FR3118175A1 - PROCEDURE FOR INSPECTION OF A SURFACE OF AN OBJECT - Google Patents
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Abstract
L’invention concerne un procédé mettant en œuvre un dispositif d’inspection (1) d’une surface (S) d’un objet. Le dispositif comprend une source de lumière polychromatique (20) pour projeter un faisceau d’inspection sur la surface (S); un masque confocal (6a, 6b) interceptant le faisceau d’inspection et un faisceau réfléchi par la surface, présentant une pluralité d’ouvertures de filtrage chromatique; un système chromatique (3) étalant spatialement la focalisation du faisceau d’inspection selon des plans de focalisation le long d’un axe optique (AO) dans une profondeur de champ, interceptant le faisceau réfléchi pour le projeter sur un plan de détection (P) conjugué des plans de focalisation; un support mobile (4) pour positionner la surface (S) dans la profondeur de champ; un capteur d’image à intégration temporisée (5) synchronisé au déplacement de la surface, le capteur d’image (5) comprenant une matrice de photodétecteurs disposée dans le plan de détection (P), les ouvertures de filtrage chromatique du masque confocal éclairant une partie des photodétecteurs. Fig . 1The invention relates to a method implementing a device (1) for inspecting a surface (S) of an object. The device comprises a polychromatic light source (20) for projecting an inspection beam onto the surface (S); a confocal mask (6a, 6b) intercepting the inspection beam and a beam reflected from the surface, having a plurality of chromatic filtering apertures; a chromatic system (3) spatially spreading the focusing of the inspection beam according to focusing planes along an optical axis (AO) in a depth of field, intercepting the reflected beam to project it onto a detection plane (P ) conjugate of the focusing planes; a mobile support (4) to position the surface (S) in the depth of field; a timed integration image sensor (5) synchronized to the movement of the surface, the image sensor (5) comprising a matrix of photodetectors arranged in the detection plane (P), the chromatic filtering apertures of the confocal mask illuminating part of the photodetectors. Fig. 1
Description
DOMAINE DE L’INVENTIONFIELD OF THE INVENTION
La présente invention concerne un dispositif et un procédé d’inspection d’une surface d’un objet. Un dispositif et un procédé conformes à l’invention permettent l’inspection de la surface de l’objet lorsque celle-ci comprend de fortes variations de hauteur et permet de générer à hautes cadences des images d’intensité représentatives de la réflectivité de cette surface avec une profondeur de champ étendue et une grande résolution latérale. D’une manière générale, l'invention relève du domaine de l’imagerie pour l'inspection et le contrôle d’objets, tels que des substrats pour l’industrie du semi-conducteur ou de l’optique intégrée (plaquettes semi-conductrices ou substrats sous toutes les formes, en cours ou en fin de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs), ou d’autres objets dans les domaines de la mécanique ou l’industrie manufacturière par exemple (micro-mécanismes, pièces ou assemblage d’horlogerie, systèmes assemblés).The present invention relates to a device and a method for inspecting a surface of an object. A device and a method according to the invention allow the inspection of the surface of the object when the latter comprises strong variations in height and allows the generation at high speeds of intensity images representative of the reflectivity of this surface. with extended depth of field and great lateral resolution. In general, the invention relates to the field of imaging for the inspection and control of objects, such as substrates for the semiconductor industry or integrated optics (semiconductor wafers or substrates in all forms, in progress or at the end of manufacture of semiconductor devices), or other objects in the fields of mechanics or manufacturing industry for example (micro-mechanisms, parts or assembly of watchmaking, assembled systems).
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTIONTECHNOLOGICAL BACKGROUND OF THE INVENTION
Dans le domaine de l’industrie du semiconducteur, l'augmentation des cadences de production des plaquettes de dispositifs à semi-conducteurs et la réduction de la taille des motifs créent un besoin croissant d’inspection en imagerie à hautes cadences. Les méthodes pour imager ces plaquettes doivent ainsi permettre la localisation rapide des défauts, structures et motifs sur toute la surface des plaquettes. Par ailleurs, du fait de la courbure des plaquettes notamment, ou du fait de la hauteur des structures à imager (bords de wafer, …), il est nécessaire de pouvoir effectuer des images nettes dans une zone de profondeur de champ étendue. Dans d’autres domaines, tels que ceux de la micromécanique ou l’horlogerie, les objets à inspecter peuvent avoir un relief ou des différences de hauteur importantes, nécessitant également des profondeurs de champ étendues.In the field of the semiconductor industry, the increase in the production rates of semiconductor device wafers and the reduction in the size of the patterns create a growing need for high-speed imaging inspection. The methods for imaging these wafers must therefore allow the rapid localization of defects, structures and patterns over the entire surface of the wafers. Furthermore, due to the curvature of the wafers in particular, or due to the height of the structures to be imaged (edges of the wafer, etc.), it is necessary to be able to produce sharp images in an area of extended depth of field. In other fields, such as those of micromechanics or watchmaking, the objects to be inspected may have significant relief or differences in height, also requiring extended depths of field.
On connaît des systèmes d’imagerie optique tels que des microscopes classiques. Ces systèmes sont en général limités en profondeur de champ : la limite de diffraction optique fait qu'il est très difficile d'avoir à la fois un fort grossissement et une grande profondeur de champ. Ceci est particulièrement pénalisant lors du contrôle de surfaces éloignées ou de structures avec des hauteurs ou des profondeurs significatives. Ce problème est généralement résolu en maintenant l’objectif à distance voulue de la surface mesurée, par un système de type autofocus. Cela se traduit par des vitesses de déplacement diminuées et des systèmes plus complexes, voire la nécessité d’effectuer plusieurs passages pour acquérir les images.Optical imaging systems such as conventional microscopes are known. These systems are generally limited in depth of field: the optical diffraction limit makes it very difficult to have both high magnification and a large depth of field. This is particularly penalizing when inspecting distant surfaces or structures with significant heights or depths. This problem is generally solved by keeping the lens at the desired distance from the measured surface, by an autofocus type system. This translates into lower travel speeds and more complex systems, or even the need to perform multiple passes to acquire images.
Le document US 8,654,324 met en œuvre une méthode pour augmenter la profondeur de champ en exploitant la dispersion chromatique d’un objectif chromatique. La lumière transmise au travers d’une fente est projetée sur un objet au travers d’un objectif chromatique. La lumière réfléchie par la surface inspectée est renvoyée vers l’objectif chromatique puis transmise au travers d’une fente placée devant un détecteur linéaire. L’objectif chromatique utilisé dans cette configuration permet d’augmenter la profondeur de champ de mesure en exploitant le fait que différentes longueurs d’onde sont focalisées à différentes distances sur l’objet. Cependant, ce système n’est pas adapté à la formation d’images d’intensité en deux dimensions et avec une grande résolution latérale. Ceci du fait de sa configuration en fente qui ne respecte pas les critères d’une détection confocale dans une dimension et génère ainsi de la diaphonie ou cross-talk entre voies de mesure.US 8,654,324 implements a method to increase the depth of field by exploiting the chromatic dispersion of a chromatic lens. Light transmitted through a slit is projected onto an object through a chromatic lens. The light reflected by the inspected surface is returned to the chromatic objective then transmitted through a slit placed in front of a linear detector. The chromatic objective used in this configuration increases the measurement depth of field by exploiting the fact that different wavelengths are focused at different distances on the object. However, this system is not suitable for forming two-dimensional intensity images with high lateral resolution. This is due to its slit configuration which does not meet the criteria of confocal detection in one dimension and thus generates crosstalk or cross-talk between measurement channels.
Le document US 9,739,600 B1 décrit un système permettant la localisation de motifs selon deux dimensions avec une profondeur de champ étendue obtenue par un objectif chromatique. Le profil ou la distance des structures identifiées peuvent être mesurés par le même instrument en respectant les critères d’une détection confocale, avec un minimum de cross-talk entre voies de mesure. La vitesse d’acquisition du système est toutefois directement limitée par la quantité de lumière collectée par le photodétecteur et surtout par le nombre de voies de mesure qu’il est possible d’implémenter.Document US 9,739,600 B1 describes a system allowing the location of patterns in two dimensions with an extended depth of field obtained by a chromatic lens. The profile or the distance of the identified structures can be measured by the same instrument while respecting the criteria of confocal detection, with a minimum of cross-talk between measurement channels. However, the system acquisition speed is directly limited by the amount of light collected by the photodetector and especially by the number of measurement channels that can be implemented.
Plus particulièrement, les cadences d’inspection dépendent de l’optimisation du facteur de remplissage des points de mesures sur les plaquettes inspectées et définissant la densité de points mesurés à chaque instant. Le facteur de remplissage est défini comme le rapport entre le diamètre des points de mesure (diamètre du faisceau de lumière projeté sur la plaquette au point de focalisation) et la séparation entre deux points de mesure. Ainsi, l’utilisation de fibres optiques ou de circuits optiques intégrés pose une limitation physique sur la possibilité de rapprocher les voies de mesure entre elles.More specifically, the inspection rates depend on the optimization of the filling factor of the measurement points on the inspected wafers and defining the density of points measured at each instant. The fill factor is defined as the ratio between the diameter of the measurement points (diameter of the beam of light projected on the wafer at the point of focus) and the separation between two measurement points. Thus, the use of optical fibers or integrated optical circuits poses a physical limitation on the possibility of bringing the measurement channels closer together.
