FR2972295A1 - Matrice de detection a conditions de polarisation ameliorees et procede de fabrication - Google Patents

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Abstract

Le dispositif de détection comporte un substrat (1) semi-conducteur d'un premier type de conductivité. Une matrice de photodétecteurs organisés selon un premier axe d'organisation est formée sur le substrat. Chaque photodétecteur est au moins partiellement formé dans le substrat. Un anneau périphérique de polarisation est formé autour de la matrice de photodétecteurs (1). L'anneau de polarisation est connecté à un générateur (3) de tension de polarisation. Un contact électriquement conducteur est connecté au substrat et disposé entre deux photodétecteurs dans le premier axe d'organisation. La distance séparant le contact de chacun des deux photodétecteurs est égale à la distance séparant deux photodétecteurs adjacents selon le premier axe d'organisation. Le contact est relié au générateur de tension de polarisation.

Description

Matrice de détection à conditions de polarisation améliorées et procédé de fabrication Domaine technique de l'invention
L'invention est relative à un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique comportant une matrice de photodétecteurs disposés sur 10 un substrat et à son procédé de réalisation.
État de la technique
15 Dans le domaine des dispositifs de détection, il y a communément un photodétecteur associé à un circuit de lecture. Le photodétecteur délivre un signal représentatif de la scène observée et ce signal est analysé par le circuit de lecture.
20 La polarisation du photodétecteur est obtenue au moyen du potentiel de substrat imposé sur une première borne du photodétecteur et au moyen d'un potentiel de référence imposé sur la seconde borne du photodétecteur, par un dispositif de lecture de type amplificateur transimpédance capacitif.
25 Afin d'obtenir toujours plus d'information sur la scène observée, le photodétecteur a fait place à une pluralité de photodétecteurs. II y a, de plus, un accroissement constant du nombre de photodétecteurs intégrés dans un circuit de détection afin d'augmenter la définition du détecteur. Cependant, l'intégration d'un grand nombre de photodétecteurs entraîne des difficultés 30 de réalisation et de fonctionnement.5
De manière à conserver une surface de collection raisonnable et un faible encombrement du dispositif, la pluralité de photodétecteurs est intégrée sous la forme d'une matrice. Un anneau de polarisation électriquement conducteur entoure la matrice pour imposer le potentiel de substrat à la matrice. II y a alors un grand nombre de photodétecteurs organisés en matrice et tous les photodétecteurs sont reliés, de manière plus ou moins directe, au potentiel de substrat.
Cette organisation apporte un gain indéniable en ce qui concerne la densité d'intégration, mais elle engendre une difficulté dans la polarisation des différents photodétecteurs.
Les photodiodes sont généralement polarisées en inverse afin de délivrer un courant représentatif de la scène observée. La photodiode joue alors le rôle d'un générateur de courant. La polarisation de la photodiode est appliquée d'un côté par le substrat et de l'autre par le circuit de lecture. Dans ce régime de fonctionnement, la modélisation électrique d'une photodiode de la matrice peut être représentée par une résistance dynamique montée en parallèle du générateur de courant et une résistance série montée en série de l'ensemble.
On constate alors que la résistance série de la photodiode peut entraîner une modification de la polarisation à ses bornes. En effet, selon l'intensité du courant généré par la source de courant, le potentiel aux bornes de la photodiode peut évoluer. De plus, l'organisation en matrice des différentes photodiodes fait que ces évolutions de potentiels peuvent se cumuler et se traduire par la dépolarisation d'une ou plusieurs photodiodes situées dans la partie centrale de la matrice.
Comme la composante essentielle de la dépolarisation est résistive, ce risque de dépolarisation est d'autant plus marqué que le courant généré par le photodétecteur est important. On remarque également que ce phénomène est d'autant plus important que la matrice de photodétecteurs est importante et que la valeur de résistance est élevée.
II existe alors un risque d'avoir au moins un photodétecteur qui ne travaille plus dans sa plage de fonctionnement optimum. II en résulte alors des problèmes de linéarité entre le courant fourni par le photodétecteur et le flux incident. Ce genre de problème est difficile ou impossible à corriger par des dispositifs de correction d'image appliqués à l'ensemble de la matrice.
