FR2945547A1 - Procede de preparation d'une couche nanostructuree, nanostructure obtenue suivant un tel procede. - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 17
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- AQLMHYSWFMLWBS-UHFFFAOYSA-N arsenite(1-) Chemical compound O[As](O)[O-] AQLMHYSWFMLWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- XRBCRPZXSCBRTK-UHFFFAOYSA-N phosphonous acid Chemical compound OPO XRBCRPZXSCBRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de préparation d'une couche nanostructurée (5), comprenant une étape d'application (I) d'une couche de matériau (2) sur un substrat (1), une étape de génération (II) d'une topologie (6) correspondant à un motif dans le matériau (2), et une étape de gravure (III) du matériau (2) suivant cette topologie (6). Dans ce procédé, l'étape de génération (II) de la topologie (6) consiste à immerger (II-a) la surface (2a) du matériau (2) dans une solution aqueuse (3) dont le pH est adapté à son attaque chimique et à éclairer (II-b) cette surface (2a) au moyen de faisceaux lumineux (7a,7b) agencés de manière à générer une figure d'interférence (6) comportant des zones éclairées (6a) et des zones sombres (6b). L'étape de gravure (III) du matériau (2) s'effectue dans les zones éclairées (6b). La présente invention concerne également une nanostructure (5) obtenue suivant un tel procédé de préparation d'une couche nanostructurée (5) en un matériau (2) suivant un motif.
Description
PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE NANOSTRUCTUREE, NANOSTRUCTURE OBTENUE SUIVANT UN TEL PROCEDE
La présente invention concerne un procédé de préparation d'une couche nanostructurée, ainsi que les nanostructures obtenues suivant un tel procédé.
DOMAINE TECHNIQUE La présente invention se rapporte au domaine de la micro et de la nanostructuration directe d'un matériau, tel que par exemple l'oxyde de zinc, pour la réalisation d'éléments optiques passifs ou actifs ou tout autre élément nécessitant une structuration de ce type (capteur, dispositif électrique, etc.).
Elle se rapporte plus particulièrement à un procédé de préparation d'une couche nanostructurée, comprenant une étape d'application d'une couche de matériau sur un substrat, une étape de génération d'une topologie correspondant à un motif dans le matériau, et une étape de gravure du matériau suivant cette topologie. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
Une telle couche (ou film) nanostructurée peut être utilisée par exemple pour des applications en éclairage, affichage et sensorique, pour augmenter l'efficacité de couplage (effet antireflet, adaptation d'indice, augmentation de l'absorption) dans le cas de photodiodes, ou augmenter la surface spécifique dans le cas de capteurs.
En particulier dans le domaine de l'optique, la micro ou nanostructuration permet d'optimiser l'extraction de lumière d'un matériau : augmentation du flux lumineux utile (redistribution du diagramme d'émission), plus grand nombre de photons émis (modification de la probabilité d'émission via effet Purcell ù approche cristal photonique), augmentation de la force d'oscillateur et contrôle de la position de l'émission (confinement quantique), abaissement des seuils d'émission stimulée (effet rétroactif).
Un problème général dans ce domaine consiste à fabriquer de façon simple et peu coûteuse une assemblée de nanostructures de qualité adéquate. Pour cela, plusieurs solutions sont connues de l'état de la technique pour structurer un matériau tel que l'oxyde de zinc.
Une première solution consiste à effectuer une lithographie indirecte au moyen d'un masque, suivie d'une étape de transfert dans la couche mince de matériau, par exemple par lithographie électronique suivie d'une étape de gravure sèche ou par photolithographie à l'échelle macroscopique. Cette technique de lithographie présente cependant l'inconvénient d'utiliser un masque, ce qui nécessite la mise en oeuvre de nombreuses étapes associées à ce masque.
Une deuxième solution consiste à procéder à une lithographie directe, par exemple par lithographie haute résolution par faisceau d'ions focalisés ou par photodissolution à l'échelle macroscopique. Cette technique permet d'obtenir une structuration de haute résolution, mais la surface structurée reste limitée à des dimensions de l'ordre de 100 microns par 100 microns, ce qui rend impossible une fabrication de telles structures à grande échelle.
