FR2963850A1

FR2963850A1 - Dispositif de detection a conditions de polarisation ameliorees

Info

Publication number: FR2963850A1
Application number: FR1003330A
Authority: FR
Inventors: Nicolas Ricard
Original assignee: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS
Current assignee: Lynred SAS
Priority date: 2010-08-10
Filing date: 2010-08-10
Publication date: 2012-02-17
Anticipated expiration: 2030-08-10
Also published as: FR2963850B1

Abstract

Le dispositif de détection comporte une pluralité de photodétecteurs (1) organisés en matrice. Chaque photodétecteur (1) est polarisé entre des première et seconde bornes. Un premier conducteur de polarisation (2) est relié à la première borne de chaque photodétecteur (1). Il comporte également une pluralité de circuits de lecture (3) et chaque circuit de lecture (3) est relié à un photodétecteur (1) respectif. Un miroir de tension (4) est disposé entre chaque seconde borne de photodétecteur (1) et son circuit de lecture (3). Les bornes de polarisation de deux miroirs de tension (4) adjacents sont reliées entre elles par un élément résistif (R2).

Description

Dispositif de détection à conditions de polarisation améliorées Domaine technique de l'invention

L'invention est relative à un dispositif de détection comportant une pluralité de photodétecteurs organisés en matrice et polarisés chacun entre des première et seconde bornes, 10 un premier conducteur de polarisation relié à la première borne de chaque photodétecteur, une pluralité de circuits de lecture, chaque circuit de lecture étant relié à un photodétecteur respectif.

15 État de la technique

Dans le domaine des dispositifs de détection, il y a communément un photodétecteur associé à un circuit de lecture. Le photodétecteur délivre un 20 signal représentatif de la scène observée et ce signal est analysé par le circuit de lecture.

La polarisation du photodétecteur est obtenue au moyen du potentiel de substrat imposé sur une première borne du photodétecteur et au moyen d'un 25 potentiel de référence imposé sur la seconde borne du photodétecteur par dispositif de lecture de type amplificateur transimpédance capacitif.

Afin d'obtenir toujours plus d'information sur la scène observée, le photodétecteur a fait place à une pluralité de photodétecteurs. Il y a, de plus, so un accroissement constant du nombre de photodétecteurs intégrés dans un circuit de détection afin d'augmenter la définition. Cependant, l'intégration d'un grand nombre de photodétecteurs entraîne des difficultés de réalisation et de fonctionnement.

De manière à conserver une surface de collection raisonnable et un faible encombrement du dispositif, la pluralité de photodétecteurs est intégrée sous la forme d'une matrice et un anneau de polarisation entoure la matrice pour connecter le substrat. II y a alors un grand nombre de photodétecteurs organisés en matrice et tous les photodétecteurs sont reliés, de manière plus ou moins directe, au potentiel de polarisation. Cette organisation apporte un gain indéniable en ce qui concerne la densité d'intégration, mais elle engendre une difficulté dans la polarisation des différents photodétecteurs.

15 Les photodiodes sont généralement polarisées en inverse afin de délivrer un courant représentatif de la scène observée. La photodiode joue alors le rôle d'un générateur de courant. La polarisation de la photodiode est appliquée d'un côté par le substrat et de l'autre par le circuit de lecture. Dans ce régime de fonctionnement, la modélisation électrique de la photodiode peut être 20 représentée par une résistance dynamique montée en parallèle de la source de courant et une résistance série montée en série de l'ensemble.

On constate alors que la résistance série de la photodiode peut entraîner une modification de la polarisation. En effet, selon l'intensité du courant généré 25 par la source de courant, le potentiel aux bornes de la photodiode peut évoluer. De plus, l'organisation en matrice des différentes photodiodes fait que ces évolutions de potentiels peuvent se cumuler et se traduire par la dépolarisation d'une ou plusieurs photodiodes situées dans la partie centrale de la matrice. 10 30 Comme la composante essentielle de la dépolarisation est résistive, ce risque de dépolarisation est d'autant plus marqué que le courant généré par le photodétecteur est important. On remarque également que ce phénomène est d'autant plus important que la matrice de photodétecteurs est importante et que la valeur de résistance est importante.

