FR2873443A1 - Capteur de pression - Google Patents

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Abstract

Ce capteur comprend un substrat (8) ayant un diaphragme dans lequel est formé un circuit électrique, un film isolant (9) prévu sur le substrat et possédant un trou conducteur au niveau duquel une partie du circuit électrique est exposée, un premier film métallique (10) situé sur le film isolant et connecté électriquement au circuit électrique au moyen du trou, un second film métallique (13) situé sur le premier film, un film protecteur (11) recouvrant le premier film et possédant une ouverture au niveau de laquelle une partie du second film est exposée, un fil (7) relié au second film (10) dans la partie exposée, et un second film protecteur (14) recouvrant au moins la surface du second film exposée à partir du film (11), et un voisinage de la partie d'ouverture de ce film.Application notamment aux véhicules diesel.

Description

CAPTEUR DE PRESSION
La présente invention concerne un capteur de pression qui permet d'empêcher la corrosion de câblages dans une puce de capteur. Plus particulièrement la présente invention concerne un capteur de pression, dans lequel une puce de capteur est directement exposée dans un milieu corrosif.
Lorsqu'on utilise un capteur de pression, alors qu'une puce de capteur est directement exposée dans un liquide corrosif, il peut se produire une corrosion de câblages ou de plots de connexion. Par exemple dans un capteur de pression utilisé pour détecter une pression différentielle d'un filtre à gaz d'échappement d'un véhicule diesel ou pour détecter une pression dans un espace moteur, des plots de connexion et des câblages réalisés en aluminium (Al) peuvent être aisément corrodés.
C'est pourquoi, dans un capteur de pression décrit dans le brevet US 5 595 939 (qui correspond au brevet japonais N 3198779), on décrit une structure résistante à la corrosion, servant à empêcher une corrosion d'une puce et d'une partie de liaison par fil.
Par exemple, dans une puce de capteur J1 d'un capteur de pression illustré sur la figure 8, annexée à la présente demande, un film d'oxydation J2 est formé sur une surface d'un substrat semiconducteur, dans lequel est formé un diaphragme. En outre, un film d'aluminium (film de Al) J3 est formé sur le film d'oxydation J2, et un circuit électrique incluant une résistance formant jauge formée dans le diaphragme du substrat semiconducteur et le film de Al J3 sont connectés électriquement au moyen d'un trou conducteur.
En outre, un film protecteur J4 constitué de deux couches comprenant un film de SiN et un film de SiO2 est formé de manière à recouvrir le film de Al J3. Une partie d'ouverture est prévu dans le film protecteur J4 de sorte qu'une partie prédéterminée du film de Al J3 est exposée au niveau de la partie d'ouverture du film J4. En outre un film métallique J5 formé de Ti est formé sur la partie prédéterminée du film de Al J3 et un fil J6 est fixé au film métallique J5 et à une broche formant borne J7. Par conséquent, la broche formant borne J7 et le circuit électrique de la puce de capteur J1 sont connectés électriquement.
Dans ce capteur de pression, la puce de capteur J1 et une partie de connexion du fil J6 sont placées dans de l'huile J8, et sont renfermées de façon étanche dans un diaphragme métallique présentant une résistance à la corrosion. Etant donné que la puce de capteur J1 et la partie de connexion du fil J6 sont placées dans de l'huile J8, une corrosion de ces parties peut être empêchée. Cependant, dans ce cas, des éléments d'étanchéité tels qu'un joint torique sont également nécessaires pour le diaphragme métallique et pour renfermer de façon étanche l'huile J8. C'est pourquoi, le nombre de composants du capteur de pression est accru et sa taille augmente.
Compte tenu des problèmes décrits précédemment, un but de la présente invention est de fournir un capteur de pression, qui empêche une corrosion d'une puce de capteur avec une structure simple.
Un autre but de la présente invention est de fournir un capteur de pression, qui possède une structure empêchant la corrosion, tout en ayant de faibles dimensions et/ou un nombre réduit de composants.