Une troisième solution consiste à provoquer une croissance de réseaux de nanostructures ou de films nanostructurés (structuration aléatoire dans le plan) par synthèse chimique, électrochimique ou thermique. Une telle solution est décrite dans le document de brevet US 2008/107876. Dans ce document, un procédé de croissance sélective de microstructures en oxyde de zinc comporte une étape d'application d'un matériau sur un substrat, une étape de formation d'un motif ayant une position prédéterminée et spécifique et une intervalle prédéterminée sur le substrat, en utilisant une technique de gravure physique ou chimique, et une étape de croissance sélective de microstructures en oxyde de zinc à la position où le motif est formé, en utilisant différentes technique de croissance telles qu'une synthèse hydrothermique, un dépôt physique de vapeur ou un dépôt chimique de vapeur.
Ce type de synthèse permet de réaliser de grandes surfaces nanostructurées, mais avec une structure aléatoire dans le plan. Pour pallier à cet inconvénient, il peut être prévu de combiner cette technique à celles de lithographie par masque afin d'obtenir une structuration sur grande surface, mais cela pose toutefois le problème de la fabrication du masque à grande échelle.
Enfin, une quatrième solution est une synthèse de nano ou microstructures organisées par lithographie douce assistée par masque, par exemple par micro ou nanomoulage ou par croissance sur substrats fonctionnalisés. Cette solution, de même que celle de lithographie directe, présente l'inconvénient de nécessiter de nombreuses étapes associées à l'utilisation d'un masque.
Ainsi, il n'existe pas de solution dans l'état de la technique pour fabriquer de manière simple, directe et contrôlée une couche nanostructurée aux échelles submicroniques sur de grandes surfaces, tout en disposant d'une structuration d'excellente qualité.
OBJET DE L'INVENTION Le but de la présente invention est de remédier à ce problème technique, en utilisant les propriétés photochimiques et électrochimiques de certains matériaux, tels que l'oxyde de zinc, combinées à l'holographie, ce qui permet notamment de s'abstenir d'utiliser un masque de lithographie. 25 Dans ce but, l'invention a pour objet un procédé de préparation une couche nanostructurée, comprenant une étape d'application d'une couche de matériau sur un substrat, une étape de génération d'une topologie correspondant au motif dans le matériau et une étape de gravure du matériau suivant cette topologie. Dans ce 30 procédé, l'étape de génération de la topologie consiste à immerger la surface du matériau dans une solution aqueuse dont le pH est adapté à son attaque chimique et à éclairer cette surface au moyen de faisceaux lumineux agencés de manière à20 générer une figure d'interférence comportant des zones éclairées et des zones sombres, cette étape de gravure du matériau s'effectuant dans ces zones éclairées.
Lorsque ce matériau est soumis à un rayonnement lumineux dont la longueur d'onde permet la génération de porteurs de charges au sein du matériau, sa vitesse de dissolution augmente. Ainsi, la génération d'un motif de lumière à la surface du matériau plongé dans cette solution aqueuse permet de générer la topologie correspondante au motif dans le matériau par photodissolution directe, la gravure étant plus rapide dans les zones éclairées.
Ce principe de génération de topologie, en combinaison avec l'holographie permet la réalisation de motifs sub-micrométriques, organisés en réseaux à la surface du matériau suivant une figure d'interférences.
De plus, du fait de la gravure directe au moyen de faisceaux lumineux, la surface ainsi traitée n'est limitée que par l'extension spatiale du faisceau, qui ne dépend que de l'adéquation entre la puissance du laser utilisé et la dose nécessaire à la gravure.
Ce procédé permet ainsi d'obtenir de manière simple, directe et contrôlée des couches nanostructurées aux échelles submicroniques sur de grande surface. On s'affranchit donc complètement des étapes intermédiaires liées à l'utilisation d'un masque. De plus, ce procédé est compatible avec une production à grande échelle. Enfin, il convient de noter que les techniques de photodissolution utilisées permettent d'obtenir une structuration d'excellente qualité.
Selon un premier mode de réalisation, le procédé comprend également, préalablement à l'étape de génération de la topologie correspondant au motif dans le matériau, une étape de génération d'une topologie supplémentaire périodique. Cette topologie supplémentaire permet la gravure sélective de la couche de matériau dans les zones éclairées de la figure d'interférences, en transférant le motif dans la couche mince initialement homogène. Cette réalisation supplémentaire peut être obtenue par une technique connue, telle que par exemple un dépôt par voie physique, par épitaxie, par évaporation, ou un dépôt par voie chimique, par cristallisation de couche homogène en solution, etc.