Il existe alors un risque d'avoir au moins un photodétecteur qui ne travaille plus dans sa plage de fonctionnement optimum. Il en résulte alors des problèmes de linéarité entre le courant fourni par le photodétecteur et le flux 10 incident. Ce genre de problème est difficile ou impossible à corriger par des dispositifs de correction d'image appliqués à l'ensemble de la matrice.

II existe donc un frein à l'intégration des matrices de grande dimensions et/ou des matrices travaillant avec des courants élevés. Objet de l'invention

On constate qu'il existe un besoin de prévoir un dispositif de détection qui soit moins sensible à l'évolution de la polarisation des photodétecteurs 20 organisés en matrice.

Le dispositif selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend un miroir de tension, entre chaque seconde borne de photodétecteur et son circuit de lecture, les bornes de sortie de deux miroirs de tension adjacents étant 25 reliées entre elles par un élément résistif.

Description sommaire des dessins

30 D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 15 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels la figure 1 représente un dispositif de détection et les figures 2 et 3 représentent des miroirs de tension du dispositif de détection. Description d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention

Comme illustré à la figure 1, le dispositif de détection comporte une pluralité de photodétecteurs 1 organisés en matrice. Chaque photodétecteur 1 10 comporte une première borne et une seconde borne et chaque photodétecteur 1 est polarisé entre ces deux bornes. Les photodétecteurs 1 sont, par exemple, des photodiodes de type P/N ou N/P ou des dispositifs à puit quantique également appelés QWIP en anglais.

15 A titre d'exemple, les photodétecteurs 1 sont des diodes de type P/N dont une des électrodes est formée par le substrat (par exemple de type P) et l'autre électrode est formée par un caisson dopé de type opposé (par exemple de type N).

20 Une première ligne de polarisation 2 qui applique un premier potentiel de polarisation VSUB est reliée à la matrice de photodétecteurs 1. Afin de conserver une densité d'intégration importante, la polarisation des photodétecteurs est réalisée au moyen d'un conducteur de polarisation. Les photodétecteurs 1 ont leur première borne connectée au conducteur de 25 polarisation.

Le conducteur de polarisation 2 présente des propriétés de conduction électrique moins intéressantes que la ligne de polarisation, mais il permet de connecter les photodétecteurs de manière compacte. Le conducteur de 3o polarisation est, par exemple, le substrat sur lequel les photodétecteurs sont formés ou des lignes électriques de section inférieure. Comme les propriétés5 de conduction électrique sont moins bonnes, il existe une résistance parasite qui ne peut être négligée. Le potentiel vu par les différents photodétecteurs ne correspond pas exactement au potentiel de polarisation VsuB et il évolue à l'intérieur de la matrice. De cette manière, le conducteur de polarisation impose un premier potentiel provenant du potentiel de polarisation VsuB à l'ensemble des photodétecteurs 1.

10 Dans un mode de réalisation particulier, le substrat forme le conducteur de polarisation qui intervient dans la polarisation de l'ensemble de la matrice de photodétecteurs. Le potentiel du substrat est avantageusement défini au moyen d'une ligne de polarisation 2 qui entoure la matrice de photodétecteurs. La ligne de polarisation 2 est par exemple sous la forme 15 d'un ou plusieurs anneaux de manière à réduire l'évolution du potentiel de substrat à l'intérieur de la matrice ou encore sous la forme d'un quadrillage plus ou moins dense. De manière préférentielle, la ligne de polarisation 2 est sous la forme d'un anneau ce qui permet d'obtenir la meilleure densité d'intégration. 20 Cependant, le substrat ayant une certaine résistivité et les photodiodes n'étant pas parfaites, il existe entre deux photodétecteurs 1 une évolution de la polarisation liée à un phénomène parasite modélisé par une résistance série R1. Cette résistance série sépare deux photodétecteurs adjacents le 25 long du passage du courant.

