FR2805185A1 - Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif - Google Patents
Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif Download PDFInfo
- Publication number
- FR2805185A1 FR2805185A1 FR0002193A FR0002193A FR2805185A1 FR 2805185 A1 FR2805185 A1 FR 2805185A1 FR 0002193 A FR0002193 A FR 0002193A FR 0002193 A FR0002193 A FR 0002193A FR 2805185 A1 FR2805185 A1 FR 2805185A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- sep
- plasma
- residues
- oxygen
- screen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 14
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 12
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 7
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035899 viability Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3342—Resist stripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de nettoyage de résidus de gravure dans lequel on utilise, dans une enceinte plasma, au moins 2 % d'hydrogène, une quantité d'oxygène trois fois moindre que la quantité d'hydrogène et en tout cas inférieure à 2 % du débit total, et un bombardement ionique modéré.
Description
PROCÉDÉ <B>DE</B> NETTOYAGE PASSIVATION EXEMPT D'OXYGÈNE <B>DANS</B> UN RÉACTEUR PLASMA <B>À</B> COUPLAGE INDUCTIF De nombreux procédés utilisés dans la fabrication de circuits intégrés submicroniques impliquant une gravure de cou ches minces ou un dopage de tranches semiconductrices laissent des résidus chimiques logés dans ou sur la surface d'un produit photorésistant ou photorésine restant en place, ou d'autres zones sur les parois latérales des reliefs, ou la surface supérieure de la tranche. Ces résidus sont souvent insolubles ou forment des composés insolubles dans le processus d'enlèvement de résine nor mal appelé mise en cendres (au cours duquel des espèces actives en provenance de décharges d'oxygène oxydent la photorésine res tante) et ne sont pas enlevés par le rinçage à beau qui suit. Ces résidus, sils étaient laissés en place sur la surface de la tranche après enlèvement de la photorésine pourraient provoquer une dégradation des performances des dispositifs et même affecter la viabilité du circuit intégré et doivent donc être enlevés. L'enlèvement de ces résidus peut être difficile et a jusqu'à pré sent été effectué par immersion dans des bains chimiques humides contenant des solvants forts, des produits chimiques acides ou caustiques. La plupart du temps, ces produits chimiques sont coû teux et toxiques et nécessitent une manipulation spécifique en utilisation et quand on doit les rejeter. Pour réduire l'exposi- tion du personnel à ces substances nocives et éliminer le coût de la manipulation et du rejet de ces produits chimiques, on s'est efforcé de supprimer le nettoyage par trempage et de réaliser cet enlèvement dans un système de traitement à sec à base de plasma utilisant des additifs au gaz d'alimentation. Certains résidus sont facilement supprimés, y compris ceux incluant du silicium et du carbone et des halogènes qui demeurent après une gravure de grille de silicium polycristallin ou une gravure de contacts en oxyde. Toutefois, l'enlèvement des résidus et des polymères des surfaces des structures du dispositif après d'autres processus peut être difficile et peut nécessiter des traitements par trem page si agressifs que des surfaces du dispositif sont également gravées ou que des contaminants indésirables sont laissés en place sur la surface de la tranche, ce qui provoque une dégrada tion des performances. D'autres processus impliquant une gravure de métal ou à une gravure jusqu'à une couche d'arrêt en métal laissent en place des résidus difficiles à enlever. Egalement, les surfaces de structures de dispositifs peuvent être contami nées par des particules par suite de tels traitements chimiques humides.
Une telle couche résiduelle apparaît souvent après gra vure d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium et/ou d'oxyni- trure de silicium pour créer des ouvertures relativement grandes (de l'ordre de 10 gm ou plus) qui permettent aux signaux électri ques d'être acheminés vers le circuit intégré. Ces ouvertures sont créées au-dessus de plots métalliques auxquels des fils fins vont être soudés et ne doivent donc comprendre aucun résidu ou matériau isolant sur la surface du métal. Egalement, des résidus de ce type se retrouvent sur les surfaces internes verticales de vias, par l'intermédiaire desquels des connexions sont réalisées d'un premier niveau de lignes métalliques à des niveaux adja cents. A la dernière étape d'un tel processus de gravure, il peut apparaître une pulvérisation du métal sous-jacent à la ou aux couches isolantes, provoquant la formation de résidus contenant du métal sur les parois d'ouvertures ou de vias vers des plots de liaison de grandes dimensions.
