FR2876498A1 - Procede de realisation d'heterostructures resonnantes a transport planaire - Google Patents

Procede de realisation d'heterostructures resonnantes a transport planaire Download PDF

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Abstract

L'invention concerne un dispositif de transport d'électrons, comportant :- au moins une couche (6) de transport dans laquelle est réalisé au moins un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts,- des moyens (4) de guidage des électrons dans ladite couche de transport.

Description

PROCEDE DE REALISATION D'HETEROSTRUCTURES RESONNANTES A
TRANSPORT PLANAIRE
DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR
Les structures de transport résonnant d'électrons utilisent très souvent des géométries obtenues par des alternances de couches de propriétés physiques différentes.
Ces couches sont obtenues, par exemple, par des croissances ou des traitements successifs ou des reports de couches le long de la normale à l'échantillon, aussi bien pour des structures de type bidimensionnel que le long de structures unidimensionnelles de type fil.
Il en est ainsi pour toute la famille des diodes tunnel qui utilisent des transitions entre bandes électroniques ou des résonances entre des barrières tunnel.
Dans le domaine des semi-conducteurs, de telles structures mettent en oeuvre des matériaux qui diffèrent entre eux par leurs largeurs de bandes interdites.
Mais ces techniques conduisent aussi à la création d'interfaces, ainsi que d'imperfections structurales non contrôlées ou d'hétérogénéités, du fait des défauts induits par les techniques de lithographie et de gravure utilisées pour réaliser de tels composants. Ces défauts peuvent induire des états d'interface ou de volume néfastes aux propriétés de conduction.
Il se pose donc le problème de trouver une structure de transport ou de conduction d'électrons ne 5 présentant pas ces problèmes.
Il se pose également le problème de trouver des dispositifs permettant de caractériser un champ électrique et/ou magnétique.
EXPOSÉ DE L'INVENTION Selon l'invention, on utilise des micro ou nano défauts ordonnés dans un cristal pour réaliser des dispositifs de transport résonnants d'électrons dans une géométrie planaire ou longitudinale.
L'invention concerne un dispositif de 15 transport d'électrons, comportant: - au moins une couche de transport dans laquelle est réalisé au moins un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts, - des moyens de guidage des électrons dans 20 un plan de ladite couche de transport.
Un tel dispositif présente une ou plusieurs résonances lors du transfert des électrons dans la couche de transport.
Dans le cas d'un réseau de dislocations, au moins une partie des dislocations peuvent être décorées par des charges électriques et/ou des espèces chimiques.
Un réseau de dislocations peut être disposé en carré ou en rectangle, ou de manière hexagonale ou plus généralement selon la symétrie imposée par les interactions entre ces dislocations.
Le réseau de défauts peut aussi être, au moins en partie, du type défauts d'irradiation et/ou 5 d'implantation.
Des moyens de contact électrique avec la couche de transport peuvent être prévus.
Selon un mode de réalisation, les moyens de guidage comportent une couche isolante, ou faiblement conductrice, sur laquelle la couche de transport est disposée.
Des moyens peuvent en outre être prévus pour appliquer et/ou mesurer un champ électrique et/ou magnétique dans la couche de transport.
La couche de transport peut avoir la forme d'au moins une zone allongée suivant une première direction, selon laquelle le réseau périodique présente une première période.
Elle peut en outre comporter au moins une deuxième zone allongée suivant une deuxième direction, avantageusement différente de la première direction, selon laquelle le réseau périodique présente une deuxième période, qui peut être ou non différente de la première.
On obtient alors des résonances différentes dans les différentes directions de propagation des électrons, définies par les directions des zones allongées.
Une deuxième couche de transport peut être 30 réalisée. La deuxième couche de transport peut être également à réseau de dislocations et/ou de défauts.
Il est possible de réaliser deux ou plusieurs couches superposées, avec un réseau dans chaque couche, dont les dislocations et/ou les défauts peuvent être, ou non, décalés, les géométries des réseaux pouvant être identiques ou différentes. Un tel empilement permet d'augmenter la section efficace d'interaction entre les électrons et les défauts.