De préférence, l'étape de gravure est poursuivie jusqu'à dissolution complète de la couche de matériau dans les zones éclairées de la figure d'interférences, ce qui permet de laisser un réseau périodique de nanostructures de matériau organisées sur le substrat.
Selon un autre mode de réalisation, l'étape de gravure est couplée à une étape de croissance du motif complémentaire du matériau en solution aqueuse, cette croissance du motif complémentaire s'effectuant dans les zones sombres de la figure d'interférences. On peut ainsi réaliser de manière couplée une gravure du motif dans les zones éclairées de la figure d'interférences et une croissance du motif complémentaire dans les zones sombres de celle-ci, sur toute la surface illuminée.
Dans ce cas l'étape d'application d'une couche mince n'est pas nécessaire
Dans ce dernier mode de réalisation, il peut être prévu que la solution aqueuse présente une constitution apte à favoriser la réaction de cristallisation du matériau par rapport à celle de dissolution. En effet, lors de la croissance du matériau en solution aqueuse, les réactions de cristallisation et de dissolution du matériau sont en compétition. La formulation adéquate de la solution permet donc de favoriser légèrement la réaction de cristallisation, ce qui permet de favoriser la croissance de cristaux de matériau.
Toujours dans ce dernier mode de réalisation, il peut aussi être prévu que la solution aqueuse présente une constitution apte à inverser localement la réaction de cristallisation du matériau lors de l'illumination au moyen de faisceaux lumineux. En effet, les cristaux sous illumination possèdent une meilleure solubilité grâce à la présence de porteurs de charge photogénérés. On peut ainsi limiter ou inhiber la croissance des cristaux sous illumination. De préférence, le matériau présente un gap dans un domaine de longueurs d'onde correspondant à l'ultraviolet, ce qui permet l'utilisation de longueurs d'onde très courtes pour la réalisation de l'hologramme, par exemple 375 nanomètres ou moins, et donc la génération de motifs de petites dimensions.
De préférence, le matériau comprend de l'oxyde de zinc. On peut ainsi utiliser les propriétés photochimiques et électrochimiques de l'oxyde de zinc combinée à l'holographie, ce qui améliore la qualité de la structure obtenue selon ce procédé.
De préférence également, le matériau est constitué en oxyde de zinc. L'invention concerne également une nanostructure obtenue suivant un procédé de préparation d'une couche nanostructurée en un matériau suivant un motif, selon l'un des modes de réalisation précédemment décrits.
15 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée d'un exemple non limitatif de réalisation, accompagnée de figures représentant respectivement : - la figure 1, des schémas illustrant les différentes étapes d'un procédé de 20 fabrication d'une nanostructure selon un premier mode de réalisation, - la figure 2, un schéma en trois dimensions du matériau lors de l'étape de génération de la figure d'interférences selon ce premier mode de réalisation, - la figure 3, des schémas en trois dimensions du matériau illustrant l'étape préalable de formation d'une topologie supplémentaire périodique, selon un 25 second mode de réalisation, et la figure 4, des schémas illustrant l'étape supplémentaire de croissance du motif complémentaire du matériau, selon un troisième mode de réalisation.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS On entendra dans le présent brevet par nanostructure une structure présentant des dimensions submicroniques. II est cependant entendu que l'homme du métier est à 30 même de réaliser des variantes de l'invention avec des structures présentant des dimensions micrométriques sans pour autant sortir du cadre du brevet.
En référence à la figure 1, un procédé de préparation d'une nanostructure 5 en un 5 matériau 2 suivant un motif donné, selon un premier mode de réalisation de l'invention, comprend la succession d'étapes décrite ci-après.
Lors de l'étape I, une couche de matériau 2 est appliquée sur un substrat 1. Le matériau utilisé est constitué d'oxyde de zinc ZnO, connu pour pouvoir être dissout 10 en solution aqueuse. Lorsqu'il est soumis à un rayonnement lumineux dont la longueur d'onde permet la génération de porteurs de charges au sein de ce matériau, (inférieur à la longueur d'onde de gap), sa vitesse de dissolution augmente. Ce matériau permet donc de générer ne topologie correspondante au motif dans celui-ci par photodissolution directe, en générant un motif de lumière à la surface de ce 15 matériau plongé dans une solution aqueuse adéquate.
