FR2787610A1 - Card integrated circuit capable of preventing a semiconductor chip mounted thereon to fracture - Google Patents

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Abstract

Carte à circuit intégré, qui peut supporter une charge qui est appliquée à celle-ci sous forme d'une flexion ou d'une application de pression en un point et permet d'empêcher une puce de semiconducteur de se fracturer. IC card, which can support a load applied thereto in the form of a bending or pressure applied at a point and possible to prevent a semiconductor chip fracture. La carte à circuit intégré (1) présente une structure à trois couches comprenant une feuille de circuit (2), une feuille intermédiaire (3), et une feuille de couverture (4). The IC card (1) has a three-layer structure comprising a circuit sheet (2), an intermediate sheet (3), and a cover sheet (4). Sur une première surface de la feuille de circuit, un motif de circuit (5) et une puce de semiconducteur (6) sont disposés, la puce de semiconducteur est moulée avec un élément de joint (7), et une plaque de renfort (10) faite d'une plaque inoxydable est disposée juste au-dessus de l'élément de joint. On a first surface of the circuit sheet, a circuit pattern (5) and a semiconductor chip (6) are arranged, the semiconductor chip is molded with a seal member (7), and a reinforcing plate (10 ) made of a stainless plate is disposed just above the seal member. Lorsque la plaque de renfort présente un module d'Young de 100 à 300 GPa et que l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré est à l'intérieur de 400 à 900 m, l'épaisseur t de la plaque de renfort est sélectionnée pour satisfaire l'une des équations suivantes (1), (2).t > (1,04 x 10-6 )T4 - (5,26 x 10-4 ) T3 + (1,02 x 10-1 )T2 - 9,12T + 3,55 x 102 --(1) t > (7,22 x 10-7 )T4 - (4,0 x 10-4 ) T3 + (8,08 x 10-1 )T2 - 7,61T + 3,3 x 102 --(2) Ici, T représente l'épaisseur de la puce de semiconducteur. When the reinforcing plate has a Young's modulus of 100 to 300 GPa and that the total thickness of the IC card is within 400 to 900 m, the thickness t of the reinforcing plate is selected to satisfy one of the following equations (1), (2) .t> (1.04 x 10-6) T4 - (5.26 x 10-4) + T3 (1.02 x 10-1) T2 - 9,12T + 3.55 x 102 - (1) t> (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 10-4) T3 + (8.08 x 10-1) T2 - 7,61T + 3.3 x 102 - (2) Here, T represents the thickness of the semiconductor chip.

Description

i 2787610 i 2787610

CARTE A CIRCUIT INTEGRE CAPABLE D'EMPECHER UNE PUCE DE INTEGRATED CIRCUIT CARD ABLE TO PREVENT CHIP

SEMICONDUCTEUR MONTEE SUR CELLE-CI DE SE FRACTURER SEMICONDUCTOR UP ON IT TO FRACTURE

Description Description

Cette invention se rapporte à une carte à circuit intégré (CI), et en particulier à une carte à circuit intégré comportant une puce de semiconducteur ayant une fonction d'unité centrale etc..., et en particulier à une carte à circuit intégré capable d'empêcher une puce de semiconducteur de se fracturer durant une This invention relates to an integrated circuit (IC) card, and in particular to an IC card having a semiconductor chip having a function CPU etc ..., and in particular to an IC card capable to prevent a semiconductor chip to fracture during a

utilisation réelle. actual use.

En tant que carte classique, une carte du type à enregistrement magnétique telle qu'une carte de paiement, une carte de crédit et autre sont largement utilisées. As a classic card, a magnetic recording type of card such as a debit card, credit card and other widely used. Ce type de carte est fabriqué en étalant une bande magnétique sur une carte en matière plastique de sorte que les informations enregistrées sur celle-ci sont lues. This type of card is manufactured by spreading a magnetic strip on a plastic card so that information recorded thereon is read. Dans cette sorte de carte du type à enregistrement magnétique, il se posait un problème en ce que les nformations peuvent être aisément déchiffrées par une tierce personne, et en ce que la capacité d'enregistrer des In this kind of map of the magnetic recording type, there arose a problem in that the nformation can be easily decrypted by a third party, and that the ability to record

informations est relativement faible. information is relatively small.

De ce fait, récemment, une carte à circuit intégré dans laquelle une puce de semiconducteur présentant une fonction de mémoire, une fonction d'unité centrale ou autre est montée sur un substrat du type carte a été développée, et est déjà mise en pratique. Therefore, recently, an IC card in which a semiconductor chip having a memory function, a CPU function or the like is mounted on a card-type substrate has been developed and is already put into practice. En général ce type de carte à circuit intégré comporte une structure à trois couches comprenant une feuille de circuit sur laquelle la puce à semiconducteur présentant un motif de circuit est montée, une feuille intermédiaire comportant un creux pour contenir la puce de semiconducteur et montée sur la feuille de circuit, et une feuille de couverture prévue pour In general this type of IC card has a three-layer structure comprising a circuit sheet on which the semiconductor chip having a circuit pattern is mounted, an intermediate sheet having a recess for holding the semiconductor chip and mounted on the circuit sheet, and a cover sheet provided for

recouvrir la feuille intermédiaire. covering the intermediate sheet.