Le potentiel appliqué par le conducteur de polarisation sur la première borne des photodétecteurs 1 évolue au fur et à mesure que l'on s'éloigne de la ligne de polarisation, c'est-à-dire au fur et à mesure que l'on passe par les 30 résistances série R1.5 La dépolarisation d'un photodétecteur ne dépend pas que de sa position dans la matrice, mais également de la scène observée. Ainsi, une scène uniformément saturante aura tendance à dépolariser graduellement les diodes. Les photodétecteurs disposés au centre de la matrice seront plus dépolarisés que ceux situés près des conducteurs de polarisation. En revanche, si la scène observée est très contrastée avec des zones saturantes, cela va engendrer une dépolarisation par zone.

De ce fait, il existe dans la matrice de photodétecteurs 1 une évolution du 10 potentiel reçu par les photodétecteurs, sur leur première borne, en fonction de leur position dans la matrice, des dimensions de la matrice du flux incident et de son uniformité.

Le dispositif comporte également une pluralité de circuits de lecture 3 et une 15 pluralité de miroirs de tension 4. Chaque circuit de lecture 3 est associé à un photodétecteur 1 de manière à conserver et à analyser le signal fourni par le photodétecteur 1. Le circuit de lecture 3 peut être réalisé par toute technologie adaptée, par exemple, de type amplificateur transimpédance capacitif (CTIA), de type à injection directe contre-réactionnée (BDI) ou 20 encore de type à injection directe (DI). Différents modes de réalisation d'un miroir de tension 4 sont illustrés dans le document US 7,215,187.

La connexion électrique entre un photodétecteur 1 et un circuit de lecture 3 est réalisée par l'intermédiaire d'un miroir de tension 4. Le miroir de tension 25 comporte un module miroir de courant 4a et un module de compensation 4b de la dépolarisation en tension provoquée par le circuit de lecture. Ces deux modulent coopèrent afin de former le miroir de tension.

Chaque miroir de tension 4 relie un photodétecteur 1 à son circuit de lecture 30 3 associé. Chaque miroir de tension 4 relie un photodétecteur à des moyens d'application d'une seconde tension de polarisation. De cette manière, chaque photodétecteur 1 est polarisé entre des première et seconde tension de polarisation.

Chaque miroir de tension comporte trois bornes, une première borne A connectée au photodétecteur 1, une seconde borne B connectée au circuit de lecture 3 et une troisième borne C qui est connectée à des moyens d'application de la seconde tension de polarisation du photodétecteur .

La première borne A du miroir de tension est associée à la première branche io du module miroir de courant, c'est-à-dire la branche qui reçoit le signal à recopier. Cette première borne A est reliée à la seconde électrode du photodétecteur 1.

La deuxième borne B du miroir de tension 4 est une borne de sortie du 15 module miroir de courant 4a. Ainsi, le miroir de tension 4 est capable au niveau de sa deuxième borne B de répercuter les évolutions du signal délivré par le photodétecteur 1 sur la première borne A du miroir de tension.

La troisième borne C du miroir de tension est la borne qui fixe le potentiel 20 appliqué sur la première borne A du miroir de tension. Ainsi, le potentiel appliqué sur la troisième borne C impose le potentiel sur la première borne A du miroir de tension et donc le potentiel sur la seconde borne du photodétecteur 1.

25 La troisième borne C du miroir de tension est reliée à la troisième borne d'un autre miroir de tension.

Le module miroir de courant 4a peut être réalisé par tout circuit adapté. Le module miroir de courant peut être formé de différentes manières et il est 30 couplé au module de compensation 4b. Le miroir de tension comporte des première et deuxième branches. La première branche comporte la première borne A et la deuxième branche comprend la troisième borne C. Selon les modes de réalisation, la deuxième borne se situe sur la deuxième branche ou sur une branche additionnelle.

Le miroir de tension 4 illustré aux figures 2 et 3 est particulièrement avantageux car il est simple à mettre en oeuvre et compact.