Hormis l'oxyde de zinc, d'autres matériaux peuvent être utilisés. En particulier, tout type de semi-conducteur est utilisable dans la mesure où les deux conditions suivantes sont remplies : 20 - la génération de porteurs par absorption modifie les vitesses d'attaque locale. le matériau est soluble dans la solution acqueuse d'attaque.
Des matériaux tels que le nitrure de gallium GaN, l'arsénite de gallium GaAs ou le phosphorite de gallium GaN peuvent également convenir. D'autres matériaux semi- 25 conducteurs tels que l'oxyde d'étain (sur verre) ou l'oxyde de titane (sur verre) peuvent être utilisés.
Plus généralement, un matériau à utiliser selon la présente invention est un matériau semi-conducteur illuminé par une lumière dont la longueur d'onde est inférieure au 30 gap de bande et qui puisse être solubilisé en solution acqueuse. L'homme du métier notera que le cas d'une photodissolution, le substrat utilisé peut être quelconque dans la mesure où il ne doit remplir aucune condition précise. Le substrat peut en particulier être monocristallin (silicium, saphir, etc.) ou vitreux (verre, silice, etc.). Dans le cas, par contre d'une électrodissolution, il importe que le substrat soit conducteur, par exemple une couche de SnO2 sur verre. Lors de l'étape II-a, la surface 2a du matériau 2 est immergée dans une solution aqueuse 3. Cette solution présente un pH apte à réaliser l'attaque chimique du matériau. Pour éviter également la dissolution chimique dans le noir, le pH doit être supérieur à 4. 10 Une solution aqueuse adéquate pourrait être de formule suivante : 0,1 M NaCI + 0,1 M NaOH + 0,1 M HCI. Le chlorure d'hydrogène HCI permet ici d'ajuster le pH.
Concernant les vitesses d'attaque, sous illumination à 40 milliwatts par centimètre 15 carré (mW/cm2), il est possible d'atteindre une vitesse de 40 milligrammes par mètre carré minute (mg/m2min). Sans illumination, la vitesse devient alors inférieure à 10 mg/m2min. D'autres solutions peuvent également être envisagées, en particulier une attaque chimique par un acide (HCI, HNO3, H3PO4), ou par un sel acidique (FeCl3.6H20), ou par une solution (FeCI3.6H2O : 0.8 mmol FeCl3.6H2O + 100 mL 20 H2O (8mM)).
Il convient de noter ici que ce sont les trous qui participent au processus de cette étape. Celle-ci est d'autant plus sélective que la concentration de ces trous est faible (matériaux dopés p). Par ailleurs, la dissolution peut se faire soit par voie chimique, 25 soit par voie électrochimique (application d'un potentiel typiquement de +1 V par rapport à une électrode de référence Ag/AgCI). La dynamique de dissolution est augmentée d'un facteur 10 dans ce cas.
Lors de l'étape II-b, la surface 2a du matériau 2 est éclairée au moyen de faisceaux 30 lumineux 7a et 7b. Ces faisceaux sont agencés de manière à générer une figure d'interférence 6 au niveau de cette surface 2a comportant des zones éclairées 6a et des zones sombres 6b.5 Cette figure d'interférences 6 est représentée sur la figure 2, en vue de dessus de la surface 2a de la couche de matériau 2. Cette figure 6 est ici constituée de franges d'interférences 6a et 6b, mais il est entendu que l'homme du métier saura réaliser d'autres types d'interférogramme en fonction du motif de microstructure qu'il souhaite réaliser. Ainsi il sera possible de générer des réseaux planaires (1 D) ou carré, hexagonal, voire à symétrie plus élevée (ordre 5, ordre 12). Ces derniers réseaux permettent en outre d'homogénéiser le diagramme d'émission.
Pour réaliser cet interférogramme, un dispositif d'holographie peut être utilisé. Un tel dispositif, bien connu de l'homme du métier, comporte une source lumineuse éclairant, d'une part, un objet pour qu'une partie de la lumière soit diffractée vers la surface 2a, et, d'autre part, un miroir de façon à interférer avec ladite lumière diffractée en servant de référence. Il est ainsi possible d'obtenir une figure d'interférences paramétrable par l'objet éclairé. Un cas simple consiste à utiliser comme objet un miroir. On obtient alors une figure d'interférence 1 D après ajustement des différences de chemins optiques. Toute technique de réalisation de figure d'interférence peut-être ici utilisée. Quelque soit la technique il est possible de complexifier la structure réalisée en multipliant le nombre d'exposition.