I1 existe d'autres processus de gravure ou d'implanta tion qui laissent en place des résidus contenant du métal ou du silicium ou d'autres matériaux polymères durs qui sont très dif ficiles à enlever par des procédés de gravure humide. Dans la plupart des cas, des flux de gaz activés par plasma contenant de l'oxygène peuvent être inefficaces pour brûler ou rendre soluble ces matériaux restants sur la surface de la tranche. Habituelle ment, une exposition de ces matériaux à un flux gazeux activé par un plasma contenant de l'oxygène, qui est nécessaire pour brûler la photorésine, provoque l'oxydation des résidus, ce forme des matériaux encore plus difficiles à enlever. D'autres maté riaux résiduels peuvent inclure certains des principaux dopants pour semiconducteurs tels que le bore et le phosphore d'au tres couches métalliques - telles que du titane - utilisées dans divers buts dans le circuit intégré, ou des carbures silicium ou du carbone à fort taux de réticulation ou à structure diamant. Depuis , un métal utilisé dans les circuits intégrés est du cuivre dont les oxydes et les résidus doivent être enlevés des surfaces isolantes. On souhaite donc trouver d'autres techniques, impliquant des gravures moins agressives et pas de gravures humi des, permettent à ces résidus d'être supprimés sans provoquer une gravure excessive des autres matériaux exposés à surface de tranche. Jusqu'à présent, les procédés de gravure chimique à sec utilisant des sources plasma séparées de la région trai tement de la tranche qui produisent un flux d'espèces réactives vers la tranche n'ont pas permis d'enlever ces résidus. décrit ci-après un nouveau mélange de gaz qui, quand il est utilisé avec le source de plasma que l'on trouve dans le systeme ICPsm de Mattson Technology a fourni de bons résultats pour faciliter l'enlevement de nombreux des résidus de gravure les plus diffi ciles.
présente invention prévoit un système et un procédé pour enlever sélectivement un matériau indésiré de la surface d'une tranche semiconductrice sans endommager des portions sous- jacentes des dispositifs semiconducteurs et sans les graver.
Le procédé selon la présente invention implique l' - lisation d'espèces réactives à partir d'une source plasma à cou plage inductif pour faciliter l'enlèvement de résidus restants après une gravure de plots de liaison (ci-après appelée gravure de passivation) sur une tranche de silicium, dans laquelle les gaz employés pendant l'une des étapes du processus n'incluent ou peu d'oxygène. Ceci implique d'injecter un mélange gazeux avec peu ou pas d'oxygène vers une source plasma à écran Faraday - tiel ou autre source à couplage inductif dans laquelle des espe- ces réactives sont créées et diffusent ensuite ou circulent vers une tranche semiconductrice amenant des espèces volatiles ou plus solubles à se former à partir de résidus contenant des métaux. Dans au moins une étape du procédé, le flux d'oxygène est infe- rieur ou egal à 2. du flux gazeux total (il peut être nul) ou inférieur à 1/3 du flux d'hydrogène (ou autres gaz réducteurs contenant l'hydrogène), selon celle de ces valeurs qui est la plus petite Le flux total des gaz contenant de l'hydrogène combiné constitue plus de 2% du débit de gaz total. L'hydrogène peut être sous forme moléculaire telle que H2 ou sous forme d'au tres gaz contenant de l'hydrogène tel que du méthane ou autre hydrocarbure de l'ammoniac ou des amines gazeux, de la vapeur d'eau ou alcools. Ces gaz produisent des espèces réactives dans le plasma qui, quand elles sont amenées à circuler vers la tranche, réagissent sélectivement avec les résidus et provoquent un enlèvement des résidus qui ne seraient pas enlevés dans le cas ou de l'oxygène serait un composant important du mélange (ou facilitent cet enlèvement lors d'étapes chimiques humides ulté rieures). La faible concentration d'espèces contenant de l'oxy gène dans cas tend à défavoriser la création d'oxydes métal liques qui peuvent être résistants à une solution dans des rinça ges à l' ou dans des bains chimiques doux. Ce procédé permet également d'éviter de graver d'autres matériaux dans des couches critiques exposées de la tranche. Un mode de réalisation possible de la présente inven tion implique d'utiliser une source plasma à écran Faraday telle que le système ICPsm de Mattson Technology qui, dans un de fonctionnement peut assurer une certaine accélération ionique vers la tranche produisant un bombardement ionique faiblement énergique des surfaces exposées. Ce bombardement facilite la conversion chimique ou la rupture des résidus et les plus faciles à enlever par un rinçage à l'eau ou un bain chimique peu agressif. Des exemples de couches critiques sur une surface de tranche qui peuvent nécessiter d'être préservées d'une érosion ou d'un endommagement peuvent comprendre des couches de revetement anti-reflets (ARC) ou des couches barrière telles que du nitrure de titane ou titane.