Dans ce cas, la carte à circuit intégré présentant la structure décrite ci-dessus est relativement fragile vis-à-vis In this case, the IC card having the structure described above is relatively fragile vis-à-vis

2 2787610 2 2787610

d'une force de flexion appliquée à la puce de semiconducteur, et peut se trouver mise hors service en raison d'une fracture de la puce de semiconducteur. a bending force applied to the semiconductor chip, and can be taken out of service due to a fracture of the semiconductor chip. Pour résoudre ce problème et pour améliorer la caractéristique anti-flexion de la puce de semiconducteur, certaines contre-mesures sont proposées dans les To resolve this issue and improve the anti-bending characteristic of the semiconductor chip, some against-measures are proposed in

documents JP A 9-156 265, JP A 9-263 082, par exemple. JP-A-9-156 265, JP-A-9-263 082, for example.

Une carte à circuit intégré décrite dans le document JP A 9- An IC card described in JP A 9-

156 265 est fabriquée grâce aux étapes suivantes. 156 265 is manufactured through the following steps. C'est-à-dire qu'une puce de semiconducteur est montée sur un substrat de circuit et une pièce d'espacement comportant un creux pour contenir la puce de semiconducteur est collée au substrat de circuit. That is to say, a semiconductor chip is mounted on a circuit substrate and a spacer having a hollow for holding the semiconductor chip is bonded to the circuit substrate. En outre, une plaque inoxydable en tant que plaque de renfort présentant une épaisseur d'approximativement 30 pm et formée légèrement plus grande que le creux, est agencée juste au-dessus de la puce de semiconducteur. In addition, a stainless plate as a reinforcing plate having a thickness of approximately 30 pm and formed slightly larger than the hollow, is arranged just above the semiconductor chip. Après cela, un film de couverture est collé sur la plaque inoxydable. After that, a cover film is bonded to the stainless plate. Au contraire, une carte à circuit intégré décrite dans le document JP A 9- 263 082 est fabriquée en collant une plaque inoxydable en tant que plaque de renfort présentant une épaisseur d'approximativement 20 pm sur au moins une surface de côté de la puce de semiconducteur. On the contrary, an IC card described in JP A 9- 263 082 is manufactured by bonding a stainless plate as a reinforcing plate having a thickness of approximately 20 microns on at least one side surface of the chip semiconductor. Après cela, la puce de semiconducteur est modifiée en inter-couche de type feuille, et des feuilles sont collées à la fois sur la surface principale et la surface After that, the semiconductor chip is changed inter-layer sheet-like, and sheets are glued on both the main surface and the surface

arrière de l'inter-couche. back of the interlayer.

Dans ce cas, divers types de charges sont appliqués à la carte à circuit intégré durant son utilisation réelle. In this case, various types of loads are applied to the IC card during its actual use. En général, la charge est classée en deux types, c'est-à-dire une charge de flexion pour laquelle la carte à circuit intégré se courbe suivant un arc circulaire ou se voile, et une charge de pression en un point pour laquelle une force de pression est appliquée localement à la carte à circuit intégré. In general, the charge is classified into two types, that is to say, a bending load to which the IC card is curved in a circular arc or veil, and a pressure gauge at a point for which a pressing force is locally applied to the IC card. Avec ce type de charge, comme la dureté de la puce de semiconducteur est substantiellement améliorée en agençant une plaque de renfort sur au moins une surface de la puce de semiconducteur, elle peut With this type of load, such as the hardness of the semiconductor chip is substantially improved by arranging a reinforcing plate on at least one surface of the semiconductor chip, it can

empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer. prevent the semiconductor chip fracture.

Cependant, conformément à un résultat expérimental, il se trouve que le procédé de renfort classique pour la puce de semiconducteur dans lequel la plaque de renfort est agencée sur une surface de la puce de semiconducteur, ne peut pas toujours empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer. However, according to an experimental result, it is found that the conventional reinforcing method for the semiconductor chip wherein the reinforcing plate is arranged on a surface of the semiconductor chip, can not always prevent the semiconductor chip to fracture. C'est-à-dire That is to say

3 2787610 3 2787610

qu'il se trouve qu'une contrainte générée dans la puce de semiconducteur peut être augmentée par comparaison à celle sans la plaque de renfort, lorsque la charge est appliquée à la carte à circuit intégré par flexion ou pression sur un point, suivant la relation entre l'épaisseur de la plaque de renfort et it is a stress generated in the semiconductor chip can be increased compared to that without the reinforcing plate, when the load is applied to the IC card by bending or pressing a point, according to the relation between the thickness of the reinforcing plate and

l'épaisseur de la puce de semiconducteur. the thickness of the semiconductor chip.

Cette invention a été conçue au vu de l'arrière-plan décrit jusqu'à présent et son premier but est de réaliser une carte à circuit intégré, qui permet de supporter une charge qui lui est appliquée sous forme d'une flexion ou d'une pression sur un point et permet d'empêcher une puce de semiconducteur de se fracturer. This invention has been conceived in view of the background thus far described and its first object is to provide an IC card, which allows to support a load applied thereto as a bending or a pressure on a point and possible to prevent a semiconductor chip fracture. Conformément à la présente invention, une carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit comportant un circuit conducteur, une puce de semiconducteur montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort stratifiée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et une feuille de couverture stratifiée sur la According to the present invention, an IC card comprising: a circuit substrate having a conductor circuit, a semiconductor chip mounted on the circuit substrate, a laminated reinforcing plate on the semiconductor chip in order to enhance the chip semiconductor, and a laminate coversheet on

plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur. reinforcing plate, which protects the semiconductor chip.