Lors de l'étape III, le matériau 2 est gravé suivant la topologie 6 formée lors de l'étape II-b précédente. Du fait de la constitution du matériau, cette gravure s'effectue dans les zones éclairées 6b de la figure d'interférences 6.
Ce procédé utilise ainsi une gravure directe au moyen de faisceaux lumineux, ce qui permet de ne limiter la surface traitée que par l'extension spatiale du faisceau, qui ne dépend que de l'adéquation entre la puissance du laser utilisé et la dose nécessaire pour la gravure. On s'affranchit ainsi totalement de l'utilisation d'un masque, ce qui ouvre la voie à des procédés de fabrication à grande échelle.
On décrit maintenant un second mode de réalisation en référence à la figure 3.
Ce procédé est similaire à celui selon le premier mode de réalisation de l'invention précédemment décrit, à l'exception de l'ajout d'une étape préalablement aux étapes Il-a et II-b pour la génération de la topologie 6 correspondant au motif dans le matériau 2. Cette étape supplémentaire (étape IV) consiste à générer une topologie supplémentaire périodique 8. Cette génération de topologie peut être effectuée suivant une technique connue de l'homme du métier, comme par exemple un dépôt par voie physique, par épitaxie, par évaporation, ou un dépôt par voie chimique, par cristallisation de couche homogène en solution, etc.
Lors des étapes suivantes (étapes II-a et II-b), la topologie initialement prévue est également générée via la figure d'interférences 6 issue des interférences entre les faisceaux lumineux 7a et 7b. On obtient ainsi deux topologies 6 et 8.
On décrit en effet un troisième mode de réalisation en référence à la figure 4. 15 Ce procédé est similaire à celui selon le premier mode de réalisation de l'invention précédemment décrit, à l'exception d'une étape supplémentaire réalisée de manière simultanée avec l'étape III de gravure. Cette étape (étape V) consiste à provoquer la croissance du matériau 2 dans les zones sombres 6b de la figures d'interférences 6. 20 La croissance en solution de l'oxyde de zinc est ainsi couplée à sa gravure par photodissolution.
Lors de cette croissance en solution aqueuse, les réactions de cristallisation et de dissolution de l'oxyde de zinc sont en compétition. Une formulation adéquate de la 25 solution adéquate de la solution aqueuse 3 permet alors de favoriser légèrement la réaction de cristallisation, ce qui permet la croissance de cristaux d'oxyde de zinc.
Dans les mêmes conditions, selon un autre mode de réalisation, il est possible d'inverser localement la réaction par illumination, les cristaux sous illumination 30 possédant une meilleure solubilité grâce à la présence de porteurs de charge photogénérés, ce qui permet de limiter ou inhiber la croissance des cristaux sous illumination.
Les modes de réalisation précédemment décrits de la présente invention sont donnés à titre d'exemples et ne sont nullement limitatifs. Il est entendu que l'homme du métier est à même de réaliser différentes variantes de l'invention sans pour autant sortir du cadre du brevet.
Pour le dernier mode ci-dessus ( croissance et dissolution simultanées ), les deux voies chimiques et électrochimiques sont possibles.
Citons quelques exemples de conditions : - pour la voie chimique : croissance hydrothermal sous illumination de 0,025 M de nitrate de zinc et de diéthylènetriamine dans l'eau, pour la voie électrochimique (anodisation) : une solution électrolyte de 80 mL de ZnCl2 à 5mM et du KCI à 0,1 M, à un pH de 7.
Dans le deuxième cas, le principe consiste à bénéficier de la formation naturelle de nanofils qui cependant se répartissent aléatoirement. L'objectif est ici de favoriser la croissance ou dissolution sélective par le motif d'interférence.
La couche à nanostructurer selon l'invention peut être un substrat photosensible (par exemple substrat d'oxyde de zinc), ou un ensemble multicouches obtenu par dépôts successifs de couches minces que l'on vient graver après coup.
Le procédé selon l'invention peut être répété en série : dépôt, puis photogravure, puis nouveau dépôt, puis nouvelle photogravure, etc. Cela permet alors de faire des empilements de couches nanostructurées.