Plus particulièrement, une recette particulière pour une telle étape d'enlèvement de résidus de gravure après passiva tion dans le processus pourrait être la suivante
durée <SEP> de <SEP> 'étape <SEP> 10 <SEP> à <SEP> 60 <SEP> s
<tb> puissance <SEP> RF <SEP> vers <SEP> la <SEP> source <SEP> ICP <SEP> 800 <SEP> à <SEP> 1500 <SEP> W
<tb> Pression <SEP> gazeuse <SEP> totale <SEP> : <SEP> 320 <SEP> à <SEP> 370 <SEP> Pa <SEP> (2,5 <SEP> à <SEP> 2, <SEP> torr)
<tb> Débit <SEP> de <SEP> CF4 <SEP> : <SEP> 500 <SEP> à <SEP> 1000 <SEP> cm,3/mn <SEP> par <SEP> tranche
<tb> Débit <SEP> de <SEP> gaz <SEP> de <SEP> formation <SEP> (94-95% <SEP> d'azote, <SEP> 5-6 <SEP> <B><I>06</I></B>
<tb> d'hydrogène) <SEP> 3000 <SEP> à <SEP> 5000 <SEP> cnr3
<tb> moyen/minute
<tb> Température <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> moins <SEP> de <SEP> 85 C. La source de plasma utilisée pour fournir les espèces réactives qui permettent de mettre en oeuvre le procédé est une source de plasma à couplage inductif qui utilise un écran élec trostatique partiel (écran de Faraday) qui est une source de plasma couramment utilisée pour brûler une photorésine Cette source utilise un courant électrique radiofréquence de 13,56 MHz passant dans la bobine d'excitation de la source plasma. Pour cette étape critique sans oxygène, la source plasma à écran Faraday partiel (source ICPsm de Mattson) est actionnée avec l'écran dans le mode électriquement flottant, ce qui conduit une faible quantité de bombardement ionique légèrement énergé tique de la tranche. Un autre mode de réalisation de l'invention implique un procédé et un système d'enlèvement de résidus difficiles tels que formés après la gravure de petites ouvertures dans des maté riaux diélectriques jusqu'à une couche d'aluminium (ou d'un autre métal) ou de résidus formés après la mise en cendres de la résine suivant une étape de gravure diélectrique appelée gravure de vias. Dans ce mode de réalisation, le procédé d enlèvement de résidus peut être mis en oeuvre avant la mise en cendres de la photorésine dans un outil de mise en cendres de photorésine ou un outil de gravure. Dans cette application, on réalise une étape de traitement dans laquelle une combinaison de gaz hydrogène et tétrafluorure de carbone est injectée dans une source de plasma à couplage inductif qui peut utiliser un écran de Faraday partiel pour former des espèces neutres et chargées auxquelles la tranche exposée. La tranche est maintenue à une relativement faible température (inférieure à 100 C) provoquant une attaque conduisant à un enlèvement pendant un processus ultérieur de rinçage à l'eau) de résidus contenant du métal tout en laissant couches de matériaux critiques sur la surface de la tranche sensiblement non-affectées. Ce traitement assure un faible niveau bombardement d'ions énergétiques (de l'ordre moins de 80 pA/cm2) pour aider à détruire les liaisons chimiques et physiques entre les résidus et la surface de la tranche.
<tb> puissance <SEP> RF <SEP> vers <SEP> la <SEP> source <SEP> ICP <SEP> 800 <SEP> à <SEP> 1500 <SEP> W
<tb> Pression <SEP> gazeuse <SEP> totale <SEP> : <SEP> 320 <SEP> à <SEP> 370 <SEP> Pa <SEP> (2,5 <SEP> à <SEP> 2, <SEP> torr)
<tb> Débit <SEP> de <SEP> CF4 <SEP> : <SEP> 500 <SEP> à <SEP> 1000 <SEP> cm,3/mn <SEP> par <SEP> tranche
<tb> Débit <SEP> de <SEP> gaz <SEP> de <SEP> formation <SEP> (94-95% <SEP> d'azote, <SEP> 5-6 <SEP> <B><I>06</I></B>
<tb> d'hydrogène) <SEP> 3000 <SEP> à <SEP> 5000 <SEP> cnr3
<tb> moyen/minute
<tb> Température <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> moins <SEP> de <SEP> 85 C. La source de plasma utilisée pour fournir les espèces réactives qui permettent de mettre en oeuvre le procédé est une source de plasma à couplage inductif qui utilise un écran élec trostatique partiel (écran de Faraday) qui est une source de plasma couramment utilisée pour brûler une photorésine Cette source utilise un courant électrique radiofréquence de 13,56 MHz passant dans la bobine d'excitation de la source plasma. Pour cette étape critique sans oxygène, la source plasma à écran Faraday partiel (source ICPsm de Mattson) est actionnée avec l'écran dans le mode électriquement flottant, ce qui conduit une faible quantité de bombardement ionique légèrement énergé tique de la tranche. Un autre mode de réalisation de l'invention implique un procédé et un système d'enlèvement de résidus difficiles tels que formés après la gravure de petites ouvertures dans des maté riaux diélectriques jusqu'à une couche d'aluminium (ou d'un autre métal) ou de résidus formés après la mise en cendres de la résine suivant une étape de gravure diélectrique appelée gravure de vias. Dans ce mode de réalisation, le procédé d enlèvement de résidus peut être mis en oeuvre avant la mise en cendres de la photorésine dans un outil de mise en cendres de photorésine ou un outil de gravure. Dans cette application, on réalise une étape de traitement dans laquelle une combinaison de gaz hydrogène et tétrafluorure de carbone est injectée dans une source de plasma à couplage inductif qui peut utiliser un écran de Faraday partiel pour former des espèces neutres et chargées auxquelles la tranche exposée. La tranche est maintenue à une relativement faible température (inférieure à 100 C) provoquant une attaque conduisant à un enlèvement pendant un processus ultérieur de rinçage à l'eau) de résidus contenant du métal tout en laissant couches de matériaux critiques sur la surface de la tranche sensiblement non-affectées. Ce traitement assure un faible niveau bombardement d'ions énergétiques (de l'ordre moins de 80 pA/cm2) pour aider à détruire les liaisons chimiques et physiques entre les résidus et la surface de la tranche.