Il existe donc un frein à l'intégration des matrices de grande dimensions et/ou des matrices travaillant avec des courants élevés.
Une solution a été apportée par le document WO9815016A1 qui modifie le substrat en intégrant une zone fortement dopée sous les photodétecteurs. Cette zone fortement dopée permet de favoriser le transport des porteurs de charge en réduisant la résistivité du substrat. Cependant, cette modification du substrat comporte un coût et elle ne peut pas être réalisée avec toutes les techniques habituelles de croissance. Cette solution n'est donc pas facilement intégrable.
Objet de l'invention
On constate qu'il existe un besoin de prévoir un dispositif de détection qui 25 présente un fonctionnement plus robuste.
On tend à assouvir ce besoin au moyen d'un dispositif qui comporte : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une matrice de photodétecteurs organisés selon un premier axe 30 d'organisation, chaque photodétecteur étant au moins partiellement formé dans le substrat,
un anneau périphérique de polarisation formé autour de la matrice de photodétecteurs, l'anneau de polarisation étant connecté à un générateur de tension de polarisation et au substrat, une première zone du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat, une seconde zone du second type de conductivité, un contact comportant des moyens d'application de la tension de polarisation sur les première et seconde zones, le contact étant disposé entre deux photodétecteurs dans le premier axe d'organisation, la distance séparant le contact de chacun des deux photodétecteurs étant égale à la distance séparant deux photodétecteurs adjacents selon le premier axe d'organisation.
On constate qu'il existe un besoin de prévoir un procédé de fabrication d'un tel dispositif de manière simple.
On tend à assouvir ce besoin au moyen d'un procédé qui comporte : prévoir un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité former une matrice de zones du second type de conductivité organisés selon un premier axe d'organisation, les zones du second type de conductivité étant espacées d'un pas de répétition constant selon le premier axe d'organisation, former une zone du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat, la zone du premier type de conductivité étant aligné avec les zones du second type de conductivité, former un plot électriquement conducteur sur les zones du second type de conductivité et la zone du premier type de conductivité.
Description sommaire des dessins30 D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : 5 les figures 1 et 2 représentent, de manière schématique, des matrices de photodétecteurs d'un dispositif de détection, la figure 3 représente, de manière schématique, en coupe, plusieurs photodétecteurs et un contact selon l'un des axes d'organisation, io la figure 4 représente, de manière schématique, en coupe, une variante de réalisation de plusieurs photodétecteurs et d'un contact selon l'un des axes d'organisation .
15 Description de modes de réalisation préférentiels de l'invention
Comme cela est illustré aux figures 1 et 2, le dispositif de détection comporte une pluralité de photodétecteurs 1 qui sont organisés en matrice. Les photodétecteurs 1 sont organisés selon un premier axe d'organisation X, 20 c'est-à-dire que les photodétecteurs 1 forment une rangée ou une colonne selon ce premier axe X. Les photodétecteurs sont organisés selon l'axe X avec un pas de répétition P.
Dans un mode de réalisation préférentiel illustré, la pluralité de 25 photodétecteurs 1 est également organisée selon un deuxième axe d'organisation Y qui est sécant au premier axe d'organisation X. A titre d'exemple, le premier axe d'organisation X est perpendiculaire au deuxième axe d'organisation Y. De cette manière, les photodétecteurs 1 sont organisés les uns par rapport aux autres selon deux directions différentes représentées 30 par le premier et le deuxième axe d'organisation.
De cette manière, les photodétecteurs 1 sont alignés entre eux selon une ou plusieurs lignes parallèles à l'axe X et ils sont éventuellement alignés selon une ou plusieurs lignes parallèles à l'axe Y. Les photodétecteurs 1 sont alors organisés en lignes et en colonnes.
La matrice de photodétecteurs 1 est formée sur un substrat en matériau semi-conducteur et elle est entourée par une ligne 2 périphérique de polarisation. La ligne 2 est une ligne en matériau électriquement conducteur, par exemple une ligne métallique qui court à la surface du substrat. Dans d'autres modes de réalisation, la ligne 2 est une zone dopée du substrat, cette zone est plus fortement dopée que le reste du substrat afin de diminuer la chute de potentiel le long de la ligne. De manière préférentielle, la ligne 2 est une zone dopée qui est du même type de conductivité que le substrat. Le substrat est d'un premier type de conductivité, par exemple de type P.