La première branche est connectée d'un côté au photodétecteur 1 et de l'autre côté à une tension d'alimentation Vdd. La première branche comporte un transistor N1 de type Nmos connecté en série avec un transistor P1 de type Pmos. La seconde branche est connectée entre la tension d'alimentation Vdd et les moyens d'application du second potentiel de polarisation, ici le potentiel de référence VREF. La seconde branche comporte un transistor N2 de type Nmos connecté en série avec un transistor P2 de type Pmos. Les électrodes de commande des transistors P1 et P2 de type Pmos sont connectées entre elles et au noeud commun entre les transistors Nmos N1 et Pmos P1 de la première branche. Il en va de même des électrodes de commande des transistors N1 et N2 de type Nmos qui sont connectées entre elles et au noeud commun entre les transistors Nmos N2 et Pmos P2 de la seconde branche. Les deux transistors Pmos forment le module miroir de courant 4a et sont connectés à la tension d'alimentation Vdd alors que les deux transistors Nmos forment le module de compensation 4b et sont connectés au photodétecteur 1 ou au moyen d'application de la seconde tension de polarisation.

Dans un autre mode de réalisation, les types de transistors sont inversés et les jeux de polarisation sont également inversés.

La troisième borne C du miroir de tension 4 est soumise à un second potentiel de polarisation qui provient d'un potentiel de référence VREF et ce second potentiel de polarisation se répercute sur la seconde borne du photodétecteur 1. Le photodétecteur 1 est polarisé entre un premier potentiel provenant du potentiel de polarisation VSUB et un second potentiel de polarisation provenant du potentiel de référence VREF. Le potentiel de référence VREF et le potentiel de polarisation VSUB correspondent aux potentiels désirés pour réaliser la polarisation des photodétecteurs 1.

Dans le mode de réalisation particulier illustré à la figure 2, la deuxième borne B est disposée sur une branche additionnelle du miroir de tension 4 qui correspond à une branche additionnelle du module miroir de courant 4a. 10 Le module miroir de courant 4 comporte une troisième branche qui effectue la recopie du signal présent sur la première branche. La troisième branche délivre un signal équivalent à celui reçu sur une la borne A du miroir de tension 4. Ainsi, le circuit de lecture 3 reçoit un signal identique à celui délivré par le photodétecteur 1. 15 Dans un autre mode de réalisation illustré à la figure 3, le module miroir de courant 4a ne comporte pas de troisième branche. Un premier interrupteur 7 connecte les deux transistors Pmos P1 et P2 du miroir de courant 4a. Les bornes du premier interrupteur 7 forment des troisième Q et quatrième R 20 noeuds électriques. Le troisième noeud électrique Q est relié à l'électrode de commande du transistor Pmos P1 de la première branche alors que le quatrième noeud électrique R est relié à l'électrode de commande du transistor Pmos P2 de la seconde branche.

25 Un condensateur de stockage 6 est connecté entre le troisième noeud électrique Q et une tension de stockage. Un deuxième interrupteur 8 est connecté entre le quatrième noeud électrique R et la tension d'alimentation, c'est-à-dire entre le quatrième noeud électrique R et le noeud commun des électrodes de source/drain des deux transistors Pmos P1 et P2. Un troisième 30 interrupteur 9 est connecté entre le quatrième noeud électrique R et le noeud commun des transistors Nmos N1 et Pmos P1 de la première branche. Un

quatrième interrupteur 10 est connecté entre le noeud commun des transistors Nmos N1 et Pmos P1 de la première branche et le circuit de lecture 3.

L'intégration des données provenant du photodétecteur 1 est réalisée en deux temps. Le miroir de tension 4 réalise, premièrement, une phase de calibration. Durant cette phase de calibration, le miroir de tension 4a est fonctionnel ce qui permet d'éviter la dépolarisation du photodétecteur 1 et le circuit de lecture 3 est déconnecté du miroir de tension. Les premier et troisième interrupteurs sont dans un état passant et les deuxième et quatrième interrupteurs sont dans un état bloqué. Le courant généré par le photodétecteur est stocké dans la capacité de stockage 6.

Dans une seconde phase, dite phase d'intégration, le courant généré par le photodétecteur est envoyé dans le circuit de lecture sans passé par le miroir de courant. Les premier et troisième interrupteurs sont dans un état bloqué et les deuxième et quatrième interrupteurs sont dans un état passant. Le miroir de tension n'est plus fonctionnel.