Dans ce cas, lorsque l'épaisseur de la puce de semiconducteur est T, l'épaisseur t de la plaque de renfort est dans une plage In this case, when the thickness of the semiconductor chip is T, the thickness t of the reinforcing plate is in a range

satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et (2). satisfying at least one of the following equations (1) and (2).

t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8, 08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) Conformément à la présente invention, comme l'épaisseur t de la plaque de renfort est choisie de façon à satisfaire l'une des équations (1) et (2), elle peut empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer même si l'un des cas suivants (A), (B) est provoqué. t> (1.04 x 10-6) T4 - (5.26 x 10-4) + T3 (1.02 x 10-1) T2 - 9,12T + 3.55 x 102 --- (1) t> (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 10-4) + T3 (8, 08 x 10-1) T2 - 7,61T + 3.3 x 102 --- (2) according to the present invention, as the thickness t of the reinforcing plate is selected so as to satisfy one of the equations (1) and (2), it can prevent the semiconductor chip to fracture even if one of the following cases (A), (B) is caused. En outre, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort est choisie de façon à satisfaire l'équation (2), elle peut empêcher la puce de semiconducteur de se fracturer même si l'un des cas (A), (B) ou le cas suivant (C) Further, when the thickness t of the reinforcing plate is selected so as to satisfy equation (2), it can prevent the semiconductor chip to fracture even if one of the cases (A), (B) or the following case (C)

est provoqué. is caused.

(A) un premier cas dans lequel l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré étant dans la poche revolver du pantalon, (B) un second cas dans lequel la carte à circuit intégré est pressée par une protubérance relativement pointue telle qu'une (A) a first case in which the user is seated on a chair, the IC card being in the back pocket of the pants, (B) a second case where the IC card is pressed by a relatively sharp protrusion such as

4 2787610 4 2787610

pointe d'un stylo à bille, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré, (C) un troisième cas dans lequel la carte à circuit intégré dans un sac à main ou analogue est pressée par un bouton ou autre du sac à main ou des vêtements, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point relativement large de la a ballpoint pen, that is to say, a pressing force is applied to a very narrow point of the IC card, (C) a third case wherein the IC card into a purse or the like is pressed by a knob or other handbag or clothing, that is to say, a pressure force is applied over a relatively wide point of the

carte à circuit intégré. IC card.

Ceux-ci et d'autres buts, configurations et caractéristiques de la présente invention seront appréciés d'après une étude de These and other objects, configurations and features of the present invention will be appreciated from a study of

la description détaillée suivante, des revendications annexées the following detailed description, appended claims

et des dessins, la totalité faisant partie de cette demande. and drawings, all forming part of this application. Sur les dessins, des parties identiques ou des parties correspondantes reçoivent les mêmes références numériques les In the drawings, identical or corresponding parts are given the same reference numerals the

unes et les autres afin d'éliminer une explication redondante. one and the other to eliminate redundant explanation.

Sur les dessins: La figure 1 est une vue en coupe simplifiée d'une carte à circuit intégré d'un mode de réalisation préféré conforme à la présente invention, La figure 2 est une vue en perspective de la carte à circuit intégré avant d'être montée, La figure 3 est un graphe illustrant un examen par flexion, La figure 4 est un graphe illustrant un examen par application de pression sur un point étroit, La figure 5 est un graphe illustrant un examen par application de pression sur un point obtus, Les figures 6A et 6B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par flexion, Les figures 7A et 7B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par application de pression sur un point étroit, Les figures 8A et 8B sont des graphes illustrant les résultats expérimentaux de l'examen par application de pression sur un point obtus, La figure 9 est un graphe illustrant une première courbe destinée à calculer une équation d'une In the drawings: Figure 1 is a simplified sectional view of an IC card of a preferred embodiment according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of the IC card before be mounted, Figure 3 is a graph depicting an examination by bending, Figure 4 is a graph depicting an examination by applying pressure to a narrow point, Figure 5 is a graph depicting an examination by applying pressure to an obtuse item , figures 6A and 6B are graphs illustrating experimental results of the examination by bending, figures 7A and 7B are graphs illustrating experimental results of the examination by applying pressure to a narrow point, figures 8A and 8B are graphs illustrating experimental results of the examination by applying pressure to an obtuse point Figure 9 is a graph depicting a first curve for calculating an equation of a paisseur d'une plaque de renfort, et La figure 10 est un graphe illustrant une second courbe destinée à calculer une équation de l'épaisseur de la plaque de thickness of a reinforcing plate, and Figure 10 is a graph illustrating a second curve for calculating an equation of the thickness of the plate

renfort. reinforcement.

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[Premier mode de réalisation] Un mode de réalisation préféré de la présente invention sera [First embodiment] A preferred embodiment of the present invention will

expliqué ci-après en faisant référence aux dessins annexés. explained below with reference to the accompanying drawings.