Chaque couche de transport peut avoir une épaisseur comprise entre 1 nm et 1 m.
Avantageusement, le réseau de transport est réalisé dans la couche superficielle d'une structure SOI, ou d'une structure de type semiconducteur sur isolant, la couche d'isolant pouvant être utilisée comme couche de guidage.
L'invention concerne également une diode à résistance différentielle négative, comportant un dispositif selon l'invention, tel que décrit cidessus.
L'invention concerne également un procédé de réalisation de micro- ou nanostructures par une technique qui assure un bon contrôle des distances et de la modification d'un matériau cristallin dit matrice , possédant peu de défauts intrinsèques.
Celui-ci peut être constitué de plusieurs couches.
L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif de transport d'électrons, comportant: - la formation d'au moins un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts dans une 30 couche, dite couche de transport, - la formation de moyens de guidage des électrons dans le plan de ladite couche de transport.
Le réseau peut être du type comportant au moins un réseau de dislocations, le procédé comportant en outre une étape de décoration d'au moins une partie des dislocations par des charges électriques et/ou des espèces chimiques.
Le réseau peut être obtenu à partir d'une étape de collage de deux matériaux cristallins et/ou 10 d'implantation et/ou d'irradiation.
Une étape de formation de moyens de contact électrique avec la couche peut en outre être réalisée.
L'étape de formation des moyens de guidage comporte de préférence une étape de formation d'une couche isolante ou faiblement conductrice sur laquelle la couche de transport est disposée.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
- Les figures 1A - 3 représentent différents aspects d'un dispositif selon l'invention, - les figures 4A - 4B représentent des réseaux de dislocations, - les figures 5A - 5C représentent des réseaux de défauts d'irradiation, - la figure 6 représente une application 25 d'un dispositif selon l'invention, - les figures 7 - 9B illustrent d'autres exemples d'applications de dispositifs selon l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION Un premier mode de réalisation de l'invention est illustré sur la figure 1A.
Dans une première couche 6 est réalisé un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts, au travers duquel le transport d'électrons s'effectue, la périodicité du réseau conférant à ce transport un caractère résonnant.
Le réseau peut être périodique à une ou 10 deux dimensions.
Ce réseau est par exemple réalisé comme expliqué dans le document WO 99/05711 ou dans le document WO 02/054466.
Ainsi, le réseau peut être réalisé par collage par mise en contact d'une face d'une première plaquette en matériau cristallin avec une face d'une deuxième plaquette en matériau cristallin, de façon que les réseaux cristallins présentés par lesdites faces présentent au moins un paramètre de désaccord apte à permettre la formation d'un réseau de défauts cristallins et/ou d'un réseau de contraintes au sein d'une zone cristalline s'étendant de part et d'autre de l'interface des deux plaquettes, au moins l'un desdits réseaux définissant la micro- ou la nanostructure.
Le paramètre de désaccord peut être constitué par un angle déterminé de décalage en rotation des réseaux cristallins présentés par les deux faces, et/ou par une différence de paramètre de maille cristalline entre les matériaux cristallins des faces des plaquettes mises en contact et/ou encore par un angle déterminé selon lequel la face d'au moins une des plaquettes est décalée par rapport au plan cristallographique simple de direction correspondant à cette face.
La mise en contact des faces peut être de 5 type hydrophobe ou hydrophile.
Une étape de traitement thermique permet éventuellement de compléter la formation du réseau de défauts et/ou de contraintes, et permet un renforcement des liaisons inter-atomiques entre les faces des plaquettes mises en contact.
Il est ainsi possible d'obtenir un réseau de pas compris entre, par exemple, quelques nanomètres et quelques dizaines ou centaines de nanomètres ou quelques micromètres, par exemple entre 1 nm et 50 nm ou 100 nm ou 500 nm ou 1 m ou 20 m.
D'autres détails relatifs à la réalisation de ce type de réseaux peuvent être trouvés dans les deux documents référencés ci-dessus.