Deux miroirs de tension 4 sont reliés entre eux par leur troisième borne de manière à former une matrice au moins d'un point de vue électrique. De manière avantageuse, tous les miroirs de tension sont reliés entre eux afin de former une matrice.

De cette manière, même si les miroirs de tension 4 ne sont pas physiquement agencés selon une matrice comme pour les photodétecteurs 1, ils ont d'un point de vue électrique une organisation en matrice. La troisième borne d'un miroir de tension 4 est avantageusement reliée à la troisième borne de quatre miroirs de tension 4 adjacents, deux miroirs 4 dans la même rangée et deux miroirs 4 dans la même colonne.

Dans la connexion des miroirs de tension 4 pour former une matrice, un élément résistif R2 est présent entre deux miroirs de tension 4, c'est-à-dire entre deux troisièmes bornes C de miroirs de tension 4 connectés ensemble, donc deux miroirs adjacents ou consécutifs. Cet élément résistif R2 provoque une évolution de la valeur du potentiel entre les deux troisièmes bornes C comme celle qui existe dans la matrice de photodétecteurs 1. L'élément résistif peut être de type actif comme, par exemple, un transistor ou de type passif, de préférence une résistance électrique.

La matrice de miroirs de tension 4 est polarisée au niveau de chaque troisième borne C avec un potentiel provenant du potentiel de référence VREF. Le potentiel de référence VREF est appliqué par une seconde ligne de polarisation 5 à une ou plusieurs troisièmes bornes C de la matrice de miroirs de tension 4. Les troisièmes bornes C étant reliées électriquement, les éléments résistifs R2 présents entre les miroirs de tension 4 font évoluer la valeur de ce potentiel à l'intérieur de la matrice.

De manière générale, la connexion entre la seconde ligne de polarisation 5 et la matrice de miroirs de tension 4 est réalisée de manière à obtenir une évolution du potentiel appliqué sur les troisièmes bornes C selon la position des miroirs de tension dans la matrice.

Afin de conserver des conditions de polarisation semblables entre les différents photodétecteurs 1 de la matrice ou tout au moins de réduire les différences de polarisation entre ces photodétecteurs 1, il est intéressant de faire évoluer dans le même sens les potentiels appliqués aux deux bornes des photodétecteurs 1 à l'intérieur de leurs matrices respectives.

De manière préférentielle, la connexion de la seconde ligne de polarisation 5 avec la matrice de miroirs de tension 4 est réalisée de manière semblable à la connexion de la matrice de photodétecteurs 1 avec la première ligne de polarisation 2. A titre d'exemple, la seconde ligne de polarisation peut former un anneau de polarisation autour de la matrice de miroirs de tension 4 ou un quadrillage.

s Comme les connexions entre les miroirs de tension ne sont pas parfaites, il existe une certaine résistance R2 de ligne, cette résistance R2 entraîne une évolution du potentiel appliqué sur la troisième borne C en fonction de la position du miroir de tension 4 dans la matrice. Cette résistance de ligne peut être associée à une résistance additionnelle qui va imposer la résistance 10 globale entre les miroirs de tension 4.

De manière préférentielle, la résistance R2 présente entre deux miroirs de tension 4 est identique en valeur à celle présente entre deux photodétecteurs 1. De cette manière, les évolutions des potentiels dans les matrices de 15 photodétecteurs et de miroirs de tension sont identiques. Comme les différences de potentiels présentes entre deux miroirs de tension 4 et deux photodétecteurs 1 sont identiques, les conditions de polarisation des deux photodétecteurs 1 associés sont identiques. Les valeurs des potentiels sont décalées, mais leur différence est constante de manière à éviter la 20 dépolarisation du photodétecteur 1. Tous les photodétecteurs voient la même différence de potentiel à leurs bornes, ici VREF-VSUB.