Tout d'abord, comme indiqué sur les figures 1 et 2, une carte à circuit intégré 1 est constituée d'une feuille de circuit 2 en tant que substrat de circuit, d'une feuille intermédiaire 3 et d'une couche de liaison intermédiaire, ainsi First, as shown in Figures 1 and 2, an IC card 1 comprises a circuit sheet 2 as a circuit substrate, an intermediate sheet 3 and an intermediate bonding layer , so

que d'une feuille de couverture 4. as a cover sheet 4.

La feuille de circuit 2 est formée d'une feuille constituée de matière plastique telle qu'une matière plastique à base de polyester, concrètement du PET (polytéréphtalate d'éthylène). The circuit sheet 2 is formed of a sheet of plastic material such as a plastic material based on polyester, specifically PET (polyethylene terephthalate). Un motif de circuit 5 présentant une forme enroulée en tant que circuit conducteur est formé sur une surface de la feuille de circuit 2, et également une puce de semiconducteur 6 reliée au motif de circuit 5 est montée sur la une surface de la feuille de circuit 2. La puce de semiconducteur 6 est moulée par un élément de joint 7, qui est fait d'un matériau relativement dur tel qu'une matière plastique à base d'époxy. A circuit pattern 5 having a coiled shape as driver circuit is formed on a surface of the circuit sheet 2, and also a semiconductor chip 6 connected to the circuit 5 pattern is mounted on the one surface of the circuit sheet 2. The semiconductor chip 6 is molded by a seal member 7, which is made of a relatively hard material such as plastic epoxy-based. L'élément de joint 7, la feuille intermédiaire 3, et la feuille de couverture 4 définissent un boîtier 8 destiné à protéger la puce de The seal element 7, the intermediate sheet 3 and the cover sheet 4 define a housing 8 for protecting the chip

semiconducteur 6. 6 semiconductor.

Dans ce mode de réalisation, le motif de circuit 5 présentant la forme enroulée est formé par un moyen de sérigraphie en utilisant une pate conductrice telle qu'une pâte d'argent (Ag) à base de polyester, et la puce de semiconducteur 6 est montée par un collage conducteur anisotrope 9, par exemple en utilisant un procédé de puce à bosses. In this embodiment, the circuit pattern 5 having the coiled shape is formed by a screen printing means using a conductive paste such as a silver paste (Ag) based on polyester, and the semiconductor chip 6 is mounted with an anisotropic conductive adhesive 9, for example using a flip chip method. Le motif de circuit 5 fonctionne en tant qu'élément pour la communication des signaux (émission/réception) avec un dispositif externe et joue également le rôle d'une antenne pour émettre/recevoir des signaux radio. The circuit pattern 5 works as an element for communication signals (transmission / reception) with an external device and also acts as an antenna for transmitting / receiving radio signals. Dans ce mode de réalisation, l'énergie pour mettre en oeuvre l'unité centrale et autre formée sur la puce de semiconducteur 6 est fournie par le signal radio provenant du In this embodiment, energy to implement the CPU and other formed on the semiconductor chip 6 is provided by the radio signal from the

dispositif externe reçu par le motif de circuit 5. external device received by the circuit pattern 5.

La feuille intermédiaire 3 est faite d'une matière plastique du type thermofusible qui passe à l'état liquide par fusion lorsqu'elle est chauffée, telle qu'un adhésif fusible à base de polyester. The intermediate sheet 3 is made of a plastic melt type which passes the liquid state by melting when heated, such as a polyester-based hot melt adhesive. La feuille intermédiaire 3 protège non seulement le motif de circuit 5, la puce de semiconducteur 6 etc..., mais colle également la feuille intermédiaire 3 elle-même à la The intermediate sheet 3 not only protects the circuit pattern 5, the semiconductor chip 6 ... etc, but also glue the intermediate sheet 3 itself to

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feuille de circuit 2 et à la feuille de couverture 4 de façon à recouvrir le motif de circuit 5, la puce de semiconducteur 6 et autre sans interstices. circuit sheet 2 and the cover sheet 4 so as to cover the circuit pattern 5, the semiconductor chip 6 and the other without interstices. En outre, la feuille de couverture 4 a pour fonction de protéger la feuille intermédiaire 3, laquelle est relativement molle, et la feuille de couverture 4 est faite d'une feuille de polytéréphtalate d'éthylène comme la feuille de In addition, the cover sheet 4 has the function of protecting the intermediate sheet 3, which is relatively soft, and the cover sheet 4 is made of a polyethylene terephthalate sheet as the sheet

circuit 2, par exemple. circuit 2, for example.

De manière à fabriquer cette carte à circuit intégré présentant une structure à trois couches, la puce de semiconducteur 6 est montée sur la feuille de circuit 2, et ensuite la puce de semiconducteur 6 est recouverte de la matière plastique à base d'époxy pour former l'élément de joint 7. Comme la matière plastique à base d'époxy présente un état liquide à la température ambiante avant d'être durcie, elle peut recouvrir une partie environnante de la puce de semiconducteur 6 sans In order to manufacture this IC card having a three-layer structure, the semiconductor chip 6 is mounted on the circuit sheet 2, and then the semiconductor chip 6 is covered with the plastic epoxy base to form the seal member 7. As the plastic epoxy base has a liquid state at room temperature before being cured, it can cover a surrounding portion of the semiconductor chip 6 without

interstices en raison de son état liquide. gaps due to its liquid state.