Pour réaliser des micro- ou nanostructures, il est donc possible d'utiliser le collage moléculaire pour obtenir des réseaux de dislocations qui pourront éventuellement être décorés par d'autres espèces chimiques ou des cavités.
Le collage de matériaux identiques ou différents (nature chimique et/ou orientation cristallographique) est utilisable pour définir la nature et le pas des dislocations. L'utilisation de multicouches de collage est possible pour augmenter la section efficace d'interaction des électrons avec les défauts.
Par exemple, on peut superposer deux couches - dont l'une d'épaisseur environ 10 nm et l'autre d'épaisseur 20 nm ou 100 nm - sur une couche de SiO2.
Plus il y a de défauts, plus grande est la probabilité pour les électrons de rencontrer ces défauts et donc de voir leur transport modifié.
Par exemple, un collage Si(001)/Si(001) donnera un réseau carré (comme illustré sur la figure 4A) de dislocations alors qu'un collage Si(111)/Si(011) donnera un réseau hexagonal (comme illustré sur la figure 4B). Si les matériaux sont de natures différentes, le réseau sera plutôt rectangulaire.
En variante ou en combinaison avec la technique précédente, il est également possible d'utiliser des méthodes d'irradiation et/ou d'implantation, c'est-à-dire d'exposition à des rayonnements (électrons et/ou ions) qui induisent des défauts (lacunes et/ou défauts interstitiels) dans le matériau 6 dans lequel a lieu le transport, soit directement si la taille de la sonde est suffisamment petite, soit au travers d'un masque.
Les défauts apportés peuvent avoir une nature passive et/ou active par rapport au phénomène de 25 transport.
Par exemple, pour des dislocations, on peut avoir un phénomène de diffusion ou de diffraction des porteurs de charge sur ces défauts linéaires, mais on peut apporter aussi des charges supplémentaires (électrons ou trous) qui peuvent contribuer directement au transport.
Le caractère donneur ou accepteur d'électron est défini par la nature du défaut, éventuellement par sa décoration par des éléments et/ou des particules ajoutés volontairement ou capturés d'une façon spontanée.
Quel que soit le mode de réalisation, on confine les électrons dans une couche plane, restreinte en épaisseur autour du réseau afin de favoriser les interactions entre ces deux entités.
Le transport est donc guidé pour que les conditions d'interaction soient forcées dans le plan de la couche 6 contenant les défauts.
Selon le mode de réalisation de la figure 1A, la matrice avec ses microou nanostructures est ainsi séparée du substrat par une couche ou barrière 4, isolante ou faiblement conductrice par rapport à la conductivité de la couche 6 afin que la majorité du courant circule dans cette couche 6.
Un composant de type SOI, comportant un substrat, une fine couche isolante (par exemple d'oxyde SiO2) et une fine couche de matériau semiconducteur, en particulier en silicium, convient à la réalisation d'un dispositif selon l'invention.
On pourra prévoir également, lorsque le réseau est obtenu par collage, d'amincir une des plaques pour limiter l'épaisseur de la couche 6. Cet amincissement peut mettre en oeuvre une étape de rectification, d'abrasion mécanique ou chimique, ou de clivage. Dans ce dernier cas, l'une des faces peut par exemple avoir été préalablement soumise à une implantation ionique pour former un plan de clivage.
La couche 6 de transport a une épaisseur comprise par exemple entre quelques nm et 100 nm ou quelques centaines de nm, par exemple entre 1 nm ou 5 nm et 100 ou 200 nm ou 500 nm ou 1 m.
Comme illustré sur la figure 1B, qui est une vue de côté du dispositif de la figure 1A, des contacts 8, 10 peuvent être réalisés sur la couche active 6, par exemple par dépôts métalliques, pour assurer la conduction latérale des charges dans la couche 6.
Selon une variante, les plots 8, 10 peuvent être disposés sur la couche 6 (figure 2), et non plus de part et d'autre comme sur la figure 1B.