La ligne 2 périphérique de polarisation est reliée à un générateur 3 de tension de polarisation. La tension de polarisation VsuB ou une tension proche de cette dernière est appliquée aux photodétecteurs 1 via la ligne 2 de polarisation et le substrat. La tension de polarisation VSUB fixe en partie les conditions de polarisation des photodétecteurs 1 en appliquant un premier potentiel sur une première électrode du photodétecteur 1. La tension de polarisation VsuB ou une tension qui en découle est appliquée sur la première électrode des différents photodétecteurs 1. Une seconde tension, une tension de référence, est appliquée sur une seconde électrode des photodétecteurs afin de fixer les conditions de polarisation des différents photodétecteurs 1. De manière avantageuse, les photodétecteurs sont polarisés en inverse entre la tension de polarisation VSUB et la tension de référence.
Dans un mode de réalisation préférentiel illustré à la figure 3, chaque photodétecteur 1 est formé au moins partiellement par une partie du substrat
1 semi-conducteur. Par exemple, la première électrode est formée par le substrat 1 ce qui permet de faciliter l'intégration de la matrice dans le substrat et limiter les écarts de polarisation. Dans un mode de réalisation encore plus privilégié, les photodétecteurs sont formés dans le substrat. Le photodétecteur est une photodiode de type PN ou NP dont la première électrode est formée par le substrat 6, une première zone du premier type de conductivité et la seconde électrode est une seconde 7 zone du second type de conductivité formée dans le substrat.
A titre d'exemple, chaque photodétecteur 1 est associé à un circuit de lecture qui impose la tension de référence sur la seconde électrode des photodétecteurs 1. Sur la figure 1, les différents circuits de lecture sont regroupés afin de former des moyens de lecture ou un dispositif de lecture 4 qui comporte une matrice de circuits de lecture. Chaque circuit de lecture est associé à un ou plusieurs photodétecteurs 1 et récupère le signal électrique émis. Dans une variante de réalisation, la fonction de lecture de l'information électrique émise par les photodétecteurs 1 et la fonction de polarisation sont dissociées et il est possible d'associer un photodétecteur 1 à un circuit de lecture et à un dispositif de polarisation.
En fonctionnement, le substrat n'est pas toujours en mesure d'assurer le transport des porteurs de charges émis par les différents photodétecteurs 1 jusqu'à la ligne de polarisation 2 ce qui se traduit par une évolution des conditions de polarisation de certains photodétecteurs 1 depuis le substrat.
Comme illustré à la figure 2, le dispositif comporte également un ou plusieurs contacts 5 ponctuels électriquement conducteurs qui sont connectés, d'une part, au substrat et, d'autre part, au générateur 3 de tension de polarisation. Les contacts 5 électriquement conducteurs sont formés dans la matrice de photodétecteurs 1 à la place d'un photodétecteur 1. Le contact 5 comporte des moyens d'application de la tension de polarisation VSUB sur le substrat.
Le contact 5 relie le générateur 3 de tension de polarisation avec une zone en premier type de conductivité du substrat. Le contact 5 comporte un plot 8 électriquement conducteur qui a une interface avec une zone en premier type de conductivité du substrat de manière à appliquer directement la tension de polarisation VSUB dans la matrice de photodétecteurs 1. Les contacts 5 agissent comme des contacts directs entre le substrat, une zone du premier type de conductivité, et le générateur 3 de tension de polarisation.
De cette manière, les contacts 5 sont le relais de la ligne 2 de polarisation à l'intérieur de la matrice de photodétecteurs 1. Les contacts 5 permettent de réduire la distance que doit parcourir une charge émise par les photodétecteurs 1 pour atteindre la tension de polarisation VSUB et être éjectée du substrat.
Comme cela est illustré à la figure 3 en coupe, le contact 5 est sensiblement identique à un photodétecteur 1. Le contact 5 et le photodétecteur 1 comportent chacun un plot 8 électriquement conducteur. Dans le cas où le photodétecteur 1 est une diode PN ou NP, ce plot 8 est déposé sur le substrat comme pour le contact 5.
