GR20010100433A - Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του - Google Patents

Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του

Info

Publication number
GR20010100433A
GR20010100433A GR20010100433A GR2001100433A GR20010100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A GR 2001100433 A GR2001100433 A GR 2001100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
type chemical
fabricate
selective sensor
capacitive type
freestanding
Prior art date
Application number
GR20010100433A
Other languages
English (en)
Other versions
GR1004286B (el
Inventor
Pascal Normand
Δημητριος Γουστουριδης
Αγγελικη Τσερεπη
Δημητριος Τσουκαλας
Σταυρος Χατζανδρουλης
Original Assignee
Pascal Normand
Δημητριος Γουστουριδης
Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων "Δημοκριτος", Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης
Αγγελικη Τσερεπη
Δημητριος Τσουκαλας
Σταυρος Χατζανδρουλης
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pascal Normand, Δημητριος Γουστουριδης, Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων "Δημοκριτος", Ινστιτουτο Μικροηλεκτρονικης, Αγγελικη Τσερεπη, Δημητριος Τσουκαλας, Σταυρος Χατζανδρουλης filed Critical Pascal Normand
Priority to GR20010100433A priority Critical patent/GR1004286B/el
Publication of GR20010100433A publication Critical patent/GR20010100433A/el
Publication of GR1004286B publication Critical patent/GR1004286B/el

Links

Abstract

νας χημικός αισθητήρας τύπου χωρητικότητας και η μέθοδος κατασκευής του περιλαμβάνει την τελική απελευθέρωση της αιωρούμενης μικροδομής πυριτίου με εγχάραξη σε πλάσμα προλαμβάνοντας με αυτόν τον τρόπο την κόλληση της απελευθερούμενης δομής στο υπόστρωμα. Το βήμα αυτό αποτελεί σημαντική βελτίωση σε σχέση με την διαδικασία που χρησιμοποιείται από άλλους για την κατασκευή τέτοιων αιωρούμενων δομών Si. Η απελευθερωμένη δομή πυριτίου βρίσκεται σε γειτνίαση (τυπικά 1μm) με υποκείμενο υπόστρωμα πυριτίου στο οποίο έχει σχηματιστεί ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο. Μία διάταξη χημικού αισθητήρα μπορεί εύκολα να πραγματοποιηθεί αν ένα διογκούμενο χημικά επιλεκτικό στρώμα τοποθετηθεί πάνω σε μία ελεύθερη δομή Si (τυπικά ένα απλό μικροδοκό). Το στρώμα πολυμερούς διαστέλλεται παρουσία οργανικών αερίων/ατμών καθώς απορροφά οργανικά μόρια. Η διαστολή του πολυμερούς επάγει μηχανική τάση στις υποκείμενες ελεύθερες δομές πυριτίου και προκαλεί απόκλιση από την αρχική θέση προς την κατεύθυνση ενός σταθερού ηλεκτροδίου, αλλάζοντας με αυτόν τον τρόπο την χωρητικότητα της διάταξης. Σε μια άλλη πιθανή εφαρμογή, μια αιωρούμενη δομή τύπου χωρητικότητας κατασκευασμένη με την ίδια μέθοδο μπορεί να χρησιμοποιηθεί σαν μέσο παρακολούθησης της διαδικασίας ανάπτυξης υμενίων. Σε αυτή την περίπτωση, δεν απαιτείται η ύπαρξη χημικού στρώματος στην επιφάνεια του πυριτίου και η απόκλιση της διάταξης από την αρχική θέση προκαλείται από την τάση που αναπτύσσεται κατά την διάρκεια της εναπόθεσης του υμενίου. ΰ
GR20010100433A 2001-09-13 2001-09-13 Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του GR1004286B (el)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20010100433A GR1004286B (el) 2001-09-13 2001-09-13 Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20010100433A GR1004286B (el) 2001-09-13 2001-09-13 Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του

Publications (2)

Publication Number Publication Date
GR20010100433A true GR20010100433A (el) 2003-05-19
GR1004286B GR1004286B (el) 2003-06-26

Family

ID=29559687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20010100433A GR1004286B (el) 2001-09-13 2001-09-13 Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR1004286B (el)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994018697A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
EP0665590A2 (en) * 1994-01-31 1995-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
WO1999032890A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Siemens Aktiengesellschaft Mikromechanische vorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994018697A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
EP0665590A2 (en) * 1994-01-31 1995-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
WO1999032890A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Siemens Aktiengesellschaft Mikromechanische vorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
GR1004286B (el) 2003-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GR1004040B (el) Μεθοδος για την κατασκευη αιωρουμενων μεμβρανων πορωδους πυριτιου και εφαρμογης της σε αισθητηρες αεριων
AU6203400A (en) Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
AU2001281381A1 (en) Bonded wafer optical mems process
AU2001294795A1 (en) Freestanding polymer mems structures with anti stiction
WO2002090245A3 (en) Methods of forming microstructure devices
AU2001272062A1 (en) System for aiding the selection of personnel
AU2002303591A1 (en) Microelectromechanical system devices integrated with semiconductor structures
AU3702900A (en) Temperature compensated microelectromechanical structures and methods of compensating the effects of ambient temperature variations
AUPQ691400A0 (en) Separation of micromolecules
AU2002241793A1 (en) Process for the preparation of organoclays
AU2002234603A1 (en) Method for the manufacture of micro structures
ATE329271T1 (de) Kombinierte struktur mit verbesserter fähigkeit zur schockaufnahme und stress isolation für einen verbesserten mikromechanischen silizium beschleunigungsaufnehmer
AU2001286862A1 (en) Fabrication of ceramic microstructures
AU2002225276A1 (en) Fabrication of silicon micro mechanical structures
AU2001292125A1 (en) Genetic factors affecting the outcome of viral infections
HK1054202B (zh) 口腔內崩解型固體製劑及其製備方法
AU5887100A (en) Multi-modal analysis of micromechanical structures for sensing applications
GR20010100433A (el) Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του
ITMI20000560A0 (it) Processo per la preparazione di formulazioni a rilascio accelerato con impiego di fluidi compressi
AU2001261519A1 (en) Methods of affecting laminin 5 processing
AU2002223991A1 (en) Silicon capacitive accelerometer
WO2004028956A3 (de) Verfahren und mikromechanisches bauelement
WO2002095420A3 (de) Prozessanschluss
WO2004063089A3 (en) Recessed microstructure device and fabrication method thereof
AU2001286230A1 (en) Process for the removal of nitrobenzenesulfonyl