GR1004286B - Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του - Google Patents
Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης τουInfo
- Publication number
- GR1004286B GR1004286B GR20010100433A GR2001100433A GR1004286B GR 1004286 B GR1004286 B GR 1004286B GR 20010100433 A GR20010100433 A GR 20010100433A GR 2001100433 A GR2001100433 A GR 2001100433A GR 1004286 B GR1004286 B GR 1004286B
- Authority
- GR
- Greece
- Prior art keywords
- type chemical
- fabricate
- selective sensor
- capacitive type
- freestanding
- Prior art date
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
νας χημικός αισθητήρας τύπου χωρητικότητας και η μέθοδος κατασκευής του περιλαμβάνει την τελική απελευθέρωση της αιωρούμενης μικροδομής πυριτίου με εγχάραξη σε πλάσμα προλαμβάνοντας με αυτόν τον τρόπο την κόλληση της απελευθερούμενης δομής στο υπόστρωμα. Το βήμα αυτό αποτελεί σημαντική βελτίωση σε σχέση με την διαδικασία που χρησιμοποιείται από άλλους για την κατασκευή τέτοιων αιωρούμενων δομών Si. Η απελευθερωμένη δομή πυριτίου βρίσκεται σε γειτνίαση (τυπικά 1μm) με υποκείμενο υπόστρωμα πυριτίου στο οποίο έχει σχηματιστεί ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο. Μία διάταξη χημικού αισθητήρα μπορεί εύκολα να πραγματοποιηθεί αν ένα διογκούμενο χημικά επιλεκτικό στρώμα τοποθετηθεί πάνω σε μία ελεύθερη δομή Si (τυπικά ένα απλό μικροδοκό). Το στρώμα πολυμερούς διαστέλλεται παρουσία οργανικών αερίων/ατμών καθώς απορροφά οργανικά μόρια. Η διαστολή του πολυμερούς επάγει μηχανική τάση στις υποκείμενες ελεύθερες δομές πυριτίου και προκαλεί απόκλιση από την αρχική θέση προς την κατεύθυνση ενός σταθερού ηλεκτροδίου, αλλάζοντας με αυτόν τον τρόπο την χωρητικότητα της διάταξης. Σε μια άλλη πιθανή εφαρμογή, μια αιωρούμενη δομή τύπου χωρητικότητας κατασκευασμένη με την ίδια μέθοδο μπορεί να χρησιμοποιηθεί σαν μέσο παρακολούθησης της διαδικασίας ανάπτυξης υμενίων. Σε αυτή την περίπτωση, δεν απαιτείται η ύπαρξη χημικού στρώματος στην επιφάνεια του πυριτίου και η απόκλιση της διάταξης από την αρχική θέση προκαλείται από την τάση που αναπτύσσεται κατά την διάρκεια της εναπόθεσης του υμενίου. ΰ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
GR20010100433A GR20010100433A (el) | 2003-05-19 |
GR1004286B true GR1004286B (el) | 2003-06-26 |
Family
ID=29559687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
GR20010100433A GR1004286B (el) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
GR (1) | GR1004286B (el) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69333551T2 (de) * | 1993-02-04 | 2005-06-23 | Cornell Research Foundation, Inc. | Einzelmaskenprozess zum Herstellen von Mikrostrukturen, Einkristallherstellungsverfahren |
US5658698A (en) * | 1994-01-31 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same |
WO1999032890A1 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanische vorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren |
-
2001
- 2001-09-13 GR GR20010100433A patent/GR1004286B/el unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GR20010100433A (el) | 2003-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2003027003A3 (en) | Methods of nanotube films and articles | |
GR1004040B (el) | Μεθοδος για την κατασκευη αιωρουμενων μεμβρανων πορωδους πυριτιου και εφαρμογης της σε αισθητηρες αεριων | |
AU6203400A (en) | Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration | |
AU2001294795A1 (en) | Freestanding polymer mems structures with anti stiction | |
AU2001272062A1 (en) | System for aiding the selection of personnel | |
AU2002315200A1 (en) | Production metering and well testing system background of the invention | |
AU3702900A (en) | Temperature compensated microelectromechanical structures and methods of compensating the effects of ambient temperature variations | |
AUPQ691400A0 (en) | Separation of micromolecules | |
AU2002241793A1 (en) | Process for the preparation of organoclays | |
AU2002221528A1 (en) | Use of hyaluronic acid derivatives for the prevention of inflammatory arthritis | |
AU2001264587A1 (en) | High efficiency plasma display panel device and method of fabricating the same | |
DE60028587D1 (de) | KOMBINIERTE STRUKTUR MIT VERBESSERTER FäHIGKEIT ZUR SCHOCKAUFNAHME UND STRESS ISOLATION FüR EINEN VERBESSERTEN MIKROMECHANISCHEN SILIZIUM BESCHLEUNIGUNGSAUFNEHMER | |
AU2001286862A1 (en) | Fabrication of ceramic microstructures | |
AU5887100A (en) | Multi-modal analysis of micromechanical structures for sensing applications | |
GR1004286B (el) | Χημικα επιλεκτικος αισθητηρας τυπου χωρητικοτητας και μεθοδος κατασκευης του | |
ITMI20000560A0 (it) | Processo per la preparazione di formulazioni a rilascio accelerato con impiego di fluidi compressi | |
AU7881400A (en) | Assembly process for delicate silicon structures | |
AU2002337843A1 (en) | Processes for the preparation of substituted isoxazoles and 2-isoxazolines | |
AU2002223991A1 (en) | Silicon capacitive accelerometer | |
AU2827100A (en) | Process for the preparation of phenylhydrazines | |
AU2003259915A1 (en) | Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same | |
GB0112239D0 (en) | Optical sensor and process for the production thereof | |
WO2004028956A3 (de) | Verfahren und mikromechanisches bauelement | |
WO2002095420A3 (de) | Prozessanschluss | |
AU2002335992A1 (en) | Process for the production of ascopyrone p |