Dans le cas du photodétecteur, une extrémité du plot 8 est reliée au circuit de lecture. L'autre extrémité du plot 8 est déposée sur une zone du second type de conductivité du substrat ce qui permet de polariser le photodétecteur 1, ici la diode.
Dans le cas du contact 5, une extrémité du plot 8 est reliée au générateur 3 de tension de polarisation. L'autre extrémité du plot 8 est déposée sur la zone 6 du premier type de conductivité du substrat ce qui permet d'appliquer directement la tension de polarisation VSUB sur le substrat et non sur une diode. 9 Comme les architectures du contact 5 et du photodétecteur 1 sont similaires, des étapes communes de réalisation peuvent être utilisées afin de faciliter la mise en oeuvre et conserver une densité d'intégration importante.
Dans un mode de mise en oeuvre particulier, il est possible de réaliser le contact 5 en protégeant cette partie du substrat lors de la formation de la zone en second type de conductivité. De cette manière, le substrat comporte plusieurs zones 7 du second type de conductivité qui vont servir à la formation des photodétecteurs 1 et une zone dépourvue de ce dopage qui va servir à la formation du contact 5.
Cette étape technologique permet de former une matrice de zones 7 du second type de conductivité organisés selon un premier axe d'alignement X et une zone du premier type de conductivité. La zone du premier type de conductivité est aligné avec les zones 7 du second type de conductivité. La distance qui sépare la zone du premier type de conductivité des deux zones du second type de conductivité plus proches voisines est égale au pas de répétition qui existe entre deux zones du second type de conductivité consécutives. Le pas de répétition est celui des photodétecteurs dans la matrice.
Ensuite, une étape commune de formation des plots 8 est réalisée sans tenir compte du fait que le plot 8 peut être formé pour un contact ou pour un photodétecteur 1. A titre d'exemple, les plots 8 ont des dimensions latérales (longueur et largeur) identiques et ils peuvent être formés par le même matériau. Le plot 8 en matériau électriquement conducteur est formé sur les zones du second type de conductivité et la zone du premier type de conductivité.30 10
Comme le contact 5 électriquement conducteur est formé à la place d'un photodétecteur 1, le contact 5 est aligné suivant le premier axe d'organisation X avec les autres photodétecteurs 1 de la même colonne ou de la même rangée. Un contact 5 a deux photodétecteurs 1 comme plus proches voisins, sur le premier axe d'organisation X. La distance qui sépare le contact 5 de ces deux photodétecteurs 1 plus proches voisins est égale à la distance qui sépare deux photodétecteurs 1 adjacents selon le premier axe d'organisation X. Il y a un pas de répétition P qui est constant le long du premier axe d'organisation, ce pas de répétition P sépare deux éléments consécutifs, soit deux photodétecteurs 1, soit un photodétecteur 1 et un contact 5 électriquement conducteur.
Dans un mode de réalisation particulier, deux plots 8 sont adjacents et consécutifs dans une des directions d'organisation. Ce mode de réalisation est moins intéressant que deux plots 8 séparés par quelques photodétecteurs.
Le contact 5 est parfaitement intégré dans la matrice de photodétecteurs, son encombrement est identique à celui d'un photodétecteur.
De manière préférentielle, si plusieurs contacts 5 sont formés dans la matrice de photodétecteurs 1, les contacts 5 sont répartis à intervalle régulier selon le premier axe d'organisation X. La distance séparant deux contacts 5 est un multiple entier du pas de répétition P de la matrice selon le premier axe X ce qui peut définir un premier pas de répétition spécifique aux contacts 5. La distance de répétition est choisie de manière à éviter que les conditions de polarisation des photodétecteurs 1 soient modifiées au-delà d'une valeur seuil.
La distance de répétition des contacts 5 peut donc être définie dès la phase de dimensionnement du dispositif en fonction des conditions de polarisation 11
appliquées, des conditions d'illumination maximales applicables et des propriétés électriques du substrat.
Comme le contact 5 électriquement conducteur est formé à la place d'un photodétecteur 1, il n'y a pas intégration d'un élément supplémentaire dans la matrice. Cette solution peut donc être intégrée dans les matrices où le pas de répétition est petit, par exemple pour un pas de répétition P inférieur à 30µm de manière encore plus avantageuse pour un pas de répétition P inférieur ou égale à 15µm.
