependent capacitance, with linear ramp voltages

Also Published As

Publication number Publication date
US3882391A (en) 1975-05-06
FR2234569A1 (it) 1975-01-17
DE2429836A1 (de) 1975-01-23
FR2234569B1 (it) 1976-06-25
JPS5519427B2 (it) 1980-05-26
JPS5023980A (it) 1975-03-14
GB1469486A (en) 1977-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1032591B (it) Procedimento per la fabbricazione di dispostivi semiconduttori
IT1063768B (it) Procedimento perfezionato per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori
IT1007685B (it) Procedimento per la produzione di dispositivi semiconduttori
IT1106505B (it) Procedimento per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori
IT1072966B (it) Ecosonda per la misurazione di livelli di riempimento
IT1009961B (it) Procedimento per determinare la stabilita nel tempo delle carat teristiche di dispositivi semi conduttori
IT1041310B (it) Dispositivo fotoelettronico per la misurazione delle lunghezze
IT1012364B (it) Procedimento perfezionato per la fabbricazione di dispositivi semi conduttori
IT1010166B (it) Metodo per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori
IT1033136B (it) Apparecchio per misurare le con centrazioni di no
IT1037500B (it) Procedimento per la fabbricazione di composti carbonilici
IT997137B (it) Apparecchiatura per misurare la lunghezza di segmenti curvilinei
IT1054435B (it) Procedimento per la produzione di carbonilaldimminometanfosfonati
IT1036429B (it) Procedimento per la produzione di dimetisolfossido
IT1041366B (it) Procedimento per la fabbricazione di pasta dentifricia
IT1051692B (it) Procedimento per la fabbricazione di semiconduttori composti
IT1050675B (it) Procedimento per la produzione di antrachinone
IT1041150B (it) Metodo per la fabbricazione di fenil metil carbinolo
IT1047280B (it) Procedimento per la produzione di polieteri polioli
IT1041201B (it) Procedimento per la produzione di 2 metil tetraidro pirimidine i sostituite
IT1041180B (it) Procedimento per la produzione di diamminonaftalina
IT1014119B (it) Dispositivo per la prova di siga rette
IT1018362B (it) Fondente per la formazione di sovrametalli saldati
IT1047960B (it) Procedimento per la colata di lingotti
IT1019646B (it) Apparecchiatura per la misura dell area di ugelli