Selon encore une autre variante (figure 3), les plots 8, 10 peuvent être disposés partiellement dans la couche 6, et partiellement au-dessus du niveau ou de la surface supérieure de la couche.
L'ensemble des deux couches et des contacts peut reposer sur un substrat 2.
Une lithographie et une gravure de la couche 6 peuvent en outre être réalisées et utilisées pour définir dans le plan de cette même couche 6 une ou plusieurs direction(s) relative(s) de transport. On peut ainsi définir des bandes de transport, éventuellement d'orientations différentes, à partir du plan de la couche 6.
Ainsi on peut définir des axes 60, 62, 64 de déplacement des charges, comme illustré sur la figure 7, qui sera commentée plus loin.
Cet effet peut être utilisé pour moduler les effets de résonance, en ce sens que les porteurs pourront parcourir des longueurs différentes avant d'interagir avec un défaut si on trace des bandes d'orientations différentes par rapport au motif du réseau, comme expliqué ci-dessous en liaison avec les figures 4A et 4B.
Une couche 4 de confinement peut être utilisée en combinaison avec la définition de bandes de transport dans le plan de la couche 6 contenant le réseau.
Le réseau de dislocations et/ou de défauts peut être carré, comme illustré sur la figure 4A, ou hexagonal, comme illustré sur la figure 4B. Ces formes ne sont que des exemples et les défauts et/ou dislocation peuvent être répartis selon d'autres formes géométriques, en particulier des rectangles.
Sur les figures 4A et 4B sont également représentées des décorations de lignes de dislocations réalisées par des charges électriques et/ou des espèces chimiques 12, 14, 16, 18.
Comme représenté sur la figure 4A, le pas ou la période d'un même réseau vu suivant deux directions différentes Dl et D2 n'est pas le même.
Si des charges se déplacent essentiellement suivant la direction Dl, elles ne verront donc pas le même pas ou la même période que si elles se déplacent suivant la direction D2. La variation du pas du motif en fonction de la direction de propagation pourrait aussi être constatée dans tout autre type de réseau, par exemple dans le cas de la structure de la figure 4B.
Les figures 5A à 5C représentent des réseaux de défauts réalisés par irradiation et/ou implantation, ayant une forme de plots (figure 5A) ou de bandes parallèles entre elles (figure 5B) ou entrecroisées (figure 5C). Dans ce dernier cas, les bandes sont représentées comme étant croisées de manière orthogonale, mais ce n'est pas toujours le cas. Là encore, le pas vu par les électrons, et donc les caractéristiques d'une résonance due au caractère périodique des défauts, sont fonction de la direction de propagation des électrons.
Quel que soit le mode de réalisation envisagé, la couche 6 peut être utilisée en combinaison avec des grilles 20, 22 d'application d'un champ électrique (figure 6) qui permet de moduler les propriétés de transport des charges se déplaçant dans la couche 6. De préférence, ces grilles sont au plus près de la bande.
La figure 7 illustre le cas d'une couche 6 dans laquelle un réseau de défauts et/ou de dislocations a été réalisé comme expliqué ci-dessus.
En outre 3 bandes 60, 62, 64 ont été gravées dans la couche 6.
Chacune de ces bandes définit une direction principale de propagation des charges, entre d'une part un plot 80 et d'autre part un des trois plots 82, 84, 86.
Du fait des différentes directions de ces bandes, un pas ou une période spécifique est associé à chaque direction, donc à chaque bande 60, 62, 64 comme expliqué ci-dessus en liaison avec la figure 4A. Ainsi le pas ou la période de la bande 60 est différent du pas ou de la période vue dans la bande 62, qui est différent du pas ou de la période vue dans la bande 64.
Ce dernier pourrait être égal au pas de la bande 60.
Plus généralement on peut réaliser une structure comportant au moins deux bandes ayant des directions différentes, deux des bandes ayant deux pas identiques.
Dans deux bandes de directions différentes, mais de pas identique, le transport des charges est le même lorsque aucun champ n'est appliqué. Par contre, en présence d'un champ magnétique et/ou électrique, le transport n'est plus identique dans les deux bandes.