L'utilisation d'un contact 5 ou de plusieurs contacts 5 électriquement conducteurs dans la matrice de photodétecteurs 1 permet de rendre le dispositif plus robuste vis-à-vis des risques de dépolarisation, par exemple quand le dispositif est soumis à un flux lumineux important.
Comme un photodétecteur 1 est remplacé par un contact 5 électriquement conducteur, il existe une zone de détection ne délivrant pas d'information sur la scène observée. Cette zone dépourvue d'information correspond à un pixel isolé. Grâce à des moyens de traitement, il est possible de compenser cette absence d'information en utilisant les informations données par ses voisins immédiats. Ce type de correction n'est pas possible ou facilement réalisable quand une sous-ligne de polarisation est utilisée et sacrifie une colonne ou une rangée entière de photodétecteurs 1.
Ainsi, dans un mode de réalisation avantageux, le dispositif comporte des moyens de génération d'un signal d'illumination à partir des photodétecteurs 1 adjacents au contact 5. Selon les modes de réalisation, entre quatre et huit photodétecteurs adjacents peuvent être utilisés pour générer un signal provenant artificiellement du contact 5. De cette manière, le dispositif transmet un signal (par exemple une image) représentatif de la scène observée en éliminant les zones d'ombre créées par le ou les contacts 5.
Dans la matrice de détection, le trou peut être assimilé à un photodétecteur défectueux dont on connaît à l'avance la position ce qui facilite la gestion des corrections à apporter pour avoir une information associée à chaque coordonnée de la matrice que cette zone soit occupée par un photodétecteur ou par un plot.
Les photodétecteurs 1 sont connectés à une première ligne en matériau métallique qui récupère l'information fournie par la matrice. La première ligne en matériau métallique relie le photodétecteur 1 au circuit de lecture 4. Le circuit de lecture 4 stocke l'information délivrée par le photodétecteur et il peut également intervenir dans la polarisation du photodétecteur 1. Chaque photodétecteur fournit un signal électrique (une tension ou un courant) qui est représentatif de la scène observée. Ce signal est acheminé par une ligne électrique jusqu'à des moyens de traitement de l'information via le circuit de lecture 4. Différents types de circuit de lecture sont possibles, par exemple des circuits à injection directe (Dl), à injection directe contre-réactionnée (BDI) ou à amplificateur transimpédance capacitif (CTIA).
Le contact 5 électriquement conducteur est également connecté à une seconde ligne métallique et cette seconde ligne métallique est reliée au générateur 3 de tension de polarisation. La seconde ligne métallique est identique à la première ligne métallique. Les deux lignes métalliques sont formées dans le même matériau avec éventuellement les mêmes dimensions.
Dans ce mode de réalisation, la tension de polarisation VSUB est appliquée au substrat à l'intérieur de la matrice de photodétecteurs 1 en utilisant les niveaux d'interconnexion métallique, c'est-à-dire sans avoir à apporter de nouvelles lignes de polarisation entre les photodétecteurs 1. Dans cette 13
architecture, les conditions de polarisation appliquées sur la ligne métallique reliée au contact 5 ont un impact réduit sur les photodétecteurs.
L'utilisation d'un contact 5 électriquement conducteur relié au générateur 3 de tension de polarisation est particulièrement intéressant lorsque le substrat 6 présente une résistivité importante comparée aux conditions d'illumination acceptées par les photodétecteurs. A titre d'exemple, il est avantageux d'utiliser un ou plusieurs contacts électriquement conducteurs quand le substrat est dopé de type P car la conduction des porteurs de charge est moins bonne que pour les substrats dopés de type N. Cette architecture permet de former dans la matrice ou à côté de la matrice des photodiodes à avalanches ce qui n'est pas possible en inversant les types de dopage. Ces modes de réalisation sont particulièrement intéressants dans le cas où le substrat est un matériau à base de CdHgTe dont les caractéristiques électriques peuvent être insuffisantes pour intégrer des matrices de taille importante.