Après moulage de la puce de semiconducteur 6 avec l'élément de joint 7, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4 sont stratifiées sur celle-ci dans cet ordre. After molding the semiconductor chip 6 with the seal member 7, the intermediate sheet 3 and the cover sheet 4 are laminated thereon in this order. Après cela, une structure stratifiée est collée par thermocompression After that, a laminated structure is bonded by thermocompression

en utilisant un dispositif de presse thermique non-représenté. using a thermal press device not shown.

Il en résulte que, comme l'adhésif fusible constituant la feuille intermédiaire 3 est fondu en étant chauffé de façon à présenter un état liquide, l'adhésif fusible fondu recouvre le motif de circuit 5 et l'élément de joint 7 sans interstices. It follows that, as the fusible adhesive constituting the intermediate sheet 3 is melted by being heated so as to have a liquid state, the molten hot-melt adhesive covers the circuit pattern 5 and the joint member 7 without interstices. En même temps, la feuille intermédiaire 3 est comprimée de façon à présenter une épaisseur uniforme en étant pressée à la fois depuis les côtés supérieur et inférieur, et se colle à la feuille de circuit 2 et à la feuille de couverture 4. Après At the same time, the intermediate sheet 3 is compressed so as to have a uniform thickness by being pressed from both upper and lower sides, and sticks to the circuit sheet 2 and the cover sheet 4. After

cela, la feu--le intermédiaire 3 est durcie par refroidissement. this, the fire - the intermediate 3 is hardened by cooling.

Il résulte de ces étapes que la carte à circuit intégré 1 présentant la structure à trois couches comprenant la feuille de circuit 2, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de The result of these steps that the IC card 1 having the three-layer structure comprising the circuit sheet 2, the intermediate sheet 3 and the foil

couverture 4, est formée. cover 4 is formed.

Dans la carte à circuit intégré 1 décrite ci-dessus, comme la feuille de circuit 2 et la feuille de couverture 4 sont faites de PET, et que la feuille intermédiaire 3 est faite d'un adhésif fusible à base de polyester, les deux présentant une élasticité, la carte à circuit intégré 1 se courbe de façon souple avec élasticité lorsqu'une force de flexion lui est appliquée. In the IC card 1 described above, as the circuit sheet 2 and the cover sheet 4 are made of PET, and the intermediate sheet 3 is made of a hot melt adhesive based on polyester, both having elasticity, the IC card 1 is flexibly curve with elasticity when a bending force is applied thereto. Lorsque la carte à circuit intégré est courbée, la puce de semiconducteur 6 peut se fracturer en raison de la force de flexion appliquée à la puce de semiconducteur 6. De ce fait, la plaque de renfort 10 est prévue pour améliorer substantiellement la dureté en renforçant la puce de semiconducteur 6. La plaque de renfort 10 est formée pratiquement de même taille que l'élément de joint 7, et est agencée sur l'élément de joint 7 par superposition sur celui-ci après que la puce de semiconducteur 6 soit scellée par l'élément de joint 7. Dans ce cas, la plaque de renfort 10 est positionnée de façon à ce que le centre de la plaque de renfort 10 corresponde pratiquement à celui de la puce de semiconducteur 6. Après cela, comme la feuille de circuit 2, la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4 sont collées par thermocompression comme décrit ci-dessus, la plaque de renfort 10 est recouverte de l'adhésif fusible sans interstices par l'adhésif fusible When the IC card is bent, the semiconductor chip 6 can fracture due to the bending force applied to the semiconductor chip 6. Therefore, the reinforcing plate 10 is provided to substantially improve the hardness by increasing the semiconductor chip 6. the reinforcing plate 10 is formed substantially the same size as the seal element 7, and is arranged on the joint member 7 by superimposing thereon after the semiconductor chip 6 is sealed by the sealing member 7. in this case, the reinforcing plate 10 is positioned so that the center of the reinforcing plate 10 substantially corresponds to that of the semiconductor chip 6. After that, as sheet circuit 2, the intermediate sheet 3 and the cover sheet 4 are bonded by thermocompression bonding as described above, the reinforcement plate 10 is coated with the melt adhesive without gaps by the fusible adhesive constituant la constituting the

feuille intermédiaire 3 qui est fondue. intermediate sheet 3 which is melted.

Ici, une surface supérieure de la puce de semiconducteur 6 (se reporter à la figure 1) est formée en une surface de miroir 6a. Here, an upper surface of the semiconductor chip 6 (see Figure 1) is formed into a mirror surface 6a. C'est-à-dire qu'un circuit intégré est formé sur une surface inférieure 6b de la puce de semiconducteur 6 (le côté de la feuille de circuit 2), et la surface supérieure 6a présente une surface de miroir qui est meulée par un meulage de face arrière pendant que la puce de semiconducteur est encore à l'état de tranche. This is to say, an integrated circuit is formed on a bottom surface 6b of the semiconductor chip 6 (the side of the circuit sheet 2), and the upper surface 6a has a mirror surface which is ground by grinding a rear face while the semiconductor chip is still in the wafer state. De ce fait, la surface supérieure de la puce de semiconducteur 6 sera appelée surface de miroir et la surface Therefore, the upper surface of the semiconductor chip 6 will be called mirror surface and the surface

inférieure sera appelée surface de circuit, ci-après. lower will be called circuit surface, below.