Un des objectifs de l’invention est de proposer un dispositif et un procédé pour imager rapidement sur une profondeur de champ étendue une surface d’un objet.One of the objectives of the invention is to propose a device and a method for rapidly imaging a surface of an object over an extended depth of field.
Un autre objectif de l’invention est de proposer un tel dispositif et un procédé permettant une grande densité de points de mesure (résolution spatiale élevée) tout en minimisant le couplage de lumière (cross-talk) entre les voies de détection.Another objective of the invention is to propose such a device and a method allowing a high density of measurement points (high spatial resolution) while minimizing the coupling of light (cross-talk) between the detection channels.
Un autre objectif de l’invention est de permettre une localisation et une inspection de structures et de motifs d’une surface d’un objet tel qu’un substrat semi-conducteur. Les motifs peuvent notamment être des bosses de soudure disposées sur des plages conductrices des puces électroniques d’une plaquette.Another objective of the invention is to allow localization and inspection of structures and patterns of a surface of an object such as a semiconductor substrate. The patterns can in particular be solder bumps arranged on the conductive pads of the electronic chips of a wafer.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTIONBRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION
En vue de la réalisation de l’un de ces buts, l’invention propose un procédé d’inspection d’une surface d’un objet, le procédé comprenant :
- une première étape de mise en place au cours de laquelle on dispose l’objet sur un support mobile d’un dispositif d’inspection de sorte à positionner la surface dans une profondeur de champ d’un système chromatique de ce dispositif, le système chromatique étalant spatialement la focalisation d’un faisceau d’inspection polychromatique selon des plans de focalisation dans ladite profondeur de champ disposés le long d’un axe optique, et interceptant un faisceau réfléchi par la surface pour le projeter sur une matrice de photodétecteurs d’un capteur d’image à intégration temporisée disposée dans un plan de détection, conjugué des plans de focalisation ;
- une deuxième étape d’activation d’au moins une source de lumière polychromatique pour projeter le faisceau d’inspection sur la surface et ainsi former le faisceau réfléchi, au moins un masque confocal présentant une pluralité d’ouvertures de filtrage chromatique interceptant le faisceau d’inspection et le faisceau réfléchi, les ouvertures de filtrage chromatique du masque confocal permettant d’éclairer une partie des photodétecteurs ;
- une troisième étape de relevé au cours de laquelle on commande le support mobile pour déplacer la surface relativement au système chromatique au moins selon une direction d’inspection perpendiculaire à l’axe optique et parcourir une trajectoire de mesure, et au cours de laquelle on commande le capteur d’image pour le synchroniser au déplacement de la surface ;
- une quatrième étape d’acquisition des données établies par le capteur d’image et de préparation d’une image formée de pixels respectivement associés à des points de mesure de la surface de l’objet, chaque pixel reflétant l’intensité du rayonnement réfléchi par le point de mesure de la surface de l’objet.With a view to achieving one of these aims, the invention proposes a method for inspecting a surface of an object, the method comprising:
- a first placement step during which the object is placed on a mobile support of an inspection device so as to position the surface in a depth of field of a chromatic system of this device, the system chromatic spatially spreading the focusing of a polychromatic inspection beam according to focusing planes in said depth of field arranged along an optical axis, and intercepting a beam reflected by the surface to project it onto a matrix of photodetectors of a time-delayed integration image sensor arranged in a detection plane, conjugate to the focusing planes;
- a second step of activating at least one polychromatic light source to project the inspection beam onto the surface and thus form the reflected beam, at least one confocal mask having a plurality of chromatic filter openings intercepting the beam inspection and the reflected beam, the chromatic filtering openings of the confocal mask making it possible to illuminate part of the photodetectors;
- a third survey step during which the mobile support is controlled to move the surface relative to the chromatic system at least along an inspection direction perpendicular to the optical axis and travel a measurement trajectory, and during which controls the image sensor to synchronize it to the movement of the surface;
- a fourth step of acquiring the data established by the image sensor and preparing an image formed of pixels respectively associated with measurement points on the surface of the object, each pixel reflecting the intensity of the reflected radiation by the measuring point of the surface of the object.
Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable :According to other advantageous and non-limiting characteristics of the invention, taken alone or according to any technically feasible combination:
- l’objet est une plaquette de puces, la plaquette étant munie d’une pluralité de bosses de soudure ;the object is a chip wafer, the wafer being provided with a plurality of solder bumps;
- les bosses de soudure sont arrangées en ligne, et la trajectoire est au moins en partie parallèle ou perpendiculaire aux lignes de bosses de soudure ;the solder bumps are arranged in a line, and the trajectory is at least partially parallel or perpendicular to the lines of solder bumps;
- la trajectoire est formée d’une pluralité de passages présentant des altitudes différentes ;the trajectory is made up of a plurality of passes with different altitudes;
- la troisième et/ou la quatrième étape sont mises en œuvre par une unité de commande d’un dispositif d’inspection ;the third and/or the fourth step are implemented by a control unit of an inspection device;
- le procédé d’inspection comprend une étape d’analyse de l’image pour repérer la disposition d’éléments saillants de la surface ;the inspection method includes an image analysis step to identify the arrangement of protruding elements of the surface;
- l’étape d’analyse conduit à déterminer si la disposition d’éléments saillants est conforme à une disposition attendue ;the analysis step leads to determining whether the layout of salient elements conforms to an expected layout;
- le capteur d’image est un capteur d’image couleur ou multispectral fournissant une information de couleur ou spectrale, et le procédé comprend une étape de conversion de l’information de couleur ou spectrale fournie en une information de distance pour former une image 3D de la surface de l’objet ;the image sensor is a color or multispectral image sensor providing color or spectral information, and the method comprises a step of converting the color or spectral information provided into distance information to form a 3D image of the surface of the object;
- la matrice de photodétecteurs est disposée dans le plan de détection et agencée selon une pluralité de lignes et de colonnes, les charges générées par les photodétecteurs pouvant être déplacées d’une ligne à l’autre, selon une direction de colonnes synchronisée avec le déplacement selon la direction d’inspection ;the matrix of photodetectors is arranged in the detection plane and arranged according to a plurality of rows and columns, the charges generated by the photodetectors being able to be moved from one row to another, according to a direction of columns synchronized with the displacement according to the inspection department;
- les ouvertures de filtrage chromatique sont agencées sur le masque confocal pour éclairer une pluralité de photodétecteurs disposée sur une colonne de la matrice correspondant à une pluralité de points de mesure agencés selon la direction d’inspection ;the chromatic filtering openings are arranged on the confocal mask to illuminate a plurality of photodetectors arranged on a column of the matrix corresponding to a plurality of measurement points arranged along the direction of inspection;
- les ouvertures de filtrage chromatique sont réparties de manière complémentaire sur au moins deux lignes du masque confocal pour éclairer une pluralité de photodétecteurs correspondant à une pluralité de points de mesure disposés selon au moins deux lignes agencées selon une direction perpendiculaire à la direction d’inspection ;the chromatic filtering apertures are distributed in a complementary manner over at least two rows of the confocal mask to illuminate a plurality of photodetectors corresponding to a plurality of measurement points arranged along at least two rows arranged in a direction perpendicular to the direction of inspection;
- le masque confocal comprend une pluralité de groupes d’au moins deux lignes comprenant des ouvertures de filtrage chromatique réparties de manière complémentaire sur lesdites au moins deux lignes ;the confocal mask comprises a plurality of groups of at least two lines comprising chromatic filtering openings distributed in a complementary manner over said at least two lines;
- le procédé d’inspection comprend un masque confocal d’éclairage disposé dans le faisceau d’inspection et un masque confocal de détection disposé dans le faisceau réfléchi, le masque confocal d’éclairage et le masque confocal de détection étant respectivement placés dans un plan conjugué des plans de focalisation vis-à-vis du système chromatique ;the inspection method comprises an illumination confocal mask disposed in the inspection beam and a detection confocal mask disposed in the reflected beam, the illumination confocal mask and the detection confocal mask being respectively placed in a conjugate plane focal planes with respect to the chromatic system;
- le procédé d’inspection comprend un masque confocal unique, disposé dans un plan conjointement conjugué du plan de détection et des plans de focalisation vis-à-vis du système chromatique ;the inspection method comprises a single confocal mask, arranged in a jointly conjugate plane of the detection plane and the focusing planes vis-à-vis the chromatic system;
- la source de lumière polychromatique comprend une lampe halogène ou une barrette de diodes électroluminescentes, associée à un dispositif de diffusion pour homogénéiser l’intensité du faisceau d’inspection ;the polychromatic light source comprises a halogen lamp or a strip of light-emitting diodes, associated with a diffusion device to homogenize the intensity of the inspection beam;
- la source de lumière polychromatique présente un spectre en raies, présentant un nombre déterminé de longueurs d’onde d’émission ou de bandes de longueurs d’onde ;the polychromatic light source has a line spectrum, presenting a determined number of emission wavelengths or bands of wavelengths;
- le système chromatique comprend un objectif chromatique ;the color system includes a color lens;
- le système chromatique comprend un élément séparateur ;the color system includes a separator element;
- les photodétecteurs sont munis d’un filtre de couleur ou d’un filtre spectral ;the photodetectors are equipped with a color filter or a spectral filter;
- les ouvertures de filtrage chromatique sont agencées pour éclairer chacune une pluralité de photodétecteurs munis de filtres de couleurs ou de bandes spectrales différentes.the chromatic filtering apertures are arranged to each illuminate a plurality of photodetectors provided with filters of different colors or spectral bands.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles :Other characteristics and advantages of the invention will emerge from the detailed description of the invention which will follow with reference to the appended figures in which:
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTIONDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Par souci de simplification de la description à venir, les mêmes références sont utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction dans l’état de la technique ou dans les différents modes de mise en œuvre exposés du dispositif.For the sake of simplifying the description to come, the same references are used for identical elements or providing the same function in the state of the art or in the various exposed modes of implementation of the device.