Conformément à la présente invention, un capteur de pression inclut un substrat semiconducteur possédant un diaphragme, dans lequel est formé un circuit électrique incluant une résistance formant jauge, un film isolant prévu sur une surface du substrat semiconducteur, le film isolant possédant un trou conducteur, au niveau duquel une partie prédéterminée du circuit électrique est exposée, un premier film métallique prévu sur le film isolant et connecté électriquement au circuit électrique par l'intermédiaire du trou conducteur, un second film métallique présentant une résistance à la corrosion et prévu sur le premier film métallique, un premier film protecteur qui recouvre le premier film métallique et possède une partie d'ouverture, au niveau de laquelle une partie du second film métallique est exposée, un fil relié au second film métallique au niveau de la partie exposée à partir du premier film protecteur.
Dans ce capteur de pression, le second film protecteur formé d'un matériau organique, qui recouvre au moins la surface du second film métallique exposée à partir du premier film protecteur, et un voisinage de la partie d'ouverture du premier film protecteur.
C'est pourquoi le second film protecteur peut empêcher qu'un milieu (par exemple un milieu corrosif) ne contacte le film de Al à travers la surface du second film métallique et le voisinage de la partie d'ouverture du premier film protecteur. C'est-à-dire que, dans la présente invention, le second film protecteur est en contact direct avec au moins la surface du second film métallique exposé à partir du premier film protecteur et le voisinage de la partie d'ouverture du premier film protecteur, de manière à étanchéifier directement cette partie. Par conséquent, ceci peut empêcher une corrosion du premier film métallique. En outre, la structure du capteur de pression peut être réalisée de façon simple et le nombre des composants du capteur de pression peut être réduit.
Par exemple, le second film protecteur est formé d'une polyimideamide (PEAI) ou d'un polyimide (PIQ). En 35 outre, le second film métallique peut être prévu approximativement sur toute la surface du premier film métallique, et le premier film protecteur peut être prévu de manière à recouvrir le second film métallique.
Dans ce cas, la surface exposée du premier film métallique peut être réduite de façon supplémentaire en raison de la présence du second film métallique, et le premier film métallique ne peut pas venir en contact avec un milieu corrosif.
Dans le capteur de pression, le premier film 10 métallique peut être formé sur un film de Al, le second film métallique peut être formé sur un film de Au, et le film de Au peut être formé sur le film de Al moyennant l'interposition d'un film de Ti. Sinon, lorsque le premier film métallique est formé d'un film de Cu et que le second 15 film métallique est formé d'un film de Au, le film de Au peut être formé directement sur le film de Cu.
Le second film protecteur peut être prévu pour recouvrir l'ensemble de la surface du premier film protecteur. Dans ce cas, le second film protecteur peut 20 empêcher efficacement que le film de Al soit en contact avec un milieu corrosif. C'est pourquoi le premier film protecteur peut être formé d'un film d'oxydation ou le second film métallique peut être constitué de deux couches métalliques formé d'un film de Au et d'un film de Ti.
Selon une autre caractéristique de l'invention le second film protecteur est placé en contact direct avec au moins la surface du second film métallique exposé à partir du premier film protecteur, et le voisinage de la partie d'ouverture du premier film protecteur.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe montrant un 35 capteur de pression selon une première forme de réalisation 30 préférée de la présente invention; - la figure 2 est une vue en coupe à plus grande échelle représentant une partie de liaison de film d'une puce de capteur dans le capteur de pression; - les figures 3A à 3D sont des représentations schématiques illustrant des étapes de fabrication d'un capteur de pression selon la première forme de réalisation; - les figures 4A à 4D sont des représentations schématiques illustrant des étapes de fabrication du capteur de pression après les étapes de fabrication des figures 3A - 3D, conformément à la première forme de réalisation; - les figures 5A à 5D sont des représentations schématiques illustrant des étapes de fabrication du capteur de pression après les étapes de fabrication des figures 4A - 4D, conformément à la première forme de réalisation; - la figure 6 est une vue en coupe à plus grande échelle montrant une partie de liaison de fil d'une puce de capteur dans un capteur de pression conformément à une seconde forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 7 est une vue à plus grande échelle montrant une partie de liaison de fil d'une puce de capteur dans un capteur de pression conformément à une troisième forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 8, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe schématique représentant une structure qui empêche la corrosion, d'un capteur de pression d'une technique antérieure.
On va maintenant décrire la première forme de réalisation de la présente invention en référence aux figures 1 à 5D.
Comme cela est représenté sur la figure 1, le 35 capteur de pression 1 inclut une puce de capteur 2, une base en verre 3, un boîtier supérieur 4, un boîtier inférieur 5, des bornes 6 et des fils de Au 7.