Une recette possible pour un tel processus est
durée <SEP> de <SEP> traitement <SEP> : <SEP> 20 <SEP> à <SEP> 3
<tb> puissance <SEP> RF <SEP> 600à <SEP> 00 <SEP> W
<tb> pression <SEP> gazeuse <SEP> totale <SEP> 65 <SEP> à <SEP> 95 <SEP> (0,5 <SEP> à <SEP> 0,7
<tb> torr)
<tb> débit <SEP> de <SEP> CF4 <SEP> 375 <SEP> à <SEP> 475 <SEP> cm3/mn
<tb> débit <SEP> de <SEP> gaz <SEP> comprenant <SEP> de <SEP> l'oxygène <SEP> 100 <SEP> à <SEP> 0 <SEP> cm3/mn
<tb> température <SEP> de <SEP> tranche <SEP> moins <SEP> de <SEP> 100 C Le traitement est réalisé en utilisant un plasma à couplage in ductif qui peut utiliser des moyens pour assurer un bombardement ionique faiblement énergétique.
<tb> puissance <SEP> RF <SEP> 600à <SEP> 00 <SEP> W
<tb> pression <SEP> gazeuse <SEP> totale <SEP> 65 <SEP> à <SEP> 95 <SEP> (0,5 <SEP> à <SEP> 0,7
<tb> torr)
<tb> débit <SEP> de <SEP> CF4 <SEP> 375 <SEP> à <SEP> 475 <SEP> cm3/mn
<tb> débit <SEP> de <SEP> gaz <SEP> comprenant <SEP> de <SEP> l'oxygène <SEP> 100 <SEP> à <SEP> 0 <SEP> cm3/mn
<tb> température <SEP> de <SEP> tranche <SEP> moins <SEP> de <SEP> 100 C Le traitement est réalisé en utilisant un plasma à couplage in ductif qui peut utiliser des moyens pour assurer un bombardement ionique faiblement énergétique.
Dans ce mode de réalisation de l'invention, le ou les étapes du processus d'enlèvement de résidus ou étape de traite ment facilitant l'enlèvement de tels résidus comprennent un sous ensemble de la totalité des étapes de traitement effectuées séquentiellement dans le même système de traitement. Selon un aspect de la présente invention, le processus d'enlèvement de résidus est constitué d'une ou plusieurs étapes contiguës du pro cessus d'ensemble de sorte qu'il n'y a pas d'intervalle inactif entre les étapes. D'autres étapes dans le processus d'ensemble peuvent utiliser des quantités notables d'oxygène fournies à la source au plasma pour provoquer des effets différents sur les ma tériaux exposés de la tranche. Cependant, quand ces étapes n'interfèrent pas avec l'étape du processus dans laquelle on utilise peu ou pas d'oxygène, ceci peut être un mode de réalisa tion convenable de l'invention. Dans ce mode de réalisation, ou dans tout autre, les étapes de traitement selon l'invention peu vent être mises en oeuvre selon des séquences temporelles non contiguës de sorte qu'il existe un intervalle de temps entre la ou les étapes telles que mises en oeuvre dans une chambre séparée de réacteur dans le même système de traitement.