La plaque de renfort 10 est faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de 100 à 300 GPa (gigapascal) tel qu'une plaque d'acier inoxydable. The reinforcing plate 10 is made of a material whose Young's modulus is within a range of 100 to 300 GPa (gigapascal) such as a stainless steel plate. En général, plus l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est épaisse, Generally, the larger the thickness of the reinforcing plate 10 is thick,

meilleur est l'effet de renfort de la plaque de renfort 10. the better the reinforcing effect of the reinforcing plate 10.

Cependant, pendant un état de charge tel que la flexion ou l'application de pression en un point habituellement provoqué et en utilisation réelle, la contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 peut être augmentée de façon indésirable suivant la relation avec l'épaisseur de la puce de However, during a charge state such as the bending or the application of pressure in a usually caused and actual use item, the stress applied to the semiconductor chip 6 can be increased undesirably according to the relationship with the thickness of chip

semiconducteur 6 même si la plaque de renfort 10 est prévue. semiconductor 6 even if the reinforcing plate 10 is provided.

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De ce fait, un certain examen comprenant un examen par flexion, deux types d'examens par application de pression en un point, sont entrepris sur la carte à circuit intégré 1 de manière à étudier l'épaisseur de la plaque de renfort 10, de manière à ce que la puce de semiconducteur 6 présente une durabilité sans fracture importante, sous forme d'une relation Therefore, a certain examination, including examination by bending two types of examinations by applying pressure at a point, are undertaken on the IC card 1 so as to examine the thickness of the reinforcing plate 10 of so that the semiconductor chip 6 has a durability without substantial fracture in the form of a relationship

avec l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6. with the thickness of the semiconductor chip 6.

Comme indiqué sur la figure 3, l'examen par flexion est exécuté grâce aux étapes suivantes. As shown in Figure 3, the examination by bending is executed by the following steps. La carte à circuit intégré 1 est montée sur un mandrin 11 présentant un rayon de 40 mm, de sorte que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 soit positionnée face du côté inférieur. The IC card 1 is mounted on a mandrel 11 having a radius of 40 mm, so that the mirror surface face 6a of the semiconductor chip 6 is positioned opposite the lower side. La totalité de la carte à circuit intégré 1 est pressée par urn montage de maintien présentant un arc circulaire de façon à courber la carte à circuit intégré 1 suivant une surface extérieure cylindrique du mandrin 11. Après cela, une contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 est détectée et calculée en utilisant une analyse par éléments finis par simulation de l'examen, et il est détecté si la puce de semiconducteur 6 The whole of the IC card 1 is pressed by urn holding assembly having a circular arc so as to bend the IC card 1 according to a cylindrical outer surface of the mandrel 11. After this, a stress applied to the semiconductor chip 6 is detected and calculated using a finite element analysis simulation of the examination, and it is detected whether the semiconductor chip 6

comporte des fractures ou non. includes fracture or not.

Il existe deux types d'examens par application de pression, c'est-à-dire l'examen par application de pression en un point étroit et l'examen par application de pression en un point obtus. There are two types of examinations by applying pressure, that is to say, the examination by applying pressure in a narrow point and examination by applying pressure in an obtuse points. Chacun des examens par application de pression en un point calcule une contrainte appliquée à la puce de semiconducteur 6 durant l'application de pression sur la carte à circuit intégré 1 là o la puce de semiconducteur 6 (la plaque de renfort 10) est sollicitée par des dents hémisphériques 13, 14. Chacun des examens par application de pression en un point détecte également si la puce de semiconducteur 6 comporte des fractures ou non. Each of the pressure application by examinations at a point calculates a stress applied to the semiconductor chip 6 during the application of pressure on the integrated circuit card 1 then o the semiconductor chip 6 (the reinforcing plate 10) is biased by hemispherical teeth 13, 14. Each of the pressure application by examinations at a point also detects whether the semiconductor chip 6 includes fracture or not. Dans ces examens, la carte à circuit intégré 1 est montée sur une plaque de caoutchouc 15 présentant une épaisseur de 20 mm, de sorte que la face de surface de miroir 6a In these examinations, the IC card 1 is mounted on a rubber plate 15 having a thickness of 20 mm, so that the mirror surface face 6a

de la puce de semiconducteur 6 est installée du côté supérieur. of the semiconductor chip 6 is installed on the upper side.

Dans cette situation, la carte à circuit intégré 1 est pressée par la dent 13 présentant un diamètre de 1,5 mm avec une force de pressage de 10 N (newton) au cours de l'examen par application de pression en un point aigu, et est pressée par la dent 14 présentant un diamètre de 10 mm avec une force de In this situation, the IC card 1 is pressed by the tooth 13 having a diameter of 1.5 mm with a pressing force of 10 N (newton) during examination by applying pressure in an acute point and is pressed by the tooth 14 having a 10 mm diameter with a force of

9 2787610 9 2787610

pression de 17 N dans le cas de l'examen par application de pressure of 17 N in the case of the examination by applying

pression en un point obtus. pressure in an obtuse points.