L'utilisation d'un contact 5 électriquement conducteur relié au générateur 3 de tension de polarisation est particulièrement intéressant lorsque la taille de la matrice de photodétecteurs est importante.
L'utilisation d'un contact 5 électriquement conducteur relié au générateur de tension de polarisation est particulièrement intéressant lorsque les photodétecteurs 1 sont associés aux domaines des grandes longueurs d'onde du spectre infra-rouge (8-15 µm) ce qui se traduit par la gestion d'une quantité importante de porteurs de charge dans le substrat.
En comparaison d'un anneau de polarisation classique qui découperait la matrice en une pluralité de sous-matrices, le contact électriquement conducteur évite de perdre une colonne et ou une ligne entière de photodétecteurs. Dans ce cas, la matrice obtenue est plus compacte c'est-à- 14
dire qu'elle comporte un plus grand nombre de photodétecteurs par unité de surface.
La matrice de photodétecteurs 1 peut comporter plusieurs lignes de photodétecteurs et/ou plusieurs colonnes de photodétecteurs. Les contacts 5 électriquement conducteurs peuvent être formés sur une pluralité de lignes ou de colonnes différentes. Ainsi, une même ligne ou une même colonne de photodétecteur peut comporter plusieurs contacts 5 électriquement conducteurs. Dans un autre mode de réalisation, une même ligne ou une même colonne ne comporte pas plus d'un contact 5 afin de réduire l'impact du contact sur les informations fournies par la ligne et/ou la colonne et donc pour réduire l'impact sur le traitement de l'information.
Dans un mode de réalisation particulier, la matrice de photodétecteurs 1 peut comporter des organisations différentes de photodétecteurs 1, par exemple il existe un décalage des photodétecteurs présents sur deux lignes ou deux colonnes successives afin de gagner en compacité. Les première et seconde directions d'organisation ne sont pas obligatoirement perpendiculaires.
Cette architecture est particulièrement intéressante dans le cas d'une matrice bispectrale où deux types de photodétecteurs sont intégrés. Chaque type de photodétecteur réagit avec une longueur d'onde particulière. Pour ce type de dispositif, le substrat comporte plusieurs couches qui réagissent à des longueurs d'ondes différentes, ce qui rend difficilement utilisable la couche très dopée divulguée dans le document WO WO9815016A1. Les deux types de photodiode peuvent avoir des tailles différentes et/ou des influences différentes sur les propriétés électriques du substrat.
Dans le cas où les photodétecteurs sont des diodes de type PN ou NP, il y a 30 deux zones avec des types opposés de conductivité qui ont une interface commune. 15 De manière avantageuse, le substrat 6 est du premier type de conductivité et des zones 7 d'un second type de conductivité sont formées à l'intérieur du substrat. Afin d'avoir une pluralité de diodes indépendantes, les zones 7 en second type de conductivité sont espacées les unes des autres.
Cependant, chaque diode présente une surface de collection des porteurs générés qui est supérieure à la surface occupée par la zone 7 du seconde type de conductivité. En d'autres termes, les porteurs générés hors de la diode peuvent être attirés et collectés par la diode. En d'autres termes, en vue de dessus, la surface de collection en porteurs déborde de la surface en second type de conductivité.
Dans un mode de réalisation particulier, afin d'avoir une collection maximale de l'énergie lumineuse émise par la scène observée, il y a un chevauchement des zones de collection entre deux photodétecteurs 1 adjacents. Dans cette zone de chevauchement commune à deux photodétecteurs les porteurs de charge générés ont la possibilité d'être captés par l'un ou l'autre des photodétecteurs 1.
De manière avantageuse, les photodétecteurs 1 ont des architectures identiques et des conditions de polarisations identiques afin de faciliter le traitement de l'information émis par chaque photodétecteur 1 en comparaison des autres photodétecteurs 1 de la matrice. Dans ce cas de figure, les photodétecteurs 1 sont considérés comme identiques tant dans leur architecture que dans leur fonctionnement. Les photodétecteurs 1 ont la même surface de collection effective.