La puce de capteur 2 comprend un substrat semiconducteur 8, dans lequel sont formés un circuit électrique incluant une résistance formant jauge et un diaphragme, un film d'oxydation 9 formé sur le substrat semiconducteur 8, un film d'aluminium (film de Al) 10 connecté électriquement au circuit électrique par l'intermédiaire d'un trou conducteur formé dans le film d'oxydation 9 et un film protecteur 11 agencé de manière à recouvrir le film de Al 10. Le film protecteur 11 possède une partie d'ouverture, au niveau de laquelle est exposée une partie prédéterminée du film de Al 10. Le film protecteur 11 est constitué de deux couches formées d'un film de SiN et d'un film de SiO2. La partie prédéterminée du film de Al 10 est recouverte par un film de Ti 12 et par un film de Au 13, dans cet ordre.
Etant donné que le film de Au 13 possédant une résistance élevée à la corrosion est en outre formé sur la couche de Ti 12, il est difficile que le film de Al 10 soit en contact avec un milieu corrosif comme par exemple un liquide corrosif ou un gaz corrosif. D'une manière générale le film de Al 10 est aisément corrodé par un milieu corrosif.
Comme cela est représenté sur la figure 2, un fil de Au 7 est fixé au film de Au 13 dans la puce de capteur 2. En outre, un film protecteur 14 formé d'un matériau organique, par exemple une polyimideamide (PEAI) ou un polyimide (PIQ), est disposé de manière à recouvrir au moins la surface du film Au 13 et le voisinage de la partie d'ouverture du film protecteur 11.
Le substrat semiconducteur 8 possède une partie en renfoncement servant à former le diaphragme. La surface du substrat semiconducteur 8, qui comporte la partie en renfoncement, est fixée à une surface de la base en verre 3 et l'autre surface de la base en verre 3 est fixée au boîtier inférieur 5 à l'aide d'un adhésif 15 de sorte que la puce de capteur 3 est fixée.
Comme cela est représenté sur la figure 1, le boîtier inférieur 5 est recouvert et fermé par le boîtier supérieur 4 de sorte qu'un espace d'introduction de pression est formé par le boîtier supérieur 4 et par le boîtier inférieur 5. Le boîtier supérieur 4 d'introduction de pression 4a par lequel un un sujet de détection de pression, est introduit dans l'espace d'introduction de pression.
Chacun des fils de Au 7, qui sont connectés électriquement au circuit électrique de la puce de capteur 2, est connecté à chaque borne 6, qui s'étend jusqu'à l'extérieur à partir du boîtier inférieur 5. C'est pourquoi la puce de capteur 2 est connectée électriquement à l'extérieur par l'intermédiaire des fils de Au 7 et des bornes 6.
Lorsqu'un fluide est fourni à l'espace d'introduction de pression par l'intermédiaire du trou d'introduction de pression 4a du boîtier supérieur 4, une pression du fluide est appliquée à la puce de capteur 2. Par conséquent, la puce de capteur 2 est cintrée, et une valeur résistive de la résistance formant jauge formée dans le substrat semiconducteur 8 varie conformément à la flexion du diaphragme. La variation de la valeur résistive est délivrée à l'extérieur par l'intermédiaire du circuit électrique, du film de Al 10, du film de Ti 12, du film de Au 13, des fils de Au 7 et des bornes 6, ce qui permet de détecter la pression du fluide.
Ci-après, on va décrire un procédé de fabrication du capteur de pression 1. Ici, on va décrire le procédé de fabrication de la puce de capteur 2 dans le capteur de pression 1 principalement en référence aux figures 3A à 5D.
Tout d'abord, comme cela est représenté sur la possède un trou fluide, qui est figure 3A, on prépare un substrat semiconducteur 8. C'est-à-dire qu'on forme une couche épitaxiale 21 de type N+ sur un substrat en silicium 20 de type P, de manière à former le substrat semiconducteur 8. Ensuite, on exécute une implantation d'ions d'une impureté de type P, et on forme une couche 22 isolante vis-à-vis de l'élément de type P en activant l'impureté de type P. De ce fait, la couche épitaxiale 21 de type N+ est isolée.
Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 3B, on forme un film d'oxydation 23 (film isolant) sur une surface du substrat semiconducteur 8, par oxydation thermique. Ensuite, comme représenté sur la figure 3C, on retire une partie du film d'oxydation 23 par attaque photochimique dans une partie prédéterminée de la surface de la couche épitaxiale 21 de type N. Ensuite, on exécute une implantation ionique d'une impureté de type P, par exemple du Bore, de sorte qu'une résistance formant jauge 24 est formée sous l'effet de son activation, comme cela est représenté sur la figure 3D.
Ensuite, sur la figure 4A, on forme un film d'oxydation 9 sur la surface du substrat semiconducteur 8 après avoir retiré le film d'oxydation 23. On peut exécuter une oxydation sacrificielle après avoir retiré le film d'oxydation 23 et avant que le film d'oxydation 9 soit formé sur la surface du substrat semiconducteur 8. Alors, on forme des parties d'ouverture dans des positions prédéterminées du film d'oxydation 9, et on forme un film de Al 10 sur le film d'oxydation 9. Ensuite, comme représenté sur la figure 4A, on forme par attaque photochimique une configuration prédéterminée du film de Al 10.
Lors de l'étape de la figure 4B, on forme un film protecteur 11 sur la surface du film de Al 10 et du film d'oxydation 9, et on retire une partie du film protecteur 11 par attaque chimique, de sorte que le film de Al 10 est exposé au niveau de positions prédéterminées.
Ensuite, comme représenté sur la figure 4C, on attaque une surface arrière du substrat semiconducteur 8 de manière à former une partie en renfoncement. C'est pourquoi un diaphragme est formé dans le substrat semiconducteur 8. Ensuite, on fixe à la base en verre 3 la surface arrière du substrat semiconducteur 8 comportant la partie en renfoncement.
Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 5A, on exécute un placage autocatalytique de nickel sur la surface du film de Al 10 exposé au niveau du film protecteur 11 de manière à former un film de Ni 12. Ensuite, on exécute un placage autocatalytique de Au sur la surface du film Ni 12, de manière à former un film de Au 13.
Ensuite, on fixe la base en verre 3 et la puce de capteur 2 au boîtier inférieur 5. Puis, on réunit le fil de Au 7 au film de Au 13 de sorte que le film de Au 13 et le fil de Au 7 sont réunis entre eux comme cela est représenté sur la figure 5C. Lors de l'étape de la figure 5D, on applique un matériau organique comme par exemple de la polyimideamide (PEAI) ou un polyimide (PIQ) à la surface du substrat semiconducteur 8 comportant les fils de Au 7 de manière à former un film protecteur 14. Alors la couche protectrice 14 recouvre au moins la surface du film de Au 13 et les zones voisines des parties d'ouverture du film protecteur 11. A titre d'exemple, comme représenté sur la figure 5D, le film protecteur 14 recouvre l'ensemble des fils de Au 7, le film de Au 13, la limite entre le film de Au 14 et le film protecteur 11. Sur la figure 5A, on forme le film de Ni 12. Cependant, on peut former un film de Ti 12 de la même manière que le film de Ni.
Dans le capteur de pression 1 de cette forme de réalisation, en formant le film de Ni (film de Ti) 12 et le film de Au 13 sur le film de Al 10, on peut réduire d'une manière efficace un risque que le film d'aluminium 10 soit en contact avec un sujet de détection de pression constitué d'un milieu corrosif. Par exemple, l'étanchéité entre le film de Au 13 et une couche de TiN du film protecteur 11 peut être insuffisante et un milieu corrosif peut passer entre eux. Cependant, on peut former un trou dans le film protecteur 11 recouvrant le film de Al 10. En outre, dans cette forme de réalisation, le film protecteur 14 formé d'un matériau organique recouvre au moins la surface du film de Au 13, et le voisinage de chaque partie d'ouverture du film protecteur 11.
Par conséquent, le film protecteur 14 empêche d'une manière efficace que le milieu corrosif ne contacte la surface du film de Au 13 et le voisinage de la partie d'ouverture du film protecteur 11. Il en résulte qu'il peut empêcher que le film de Al 10 ne touche le milieu corrosif, en empêchant de ce fait une corrosion du film de Al 10. Par conséquent un joint torique ou une huile pour protéger le film de Al 10 est inutile et le nombre de composants pour former le capteur de pression peut être réduit. Dans cette forme de réalisation, la taille du capteur de pression 1 peut être effectivement réduite et les étapes d'assemblage du capteur de pression 1 peuvent être réalisées de façon simple.