La
D'une manière générale, le dispositif d'inspection 1 projette un faisceau lumineux d'inspection sur une surface S d'un objet inspecté. Le faisceau se réfléchit sur cette surface S pour projeter sur un plan de détection P d'un capteur d'image 5.In general, the inspection device 1 projects an inspection light beam onto a surface S of an inspected object. The beam is reflected on this surface S to project onto a detection plane P of an image sensor 5.
L'objet inspecté, tel qu’un substrat semi-conducteur, est disposé sur un support mobile 4 du dispositif d'inspection 1, par exemple une table dont le déplacement peut être contrôlé. Le support mobile 4 permet de déplacer la surface selon au moins une direction d'inspection I sous le faisceau d’inspection.The inspected object, such as a semiconductor substrate, is placed on a mobile support 4 of the inspection device 1, for example a table whose movement can be controlled. The mobile support 4 makes it possible to move the surface along at least one inspection direction I under the inspection beam.
Le dispositif d'inspection 1 comprend un système d'éclairage 2 comportant une source de lumière polychromatique 20 pour former le faisceau d'inspection. La source 20 émet donc plusieurs longueurs d'onde qui peuvent être par exemple comprises dans le spectre visible, dans un intervalle de longueurs d’onde compris entre 380 nm à 700 nm, ou dans l'infrarouge au-delà de 700nm.The inspection device 1 comprises a lighting system 2 comprising a polychromatic light source 20 to form the inspection beam. The source 20 therefore emits several wavelengths which can for example be included in the visible spectrum, in an interval of wavelengths included between 380 nm to 700 nm, or in the infrared beyond 700 nm.
D’une manière générale, les longueurs d'onde composant le spectre d'émission de la source 20 sont choisies selon la nature de l'objet inspecté et des couches qui sont susceptibles de le recouvrir. On choisira les longueurs d'onde de la source polychromatique 20 pour que le faisceau d'inspection soit réfléchi par la surface S de l’objet que l'on souhaite inspecter. En outre, lorsqu’une couche de recouvrement est présente, on peut choisir les longueurs d'onde de la source polychromatique 20 pour qu’elles soient comprises dans le spectre de transparence de cette couche de recouvrement.In general, the wavelengths making up the emission spectrum of the source 20 are chosen according to the nature of the object inspected and the layers which are likely to cover it. The wavelengths of the polychromatic source 20 will be chosen so that the inspection beam is reflected by the surface S of the object to be inspected. In addition, when a covering layer is present, it is possible to choose the wavelengths of the polychromatic source 20 so that they are included in the transparency spectrum of this covering layer.
A titre d’exemple, la source de lumière polychromatique 20 peut être formée d’une lampe halogène ou d’une barrette de diodes électroluminescentes.By way of example, the polychromatic light source 20 can be formed by a halogen lamp or a strip of light-emitting diodes.
Il peut s’agir d’une source émettant un spectre large pour émettre une lumière dite « blanche », ou d’une source présentant un spectre en raies, et présentant donc un nombre déterminé de longueurs d’onde d’inspection ou de bandes de longueurs d’onde d’inspection. Chaque raie peut être fournie par une source laser ou par une source couvrant une bande étroite de longueurs d’onde.It can be a source emitting a broad spectrum to emit so-called "white" light, or a source exhibiting a line spectrum, and therefore exhibiting a determined number of inspection wavelengths or bands of inspection wavelengths. Each line can be provided by a laser source or by a source covering a narrow band of wavelengths.
On cherche de manière générale à former un faisceau d'inspection de dimension transverse importante de manière à éclairer une large portion de la surface S inspectée, désignée « champ d’inspection » dans la suite de cette description. Dans une application dans le domaine du semiconducteur, le champ d’inspection peut présenter une dimension comprise entre quelques centaines de microns et quelques millimètres de côté. A cet effet, on peut prévoir, comme c'est le cas sur le mode de mise en œuvre représenté sur la
On peut également prévoir des fibres optiques 22 ou toutes autres formes de guide d’un rayonnement lumineux, pour conduire le faisceau lumineux produit par la source 20 jusqu'à la zone d'injection du faisceau d'inspection dans le dispositif 1, ici occupé par le dispositif de diffusion 21.It is also possible to provide optical fibers 22 or any other form of guide for light radiation, to conduct the light beam produced by the source 20 to the injection zone of the inspection beam in the device 1, here occupied by the diffusion device 21.
Bien entendu, le système d’éclairage 20 n’est pas limité à celui décrit dans ce mode de mise en œuvre. On peut par exemple envisager qu'il soit composé d'une source de lumière polychromatique à super continuum dont le rayonnement est guidé par au moins un guide optique jusqu'à la zone d'injection.Of course, the lighting system 20 is not limited to that described in this mode of implementation. One can for example consider that it is composed of a supercontinuum polychromatic light source whose radiation is guided by at least one optical guide as far as the injection zone.
Poursuivant description de la
À cet effet, le système chromatique 3 comprend un objectif chromatique 3a conduisant à focaliser les différentes longueurs d’onde du faisceau d’inspection, sur toute son étendue transverse, à des distances différentes de l’objectif. L'objectif chromatique 3 peut être réalisé de multiples manières, par exemple par l'intermédiaire d'une lentille ou d'une combinaison de lentilles. Ces lentilles peuvent intercepter toute l'étendue transverse du faisceau d'inspection, ou être respectivement dédiées à des portions de ce faisceau constituant des voies de mesure. Il peut également s'agir de lentilles de diffraction ou de dispositifs holographiques. Il peut également s'agir de métalentilles, c’est-à-dire d’éléments optiques réflectifs ou transmissifs présentant des surfaces de réflexion ou de transmission structurées. Les motifs constituant cette structuration de surface présentent des dimensions plus petites que les longueurs d'onde du faisceau lumineux d'inspection et affectent la phase du rayonnement de ce faisceau et donc sa forme et sa propagation. Les motifs en surface des éléments optiques peuvent être fabriqués par des méthodes connues de photolithographie et de gravure.To this end, the chromatic system 3 comprises a chromatic objective 3a leading to focusing the different wavelengths of the inspection beam, over its entire transverse extent, at different distances from the objective. The chromatic objective 3 can be produced in multiple ways, for example by means of a lens or a combination of lenses. These lenses can intercept the entire transverse extent of the inspection beam, or be respectively dedicated to portions of this beam constituting measurement channels. They can also be diffraction lenses or holographic devices. They can also be metallenses, i.e. reflective or transmissive optical elements with structured reflection or transmission surfaces. The patterns constituting this surface structuring have smaller dimensions than the wavelengths of the inspection light beam and affect the phase of the radiation of this beam and therefore its shape and its propagation. The surface patterns of the optical elements can be produced by known methods of photolithography and etching.
Quelle que soit la nature de l’objectif chromatique 3a, celui-ci est choisi pour présenter une aberration chromatique importante, conduisant à étaler spatialement le faisceau d’inspection, selon les longueurs d’onde qui le compose, selon des plans de focalisation disposés dans la profondeur de champ du système chromatique 3. Cette profondeur de champ peut par exemple s’étendre sur une distance de 100 à 200 microns.Whatever the nature of the chromatic objective 3a, the latter is chosen to present a significant chromatic aberration, leading to the spatial spread of the inspection beam, according to the wavelengths which compose it, according to focal planes arranged in the depth of field of the chromatic system 3. This depth of field can for example extend over a distance of 100 to 200 microns.
Pendant une mesure, la surface S de l'objet inspecté est disposée dans la profondeur de champ du système chromatique 3. À cet effet, on peut prévoir que le support mobile 4 puisse ajuster la position de la surface S en déplaçant l'objet inspecté selon la direction de l'axe AO du système chromatique 3, de manière à maintenir la surface S de l'objet dans la profondeur de champ. Cette caractéristique est notamment intéressante lorsque la surface S présente des reliefs importants en élévation ou en dépression.During a measurement, the surface S of the inspected object is placed in the depth of field of the chromatic system 3. For this purpose, provision can be made for the mobile support 4 to be able to adjust the position of the surface S by moving the inspected object. along the direction of the axis AO of the chromatic system 3, so as to maintain the surface S of the object in the depth of field. This characteristic is particularly advantageous when the surface S has significant reliefs in elevation or in depression.
En conséquence, et de manière avantageuse, le support mobile 4 peut être constitué d'une table pourvue de moyens pouvant contrôler son déplacement dans un plan perpendiculaire au faisceau d’inspection afin de déplacer la surface selon la direction d'inspection I, et des moyens complémentaires assurant un déplacement selon une direction perpendiculaire à ce plan afin de maintenir la surface S dans la profondeur de champ du système chromatique 3. Toutefois, dans la mesure où la profondeur de champ du système chromatique 3 est étendue, les contraintes pour y maintenir la surface S sont relâchées par rapport à un système achromatique.Consequently, and advantageously, the mobile support 4 may consist of a table provided with means that can control its movement in a plane perpendicular to the inspection beam in order to move the surface in the direction of inspection I, and complementary means ensuring a displacement in a direction perpendicular to this plane in order to maintain the surface S in the depth of field of the chromatic system 3. However, insofar as the depth of field of the chromatic system 3 is extended, the constraints for maintaining there surface S are relaxed with respect to an achromatic system.