Cependant, il est également possible de ne pas compenser complètement les différences de condition de polarisation. Dans une première variante de 25 réalisation, les valeurs des résistances R2 ne sont pas égales à celles des résistances parasites R1 d'où une évolution des conditions de polarisation de manière moins marquée que dans l'art antérieur sans les miroirs de tension connectés ensemble.

30 Dans une seconde variante de réalisation qui peut être combinée avec le mode de réalisation précédent, les résistances R2 ne sont présentes que sur

une ou plusieurs rangées et/ou sur une ou plusieurs colonnes de miroirs de tension 4 ce qui permet de compenser partiellement l'évolution du potentiel dans la matrice de photodétecteurs 1.

En d'autres termes, toutes les troisième bornes des miroirs de tension 4 d'une même rangée de photodétecteurs 1 peuvent être connectées sur un conducteur de rangée et séparées par un élément résistif R2 ou alors toutes les troisième bornes des miroirs de tension 4 d'une même colonne de photodétecteurs peuvent être connectées sur un conducteur de colonne et séparées par un élément résistif R2.

Dans une troisième variante de réalisation qui peut être combinée avec les modes de réalisation précédents, les résistances R2 ne sont présentes qu'à certains endroits de la matrice, par exemple seulement au centre de la matrice ou à partir d'une certaine distance de la ligne de polarisation 2, 5. Il est encore envisageable de n'intégrer une résistance R2 que tous les deux ou trois miroirs de tension 4, par exemple.

La résistance électrique R2 peut être obtenue par tout moyen adapté, par exemple par une ligne métallique ou une ligne de polysilicium dopée ayant les dimensions désirées.

Dans un mode de réalisation préférentiel, la connexion entre la matrice de photodétecteurs 1 et les miroirs de tension 4 reproduit l'organisation de la matrice de photodétecteurs 1 ce qui permet une connexion simple et facile à contrôler. Ainsi, le photodétecteur 1 et le miroir de tension 4, avec les mêmes positions dans leurs matrices respectives, sont connectés ensemble.

Il est également envisageable de prendre une organisation différente, par exemple, en connectant les photodétecteurs 1 supérieurs avec les miroirs de tension 4 inférieurs et/ou en changeant le sens de lecture 3 dans une même rangée. Si la matrice est de type carré, il est également possible de connecter une ligne de la matrice des photodétecteurs avec une colonne de la matrice des miroirs de tension ou inversement.

Il en ressort que l'organisation des photodétecteurs 1 avec les miroirs de tension 4 est plus ou moins libre selon que l'on cherche à éliminer l'évolution des conditions de polarisation entre les photodétecteur 1 ou que l'on cherche à réduire le risque de dépolarisation.

10 II n'est pas nécessaire d'organiser les miroirs de tension en matrice, si on ne cherche pas à corriger l'évolution des conditions de polarisation selon deux directions d'agencement des photodétecteurs. A titre d'exemple, dans un mode de réalisation particulier, les miroirs de tension 4 peuvent être reliés entre eux soit uniquement en colonne ou en rangée. II n'y a alors évolution 15 du potentiel de sortie des miroirs de tension 4 que dans une seule direction. Ce mode de réalisation peut être intéressant si la matrice de photodétecteurs 1 présente une première dimension, la longueur, très supérieure à la seconde dimension, la largeur et que de ce fait, l'évolution de la dépolarisation est essentiellement liée à la position dans le sens de cette 20 première dimension. Ceci peut également être le cas, par exemple, si le conducteur de polarisation est fortement anisotrope dans ses propriétés électriques.

De manière générale, le dispositif de détection comporte une pluralité de 25 photodétecteurs 1 organisés en matrice, c'est-à-dire au moins deux photodétecteurs. Chaque photodétecteurs est polarisé entre ses première et seconde bornes pour obtenir le régime de fonctionnement désiré. Le conducteur de polarisation 2 est relié à la première borne de chaque photodétecteur 1 ce qui entraîne une évolution du potentiel de la première 30 borne selon la position dans la matrice.