Par simple différence, par exemple entre les courants dans les deux branches, on peut détecter la présence d'un champ.
Dans le cas de la figure 7, trois mesures de courant ou de tension peuvent donc être effectuées, une pour chacune des trois bandes, avec des résonances différentes l'une de l'autre du fait de la différence de pas ou de période vue par les porteurs de charge dans chacune des bandes.
L'exemple de trois bandes a été donné, mais 25 il pourrait s'agir aussi d'un nombre n quelconque de bandes (2 ou 4 ou n>4).
Si le dispositif est soumis à un champ électrique et/ou magnétique, par exemple extérieur, à mesurer, la modulation des courants dans les trois, ou n, bandes, donne des informations sur les directions et les intensités de ces champs. Le ou les champs peuvent être de direction quelconque par rapport au plan des bandes, ici le plan de la figure.
Cependant la bande ne donne accès qu'à la composante du champ projetée sur cette bande. Par contre, si le champ est dans le plan des bandes, deux bandes suffisent pour le définir complètement.
Avantageusement, si on cherche à mesurer un champ B extérieur, on pourra prévoir des grilles (similaires aux grilles 20, 22 précédemment définies), pour mesurer le champ E crée dans la bande de transport, le champ B modifie en effet la répartition des charges à l'intérieur de cette bande.
Plus généralement, il est possible, selon l'invention, d'utiliser un changement de direction du motif gravé par rapport au réseau pour faire apparaître plusieurs résonances en fonction de l'application visée.
Par exemple, pour les structures des figures 8A et 9A, on aura des courbes tension - courant ayant la forme représentée respectivement sur les figures 8B et 9B.
Dans le cas de la figure 8A, la période du réseau et le guidage des charges (des électrons) résulte en l'apparition d'une résonance qui se traduit par un pic dans la courbe courant (I) - tension (V). Le courant et la tension sont mesurés entre les plots 8, 10.
Dans le cas de la figure 9A, les électrons vont se propager suivant deux directions successives différentes, et donc voir successivement, comme expliqué ci-dessus, des périodes différentes de réseau.
Il en résulte l'apparition de deux pics de résonance dans la courbe I - V (figure 9B). Là encore, le courant et la tension sont mesurés entre les plots 8, 10.
Plusieurs pics peuvent être superposés sur une courbe I/V, à partir du même réseau de dislocations, en fixant une direction variable du chemin de transport, ou des tronçons successifs de transport de direction variable. Il est également possible d'obtenir une variation de pas dans un réseau par irradiation en utilisant des masques pour localiser les zones irradiées.
La diffusion et/ou la diffraction sur les défauts périodiques du réseau créé peut aussi être utilisée pour réaliser des structures de type diode ayant des résistances différentielles négatives. On peut s'arranger pour que la courbe I(v) du dispositif de l'invention soit celle d'une diode. C'est donc le dispositif lui-même qui constitue la diode. Le rapport pic/vallée d'une caractéristique I/V d'une telle diode peut alors être ajusté grâce à la période et au nombre de périodes des défauts vus par les électrons.
Là encore, dans cette application, plusieurs pics pourront aussi être superposés sur une courbe I/V, à partir du même réseau de dislocations, en fixant la direction du chemin de transport, ou en modifiant le pas des masques avec une technique d'irradiation.
Quel que soit le mode de réalisation de l'invention, l'application d'un champ magnétique ou électrique, soit localement dans le voisinage de la micro- ou nanostructure, soit sur l'ensemble de la structure, pourra modifier les conditions de transport électrique dans ces matériaux. La direction du champ peut être quelconque, comme déjà expliqué ci-dessus. Elle peut être intentionnelle, fixée par exemple par les tensions appliquées aux bornes 8, 10 ou venir du milieu extérieur (c'est par exemple le cas pour une application à un capteur).