Le déplacement dans l’espace de la surface S au cours d'une séquence de mesure peut être contrôlé par une unité électronique de commande 7. Celle-ci peut également collecter la trajectoire réalisée au cours de la séquence de mesure afin de pouvoir reconstituer une image fidèle de la surface inspectée S.The displacement in space of the surface S during a measurement sequence can be controlled by an electronic control unit 7. This can also collect the trajectory carried out during the measurement sequence in order to be able to reconstitute a faithful image of the inspected surface S.
Poursuivant la description du mode de mise en œuvre représenté sur la
D'autres pièces optiques du système chromatique 3 peuvent être placées sur le chemin optique entre l'élément séparateur 3b et le plan de détection du capteur d'image 5, mais dans tous les cas, le plan de détection P est disposé dans un plan conjugué, vis-à-vis du système chromatique 3, des plans de focalisation.Other optical parts of the chromatic system 3 can be placed on the optical path between the separator element 3b and the detection plane of the image sensor 5, but in any case the detection plane P is arranged in a plane conjugate, vis-à-vis the chromatic system 3, of the focal planes.
Selon l’invention, le capteur d’image 5 est un capteur d’image à intégration temporisée (désigné par « capteur d’image » dans la suite de cet exposé pour plus de simplicité). Le fonctionnement détaillé d'un tel capteur est par exemple décrit dans le document EP2088763. Il comprend une matrice de photodétecteurs agencés selon une pluralité de lignes et de colonnes. Les charges générées par les photodétecteurs sont déplacées d'une ligne à l'autre, selon une direction de colonnes de manière synchrone avec le déplacement de l’objet imagé. La dernière ligne de la matrice est déplacée dans un registre à décalage, ou toute autre forme de composant électronique permettant d’extraire les charges de cette ligne, afin de constituer une ligne d’image de l’objet.According to the invention, the image sensor 5 is a time-delayed integration image sensor (referred to as “image sensor” in the rest of this presentation for simplicity). The detailed operation of such a sensor is for example described in the document EP2088763. It comprises a matrix of photodetectors arranged in a plurality of rows and columns. The charges generated by the photodetectors are moved from one line to another, along a column direction synchronously with the movement of the imaged object. The last line of the matrix is moved through a shift register, or any other form of electronic component that allows the charges to be extracted from this line, in order to constitute an image line of the object.
Dans le dispositif d’inspection 1, la matrice de photodétecteurs du capteur d’image 5 est disposée dans le plan de détection P sur lequel se projette le faisceau réfléchi. En d’autres termes, le capteur d’image 5 est disposé dans le dispositif d’inspection 1 pour imager le champ d’inspection. Une telle matrice peut présenter un nombre très important de lignes et de colonnes, par exemple plus de 10 mille colonnes et plusieurs centaines de lignes.In the inspection device 1, the matrix of photodetectors of the image sensor 5 is arranged in the detection plane P onto which the reflected beam is projected. In other words, the image sensor 5 is placed in the inspection device 1 to image the inspection field. Such a matrix can have a very large number of rows and columns, for example more than 10,000 columns and several hundred rows.
Le capteur d’image 5 est relié à l’unité électronique de commande 7 afin de le synchroniser au déplacement de la surface S selon la direction d’inspection I, et pour récupérer répétitivement les lignes de charges extraites de la matrice de photodétecteurs en bout de colonnes. Dans cette configuration, et en l’absence de tout masquage, un point de la surface S qui se déplace selon la direction d’inspection I est imagé successivement sur les photodétecteurs d’une colonne de la matrice, c’est-à-dire sur des lignes successives de la colonne. Simultanément, la charge électrique générée par un photodétecteur est déplacée de manière synchrone d’une ligne à l’autre, selon une direction de colonne, si bien que la charge accumulée à l’issue de ce balayage, en bout de colonne, est représentative de la lumière réfléchie par le point de la surface S pendant toute la durée de son déplacement, dans le plan conjugué du capteur d’image 5, le long de la colonne correspondante du capteur selon la direction d’inspection I.The image sensor 5 is connected to the electronic control unit 7 in order to synchronize it with the movement of the surface S along the direction of inspection I, and to repeatedly recover the lines of charges extracted from the matrix of photodetectors at the end of columns. In this configuration, and in the absence of any masking, a point on the surface S which moves along the inspection direction I is imaged successively on the photodetectors of a column of the matrix, that is to say on successive rows of the column. Simultaneously, the electrical charge generated by a photodetector is moved synchronously from one line to another, along a column direction, so that the charge accumulated at the end of this scan, at the end of the column, is representative of the light reflected by the point of the surface S throughout the duration of its displacement, in the conjugate plane of the image sensor 5, along the corresponding column of the sensor according to the direction of inspection I.
Le dispositif d’inspection représenté sur la
Un premier masque confocal d'éclairage 6a est ici disposé sur le dispositif de diffusion 21. Le masque présente une pluralité d'ouvertures d’éclairage. Ces ouvertures peuvent être traversées par le faisceau d'inspection issue du système d'éclairage, et le masque confocal d’éclairage bloque le faisceau en dehors de ces ouvertures. Le faisceau d'inspection est donc constitué d'une pluralité de voies d'éclairage définie par les ouvertures d’éclairage, se projetant sur la surface S au niveau d’une pluralité de points de mesures réparties dans le champ d'inspection du dispositif 1, selon des plans de focalisation en fonction des longueurs d’onde dans la profondeur de champ du système chromatique 3.A first confocal lighting mask 6a is here arranged on the diffusion device 21. The mask has a plurality of lighting openings. These openings can be crossed by the inspection beam from the lighting system, and the confocal lighting mask blocks the beam outside these openings. The inspection beam therefore consists of a plurality of lighting paths defined by the lighting apertures, projecting onto the surface S at the level of a plurality of measurement points distributed in the inspection field of the device 1, according to planes of focus according to the wavelengths in the depth of field of the chromatic system 3.
Un deuxième masque confocal de détection 6b est ici disposé sur le plan de détection du capteur d’image 5. Similairement au premier masque confocal d’éclairage 6a, le masque confocal de détection 6b comprend une pluralité d'ouvertures de filtrage chromatique (ou confocal chromatique), conjuguées des ouvertures d’éclairage du masque confocal d'éclairage 6a. Plus précisément, les ouvertures d’éclairage et les ouvertures de filtrage chromatique sont conjuguées des mêmes points de mesure par le système chromatique 3.A second confocal detection mask 6b is here arranged on the detection plane of the image sensor 5. Similar to the first lighting confocal mask 6a, the confocal detection mask 6b comprises a plurality of chromatic filtering apertures (or confocal chromatic), combined with the lighting apertures of the confocal lighting mask 6a. More precisely, the lighting apertures and the chromatic filtering apertures are conjugated from the same measurement points by the chromatic system 3.
Le masque confocal de détection 6b et le capteur d’image 5 sont disposés l’un par rapport à l’autre pour que les ouvertures de filtrage chromatique du masque confocal 6b soient respectivement mises en vis-à-vis d'un photodétecteur ou un groupe de photodétecteurs et éclairent une partie des photodétecteurs de la matrice.The confocal detection mask 6b and the image sensor 5 are arranged relative to each other so that the chromatic filtering openings of the confocal mask 6b are respectively placed opposite a photodetector or a group of photodetectors and illuminate part of the photodetectors of the array.
Pour cela, le masque confocal de détection 6b peut être plaqué, collé, ou réalisé directement sur la surface du capteur d’image 5. Il peut notamment être réalisé par des dépôts sélectifs de couches de matériaux diélectriques ou métalliques sur la surface du capteur 5.For this, the confocal detection mask 6b can be plated, glued, or produced directly on the surface of the image sensor 5. It can in particular be produced by selective deposits of layers of dielectric or metallic materials on the surface of the sensor 5 .
Le masque confocal de détection 6b peut également être réalisé sous la forme d’un élément distinct du capteur 5, positionné dans un plan optique conjugué du capteur par une lentille ou un système d’imagerie.The confocal detection mask 6b can also be made in the form of an element distinct from the sensor 5, positioned in a conjugate optical plane of the sensor by a lens or an imaging system.
Dans le dispositif d'inspection 1 ainsi configuré, les voies d’éclairage du faisceau d'inspection traversent l’objectif chromatique 3a. Le faisceau se focalise, suivant les différentes longueurs d’onde qui le constituent, dans des plans de focalisation répartis sur la profondeur de champ très étendue par l’effet de l’objectif chromatique 3a. Le rayonnement de chaque voie d’éclairage est réfléchi par la surface inspectée S, disposée dans la profondeur de champ, aux points de mesure, traverse à nouveau l’objectif chromatique 3a, et est projeté sur le masque confocal de détection 6b par l’intermédiaire de l’élément séparateur 3b.In the inspection device 1 thus configured, the illumination paths of the inspection beam pass through the chromatic objective 3a. The beam is focused, according to the different wavelengths which constitute it, in focusing planes distributed over the very wide depth of field by the effect of the chromatic objective 3a. The radiation from each illumination channel is reflected by the inspected surface S, arranged in the depth of field, at the measurement points, again passes through the chromatic objective 3a, and is projected onto the confocal detection mask 6b by the intermediary of the separating element 3b.