Dans le cas où le contact 5 comporte un plot 8 déposé sur une zone du premier type de conductivité et dépourvue d'une zone du second type de conductivité, il n'y a pas formation d'une diode, ni d'une zone de collection. 16
Les photodétecteurs 1 adjacents à un contact 5 n'ont pas de zone de chevauchement avec le contact 5 et ils possèdent alors une surface de collection effective qui est supérieure aux autres photodétecteurs. Il existe un décalage dans le fonctionnement de ces photodétecteurs 1 lié à la zone de collection des porteurs de charge qui est supérieure à celles des autres photodétecteurs de la matrice.
Cette singularité de fonctionnement rend plus difficile le traitement de l'information en créant artificiellement des zones plus lumineuses que dans la réalité. Cet effet est d'autant plus marqué que la zone de chevauchement est importante dans la surface de collection des porteurs de charge.
Afin de rendre les photodétecteurs plus homogènes avec le reste de la population de la matrice, le contact 5 électriquement conducteur comporte avantageusement une zone 9 dopée du second type de conductivité de forme annulaire avec, en son centre, le substrat et/ou une zone 10 dopée du premier type de conductivité qui est en continuité électrique avec le substrat. De cette manière, le contact 5 électriquement conducteur comporte une zone centrale du premier type de conductivité et une zone périphérique du second type de conductivité. La zone 9 du second type de conductivité n'entoure pas complètement la zone du premier type de conductivité afin que la tension de polarisation VSUB puisse être appliquée directement au substrat et non par l'intermédiaire d'une diode.
Cette zone 9 dopée du second type de conductivité vient simuler le fonctionnement d'une photodiode avec une surface de collection et créer une zone de chevauchement entre le contact 5 et chacun des photodétecteurs 1 adjacents. Cette zone de chevauchement réduit la surface de collection effective des photodétecteurs 1.30 17
Le plot 8 est en contact électrique avec la zone 10 du premier type de conductivité et avec la zone 9 du second type de conductivité. La zone 10 peut être une partie du substrat ou une partie de la zone 9 qui a été dopée d'un opposé par la suite afin de changer de conductivité.
Dans un mode de réalisation préférentiel, la distance séparant le bord extérieur de la zone 9 dopée du second type de conductivité de forme annulaire et la zone 7 dopée du second type de conductivité du photodétecteur 1 est identique à la distance qui sépare deux zones 7 dopées du second type de conductivité de deux photodétecteurs adjacents selon le premier axe d'organisation. La zone centrale et la zone périphérique du contact 5 ont des types de conductivité opposés et ces deux zones sont court-circuitées au moyen d'un matériau électriquement conducteur, par exemple un métal, de manière préférentielle par le plot 8 relié au générateur 3.
Cette architecture permet d'éviter la formation d'une diode entre la zone centrale et la zone périphérique du contact 5 ce qui est préjudiciable au bon fonctionnement du contact 5. Cela permet également d'utiliser la zone 9 périphérique pour réduire la surface de collection des photodétecteurs adjacents tout en réalisant la polarisation du substrat à la tension de polarisation VSUB au moyen de la partie centrale du plot 5.
Dans un mode de réalisation particulier, la partie centrale du contact 5, c'est-25 à-dire la zone 10, dans le substrat présente une concentration en dopant supérieure à celle du reste du substrat 6.
Cette architecture particulière peut être réalisée simplement en formant la matrice de diodes PN ou NP dans le substrat. Les zones 7 des photodiodes 30 et la zone 9 sont formées durant la même étape technologique, bien qu'il soit également envisageable de les former séparément. Ensuite, une zone 10 18
dopée du premier type de conductivité est formée dans la zone 9 du second type de conductivité de manière à réaliser une connexion directe entre le substrat 9 en premier type de conductivité et le plot 8 du contact 5. II est également possible de changer l'ordre de formation des zones, par exemple en former la zone 10 en premier puis en formant les zones 7 et 9.
Ensuite, les plots 8 sont formés de manière conventionnelle comme le reste du procédé de mise en oeuvre du dispositif. Les plots sont par exemple des billes métalliques qui servent à l'interconnexion avec un second substrat qui comporte le module de lecture. Seul le routage des lignes métalliques est légèrement modifié afin de connecter le contact 5 au générateur 3 de tension de polarisation. Les plots sont disposés préférentiellement avec un pas de répétition constant, le pas de répétition des photodétecteurs.