Des gaz contenant de l'hydrogène éventuellement utile dans ce mode de réalisation comprennent mais ne sont pas limités à des hydrocarbures, de l'ammoniac, de la vapeur d'eau ou des al cools ou des mélanges d'hydrogène dans des gaz inertes tels que des gaz nobles ou de l'azote, des hydrocarbures partiellement fluorés, du difluorométhane (CH2F2). CF4 peut être remplacé par d'autres fluorocarbures tels que C2F6, et d'autres espèces conte nant du fluor, SF6, NF3 ou F2 ou des mélanges d'autres gaz halo- génés tels que des gaz Fréon. De très petites quantités d'oxygène peuvent également être utilisées, de l'ordre de 2% ou moins du débit gazeux total ou pas du tout. Les ions en provenance de la source de plasma à couplage inductif sont habituellement impor- tants dans ce processus puisqu'ils aident à favoriser la réaction chimique des espèces neutres activées avec les résidus. Pour ce mode de réalisation, on peut utiliser ou bien une source puis sance RF appliquée au support de tranche ou d'autres moyens pour coupler capacitivement de l'énergie RF au plasma pour l'amener à produire une gaine au voisinage de la surface de la tranche qui accélère les ions vers la surface de la tranche. Dans ce cas, la source de plasma à couplage inductif peut être séparée de la tranche et être cependant suffisamment proche pour que ions se déplacent vers la tranche en une quantité suffisante pour as surer leur fonction.
Dans d'autres modes de réalisation possibles de l'in vention, dans lesquels des résidus doivent être enlevés qui ne nécessitent pas de bombardement ionique, la région source et la région de traitement de tranches peuvent être distinctes sépa rées 'une distance allant jusqu'à 50 centimètres. Typiquement, les processus d'enlèvement de résidus ou de polymères ces modes réalisation sont des procédés essentiellement isotropes dans lesquels des processus de gravure par pulvérisation as sistés ioniquement peuvent être présents mais ne sont pas les mécanismes dominants. La gravure ou l'altération des matériaux sur surface de la tranche dans ces modes de réalisation est essentiellement due à des réactions chimiques d'espèces neutres réactives produites dans la source plasma.
Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un procédé de nettoyage de résidus de gravure dans lequel on uti lise, dans une enceinte plasma, au moins 2 % d'hydrogène, une quantité d'oxygène trois fois moindre que la quantité d'hydrogène et en tout cas inférieure à 2 % du débit total, et un bombarde ment ionique modéré.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bombardement ionique a une valeur inférieure à 80 p-A/cm2. Selon un mode de réalisation de la présente invention, on utilise du CF4 comme gaz porteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la pression gazeuse totale est de l'ordre de 320 à 370 Pa, il prévu un débit de CF4 de 500 à 1000 cm3/mn, le débit du gaz comprenant l'oxygène est de 500 à 1000 cm3/mn, et la température de tranche est inférieure à 85 C.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, la pression gazeuse totale est de l'ordre de 65 à 95 Pa, il est prévu un débit de CF4 de 375 à 475 cm3/mn, le débit du gaz comprenant l'oxygène est de 100 à 4000 =3/mn, et la température de tranche est inférieure à 100 C.
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles la figure 1 représente un réacteur plasma à couplage inductif destiné à être utilisé dans un mode de réalisation de l'invention ; et la figure 2 représente un circuit utilisé pour fournir des impédances variables à l'écran de Faraday partiel vers la masse dans une variante de réalisation de l'invention.
L'invention prévoit un système et un procédé pour sup primer sélectivement un matériau indésiré d'une tranche semi conductrice tout en réduisant l'endommagement des parties sous- jacentes de la tranche.
La figure 1 représente un réacteur à plasma tel qu'il est utilisé dans la présente invention. D'autres réacteurs appro priés comprennent, mais pas seulement, ceux décrits dans le bre vet des Etats-Unis d'Amérique n 5534231, qui seront considérés ici connus.
La figure 1 représente un système de réacteur plasma à couplage inductif 100. -un substrat semiconducteur 102 à traiter est placé sur un support en aluminium 104 dans une chambre de traitement 106. Le support 104 peut être chauffé ou refroidi par un systeme de chauffage ou de refroidissement (non représenté) pour chauffer ou refroidir le substrat à traiter. Les gaz sont extraits du système par une sortie d'échappement 112. Le support 104 repose sur un pilier de céramique (non représenté) qui est fendu pour permettre aux gaz de s'échapper par la sortie 112.
Le support 104 peut être sélectivement couplé à la masse par l'intermédiaire d'un commutateur 110. Quand le commuta teur est fermé, des particules chargées peuvent être amenées vers la masse par l'intermédiaire du substrat semiconducteur 102 et du support 104. Ainsi, quand le support 104 est mis à la masse, la conduction de courant RF à travers le support est augmentée. Ceci tend à augmenter la chute de potentiel aux bornes de la gaine formée par le plasma au-dessus du support. Ainsi, le commutateur 110 est habituellement fermé quand on utilise des courants et des énergies de bombardement ioniques très élevés pour graver le substrat 102. Quand le commutateur est ouvert, le potentiel du support et du substrat tend à flotter à des valeurs proches du potentiel du plasma et le bombardement ionique est réduit. En conséquence, on ouvre normalement le commutateur 110 quand des espèces neutres ou des niveaux de bombardement plus faibles sont utilisés. Dans ce mode de réalisation, le commutateur 110 est un relais à vide qui permet au support 104 d'être rapidement et facilement commuté entre la masse et un état flottant. Dans des variantes de réalisation, le support 104 peut être sélectivement couplé à une polarisation radiofréquence (RF) pour accélérer les ions vers le substrat pour un traitement renforcé - voir par exemple le brevet US-A-5534231.