Claims (1)
- REVENDICATIONS1 û Procédé de préparation d'une couche nanostructurée (5), comprenant une étape d'application (I) d'une couche de matériau (2) sur un substrat (1), une étape de génération (Il) d'une topologie (6) correspondant à un motif dans le matériau (2), et une étape de gravure (III) du matériau (2) suivant ladite topologie (6), caractérisé en ce que ladite étape de génération (II) de ladite topologie (6) consiste à immerger (II-a) la surface (2a) du matériau (2) dans une solution aqueuse (3) dont le pH est adapté à son attaque chimique et à éclairer (II-b) ladite surface (2a) au moyen de faisceaux lumineux (7a,7b) agencés de manière à générer une figure d'interférence (6) comportant des zones éclairées (6a) et des zones sombres (6b), ladite étape de gravure (III) du matériau (2) s'effectuant dans lesdites zones éclairées (6b). 2 û Procédé selon la revendication 1, comprenant également, préalablement à l'étape de génération (II) de la topologie (6) correspondant au motif dans le matériau (2), une étape de génération (IV) d'une topologie complémentaire périodique (8). 3 û Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape de gravure (III) est poursuivie jusqu'à dissolution complète de la couche de matériau (2) dans les zones éclairées (6a) de la figure d'interférences (6). 4 û Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de gravure (III) est couplée à une étape de croissance (V) du motif supplémentaire (9) du matériau (2) en solution aqueuse (3), ladite croissance du motif complémentaire (9) s'effectuant dans les zones sombres (6b) de la figure d'interférences (6). 5 û Procédé selon la revendication 4, dans lequel la solution aqueuse (3) présente une constitution apte à favoriser la réaction de cristallisation du matériau (2) par rapport à celle de dissolution. 6 û Procédé selon la revendication 4, dans lequel la solution aqueuse (3) présente une constitution apte à inverser localement la réaction de cristallisation du30matériau (2) lors de l'illumination au moyen de faisceaux lumineux (7a,7b). 7 ù Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau (2) présente un gap dans un domaine de longueurs d'onde correspondant à l'ultraviolet. 8 ù Procédé selon la revendication 7, dans lequel le matériau (2) comprend de l'oxyde de zinc. 9 ù Procédé selon la revendication 8, dans lequel le matériau (2) est constitué en oxyde de zinc. 10 ù Nanostructure (5) obtenue suivant un procédé de préparation d'une couche nanostructurée (5) en un matériau (2) suivant un motif, selon l'une des revendications précédentes.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0902339A FR2945547B1 (fr) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | Procede de preparation d'une couche nanostructuree, nanostructure obtenue suivant un tel procede. |
CN2010800211943A CN102428215A (zh) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | 纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法 |
US13/319,755 US20120133029A1 (en) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | Method of nanostructuring a film or a wafer of material of the metal oxide or semi-conductor type |
EP10728759A EP2430220A1 (fr) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | Procede de nanostructuration d'un film ou d'une galette de materiau du type oxyde metallique ou semi-conducteur |
PCT/FR2010/050936 WO2010130963A1 (fr) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | Procede de nanostructuration d'un film ou d'une galette de materiau du type oxyde metallique ou semi-conducteur |
JP2012510351A JP2012527108A (ja) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | 金属酸化物タイプまたは半導体タイプの物質からなる膜またはウエハをナノ構造化する方法 |
JP2015117358A JP6014722B2 (ja) | 2009-05-14 | 2015-06-10 | 金属酸化物タイプまたは半導体タイプの物質からなる膜またはウエハをナノ構造化する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0902339A FR2945547B1 (fr) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | Procede de preparation d'une couche nanostructuree, nanostructure obtenue suivant un tel procede. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2945547A1 true FR2945547A1 (fr) | 2010-11-19 |
FR2945547B1 FR2945547B1 (fr) | 2012-02-24 |
Family
ID=41258983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0902339A Expired - Fee Related FR2945547B1 (fr) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | Procede de preparation d'une couche nanostructuree, nanostructure obtenue suivant un tel procede. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120133029A1 (fr) |
EP (1) | EP2430220A1 (fr) |
JP (2) | JP2012527108A (fr) |
CN (1) | CN102428215A (fr) |
FR (1) | FR2945547B1 (fr) |