En outre, dans l'exemple représenté sur la figure 5D, même lorsqu'un trou est formé dans le film protecteur 11, le film protecteur 14 empêche que le film de Al 10 soit exposé au milieu corrosif, à travers le trou, étant donné que le film protecteur 14 recouvre directement toute la surface du film protecteur 11.
On va décrire maintenant une seconde forme de réalisation de la présente invention en référence à la figure 6. Dans cette seconde forme de réalisation, les structures du film de Ti 12 et du film de Au 13 de la première forme de réalisation sont modifiées. La figure 6 représente une puce de capteur 2 d'un capteur de pression de la seconde forme de réalisation.
Comme représenté sur la figure 6, un film de Ti 12 et un film de Au 13 sont formés approximativement sur toute la surface du film de Al 10. En outre, le film de Ti 12 et le film de Au 13 sont recouverts par un film protecteur 11, conjointement avec le film de Al 10. C'est-à-dire que, une fois que le film de Ti 12 et le film de Au 13 sont formés sur le film de Al 10, le film protecteur 11 recouvre les surfaces de film d'oxydation 9, du film de Al 10, du film de Ti 12 et du film de Au 13, comme représenté sur la figure 6.
Le film protecteur 11 possède au moins une partie d'ouverture, par laquelle le film de Au 7 est relié au film de Au 13. Alors, au moins la surface du film de Au 13 et le voisinage de la partie d'ouverture du film protecteur 11 sont recouvertes par un film protecteur 14. Le film protecteur 14 est formé d'un matériau organique, par exemple une polyimideamide (PEAI) ou un polyimide (PIQ).
Dans la seconde forme de réalisation, comme décrit précédemment, le film de Ti 12 et le film de Au 13 sont formés approximativement sur toute la surface du film de Al 10. C'est pourquoi une surface exposée du film de Al 10 diminue. En outre, étant donné que la surface du film de Au 13 et le voisinage de la partie d'ouverture du film protecteur 11 sont recouverts par le film protecteur 14, ceci permet d'empêcher que le milieu corrosif vienne en contact avec le film de Al 10.
Dans la première forme de réalisation décrite précédemment, le film de Ti 12 et le film de Au 13 sont formés après la formation du film protecteur 11. Cependant, dans la seconde forme de réalisation, une fois que le film de Ti 12 et le film de Au 13 sont disposés sur le film de Al 10, le film protecteur 11 est formé de manière à recouvrir les surfaces exposées du film d'oxydation 9, du 2873443 12 film de Al 10, du film de Ti 12 et du film de Au 13. Ensuite, une fois que le fil de Au 7 a été fixé au film de Au 13, on forme la couche protectrice 14. c'est pourquoi, le capteur de pression 1 comportant la puce de capteur 2 peut être peut être aisément formé.
Dans la seconde forme de réalisation, les autres parties sont similaires à celles de la première forme de réalisation décrites précédemment.
On va maintenant décrire une troisième forme de réalisation de l'invention en référence à la figure 7. La figure 7 représente une puce de capteur 2 d'un capteur de pression 1 de la troisième forme de réalisation. Dans cette troisième forme de réalisation, un film de Cu 30 est utilisé à la place du film de Al 10 de la seconde forme de réalisation. Lorsque le film de Cu 30 est utilisé à place du film de Al 10, on peut appliquer un placage de Au sur le film de Cu 30. C'est pourquoi, dans la troisième forme de réalisation, le film de Au 13 est formé directement sur la surface du film de Cu 30 et le film de Ti 12 de la seconde forme de réalisation peut être supprimé.
C'est-à-dire que, dans la troisième forme de réalisation, après avoir formé le film de Au 13 approximativement sur toute la surface du film de Cu 30, on forme le film protecteur 11. Ensuite, on raccorde le fil de Au 7 au film de Au 13, et le film protecteur 14 recouvre au moins la surface exposée du film de Au 13 et le voisinage de la partie d'ouverture du film protecteur 11. Dans ce cas, le procédé de fabrication du capteur de pression 1 peut être simplifié.
Dans la troisième forme de réalisation, le film de Cu 30 et le film de Au 13 peuvent être formés par attaque chimique de manière à présenter une configuration prédéterminée, après que le film de Cu 30 et le film de Au 13 ont été formés par pulvérisation. De façon similaire, le film de Cu 30 peut être utilisé à la place du film de Al 10 de la première forme de réalisation.