La chambre de génération de plasma 114 est située au dessus de la chambre de traitement 106. Une plaque supérieure 116 de la chambre de traitement 106 constitue une masse commune pour les composants de la chambre de génération de plasma 114, et est constituée d'un matériau conducteur tel que de l'aluminium ou analogue. Les parois de la chambre de génération de plasma 114 sont en un matériau non-conducteur tel que du quartz ou de l'alu mine ayant une épaisseur de 4 6 mm. Les parois de la chambre de génération sont fixées par leur base à la plaque supérieure 116 de la chambre de traitement 106. Le couvercle supérieur 118 la chambre de génération de plasma 114 peut être en aluminium au tre matériau conducteur ou peut être en le même matériau que les parois de la chambre de génération. Un joint torique est comprimé entre couvercle supérieur 118 et les parois la chambre de génération de plasma, pour constituer un joint à vide. Une entrée de 122 est prévue à travers le couvercle superieur 118 pour fournir des gaz dans la chambre de génération de plasma 114. Un inducteur adjacent à la chambre de génération de plasma 114, exemple une bobine à induction 124, applique par couplage électromagnétique de la puissance dans la chambre de génération plasma. Dans le mode de réalisation de la figure 1, la bobine à induction 124 est une bobine hélicoïdale constituée d'un tube de cuivre à trois tours encerclant la chambre de géné ration de plasma 114. La bobine à induction 124 est reliée à la source RF 126 par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation d'impédance ou d'un transformateur (non représenté). La fréquence RF est typiquement appliquée au réacteur à une fréquence selon la norme ISM. Habituellement, la puissance est fournie aux bobines par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation d'impédance ou d'un transformateur à une fréquence située dans une plage de 1 à 27 MHz, bien que des fréquences plus basses puissent être utilisées, ce qui présente l'inconvénient de nécessiter une augmentation du nombre de tours de la bobine. L'énergie RF est typiquement appli quée à la bobine à induction à une puissance comprise entre 500 et 3000 watts.
Un écran de Faraday fendu 128 est prévu entre la bobine à induction 124 et la chambre de génération de plasma 114. Le fond de l'écran de Faraday fendu 128 s'appuie sur une bague iso lante 130 qui peut être utilisée pour isoler électriquement l'écran de la plaque supérieure 116 de la chambre de traitement. Des joints toriques comprimés (non représentés) sont utilisés pour constituer un joint à vide. Un commutateur 132 couple sélec- tivement l'écran au potentiel de la masse correspondant à la pla que supérieure 116.
Quand l'écran n'est pas à la masse, la bobine 124 applique inductivement et capacitivement de la puissance dans la chambre de génération de plasma 114. Le couplage inductif tend à provoquer des courants d'électrons circonférentiels dans un plan sensiblement parallèle au substrat semiconducteur. Le couplage capacitif module le plasma et entraîne des particules chargées perpendiculairement vers le substrat semiconducteur. En outre, le plasma produit des espèces neutres dissociées qui diffusent sur la surface du substrat semiconducteur.
Quand l'écran est mis à la masse, ce qui correspond au fait que le commutateur 132 est en position fermée, il réduit le couplage capacitif entre la bobine et le plasma. Bien que le cou plage capacitif soit réduit, il existe encore un certain couplage capacitif par l'intermédiaire des fentes 134 formées dans l'écran. Cette réduction du couplage capacitif réduit alors la modulation du potentiel du plasma et le bombardement du substrat semiconducteur par des particules chargées. Des espèces neutres activées continuent à être produites et circulent sur la surface du substrat. En fait, dans ce mode une partie considérable du courant RF couplé capacitivement dans le plasma à partir de la bobine est renvoyée par l'intermédiaire de la paroi diélectrique de la chambre vers les parois mises à la masse de l'écran.
