FR2972295A1 - Matrice de detection a conditions de polarisation ameliorees et procede de fabrication - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- REVENDICATIONS1. Dispositif de détection comportant : un substrat (6) semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une matrice de photodétecteurs (1) organisés selon un premier axe d'organisation (X), chaque photodétecteur (1) étant au moins partiellement formé dans le substrat (6), un anneau (2) périphérique de polarisation formé autour de la matrice de photodétecteurs (1), l'anneau (2) de polarisation étant connecté à un générateur (3) de tension de polarisation et au substrat (6), dispositif caractérisé en ce qu'il comporte une première zone (10) du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat (6), une seconde zone (9) du second type de conductivité, un contact (5) comportant des moyens (8) d'application de la tension de polarisation (VSUB) sur les première (10) et seconde (9) zones, le contact (5) étant disposé entre deux photodétecteurs (1) dans le premier axe d'organisation (X), la distance séparant le contact (5) de chacun des deux photodétecteurs (1) étant égale à la distance séparant deux photodétecteurs (1) adjacents selon le premier axe d'organisation (X).
- 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un plot (8) électriquement conducteur court-circuitant les première (10) et seconde (9) zones.
- 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la seconde zone (9) forme un anneau autour de la première zone (10). 2030 21
- 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de contacts (5) électriquement conducteurs connectés au substrat (6) sur le premier axe d'organisation (X), les contacts (5) étant agencés entre les photodétecteurs (1) à intervalle régulier, selon un premier pas de répétition qui est un multiple du pas de répétition (P) des photodétecteurs (1).
- 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les photodétecteurs (1) sont formés par une première zone dopée (7) d'un second type de conductivité dans le substrat (6) de manière à former une jonction de type P/N ou N/P et en ce que le contact (5) électriquement conducteur est dépourvu de première zone dopée.
- 6. Dispositif selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que la matrice de photodétecteurs (1) est organisée suivant un deuxième axe d'organisation (Y), les contacts (5) étant agencés selon le deuxième axe d'organisation (Y) avec un deuxième pas de répétition.
- 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'une première ligne métallique relie le photodétecteur (1) à un circuit de lecture (4) et une deuxième ligne métallique relie le contact (5) au générateur (3) de tension de polarisation.
- 8. Procédé de fabrication d'une matrice de détection caractérisé en ce qui 25 comporte : - prévoir un substrat (6) semi-conducteur d'un premier type de conductivité - former une matrice de zones (7,
- 9) du second type de conductivité organisés selon un premier axe d'organisation (X), les zones (7, 9) du second type de conductivité étant espacées d'un pas de répétition (P) 30 constant selon le premier axe d'organisation (X), 22 former une zone (10) du premier type de conductivité en continuité de dopage avec le substrat (6), la zone (10) du premier type de conductivité étant aligné avec les zones (7) du second type de conductivité, former un plot (8) électriquement conducteur sur les zones (7, 9) du second type de conductivité et la zone (10) du premier type de conductivité.
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