On a ainsi représenté sur la
On a placé la surface S à inspecter au niveau du premier plan de focalisation Pf0, de sorte que l’ouverture d’éclairage du masque d’éclairage s’y image pour la première longueur d’onde. La lumière à la première longueur d’onde λ0issue de l’ouverture d’éclairage est donc réfléchie sur la surface S pour se focaliser sur le plan de détection P du capteur d’image 5, dans l’ouverture de filtrage chromatique du masque de détection 6b. Ainsi, cette lumière à la première longueur d’onde λ0atteint dans toute son intensité ou presque le plan de détection P à travers l’ouverture du masque.The surface S to be inspected has been placed at the level of the first focusing plane Pf0, so that the illumination aperture of the illumination mask is imaged there for the first wavelength. The light at the first wavelength λ 0 coming from the illumination aperture is therefore reflected on the surface S to be focused on the detection plane P of the image sensor 5, in the chromatic filtering aperture of the detection mask 6b. Thus, this light at the first wavelength λ 0 reaches in all its intensity or almost the detection plane P through the opening of the mask.
Au contraire, la lumière à la deuxième longueur d’onde λ1n’est pas parfaitement focalisée sur le premier plan de focalisation Pf0 dans lequel réside la surface S. En conséquence, cette lumière est réfléchie de manière diffuse, jusqu’au masque de détection 6b qui la bloque en grande partie, de sorte que peu de son intensité atteint le plan de détection P.On the contrary, the light at the second wavelength λ 1 is not perfectly focused on the first focusing plane Pf0 in which the surface S resides. Consequently, this light is diffusely reflected, up to the mask of detection 6b which largely blocks it, so that little of its intensity reaches the detection plane P.
On a représenté sur la
Pour limiter le phénomène de couplage entre différentes voies de détection, il est important que les ouvertures des masques 6a, 6b soient suffisamment éloignées les unes des autres, de sorte que le halo diffus associé à une ouverture ne recouvre pas avec trop d’intensité une ouverture voisine.To limit the phenomenon of coupling between different detection paths, it is important that the openings of the masks 6a, 6b are sufficiently distant from each other, so that the diffuse halo associated with an opening does not cover with too much intensity a nearby opening.
Par exemple, les centres de deux ouvertures adjacentes sur le masque d'éclairage 6a ou sur le masque de détection 6b peuvent être séparés d’une distance supérieure à deux fois la dimension de ces ouvertures (leurs diamètres si ces ouvertures sont circulaires).For example, the centers of two adjacent openings on the lighting mask 6a or on the detection mask 6b can be separated by a distance greater than twice the dimension of these openings (their diameters if these openings are circular).
Toutefois, le fait d’éloigner les unes des autres les ouvertures des masques 6a, 6b conduit à réduire le facteur de remplissage des points de mesures dans le champ d’inspection. Comme on l’a noté en introduction, une réduction du facteur de remplissage affecte la cadence d’inspection et la densité des points de mesure.However, the fact of moving the openings of the masks 6a, 6b away from each other leads to a reduction in the filling factor of the measurement points in the inspection field. As noted in the introduction, a reduction in the fill factor affects the inspection rate and the density of the measurement points.
Pour résoudre ce problème, les ouvertures des masques d’éclairage et de détection sont astucieusement agencées vis-à-vis des photodétecteurs du capteur d’image 5.To solve this problem, the openings of the illumination and detection masks are cleverly arranged vis-à-vis the photodetectors of the image sensor 5.
On a ainsi représenté sur la
Dans cet agencement, les ouvertures de filtrages chromatiques sont agencées sur le masque confocal (6a, 6b) pour éclairer respectivement une pluralité de photodétecteurs, ou une pluralité de groupes de photodétecteurs, disposée sur une colonne (C1-C5) de la matrice. Le capteur d’image 5 est synchronisé avec le déplacement de la surface à inspecter de sorte que la pluralité de photodétecteurs d’une colonne sous les ouvertures est en correspondance avec une pluralité de points de mesure agencés selon la direction d’inspection (I). Lorsque la surface S est déplacée selon la direction d’inspection I les photodétecteurs de la colonne sous les ouvertures du masque sont successivement exposés à la lumière issue d’un point de mesure. En bout de colonne, on récupère une charge correspondant à la quantité de lumière réfléchie par le point de mesure pendant une durée d’exposition étendue, correspondant au temps d’exposition de chaque photodétecteur multiplié par le nombre d’ouvertures dans la colonne. On peut de la sorte réaliser une image de forte intensité de la surface inspectée et/ou augmenter la cadence d’inspection.In this arrangement, the chromatic filtering openings are arranged on the confocal mask (6a, 6b) to respectively illuminate a plurality of photodetectors, or a plurality of groups of photodetectors, arranged on a column (C1-C5) of the matrix. The image sensor 5 is synchronized with the movement of the surface to be inspected so that the plurality of photodetectors of a column under the openings is in correspondence with a plurality of measurement points arranged along the direction of inspection (I) . When the surface S is moved along the inspection direction I, the photodetectors of the column under the openings of the mask are successively exposed to the light coming from a measurement point. At the end of the column, a charge is recovered corresponding to the quantity of light reflected by the measurement point during an extended exposure time, corresponding to the exposure time of each photodetector multiplied by the number of openings in the column. It is thus possible to produce a high-intensity image of the inspected surface and/or to increase the inspection rate.
Dans cet agencement également, les ouvertures de filtrages chromatiques sont réparties sur le masque confocal 6b de manière complémentaire sur au moins deux lignes, c’est-à-dire par exemple que pour une colonne donnée, si une ligne ne comprend pas d’ouverture de filtrage chromatique, une autre ligne en comprend une. En particulier, une telle répartition complémentaire permet de faire en sorte que, pour un groupe de lignes qui comprennent chacune une ouverture de filtrage chromatique, pour une sous-partie des colonnes, chaque colonne comprend le même nombre d’ouvertures de filtrage chromatique (par exemple une) pour le groupe de lignes. On expose de la sorte une pluralité de photodétecteurs répartis également de manière complémentaire sur au moins deux lignes de la matrice. Dans l’exemple de la
On a ainsi représenté sur la
Bien entendu, les ouvertures peuvent être réparties de manière complémentaire sur un plus grand nombre de lignes, ce qui permet d’écarter ces ouvertures encore plus les unes des autres et limiter encore plus le phénomène de couplage. Pour une dimension donnée de la matrice de photodétecteur, cela revient à placer moins de photodétecteurs sur une colonne, et donc affecter la qualité d’intensité de l’image.Of course, the openings can be distributed in a complementary manner over a larger number of lines, which makes it possible to space these openings even further from each other and further limit the coupling phenomenon. For a given dimension of the photodetector array, this amounts to placing fewer photodetectors on a column, and therefore affecting the intensity quality of the image.
Avantageusement, le masque confocal (6a, 6b) peut comprendre une pluralité de groupes de lignes avec une répartition complémentaire des ouvertures de filtrage chromatique. Ces groupes de lignes peuvent comprendre par exemple une répartition d’ouvertures de filtrage chromatique identique. Ainsi chaque point de mesure de l’objet est imagé sur le détecteur en une pluralité d’ouvertures de filtrage chromatique, séquentiellement, ce qui permet d’accumuler plus d’intensité ou de charges et d’exploiter pleinement le nombre de lignes de la matrice de photodétecteurs.Advantageously, the confocal mask (6a, 6b) can comprise a plurality of groups of lines with a complementary distribution of the chromatic filtering openings. These groups of lines can comprise for example an identical distribution of chromatic filtering openings. Thus each measurement point of the object is imaged on the detector in a plurality of chromatic filtering apertures, sequentially, which makes it possible to accumulate more intensity or charges and to fully exploit the number of lines of the array of photodetectors.
Le dispositif tel que décrit permet d’obtenir des images en intensité, ou en niveau de gris, de la surface de l’objet, ou en d’autres termes de sa réflectivité.The device as described makes it possible to obtain images in intensity, or in gray level, of the surface of the object, or in other words of its reflectivity.