WO (1) | WO2010130963A1 (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3019319B1 (fr) * | 2014-03-25 | 2017-07-21 | Univ De Tech De Troyes | Procede de structuration et de transfert d'un masque dans un substrat |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4369099A (en) * | 1981-01-08 | 1983-01-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photoelectrochemical etching of semiconductors |
US4634934A (en) * | 1982-05-19 | 1987-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Electroluminescent display device |
JPS61260641A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 回折格子の形成方法 |
JPH03248425A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nippon Steel Corp | 化合物半導体表面処理方法 |
JPH0465815A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン作成方法 |
JPH06230216A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Nippon Paint Co Ltd | 着色パターン形成方法 |
JP2917936B2 (ja) * | 1996-11-08 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 反射型ホログラムによるパターン形成方法 |
JP3618986B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
JPH1126344A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法 |
JPH11243223A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Canon Inc | 電解析出槽、酸化物薄膜の堆積装置および堆積方法、それを用いた光起電力素子および製造方法、および半導体素子基板の製造方法 |
JP4183394B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2008-11-19 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
US6884740B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-04-26 | The Regents Of The University Of California | Photoelectrochemical undercut etching of semiconductor material |
US7433811B2 (en) * | 2003-05-06 | 2008-10-07 | The Regents Of The University Of California | Direct patterning of silicon by photoelectrochemical etching |
US6852643B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-02-08 | National Central University | Method for using ammonium fluoride solution in a photoelectrochemical etching process of a silicon wafer |
JP4151560B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2008-09-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20080182420A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-31 | The Regents Of The University Of California | Ion beam treatment for the structural integrity of air-gap iii-nitride devices produced by the photoelectrochemical (pec) etching |
US20070018182A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Goldeneye, Inc. | Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity |
US20070237681A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-10-11 | Paul Boyle | Nanostructures containing inorganic nanotubes and methods of their synthesis and use |
JP2007227450A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光電気化学エッチング装置 |
KR100767284B1 (ko) | 2006-03-27 | 2007-10-17 | 학교법인 포항공과대학교 | 산화아연계 미세 구조물 및 그 제조방법 |
JP5228298B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-07-03 | カシオ計算機株式会社 | 半導体薄膜の加工方法及び半導体装置の製造方法 |
CN102171846A (zh) * | 2008-10-09 | 2011-08-31 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于发光二极管的芯片塑形的光电化学蚀刻 |
-
2009
- 2009-05-14 FR FR0902339A patent/FR2945547B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-12 WO PCT/FR2010/050936 patent/WO2010130963A1/fr active Application Filing
- 2010-05-12 CN CN2010800211943A patent/CN102428215A/zh active Pending
- 2010-05-12 EP EP10728759A patent/EP2430220A1/fr not_active Ceased
- 2010-05-12 JP JP2012510351A patent/JP2012527108A/ja active Pending
- 2010-05-12 US US13/319,755 patent/US20120133029A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-06-10 JP JP2015117358A patent/JP6014722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
FUTSUHARA M ET AL: "Micropattern formation on ZnO films using a photodissolution reaction", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY ELECTROCHEM. SOC USA, vol. 143, no. 11, November 1996 (1996-11-01), pages 3743 - 3746, XP002554802, ISSN: 0013-4651 * |
HSU J W P ET AL: "Directed spatial organization of zinc oxide nanorods", NANO LETTERS AMERICAN CHEM. SOC USA, vol. 5, no. 1, January 2005 (2005-01-01), pages 83 - 86, XP002554803, ISSN: 1530-6984 * |
POSTELS ET AL: "Selective growth of ZnO nanorods in aqueous solution", SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, ACADEMIC PRESS, LONDON, GB, vol. 42, no. 1-6, 14 September 2007 (2007-09-14), pages 425 - 430, XP022243579, ISSN: 0749-6036 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2945547B1 (fr) | 2012-02-24 |
JP2012527108A (ja) | 2012-11-01 |
JP2015222815A (ja) | 2015-12-10 |
WO2010130963A1 (fr) | 2010-11-18 |
EP2430220A1 (fr) | 2012-03-21 |
JP6014722B2 (ja) | 2016-10-25 |
CN102428215A (zh) | 2012-04-25 |
US20120133029A1 (en) | 2012-05-31 |
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