Le nombre et la dimension des fentes formées par l'écran peuvent être modifiés pour modifier le niveau de couplage capacitif. Dans le mode de réalisation de la figure 1, l'écran de Faraday 128 comporte des fentes étroites, d'une largeur d'environ 1 cm sur la longueur de l'écran à la fois au-dessus et en dessous de la bobine. Toutefois, les fentes sont beaucoup plus larges dans la région voisine des spires de la bobine. Dans cette ré gion, la largeur des fentes est typiquement dans une plage allant d'environ 2 centimètres à une largeur aussi grande qu'environ 9 de la distance entre les fentes, centre à centre, ou toute autre plage intermédiaire. La région de l'écran comportant les fentes plus larges est généralement en face des spires de la bobine hélicoïdale, et s'étend d'environ 0,5 cm à plusieurs cm en des sous de la spire inférieure de la bobine et d'environ 1 à quel- ques centimètres au-dessus de la spire supérieure de la bobine. Dans le mode de réalisation de la figure 1, pour une utilisation avec une tranche de silicium de 200 mm de diamètre, le diamètre de l'écran de Faraday est d'environ 200 mm, les fentes étant dis tantes d'environ 80 mm les unes des autres de centre à centre. Dans ce mode de réalisation, la largeur des fentes dans la région de l'écran adjacente aux spires de la bobine est d'environ 6 6,5 Le but de l'élargissement des fentes dans la région proche de la bobine à induction est de permettre un niveau désiré de couplage capacitif de l'énergie RF de la bobine dans le plasma, que l'écran soit à la masse ou non, augmentant le trans fert d'énergie vers les électrons dans cette région, et augmen tant le taux d'ionisation et de production d'espèces excitées dans la chambre à plasma. Ceci sert également à appliquer un cer tain courant RF dans le plasma (de l'ordre de quelques ampères à 13,56 Mgiz) et à moduler le potentiel du plasma dans une certaine mesure (quelques dizaines de volts à 13,56 MHz). Toutefois, la modulation du potentiel du plasma n'est pas suffisante pour ame ner le plasma à diffuser en dehors de la chambre de génération dans la chambre de traitement tant que l'écran de Faraday est à la masse et peut servir d'anode RF pour recevoir les courants RF provoqués dans le plasma par couplage capacitif à partir de la bobine à induction.
Si l'écran de Faraday est faiblement couplé à la masse et est donc électriquement flottant (par exemple quand le commu tateur 132 de la figure 2 est ouvert), les courants RF provenant de la bobine vers le plasma par couplage capacitif ne peuvent pas facilement revenir à la masse à travers l'écran et doivent circu ler ailleurs vers des surfaces mises à la masse. De telles surfa ces incluent le support 104 et les parois de la chambre de trai tement. Dans ce cas, le plasma s'étend suffisamment pour sortir de la chambre à plasma et recouvrir la région située au-dessus de la tranche. Une gaine d'espace noir relativement étroite (d'un ordre de grandeur de quelques mm) est formée entre le plasma et la tranche. Des ions en provenance du plasma accélèrent à travers cette gaine et bombardent la tranche.
Le commutateur 132 est utilisé pour coupler sélective ment l'écran de Faraday 128 à la masse constituée par la plaque supérieure 116. Quand le commutateur 132 est ouvert, le potentiel de l'écran tend à flotter et un couplage pratiquement capacitif en provenance de la bobine à induction pénètre dans l'écran. En conséquence, le commutateur 132 est typiquement ouvert quand des niveaux plus élevés de bombardement ionique sont souhaités, par exemple pour la gravure ou nettoyage du substrat 102. Quand le commutateur 132 est fermé, l'écran est mis, à la masse ce qui ré duit notablement le couplage capacitif de la bobine à induction vers le plasma. En conséquence, le commutateur 132 est typique- ment fermé quand des espèces neutres sont utilisées avec des ni veaux plus faibles de bombardement pour traiter ou nettoyer des zones sensibles à la surface du substrat. Dans l'exemple de réalisation, le commutateur 132 est un relais de commutateur à vide qui permet à l'écran d'être rapidement et facilement commuté entre la masse et un état flottant.
Le commutateur 132 peut être constitué en prévoyant un circuit LC série similaire avec une impédance variable entre l'écran et la masse, comme le représente la figure 2. Le commuta teur est variable et la capacité est choisie en tenant compte de la capacité parasite Cstray, entre l'écran 128 et d'autres élé ments du réacteur. Comme on l'a décrit ci-dessus, une impédance haute ou basse peut être choisie en accordant le circuit à la résonance parallèle avec Cstray pour une autre impédance et une résonance série pour une faible impédance.
Claims (5)
1. Procédé de nettoyage de résidus de gravure dans lequel on utilise, dans une enceinte plasma au moins 2 % d'hydrogène, une quantité d'oxygène trois fois moindre que la quan tité d'hydrogène et en tout cas inférieure à 2 % du débit total, un bombardement ionique modéré.