On utilise ici, avantageusement, la régularité du réseau et le guidage dans la zone qui contient des dislocations: les porteurs ont ainsi des mobilités différentes selon les directions puisque la probabilité pour eux de rencontrer les réseaux est différente suivant la direction.
Cette dépendance peut être utilisée pour réaliser un capteur de champ magnétique sensible à la direction du champ: en effet, la variation du courant ou de la tension dans le plan du réseau, ou dans une bande de guidage, est en relation avec la direction et l'intensité du champ E et/ou H appliqué.
Des moyens peuvent être prévus pour mesurer une variation d'un courant de référence circulant dans la couche, ou dans une ou plusieurs bandes de guidage, lors de l'application d'un champ électrique et/ou magnétique. En variante, on pourra prévoir des moyens pour mesurer la tension générée dans ladite couche.
L'invention offre une facilité de réalisation car elle ne nécessite que peu d'étapes technologiques: un collage moléculaire ou l'emploi d'une technique d'irradiation et/ou d'implantation au travers de masque avec les ions. Elle ne met pas en uvre de techniques de dépôt élaborées (remplissage de tranchées, motifs complexes...).
Enfin, de grandes surfaces sont facilement réalisables grâce à l'invention (objet VLSI).
Un exemple de réalisation concerne un dispositif qui utilise la diffusion ou la diffraction des électrons par un réseau de dislocations d'une couche mince 6 obtenue par collage moléculaire, cette couche étant séparée du support 2 par une couche d'oxyde 4 (SiO2).
La couche collée est réalisée à partir d'un substrat SOI (001) selon la technique décrite dans le document WO 02/054466.
Un réseau carré de dislocations vis, régulières et cohérente est réalisé sur de grandes distances (par exemple avec un pas de 22 nm). Le réseau de dislocations identiques possède un pas bien contrôlé (d'une façon générale de quelques nm à plusieurs microns). Il peut être procédé à un amincissement de la couche 6 collée, par exemple à 10 nm.
Puis il est procédé à la lithographie de bandes, parallèles à un des côtés du carré formé par les lignes de dislocations.
La largeur des lignes lithographiées correspondra à quelques côtés du carré (par exemple 50 nm, ce qui correspond à environ 2 périodes), alors que la longueur sera plus importante (par exemple 1 m, c'est-à-dire 50 périodes).
Différentes orientations du motif lithographié par rapport au réseau de dislocation peuvent être utilisées pour moduler les effets de résonance attendus.
L'application d'un champ magnétique et électrique dans une direction bien définie permettra aussi de moduler les propriétés de transport électronique.
Selon une variante de cet exemple, les zones de défauts résultent d'une irradiation localisée par des électrons (<50 keV) ou d'une implantation localisée par des ions He (<2 MeV) dans une structure SOI. La localisation de l'irradiation ou de l'implantation peut se faire au moyen de masques.
Les tailles et l'espacement des motifs seront alors plus importants, compte tenu des contraintes technologiques de la réalisation du masque. (par exemple masque de motifs carrés d'environ 22 nm de côté). Chaque motif du masque définit une zone de défauts d'irradiation ou d'implantation, la densité des défauts dans chaque zone étant fixée par les conditions (dose, énergie, éléments choisis... etc.) d'implantation par irradiation. Des structures obtenues par ces techniques sont illustrées en figures 5A - 5C.
Selon l'invention il est également possible de réaliser deux ou plusieurs couches superposées, avec un réseau dans chaque couche, dont les dislocations et/ou les défauts peuvent être, ou non, décalés, les géométries des réseaux pouvant être identiques ou différentes. Un tel empilement permet d'augmenter la section efficace d'interaction entre les électrons et les défauts. La réalisation d'un tel empilement peut être obtenue par collages successifs. Ou bien, un premier réseau est obtenu par collage et un deuxième est obtenu par irradiation.

Claims (27)

REVENDICATIONS
1. Dispositif de transport d'électrons, comportant: - au moins une couche (6) de transport dans laquelle est réalisé au moins un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts, - des moyens (4, 60, 62, 64, 70, 72) de guidage des électrons dans le plan de ladite couche de transport.