Dans la mesure où le système chromatique réalise un codage de la hauteur de l’objet en longueur d’onde, il est également possible d’obtenir une information de profondeur. Cela nécessite de déterminer la longueur d’onde du rayonnement détecté par les photodétecteurs. Ceci peut être mis en œuvre en employant un capteur d’image 5 couleur, retournant donc une information de couleur en plus de l’information d’intensité du rayonnement détecté. Par « capteur d’image couleur » on désigne tout capteur d’image apte à associer une information de longueur d’onde à l’intensité du rayonnement reçu au niveau d’un photodétecteur. Ces capteurs sont donc aptes à former des images couleur, par exemple en codant l’information de couleur sous la forme de pixels RGB, comme cela est très conventionnel, dans lequel chaque pixel est associé à l’intensité lumineuse détectée dans le rouge, le vert et le bleu. Mais plus généralement, les capteurs d’image couleur selon la présente description sont aptes à fournir des images hyperspectrales, un pixel d’une telle image étant associé à l’intensité lumineuse détectée dans une bande parmi une pluralité de bandes de longueurs d’onde, formant des bandes de décomposition spectrale du rayonnement reçu. Cette pluralité de bandes peut être importante, par exemple supérieure à 50, à 100, et généralement comprise entre 50 et 200. Ainsi, des pixels ou des groupes de pixels du détecteur sont respectivement sensibles à la lumière dans une bande spectrale déterminée. On peut de la sorte couvrir et décomposer un large spectre utile, ce spectre utile correspondant bien entendu au spectre d’émission de la source polychromatique 20.Insofar as the chromatic system encodes the height of the object in wavelength, it is also possible to obtain depth information. This requires determining the wavelength of the radiation detected by the photodetectors. This can be implemented by employing a color image sensor, thus returning color information in addition to the intensity information of the detected radiation. By “color image sensor” is meant any image sensor capable of associating wavelength information with the intensity of the radiation received at the level of a photodetector. These sensors are therefore able to form color images, for example by coding the color information in the form of RGB pixels, as is very conventional, in which each pixel is associated with the light intensity detected in the red, the green and blue. But more generally, the color image sensors according to the present description are capable of providing hyperspectral images, a pixel of such an image being associated with the light intensity detected in a band among a plurality of bands of wavelengths , forming bands of spectral decomposition of the radiation received. This plurality of bands can be large, for example greater than 50, 100, and generally between 50 and 200. Thus, pixels or groups of pixels of the detector are respectively sensitive to light in a given spectral band. It is thus possible to cover and break down a wide useful spectrum, this useful spectrum corresponding of course to the emission spectrum of the polychromatic source 20.
Cette approche peut être mise en œuvre de différentes manières.This approach can be implemented in different ways.
Selon une première approche, on dispose une pluralité de photodétecteurs sous les ouvertures du masque, respectivement muni de filtres de couleurs, par exemple RGB, ou muni de filtres interférentiels ne laissant passer la lumière que dans une bande spectrale déterminée. Chaque point de mesure est alors caractérisé par la mesure d’intensité dans chacun des spectres définis par ces filtres.According to a first approach, a plurality of photodetectors are arranged under the openings of the mask, respectively provided with color filters, for example RGB, or provided with interference filters allowing light to pass only in a determined spectral band. Each measurement point is then characterized by the intensity measurement in each of the spectra defined by these filters.
Selon une autre approche, le photodétecteur (ou les photodétecteurs) sous une ouverture est muni d’un unique filtre de couleur ou interférentiel, mais la nature de ce filtre varie d’une colonne à l’autre, le long de la ligne. Le rayonnement émis par des points de mesure adjacents de la surface S, correspondant à des colonnes adjacentes du détecteur, est donc détecté par des photodétecteurs respectivement dédiés à une couleur.According to another approach, the photodetector (or photodetectors) under an aperture is equipped with a single color or interference filter, but the nature of this filter varies from one column to another, along the line. The radiation emitted by adjacent measurement points of the surface S, corresponding to adjacent columns of the detector, is therefore detected by photodetectors respectively dedicated to a color.
Selon une variante encore, le capteur d’image présente une pluralité de matrices de photodétecteurs TDI telle que décrite précédemment, et chaque matrice est associée à une unique couleur (associé à un unique filtre de couleur ou interférentiel, pour reprendre la terminologie des paragraphes précédents). Avantageusement, les colonnes des matrices sont alignées entre elles, de sorte qu’un même point de mesure de la surface S soit successivement imagé par les photodétecteurs de chacune des matrices. Chaque matrice est associée à un masque confocal 6b tel que décrit précédemment. On peut de la sorte associer très précisément un unique point de mesure de la surface S avec une pluralité d’information de couleur.According to yet another variant, the image sensor has a plurality of matrices of TDI photodetectors as described previously, and each matrix is associated with a single color (associated with a single color or interference filter, to use the terminology of the preceding paragraphs ). Advantageously, the columns of the matrices are aligned with each other, so that the same measurement point of the surface S is successively imaged by the photodetectors of each of the matrices. Each matrix is associated with a confocal mask 6b as described previously. In this way, a single measurement point of the surface S can be very precisely associated with a plurality of color information.
L’information de couleur, même grossière, obtenue par exemple à l’aide de filtre du type RGB ou interférentiel, peut avantageusement être exploitée par l’unité électronique de commande 7 pour estimer l’élévation des points de mesures, et plus spécifiquement la distance séparant le point de mesure d’un plan de référence du dispositif. L’unité de commande 7 peut donc estimer une distance moyenne séparant la surface S de ce plan de référence. Elle peut asservir le déplacement selon l’axe optique AO du support mobile 4 sur cette estimation de distance moyenne pour maintenir la surface d’inspection S dans la profondeur de champ du système chromatique 3 tout en déplaçant cette surface S selon la direction d’inspection I, pendant une séquence de mesure.The color information, even coarse, obtained for example using an RGB or interference type filter, can advantageously be used by the electronic control unit 7 to estimate the elevation of the measurement points, and more specifically the distance separating the measurement point from a reference plane of the device. The control unit 7 can therefore estimate an average distance separating the surface S from this reference plane. It can slave the movement along the optical axis AO of the mobile support 4 to this average distance estimate to maintain the inspection surface S in the depth of field of the chromatic system 3 while moving this surface S along the direction of inspection. I, during a measurement sequence.
La vitesse de déplacement de la surface S, selon la direction d’inspection peut atteindre par exemple une valeur de l’ordre de 100mm/seconde.The speed of movement of the surface S, depending on the direction of inspection can reach for example a value of the order of 100mm/second.
On décrit maintenant un exemple d’application du dispositif d’inspection 1 qui vient d’être décrit, cet exemple formant un mode de mise en œuvre particulièrement intéressant de l’invention.An example of application of the inspection device 1 which has just been described will now be described, this example forming a particularly advantageous mode of implementation of the invention.
L’objet à inspecter dans cette application est par exemple une plaquette de semiconducteur, par exemple à base de silicium, ou de tout autre matériau ou assemblage de matériaux dont les propriétés peuvent être exploitées pour former des composants électroniques intégrés. La plaquette a subi des traitements préalables d’un procédé de fabrication conventionnel dans le domaine de la microélectronique et/ou des systèmes microélectromécaniques, de manière à former à la surface de cette plaquette des puces intégrées finies ou semi-finies. Les puces présentent notamment des plages conductrices («conductive pads » selon l’expression anglo-saxonne du domaine) destinées à être reliées électriquement à des éléments d’interconnexion (broches d’un boitier, matrice de billes d’un substrat d’interconnection « interposer ») constituant un premier niveau d’interconnection entre la puce et le reste du système dans laquelle elle est destinée à s’intégrer. Pour faciliter ce premier niveau d’assemblage, il est usuel de disposer des bosses de soudure (« solder bump » selon la terminologie anglo-saxonne) sur les plages conductrices, ces bosses pouvant présenter une dimension latérale dans le plan de la plaquette (une largeur) et une dimension perpendiculaire (une hauteur) à ce plan typiquement comprises entre 15 microns ou 20 microns à 250 microns.The object to be inspected in this application is for example a semiconductor wafer, for example based on silicon, or any other material or assembly of materials whose properties can be exploited to form integrated electronic components. The wafer has undergone prior treatment in a conventional manufacturing process in the field of microelectronics and/or microelectromechanical systems, so as to form finished or semi-finished integrated chips on the surface of this wafer. The chips have in particular conductive pads ("conductive pads" according to the Anglo-Saxon expression of the field) intended to be electrically connected to interconnection elements (pins of a box, matrix of balls of an interconnection substrate "interpose") constituting a first level of interconnection between the chip and the rest of the system in which it is intended to be integrated. To facilitate this first level of assembly, it is usual to have solder bumps ("solder bump" according to English terminology) on the conductive pads, these bumps possibly having a lateral dimension in the plane of the wafer (a width) and a perpendicular dimension (a height) to this plane typically between 15 microns or 20 microns to 250 microns.
La plaquette, une fois munie de ces éléments, présente donc une topologie de surface (c’est-à-dire un profil d’élévation 3D) se conformant à l’agencement des bosses de soudures sur la face principale de la plaquette, sur les plages conductrices des puces de cette plaquette.The wafer, once provided with these elements, therefore has a surface topology (i.e. a 3D elevation profile) conforming to the arrangement of the weld bumps on the main face of the wafer, on the conductive pads of the chips of this wafer.
La mise en place des bosses de soudure sur les puces de la plaquette est une opération qu’il faut contrôler, car une mauvaise disposition de ces bosses (un positionnement incorrect, l’absence ou une hauteur insuffisante ou excessive d’une bosse ou d’une pluralité de bosses) peut conduire à former un composant non fonctionnel. On note que cette inspection peut mettre en œuvre un relevé à 2 dimensions, dans le plan principal de la plaquette, de l’état de surface S de cette plaquette, par exemple pour repérer un mauvais positionnement d’une bosse, ou la présence d’un dépôt parasite ou de particules à la surface de la plaquette. L’inspection peut également relever une information de hauteur, par exemple au cours d’un relevé à 3 dimensions, pour repérer que les élévations maximales respectives des bosses, ou pour le moins les élévations maximales respectives des bosses d’une même puce, réside bien dans un même plan ou présente une variation d’élévation maitrisée autour d’un même plan.The placement of solder bumps on the chips of the wafer is an operation that must be controlled, because a bad arrangement of these bumps (an incorrect positioning, the absence or an insufficient or excessive height of a bump or a plurality of bumps) can lead to forming a non-functional component. It is noted that this inspection can implement a 2-dimensional reading, in the main plane of the wafer, of the surface state S of this wafer, for example to identify a bad positioning of a bump, or the presence of a parasitic deposit or particles on the surface of the wafer. The inspection can also record height information, for example during a 3-dimensional survey, to identify that the respective maximum elevations of the bumps, or at least the respective maximum elevations of the bumps of the same chip, resides well in the same plane or presents a controlled elevation variation around the same plane.