Le dispositif de détection comporte également une pluralité de circuits de lecture 3, chaque circuit de lecture étant relié à son photodétecteur 1 associé. Afin de compenser au moins partiellement l'évolution de la polarisation au moyen du conducteur de courant, un miroir de tension 4 est disposé entre les secondes bornes de deux photodétecteurs 1 et leur circuit de lecture 3 associé. Les troisièmes bornes d'au moins deux miroirs de tension 4 adjacents sont reliées entre elles par un élément résistif R2 ce qui permet de faire évoluer le potentiel appliqué sur l'autre borne du photodétecteur 1 et ainsi réduire l'évolution des conditions de polarisation dans la matrice de photodétecteurs 1. Le potentiel de la troisième borne d'un des miroirs de tension est défini au moyen du potentiel de la troisième borne d'un miroir de tension adjacent et d'un élément résistif R2.

Dans un mode de réalisation qui peut être combiné avec les précédents, le dispositif comporte un premier anneau de polarisation disposé autour de la matrice de photodétecteurs et un second anneau de polarisation disposé autour de la matrice de miroirs de tension 4. Chaque anneau de polarisation est associé à un potentiel prédéterminé. Afin d'obtenir des conditions de polarisation et des fonctionnements très proches pour les couples photodétecteur / circuit de lecture, les photodétecteurs connectés directement au premier anneau de polarisation ont leur miroir de tension associé connecté directement au second anneau de polarisation.

Si les miroirs de courant sont connectés entre eux de manière similaire à leurs photodétecteurs associés, les matrices de photodétecteurs et de miroirs de tension sont soumises à des circuits résistifs proches. Si les valeurs des résistances entre deux photodétecteurs sont égales à celles entre deux miroirs de courant, les circuits résistifs sont identiques.

Dans un mode de réalisation particulièrement avantageux, les photodétecteurs 1 forment une matrice dans un premier plan. Les circuits de lectures 3 et les miroirs de tension 4 forment une autre matrice dans un second plan. Les deux matrices sont disposées l'une au-dessus de l'autre. Le photodétecteur 1 est associé au circuit de lecture 3 qui lui fait face. Les différents éléments constituant les deux matrices sont organisées de la même manière. Ainsi, on obtient deux circuits résistifs semblables avec des connexions compactes entre les photodétecteurs et les circuits de lecture.

La connexion entre un photodétecteur et un circuit de lecture est avantageusement réalisée par une bille d'indium. 10

Claims

REVENDICATIONS1. Dispositif de détection comportant une pluralité de photodétecteurs (1) organisés en matrice et polarisés chacun entre des première et seconde bornes, un premier conducteur de polarisation (2) relié à la première borne de chaque photodétecteur (1), une pluralité de circuits de lecture (3), chaque circuit de lecture (3) étant relié à un photodétecteur (1) respectif, dispositif caractérisé en ce qu'il comprend un miroir de tension (4) connecté entre chaque seconde borne de photodétecteur (1) et son circuit de lecture (3) par l'intermédiaire de première (A) et seconde (B) bornes, deux miroirs de tension (4) adjacents étant reliés entre eux par un élément résistif (R2) disposé entre des troisièmes bornes (C) des miroirs de tension (4).
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que toutes les troisièmes bornes (C) des miroirs de tension (4) d'une même rangée de photodétecteurs (1) sont connectées sur un conducteur de rangée et sont séparées par un élément résistif (R2).
3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que toutes les troisième bornes (C) des miroirs de tension (4) d'une même colonne de photodétecteurs (1) sont connectées sur un conducteur de colonne et sont séparées par un élément résistif (R2).
4. Dispositif selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les miroirs de tension (4) sont organisés en matrice et connectent le 30 photodétecteur (1) de même position dans la matrice de photodétecteurs (1). 17
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte un premier anneau de polarisation disposé autour de la matrice de photodétecteurs (1) et un second anneau de polarisation disposé autour de la matrice de miroirs de tension (4), les photodétecteurs (1) connectés directement au premier anneau de polarisation ayant leur miroir de tension (4) associé connecté directement au second anneau de polarisation.
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'élément résistif (R2) entre les bornes de sortie des miroirs de tension (4) a une valeur égale à celle de la résistance électrique (R1) entre les premières bornes des photodétecteurs (1) associés.15