Ici, les raisons du montage de la carte à circuit intégré 1 sur le mandrin 11 de façon à ce que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 soit installée du côté inférieur dans l'examen par flexion, et du montage de la carte à circuit intégré 1 sur la plaque de caoutchouc 15 de façon à ce que la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur Here, the reasons for the mounting of the IC card 1 over the mandrel 11 so that the side of mirror surface 6a of the semiconductor chip 6 is installed on the lower side in the review by bending and assembly of the IC card 1 of the rubber plate 15 so that the mirror surface face 6a of the semiconductor chip

6 soit installée du côté supérieur sont les suivantes. 6 is installed on the upper side are as follows. C'est-à- That is,

dire que lorsque la carte à circuit intégré 1 est pressée par le montage de maintien 12, ou bien par la dent hémisphérique 13 ou 14, la carte à circuit intégré 1 est courbée de sorte que la face de feuille de circuit 2 prend une forme convexe. that when the IC card 1 is pressed by the assembly holding 12, or by the hemispherical tooth 13 or 14, the IC card 1 is bent so that the circuit face sheet 2 assumes a convex shape . Dans ce cas, on considère que l'axe neutre de flexion de la carte à circuit intégré 1 existe sur la face de surface de miroir 6a par rapport au centre de la direction de l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6, comme indiqué par une ligne à traits et points alternés p sur la figure 1. De ce fait, une contrainte de compression est générée au niveau de la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6, alors qu'une contrainte en traction est générée au niveau de la face de In this case, it is considered that the neutral axis of bending of the IC card 1 is on the mirror surface face 6a with respect to the center of the thickness direction of the semiconductor chip 6, as indicated by a line alternating dots and dashes p in Figure 1. as a result, a compressive stress is generated at the mirror surface face 6a of the semiconductor chip 6, while a tensile stress is generated at on the face of

surface de circuit 6b. circuit surface 6b.

Ici, la face de surface de miroir 6a de la puce de semiconducteur 6 présente une dureté élevée du fait que cette surface est faite du monocristal de la tranche, alors que la face de surface de circuit 6b présente une faible dureté car des impuretés sont implantées dans celleci pour former un circuit intégré ou du fait que la surface présente des aspérités. Here, the mirror surface of face 6a of the semiconductor chip 6 has a high hardness that the surface is made of the wafer of single crystal, so that the circuit surface side 6b has a lower hardness because the impurities are implanted in the latter to form an integrated circuit or that the surface has asperities. De ce fait, la puce de semiconducteur 6 se fracture aisément lorsque la contrainte de traction est appliquée à la carte à circuit intégré 1 de telle sorte que la face de surface de circuit 6b prend une forme convexe, par comparaison au cas o la même contrainte de flexion est appliquée à la carte à circuit intégré 1 de sorte que la face de surface de miroir 6a prend une forme convexe. Thereby, the semiconductor chip 6 is easily broken when the tensile stress is applied to the IC card 1 so that the circuit surface side 6b takes a convex shape in comparison to the case where the same stress bending is applied to the IC card 1 so that the mirror surface of face 6a assumes a convex shape. De ce fait, la carte à circuit intégré 1 est montée de manière à ce que la face de surface de circuit 6a prenne une forme convexe lorsque la carte à circuit intégré 1 est courbée au cours de l'examen par flexion, et de l'examen par application Thereby, the IC card 1 is mounted so that the circuit surface side 6a assumes a convex shape when the IC card 1 is bent during the examination by bending, and the Application review

de pression en un point. pressure at a point.

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Ces examens comprenant l'examen par flexion, l'examen par application de pression en un point aigu et i'examen par application de pression en un point obtus correspondent aux conditions de charge caractéristiques pendant une utilisation réelle. These exams including the exam by bending, examination by applying pressure in a sharp point, and the examination by applying pressure in an obtuse point amount to the load characteristics during actual use. C'est-à-dire que divers types de charges sont appliqués à la That is to say that various types of loads are applied to the

carte à circuit intégré 1 durant l'utilisation réelle. integrated circuit card 1 during actual use.

Cependant, la plupart des charges peuvent être classées comme suit, c'est-à-dire, (A) un premier cas dans lequel l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver de pantalon de l'utilisateur, (B) un second cas dans lequel la carte à circuit intégré 1 est pressée par une protubérance relativement pointue telle que la pointe d'un stylo à bille, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1, et (C) un troisième cas dans lequel la carte à circuit intégré 1 dans un sac à main ou analogue est pressée par un bouton ou autre du sac ou des vêtements, c'est-à-dire qu'une force de pression est appliquée sur un point relativement large However, most of the charges can be classified as follows, that is to say, (A) a first case in which the user is sitting on a chair, the integrated circuit card 1 being in the hip pocket of pants of the user, (B) a second case where the IC card 1 is pressed by a relatively sharp protrusion such that the tip of a ballpoint pen, that is to say, a pressing force is applied to a very narrow point of the IC card 1, and (C) a third case in which the IC card 1 in a hand or the like bag is pressed by a knob or other of the bag or clothes, that is to say, a pressing force is applied to a relatively wide focus

de la carte à circuit intégré 1. of the IC card 1.