Cette étape supplémentaire permet de manière simple et économique de transformer un photodétecteur de type diode PN ou NP en un contact de polarisation intégré directement à l'intérieur de la matrice.
De manière générale, le contact 5 comporte une zone 10 du premier type de conductivité et une zone 9 du second type de conductivité. Ces deux zones sont adjacentes et court-circuitées afin d'être polarisées au même potentiel, ici le potentiel de polarisation VSUB. La première zone 10 du premier type de conductivité est en continuité de dopage avec le reste du substrat 6. De cette manière, la première zone 10 ne peut pas être formée et complètement délimitée dans un caisson du second de conductivité. Le type de conductivité est constant depuis la première zone 10 jusqu'au substrat. La seconde zone 9 peut entourée partiellement ou complètement la première zone 10 d'un point de vue latérale afin d'avoir un effet, sur une ou plusieurs surfaces de collection des zones adjacentes. Plusieurs zones 9, ici des zones 9a et 9b, distinctes les unes des autres peuvent être formées en face d'un ou plusieurs photodétecteurs pour modifier la zone de chevauchement. 19 Le détecteur comporte des moyens d'application de la tension de polarisation directement sur une zone du premier type de conductivité qui est continuité de dopage avec le substrat et sur une zone du second type de conductivité.
Ceci permet de former une diode dont l'influence latérale va réduire la surface de collection d'au moins un photodétecteur adjacent.

Claims (9)

  1. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection comportant : un substrat (6) semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une matrice de photodétecteurs (1) organisés selon un premier axe d'organisation (X), chaque photodétecteur (1) étant au moins partiellement formé dans le substrat (6), un anneau (2) périphérique de polarisation formé autour de la matrice de photodétecteurs (1), l'anneau (2) de polarisation étant connecté à un générateur (3) de tension de polarisation et au substrat (6), dispositif caractérisé en ce qu'il comporte une première zone (10) du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat (6), une seconde zone (9) du second type de conductivité, un contact (5) comportant des moyens (8) d'application de la tension de polarisation (VSUB) sur les première (10) et seconde (9) zones, le contact (5) étant disposé entre deux photodétecteurs (1) dans le premier axe d'organisation (X), la distance séparant le contact (5) de chacun des deux photodétecteurs (1) étant égale à la distance séparant deux photodétecteurs (1) adjacents selon le premier axe d'organisation (X).
  2. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un plot (8) électriquement conducteur court-circuitant les première (10) et seconde (9) zones.
  3. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde zone (9) forme un anneau autour de la première zone (10). 2030 21
  4. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de contacts (5) électriquement conducteurs connectés au substrat (6) sur le premier axe d'organisation (X), les contacts (5) étant agencés entre les photodétecteurs (1) à intervalle régulier, selon un premier pas de répétition qui est un multiple du pas de répétition (P) des photodétecteurs (1).
  5. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les photodétecteurs (1) sont formés par une première zone dopée (7) d'un second type de conductivité dans le substrat (6) de manière à former une jonction de type P/N ou N/P et en ce que le contact (5) électriquement conducteur est dépourvu de première zone dopée.
  6. 6. Dispositif selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que la matrice de photodétecteurs (1) est organisée suivant un deuxième axe d'organisation (Y), les contacts (5) étant agencés selon le deuxième axe d'organisation (Y) avec un deuxième pas de répétition.
  7. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'une première ligne métallique relie le photodétecteur (1) à un circuit de lecture (4) et une deuxième ligne métallique relie le contact (5) au générateur (3) de tension de polarisation.
  8. 8. Procédé de fabrication d'une matrice de détection caractérisé en ce qui 25 comporte : - prévoir un substrat (6) semi-conducteur d'un premier type de conductivité - former une matrice de zones (7,
  9. 9) du second type de conductivité organisés selon un premier axe d'organisation (X), les zones (7, 9) du second type de conductivité étant espacées d'un pas de répétition (P) 30 constant selon le premier axe d'organisation (X), 22 former une zone (10) du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat (6), la zone (10) du premier type de conductivité étant aligné avec les zones (7) du second type de conductivité, former un plot (8) électriquement conducteur sur les zones (7, 9) du second type de conductivité et la zone (10) du premier type de conductivité.
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