GR20010100433A - Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του - Google Patents
Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης τουInfo
- Publication number
- GR20010100433A GR20010100433A GR20010100433A GR2001100433A GR20010100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A GR 2001100433 A GR2001100433 A GR 2001100433A GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A
- Authority
- GR
- Greece
- Prior art keywords
- type chemical
- fabricate
- selective sensor
- capacitive type
- freestanding
- Prior art date
Links
Abstract
νας χημικός αισθητήρας τύπου χωρητικότητας και η μέθοδος κατασκευής του περιλαμβάνει την τελική απελευθέρωση της αιωρούμενης μικροδομής πυριτίου με εγχάραξη σε πλάσμα προλαμβάνοντας με αυτόν τον τρόπο την κόλληση της απελευθερούμενης δομής στο υπόστρωμα. Το βήμα αυτό αποτελεί σημαντική βελτίωση σε σχέση με την διαδικασία που χρησιμοποιείται από άλλους για την κατασκευή τέτοιων αιωρούμενων δομών Si. Η απελευθερωμένη δομή πυριτίου βρίσκεται σε γειτνίαση (τυπικά 1μm) με υποκείμενο υπόστρωμα πυριτίου στο οποίο έχει σχηματιστεί ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο. Μία διάταξη χημικού αισθητήρα μπορεί εύκολα να πραγματοποιηθεί αν ένα διογκούμενο χημικά επιλεκτικό στρώμα τοποθετηθεί πάνω σε μία ελεύθερη δομή Si (τυπικά ένα απλό μικροδοκό). Το στρώμα πολυμερούς διαστέλλεται παρουσία οργανικών αερίων/ατμών καθώς απορροφά οργανικά μόρια. Η διαστολή του πολυμερούς επάγει μηχανική τάση στις υποκείμενες ελεύθερες δομές πυριτίου και προκαλεί απόκλιση από την αρχική θέση προς την κατεύθυνση ενός σταθερού ηλεκτροδίου, αλλάζοντας με αυτόν τον τρόπο την χωρητικότητα της διάταξης. Σε μια άλλη πιθανή εφαρμογή, μια αιωρούμενη δομή τύπου χωρητικότητας κατασκευασμένη με την ίδια μέθοδο μπορεί να χρησιμοποιηθεί σαν μέσο παρακολούθησης της διαδικασίας ανάπτυξης υμενίων. Σε αυτή την περίπτωση, δεν απαιτείται η ύπαρξη χημικού στρώματος στην επιφάνεια του πυριτίου και η απόκλιση της διάταξης από την αρχική θέση προκαλείται από την τάση που αναπτύσσεται κατά την διάρκεια της εναπόθεσης του υμενίου. ΰ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
GR20010100433A true GR20010100433A (el) | 2003-05-19 |
GR1004286B GR1004286B (el) | 2003-06-26 |
Family
ID=29559687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
GR (1) | GR1004286B (el) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994018697A1 (en) * | 1993-02-04 | 1994-08-18 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof |
EP0665590A2 (en) * | 1994-01-31 | 1995-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same |
WO1999032890A1 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanische vorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren |
-
2001
- 2001-09-13 GR GR20010100433A patent/GR1004286B/el unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994018697A1 (en) * | 1993-02-04 | 1994-08-18 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof |
EP0665590A2 (en) * | 1994-01-31 | 1995-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same |
WO1999032890A1 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanische vorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GR1004286B (el) | 2003-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GR1004040B (el) | Μεθοδος για την κατασκευη αιωρουμενων μεμβρανων πορωδους πυριτιου και εφαρμογης της σε αισθητηρες αεριων | |
AU6203400A (en) | Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration | |
AU2001281381A1 (en) | Bonded wafer optical mems process | |
AU2001294795A1 (en) | Freestanding polymer mems structures with anti stiction | |
WO2002090245A3 (en) | Methods of forming microstructure devices | |
AU2001272062A1 (en) | System for aiding the selection of personnel | |
AU2002303591A1 (en) | Microelectromechanical system devices integrated with semiconductor structures | |
AU3702900A (en) | Temperature compensated microelectromechanical structures and methods of compensating the effects of ambient temperature variations | |
AUPQ691400A0 (en) | Separation of micromolecules | |
AU2002241793A1 (en) | Process for the preparation of organoclays | |
AU2002234603A1 (en) | Method for the manufacture of micro structures | |
ATE329271T1 (de) | Kombinierte struktur mit verbesserter fähigkeit zur schockaufnahme und stress isolation für einen verbesserten mikromechanischen silizium beschleunigungsaufnehmer | |
AU2001286862A1 (en) | Fabrication of ceramic microstructures | |
AU2002225276A1 (en) | Fabrication of silicon micro mechanical structures | |
AU2001292125A1 (en) | Genetic factors affecting the outcome of viral infections | |
HK1054202B (zh) | 口腔內崩解型固體製劑及其製備方法 | |
AU5887100A (en) | Multi-modal analysis of micromechanical structures for sensing applications | |
GR20010100433A (el) | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του | |
ITMI20000560A0 (it) | Processo per la preparazione di formulazioni a rilascio accelerato con impiego di fluidi compressi | |
AU2001261519A1 (en) | Methods of affecting laminin 5 processing | |
AU2002223991A1 (en) | Silicon capacitive accelerometer | |
WO2004028956A3 (de) | Verfahren und mikromechanisches bauelement | |
WO2002095420A3 (de) | Prozessanschluss | |
WO2004063089A3 (en) | Recessed microstructure device and fabrication method thereof | |
AU2001286230A1 (en) | Process for the removal of nitrobenzenesulfonyl |