Ce mode de mise en œuvre propose donc d’exploiter le dispositif d’inspection 1 qui vient d’être décrit afin d’inspecter la surface S de la plaquette et de s’assurer que sa topologie est bien conforme à un profil d’élévation déterminé.This mode of implementation therefore proposes to use the inspection device 1 which has just been described in order to inspect the surface S of the wafer and to ensure that its topology is indeed in conformity with an elevation profile determined.
Ainsi, et selon une première étape de mise en place du procédé d’inspection qui fait l’objet de ce mode de mise en œuvre, on dispose la plaquette sur le support mobile 4 du dispositif d’inspection 1. La surface S de cette plaquette, celle présentant la topologie à inspecter, est bien entendu orientée de sorte à pouvoir être exposée au faisceau lumineux d’inspection. Le support mobile 4 est également ajusté en position selon la direction de l'axe AO du système chromatique 3, de manière à positionner la surface S de l'objet au moins en partie dans la profondeur de champ.Thus, and according to a first step of setting up the inspection method which is the subject of this mode of implementation, the wafer is placed on the mobile support 4 of the inspection device 1. The surface S of this wafer, the one having the topology to be inspected, is of course oriented so as to be able to be exposed to the inspection light beam. The mobile support 4 is also adjusted in position along the direction of the axis AO of the chromatic system 3, so as to position the surface S of the object at least partly in the depth of field.
Le dispositif d’inspection 1 est également opéré par l’intermédiaire par exemple de l’unité de commande 7, au cours d’une deuxième étape d’activation de la source de lumière polychromatique 20, afin de projeter sur la surface S de la plaquette le faisceau d’inspection et ainsi former le faisceau réfléchi.The inspection device 1 is also operated via, for example, the control unit 7, during a second step of activating the polychromatic light source 20, in order to project onto the surface S of the wafers the inspection beam and thus forms the reflected beam.
Au cours d’une troisième étape de relevé du procédé, l’unité de commande 7 déplace la surface S de la plaquette relativement au faisceau d’inspection pour parcourir une trajectoire de mesure, par exemple en déplaçant le support mobile 4.During a third measurement step of the method, the control unit 7 moves the surface S of the wafer relative to the inspection beam to travel a measurement path, for example by moving the mobile support 4.
L’unité de commande 7 synchronise dans le même temps le capteur d’image 5 et notamment l’accumulation et le déplacement des charges, de ligne en ligne, de la matrice de photodétecteurs, ces charges étant celles générées par la projection du faisceau lumineux réfléchi sur certains des phtodétecteurs au travers des masques 6a, 6b.The control unit 7 simultaneously synchronizes the image sensor 5 and in particular the accumulation and displacement of the charges, from line to line, of the matrix of photodetectors, these charges being those generated by the projection of the light beam reflected on some of the photodetectors through the masks 6a, 6b.
Le capteur d’image 5 prépare répétitivement les lignes de charges extraites de la matrice de photodétecteurs en bout de colonnes, et ces mesures sont mises à disposition de l’unité de commande 7 qui en fait l’acquisition et qui prépare une image d’intensité au cours d’une quatrième étape dite « d’acquisition ».The image sensor 5 repeatedly prepares the lines of charges extracted from the matrix of photodetectors at the end of the columns, and these measurements are made available to the control unit 7 which acquires them and prepares an image of intensity during a fourth stage called "acquisition".
Grâce au dispositif d’inspection conforme à l’invention, la vitesse de déplacement du faisceau vis-à-vis de la surface S peut être rapide et atteindre par exemple une valeur de l’ordre de 100mm/seconde ou plus, tout en collectant suffisamment de charges pour former une image représentative de l’état de la surface S.Thanks to the inspection device according to the invention, the speed of movement of the beam with respect to the surface S can be rapid and reach for example a value of the order of 100 mm/second or more, while collecting enough charges to form an image representative of the state of the surface S.
On dispose donc à l’issue de cette étape de relevé d’une image d’une partie au moins de la surface S de la plaquette, cette partie correspondant à la portion de la surface S de la plaquette illuminée par le faisceau d’inspection après que celui-ci ait parcouru la trajectoire de mesure. Cette image est composée de pixels respectivement associés à des points mesure de la surface S de la plaquette. La valeur de chaque pixel reflète l’intensité du rayonnement réfléchi par le point de mesure associé de la surface S, c’est-à-dire du degré de présence de ce point de mesure dans la profondeur de champ très étendu du système chromatique 3 (qui peut par exemple s’étendre sur une distance de 100 à 200 microns, comme on l’a déjà énoncé). En prenant l’hypothèse que le plan moyen d’élévation de la surface S est disposé, au cours de l’étape de mise en place, au niveau d’un des plans de focalisation les plus éloignés de la profondeur de champ, l’image permet de repérer la disposition à la surface de la plaquette des motifs saillant, et notamment des bosses de soudure. L’analyse de l’image permet notamment de déterminer si cette disposition d’éléments saillants est conforme à la disposition attendue, ou si des éléments sont manquants (bosse de soudure non formée ou mal formée) ou si des éléments sont en trop (particules, dépôt parasite …).At the end of this reading step, an image of at least part of the surface S of the wafer is therefore available, this part corresponding to the portion of the surface S of the wafer illuminated by the inspection beam after it has traveled the measurement path. This image is composed of pixels respectively associated with measurement points of the surface S of the wafer. The value of each pixel reflects the intensity of the radiation reflected by the associated measurement point of the surface S, i.e. the degree of presence of this measurement point in the very wide depth of field of the chromatic system 3 (which can for example extend over a distance of 100 to 200 microns, as already stated). Assuming that the mean plane of elevation of the surface S is placed, during the placement step, at the level of one of the focal planes farthest from the depth of field, the image makes it possible to locate the arrangement on the surface of the wafer of the salient patterns, and in particular of the weld bumps. The analysis of the image makes it possible in particular to determine whether this arrangement of protruding elements conforms to the expected arrangement, or if elements are missing (unformed or poorly formed solder bump) or if elements are too many (particles , parasitic deposit, etc.).
Dans l’application prise en exemple, les bosses de soudure formant les éléments saillants que l’on cherche à repérer sont disposées à la surface de la plaquette de manière ordonnée, par exemple en lignes. Dans une telle configuration, il est avantageux de préparer la trajectoire de mesure pour que celle-ci soit orthogonale ou parallèle à ces lignes.In the application taken as an example, the solder bumps forming the protruding elements that one seeks to identify are arranged on the surface of the wafer in an orderly manner, for example in lines. In such a configuration, it is advantageous to prepare the measurement trajectory so that it is orthogonal or parallel to these lines.
On peut également prévoir d’illuminer une pluralité de fois une partie de la plaquette à l’aide du faisceau d’inspection, par exemple au cours d’une pluralité de passages formant une trajectoire de mesure ou une pluralité de telles trajectoires, chaque passage se faisant avec une altitude différente. On peut compenser de la sorte une éventuelle variation de réflectivité spectrale de la surface S à un point de mesure, en plaçant ce point au niveau d’un plan de focalisation différent de la profondeur de champ du système chromatique 3, et donc en l’illuminant de rayonnements lumineux présentant des longueurs d’onde différentes.Provision may also be made to illuminate a portion of the wafer a plurality of times using the inspection beam, for example during a plurality of passes forming a measurement trajectory or a plurality of such trajectories, each pass taking place at a different altitude. It is possible to compensate in this way for any variation in spectral reflectivity of the surface S at a measurement point, by placing this point at a focal plane different from the depth of field of the chromatic system 3, and therefore in the illuminating with light rays having different wavelengths.
Par exemple, les différents passages peuvent être décalés d’une distance de quelques microns à quelques dizaines de microns.For example, the different passages can be offset by a distance of a few microns to a few tens of microns.
Comme on l’a indiqué dans un passage précédent de cette description, la source polychromatique 20 peut être choisie très librement, notamment pour émettre une lumière blanche ou présenter un spectre en raies.As indicated in a previous passage of this description, the polychromatic source 20 can be chosen very freely, in particular to emit white light or to present a line spectrum.
Selon une variante très avantageuse du procédé, la source 20 est choisie pour émettre selon un spectre en raies, et le nombre de raies de ce spectre est limité par exemple à 2, 3 5 ou 10 longueurs d’onde. La profondeur de champ du système chromatique 3 est alors définie par un nombre restreint (2, 3 5 ou 10) de plans de focalisation. Lorsqu’un élément saillant de la plaquette (une bosse de soudure, une particule, un dépôt parasite) intercepte un de ces plans, il est repéré sur l’image de mesure.According to a very advantageous variant of the method, the source 20 is chosen to emit according to a line spectrum, and the number of lines of this spectrum is limited for example to 2, 35 or 10 wavelengths. The depth of field of the chromatic system 3 is then defined by a restricted number (2, 35 or 10) of focusing planes. When a protruding element of the wafer (a weld bump, a particle, a parasitic deposit) intercepts one of these planes, it is identified on the measurement image.