2. Dispositif selon la revendication 1, du type comportant au moins un réseau de dislocations, au moins une partie des dislocations étant décorées par des charges électriques et/ou des espèces chimiques.
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, du type comportant au moins un réseau de dislocations disposées en carré ou en rectangle ou de manière hexagonale.
4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, du type comportant au moins un réseau de défauts d'irradiation et/ou d'implantation.
5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, comportant en outre des moyens (8, 10, 80, 82, 84, 86) de contact électrique avec la couche de transport (6).
B 15136.3 PM' 2876498
6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, les moyens de guidage comportant une couche isolante (4) ou faiblement conductrice sur laquelle la couche de transport est disposée.
7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, comportant en outre des moyens (20) pour appliquer et/ou mesurer un champ électrique et/ou magnétique dans la couche de transport.
8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, la couche de transport ayant la forme d'au moins une zone allongée (60, 62, 64, 70, 72) suivant une première direction, selon laquelle le réseau périodique présente une première période.
9. Dispositif selon la revendication 8, la couche de transport comportant au moins une deuxième zone allongée suivant une deuxième direction, différente de la première, selon laquelle le réseau périodique présente une deuxième période.
10. Dispositif selon la revendication 9, la deuxième période étant différente de la première.
11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10, comportant au moins une deuxième couche de transport à réseau de dislocations et/ou de défauts.
12. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, le réseau de transport étant réalisé dans la couche superficielle d'une structure SOI.
13. Diode à résistance différentielle négative, comportant un dispositif selon l'une des revendications 1 à 12.
14. Dispositif de caractérisation de champ électrique et/ou magnétique, comportant un dispositif selon l'une des revendications 1 à 13 et des moyens de détection d'une variation de l'intensité d'un courant circulant dans la couche ou d'une tension générée dans cette couche.
15. Procédé de réalisation d'un dispositif de transport d'électrons, comportant: - la formation d'au moins un réseau de 20 dislocations et/ou de défauts dans une couche, dite couche de transport, - la formation de moyens de guidage des électrons dans le plan de ladite couche de transport.
16. Procédé selon la revendication 15, le réseau étant du type comportant au moins un réseau de dislocations, le procédé comportant en outre une étape de décoration d'au moins une partie des dislocations par des charges électriques et/ou des espèces chimiques.
15136'.3 PMi 23
17. Procédé selon la revendication 16, la formation du réseau comportant une étape de collage de deux matériaux cristallins.
18. Procédé selon l'une des revendications 15 à 17, la formation du réseau comportant une étape d'irradiation et/ou d'implantation.
19. Procédé selon l'une des revendications 10 15 à 18, comportant en outre une étape de formation de moyens de contact électrique avec la couche.
20. Procédé selon l'une des revendications 15 à 19 l'étape de formation des moyens de guidage comportant une étape de formation d'une couche isolante ou faiblement conductrice sur laquelle la couche de transport est disposée.
21. Procédé selon l'une des revendications
15 à 20, l'étape de formation des moyens de guidage comportant une étape d'amincissement.
22. Procédé selon l'une des revendications 15 à 21, l'étape de formation des moyens de guidage comportant une étape de formation d'au moins une zone allongée (60, 62, 64, 70, 72) suivant une première direction, selon laquelle le réseau périodique présente une première période.
23. Procédé selon la revendication 22, comportant la réalisation d'au moins une deuxième zone allongée suivant une deuxième direction, différente de la première, selon laquelle le réseau périodique présente une deuxième période.
24. Procédé selon la revendication 23, la deuxième période étant différente de la première.
25. Procédé selon la revendication 22, 23 ou 24, les zones allongées étant réalisées par gravure 10 de la couche de transport.
26. Procédé selon l'une des revendications 15 à 25, comportant en outre la formation d'au moins une deuxième couche de transport, à réseau de dislocations et/ou de défauts.
27. Procédé selon l'une des revendications 15 à 26, le réseau de transport étant réalisé dans la couche superficielle d'une structure SOI.
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