2. Procédé de nettoyage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bombardement ionique a une valeur infé rieure à 80 M.A/cm2.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend comme gaz porteur du CF4.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pression gazeuse totale est de l'ordre de 320 à 370 Pa, il est prévu un débit de CF4 de 500 à 1000 cm3/mn, le débit du gaz comprenant l'oxygène est de 500 à 1000 cm3/mn, et la température de tranche est inférieure à 85 C.
5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pression gazeuse totale est de l'ordre de 65 à 95 Pa, il est prévu un débit de CF4 de 375 à 475 cm3/mn, le débit du gaz comprenant l'oxygène est de 100 à 4000 =3/mn, et la température de tranche est inférieure à 100 C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0002193A FR2805185B1 (fr) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0002193A FR2805185B1 (fr) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2805185A1 true FR2805185A1 (fr) | 2001-08-24 |
| FR2805185B1 FR2805185B1 (fr) | 2002-09-20 |
Family
ID=8847255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0002193A Expired - Fee Related FR2805185B1 (fr) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2805185B1 (fr) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4228551A1 (de) * | 1992-08-27 | 1994-03-03 | Linde Ag | Verfahren zur reinigenden Behandlung von Oberflächen mit einem Niederdruckplasma |
| US5534231A (en) * | 1990-01-04 | 1996-07-09 | Mattson Technology, Inc. | Low frequency inductive RF plasma reactor |
| EP0847082A2 (fr) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | France Telecom | Procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une étape de traitement de surface |
| DE19702124A1 (de) * | 1997-01-22 | 1998-07-23 | Linde Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen, Aktivieren Benetzen und/oder Beschichten der Oberflächen von Werkstücken |
-
2000
- 2000-02-22 FR FR0002193A patent/FR2805185B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534231A (en) * | 1990-01-04 | 1996-07-09 | Mattson Technology, Inc. | Low frequency inductive RF plasma reactor |
| DE4228551A1 (de) * | 1992-08-27 | 1994-03-03 | Linde Ag | Verfahren zur reinigenden Behandlung von Oberflächen mit einem Niederdruckplasma |
| EP0847082A2 (fr) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | France Telecom | Procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une étape de traitement de surface |
| DE19702124A1 (de) * | 1997-01-22 | 1998-07-23 | Linde Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen, Aktivieren Benetzen und/oder Beschichten der Oberflächen von Werkstücken |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2805185B1 (fr) | 2002-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6536449B1 (en) | Downstream surface cleaning process | |
| KR101019931B1 (ko) | 낮은 유전상수 물질에 대한 인-시튜 후면 폴리머 제거를 포함하는 플라즈마 유전체 식각 프로세스 | |
| US9941108B2 (en) | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry | |
| US8895449B1 (en) | Delicate dry clean | |
| TWI415186B (zh) | 自基材移除氟化聚合物的設備與方法 | |
| US5780359A (en) | Polymer removal from top surfaces and sidewalls of a semiconductor wafer | |
| US7585777B1 (en) | Photoresist strip method for low-k dielectrics | |
| TWI392000B (zh) | 自基材移除邊緣聚合物的設備與方法 | |
| US20080182422A1 (en) | Methods of etching photoresist on substrates | |
| KR101342779B1 (ko) | 포토레지스트 박리 챔버 및 기판 상의 포토레지스트를 식각하는 방법 | |
| TWI409866B (zh) | 自低ｋ介電材料移除光阻及後蝕刻殘留物之氣體混合物及其使用方法 | |
| JP6579953B2 (ja) | 純還元性プラズマ中で高アスペクト比のフォトレジストを除去する方法 | |
| JPH09321037A (ja) | 基板処理装置排出物からペルフルオロ化合物ガスを低減する方法及び装置 | |
| US11404245B2 (en) | DC bias in plasma process | |
| EP2875517B1 (fr) | Dispositif de traitement d'un objet par plasma | |
| KR101791685B1 (ko) | 수소 이용 화학 반응으로 고용량 주입 스트립(ｈｄｉｓ) 방법 및 장치 | |
| US20130330920A1 (en) | Method and apparatus for substrate preclean with hydrogen containing high frequency rf plasma | |
| KR100272123B1 (ko) | 텅스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법 | |
| FR2805185A1 (fr) | Procede de nettoyage a passivation exempt d'oxygene dans un reacteur plasma a couplage inductif | |
| US20060199393A1 (en) | H20 plasma and h20 vapor methods for releasing charges | |
| US20050287814A1 (en) | H2O plasma for simultaneous resist removal and charge releasing | |
| US7452660B1 (en) | Method for resist strip in presence of low K dielectric material and apparatus for performing the same | |
| TW202217922A (zh) | 在處理期間的基板輻射及其系統 | |
| Ha et al. | Aluminum Etch and After-Corrosion Characteristics in am= 0 Helicon Wave Plasma Etcher | |
| JP2007251034A (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20091030 |