Dans la troisième forme de réalisation, les autres parties peuvent être réalisées de manière similaire à celles de la première ou de la seconde forme de réalisation 5 décrites précédemment.
Bien que l'on ait décrit la présente invention en référence à des formes de réalisation préférées de l'invention en référence aux dessins annexés, on notera que différents changements et modifications apparaîtront à l'évidence au spécialiste de la technique. Par exemple, dans les formes de réalisation décrites précédemment, l'objet de détection de pression du capteur de pression est un milieu corrosif tel qu'un liquide corrosif ou un gaz corrosif. Cependant la présente invention peut être appliquée à un capteur de pression servant à détecter la pression d'un milieu qui peut difficilement corroder une puce de capteur.
Dans la troisième forme de réalisation décrite précédemment, on utilise le film de Cu 30 en tant que film de Al 10 dans le capteur de pression 1 de la seconde forme de réalisation. Cependant, le film de Cu 30 peut être utilisé en tant que film de Al 10 dans le capteur de pression 1 de la première forme de réalisation. En outre, un film métallique autre que le film de Al 10 ou le film de Cu 30 possédant une performance de conducteur électrique peut être utilisé à la place du film de Al 10 ou du film de Cu 30.
Bien que l'invention ait été décrite en référence à des formes de réalisation préférées, on comprendra que l'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation préférées et agencements préférés. L'invention est censée englober différentes modifications et agencements équivalents. En outre, bien que les différents éléments des formes de réalisation préférées soient représentés selon différentes combinaisons et configurations, qui sont préférées, d'autres combinaisons et configurations incluant un plus grand nombre d'éléments, un moins grand nombre d'éléments ou seulement un élément unique, entrent également dans le cadre de l'invention.

Claims (9)

REVENDICATIONS
1. Capteur de pression, caractérisé en ce qu'il comporte: un substrat semiconducteur (8) possédant un diaphragme, dans lequel est formé un circuit électrique incluant une résistance formant jauge, un film isolant (9) prévu sur une surface du substrat semiconducteur, le film isolant possédant un trou conducteur, au niveau duquel une partie prédéterminée du circuit électrique est exposée, un premier film métallique (10, 30) prévu sur le film isolant et connecté électriquement au circuit électrique par l'intermédiaire du trou conducteur, un second film métallique (13) présentant une résistance à la corrosion et prévu sur le premier film métallique, un premier film protecteur (11) qui recouvre le premier film métallique et possède une partie d'ouverture, au niveau de laquelle une partie du second film métallique est exposée, un fil (7) relié au second film métallique au niveau de la partie exposée à partir du premier film protecteur, et un second film protecteur (14) formé d'un matériau organique, qui recouvre au moins la surface du second film métallique exposée à partir du premier film protecteur, et un voisinage de la partie d'ouverture du premier film protecteur.
2. Capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second film protecteur est formé d'une polyimideamide (PEAI) ou d'un polyimide (PIQ).
3. Capteur de pression selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que: le second film métallique (13) est prévu approximativement sur toute la surface du premier film métallique (30), et le premier film protecteur (11) est prévu de manière à recouvrir le second film métallique (13).
4. Capteur de pression selon l'une quelconque des 5 revendications 1 à 3, caractérisé en ce que: le premier film métallique est un film de Al (10), le second film métallique est un film de Au (13), et le film de Au (13) est prévu sur le film de Al (10) 10 moyennant l'interposition d'un film de Ti (12).
5. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que: le premier film métallique est un film de Cu (30); le second film métallique est un film de Au (13); 15 et le film de Au (13) est prévu directement sur le film de Cu (30).
6. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le second film protecteur (14) recouvre l'ensemble de la surface du premier film protecteur.
7. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le film isolant (9) est formé d'un film d'oxydation et que le premier film protecteur (11) est prévu de manière à recouvrir le premier film métallique et le film d'oxydation.
8. Capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second film métallique est constitué de deux couches métalliques formées d'un film de Au et d'un film de Ti.
9. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le second film protecteur (14) est placé en contact direct avec au moins la surface du second film métallique (13) exposé à partir du premier film protecteur, et le voisinage de la partie d'ouverture 17 du premier film protecteur (11).
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