A titre d’illustration de cette variante, la source polychromatique 20 fournit un rayonnement composé de deux longueurs d’onde. La première longueur d’onde est associée à un plan de focalisation de base dans la profondeur de champ, et ce plan de base est destiné à être aligné avec le plan principal de la plaquette (c’est-à-dire le plan sur lequel résident les éléments saillants). Cet alignement peut être réalisé au cours de la première étape de mise en place du procédé.By way of illustration of this variant, the polychromatic source 20 provides radiation composed of two wavelengths. The first wavelength is associated with a base plane of focus in the depth of field, and this base plane is intended to be aligned with the main plane of the wafer (i.e. the plane on which reside the salient elements). This alignment can be carried out during the first stage of setting up the process.
La seconde longueur d’onde est associée à un second plan de focalisation distant du premier plan de la hauteur attendu des éléments saillants que l’on cherche a repérer, ou d’un peu moins que cette distance attendue. En conduisant le procédé d’inspection à l’aide d’un équipement conforme à la description et muni d’une telle source, on produit une image d’une partie au moins de la surface S de la plaquette, cette image présentant des pics d’intensité qui correspondent à éléments saillants présentant au moins une hauteur correspondant à la hauteur attendue. On peut identifier sur cette image une absence d’un élément saillant ou un élément saillant présentant une hauteur insuffisante (par exemple une bosse de soudure) si la zone de l’image où devait se situer cet élément ne présente pas d’intensité lumineuse.The second wavelength is associated with a second focal plane distant from the first plane by the expected height of the salient elements that one seeks to locate, or by a little less than this expected distance. By carrying out the inspection process using equipment in accordance with the description and equipped with such a source, an image is produced of at least part of the surface S of the wafer, this image having peaks of intensity which correspond to salient elements having at least one height corresponding to the expected height. It is possible to identify on this image an absence of a protruding element or a protruding element presenting an insufficient height (for example a welding bump) if the zone of the image where this element should have been located does not present any light intensity.
L’image produite à l’aide du procédé qui vient d’être décrit, est essentiellement une image 2D de la surface de la plaquette qui ne contient pas ou peu d’information sur le profil d’élévation de la surface S inspectée. Cette image est néanmoins très utile pour identifier très rapidement et sur une surface étendue de la plaquette, certains types de défectuosités.The image produced using the process which has just been described, is essentially a 2D image of the surface of the wafer which contains little or no information on the elevation profile of the surface S inspected. This image is nevertheless very useful for identifying very quickly and over an extended surface of the wafer, certain types of defects.
Pour améliorer encore la capacité d’inspection, un procédé conforme à l’invention peut également tirer profit des informations de couleur ou de répartition en bandes spectrales qui peuvent être fournies par le capteur d’image à intégration temporisée 5 d’un dispositif d’inspection 1 conforme à la présente description. Comme on l’a évoqué dans un passage précédent, la détermination de la longueur d’onde du rayonnement détecté par les photodétecteurs du capteur d’image 5 permet de déterminer la profondeur d’un point de mesure dans la profondeur de champ du système chromatique 3, c’est-à-dire la hauteur de ce point de mesure relativement au plan principal de la plaquette.To further improve the inspection capacity, a method in accordance with the invention can also take advantage of the color or spectral band distribution information which can be provided by the timed integration image sensor 5 of a device for inspection 1 in accordance with this description. As mentioned in a previous passage, the determination of the wavelength of the radiation detected by the photodetectors of the image sensor 5 makes it possible to determine the depth of a measurement point in the depth of field of the chromatic system 3, ie the height of this measurement point relative to the main plane of the wafer.
L’information de couleur (RVB ou plus détaillée spectralement) retournée par le capteur d’image 5, en plus de l’information d’intensité du rayonnement détecté, peut être convertie, par exemple par le dispositif de commande 7, en une information de hauteur. L’image fournie dans ce cas, qui peut également se matérialiser sous la forme d’un nuage de points, est une image 3D de la surface de la plaquette et représente la topologie de cette plaquette, i.e. son profil d’élévation sur toute son étendue.The color information (RGB or more spectrally detailed) returned by the image sensor 5, in addition to the information on the intensity of the radiation detected, can be converted, for example by the control device 7, into information height. The image provided in this case, which can also materialize in the form of a point cloud, is a 3D image of the surface of the wafer and represents the topology of this wafer, i.e. its elevation profile over its entire length. extent.
Cette image peut être exploitée très directement pour déterminer la hauteur maximale des bosses de soudure, et vérifier si cette hauteur est conforme.This image can be used very directly to determine the maximum height of weld bumps, and to check whether this height is compliant.
L’information de couleur fournie par le capteur d’image 5 peut être exploitée dans toutes les variations du procédé d’inspection qui viennent d’être décrites, notamment celle selon laquelle la source polychromatique 20 est choisie pour émettre selon un spectre présentant un nombre limité de raies.The color information provided by the image sensor 5 can be used in all the variations of the inspection method which have just been described, in particular that according to which the polychromatic source 20 is chosen to emit according to a spectrum having a number limited lines.
Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.Of course, the invention is not limited to the embodiments described and variant embodiments can be added thereto without departing from the scope of the invention as defined by the claims.
Ainsi, les deux masques opaques d’éclairage et de détection 6a, 6b peuvent être remplacés par un unique masque, disposé dans ce cas sous l’élément séparateur 3b. Le masque peut par exemple être fixé directement sous un cube séparateur ou une lame réfléchissante, par exemple par dépôt d’une matière opaque sur cette pièce optique. Dans cette configuration alternative, les ouvertures de l’unique masque réalisent à la fois la fonction des ouvertures d’éclairage et de filtrage chromatique. Les ouvertures de ce masque sont alors optiquement conjuguées de la surface S de l’objet par le système chromatique 3, et optiquement conjuguées du capteur d’image 5.Thus, the two opaque lighting and detection masks 6a, 6b can be replaced by a single mask, arranged in this case under the separating element 3b. The mask can for example be fixed directly under a separator cube or a reflecting blade, for example by depositing an opaque material on this optical part. In this alternative configuration, the openings of the single mask perform both the function of the lighting and chromatic filtering openings. The openings of this mask are then optically conjugated from the surface S of the object by the chromatic system 3, and optically conjugated from the image sensor 5.
Claims (20)
- une première étape de mise en place au cours de laquelle on dispose l’objet sur un support mobile (4) d’un dispositif d’inspection (1) de sorte à positionner la surface (S) dans une profondeur de champ d’un système chromatique (3) de ce dispositif (1), le système chromatique (3) étalant spatialement la focalisation d’un faisceau d’inspection polychromatique selon des plans de focalisation dans ladite profondeur de champ disposés le long d’un axe optique (AO), et interceptant un faisceau réfléchi par la surface (S) pour le projeter sur une matrice de photodétecteurs d’un capteur d’image à intégration temporisée (5) disposée dans un plan de détection (P), conjugué des plans de focalisation ;
- une deuxième étape d’activation d’au moins une source de lumière polychromatique (20) pour projeter le faisceau d’inspection sur la surface (S) et ainsi former le faisceau réfléchi, au moins un masque confocal (6a, 6b) présentant une pluralité d’ouvertures de filtrage chromatique interceptant le faisceau d’inspection et le faisceau réfléchi, les ouvertures de filtrage chromatique du masque confocal (6a, 6b) permettant d’éclairer une partie des photodétecteurs ;
- une troisième étape de relevé au cours de laquelle on commande le support mobile (4) pour déplacer la surface (S) relativement au système chromatique (3) au moins selon une direction d’inspection (I) perpendiculaire à l’axe optique (AO) et parcourir une trajectoire de mesure, et au cours de laquelle on commande le capteur d’image (5) pour le synchroniser au déplacement de la surface (S) ;
- une quatrième étape d’acquisition des données établies par le capteur d’image (5) et de préparation d’une image formée de pixels respectivement associés à des points de mesure de la surface (S) de l’objet, chaque pixel reflétant l’intensité du rayonnement réfléchi par le point de mesure.A method of inspecting a surface (S) of an object, the method comprising:
- a first positioning step during which the object is placed on a mobile support (4) of an inspection device (1) so as to position the surface (S) in a depth of field of a chromatic system (3) of this device (1), the chromatic system (3) spatially spreading the focusing of a polychromatic inspection beam according to focusing planes in said depth of field arranged along an optical axis ( AO), and intercepting a beam reflected by the surface (S) to project it onto a matrix of photodetectors of a timed integration image sensor (5) arranged in a detection plane (P), conjugate of the focusing planes ;
- a second step of activating at least one polychromatic light source (20) to project the inspection beam onto the surface (S) and thus form the reflected beam, at least one confocal mask (6a, 6b) having a plurality of chromatic filtering openings intercepting the inspection beam and the reflected beam, the chromatic filtering openings of the confocal mask (6a, 6b) making it possible to illuminate part of the photodetectors;
- a third survey step during which the mobile support (4) is controlled to move the surface (S) relative to the chromatic system (3) at least along an inspection direction (I) perpendicular to the optical axis ( AO) and traverse a measurement trajectory, and during which the image sensor (5) is controlled to synchronize it with the movement of the surface (S);
- a fourth step of acquiring the data established by the image sensor (5) and of preparing an image formed of pixels respectively associated with measurement points of the surface (S) of the object, each pixel reflecting the intensity of the radiation reflected by the measuring point.
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2021
- 2021-11-25 WO PCT/FR2021/052091 patent/WO2022129721A1/en active Application Filing
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