De ce fait, l'examen par flexion qui est représenté sur la figure 3 a conduit à analyser le premier cas, l'examen par application de pression en un point étroit comme indiqué sur la figure 4 a conduit à analyser le second cas, et l'examen par application de pression en un point obtus comme indiqué sur la Therefore, the examination by bending which is shown in Figure 3 has led to analyze the first case, application of pressure by the examination in a narrow point as shown in Figure 4 has led to analyze the second case, and pressure application review by an obtuse point, as shown in

figure 5 a conduit à analyser le troisième cas. Figure 5 led to analyze the third case.

La figure 6 représente les résultats expérimentaux de l'examen par flexion. Figure 6 shows experimental results of the examination by bending. La figure 7 représente les résultats expérimentaux de l'examen d'application de pression en un point aigu, et la figure 8 représente les résultats expérimentaux de l'examen d'application de pression en un point obtus, respectivement. 7 shows the experimental results of the pressure application examination in an acute point and Figure 8 shows experimental results of the pressure application examination in an obtuse point respectively. Ici, les figures 6A, 7A, 8A représentent la contrainte maximum dans la surface de circuit 6b, respectivement, et les figures 6B, 7B, 8B représentent la contrainte maximum appliquée à la partie de bord (quatre bords Here, 6A, 7A, 8A show the maximum stress in the circuit surface 6b, respectively, and Figures 6B, 7B, 8B show the maximum stress applied to the edge portion (four edges

périphériques) de la puce de semiconducteur 6, respectivement. devices) of the semiconductor chip 6, respectively.

Sur ces figures, les plages de contraintes à l'intérieur desquelles la puce de semiconducteur 6 ne se fracture pas sont indiquées avec des lignes obliques (hachures). In these figures, the stresses within ranges where the semiconductor chip 6 is not fracture are indicated by oblique lines (hatching). La raison de la mesure de la contrainte maximum de la partie de bord de la puce The reason for measuring the maximum stress of the edge portion of the chip

11 2787610 11 2787610

de semiconducteur 6 est la suivante. semiconductor 6 is as follows. Comme la puce de semiconducteur 6 est mise sous forme de puce par découpage en dés de la tranche, une surface de coupe (partie de bord) de la puce de semiconducteur 6 peut facilement provoquer une fracture en raison de minuscules éclats. As the semiconductor chip 6 is formed into chip by dicing the wafer, a cutting surface (edge ​​portion) of the semiconductor chip 6 can easily cause fracture due to tiny pieces. De ce fait, la contrainte appliquée au bord est calculée en utilisant l'analyse par éléments finis par simulation de l'examen et l'on détecte si la Therefore, the stress applied to the edge is calculated using the finite element analysis simulation of the review and it is detected whether the

puce de semiconducteur 6 comporte des fractures ou non. semiconductor chip 6 includes fracture or not.

Après cela, une plage d'épaisseur t de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 ne subit pas de fracture suivant la relation avec l'épaisseur T de la puce de semiconducteur 6 dans chaque examen est fondée sur les résultats expérimentaux des examens décrits ci-dessus comprenant la flexion et l'application de pression en un point aigu. Thereafter, a range of thickness t of the reinforcing plate 10 within which the semiconductor chip 6 is not subjected to fracture according to the relationship with the thickness T of the semiconductor chip 6 in each examination is based on the experimental results of the above described examinations including bending and applying pressure at an acute item. Ces plages indiquées par les lignes obliques correspondent à la plage d'épaisseur de la plaque de renfort 6 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 subit difficilement une fracture, même si l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver du pantalon de l'utilisateur, une force de pression est appliquée These ranges indicated by the oblique lines correspond to the range of thickness of the reinforcing plate 6 within which the semiconductor chip 6 hardly suffers a fracture, even if the user sits on a chair, the card integrated circuit 1 is in the back pocket of the pants of the user, a pressure force is applied

sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1. on a very narrow point of the IC card 1.

La figure 9 représente une plage d'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur subit difficilement la fracture dans l'examen par flexion et l'examen par application de pression en un point aigu. 9 shows a range of thickness of the reinforcing plate 10 within which the semiconductor chip hardly undergoes fracture in the review by bending and consideration by applying pressure at an acute item. Sur cette figure, une courbe Cl (qui est la même que la courbe Cl de la contrainte maximum de 350 MPa sur la figure 6B) présente une In this figure, a curve Cl (which is the same as the curve Cl of the maximum stress of 350 MPa in FIG 6B) has a

limite o la puce de semiconducteur 6 subit la fracture ou non. limit o the semiconductor chip 6 undergoes fracture or not.

Lorsqu'une équation destinée à représenter la courbe Cl est calculée en utilisant une approximation par les moindres carrés, When an equation for representing the curve C is calculated using a least squares approximation,

le membre de droite de l'équation suivante (1) peut être obtenu. the right side of the following equation (1) can be obtained.

De ce fait, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort 10 est établie à l'intérieur de la plage de l'équation suivante (1), ceci peut empêcher que la puce de semiconducteur 6 se fracture Therefore, when the thickness t of the reinforcing plate 10 is established within the range of the following equation (1), this can prevent the semiconductor chip 6 fractures

même si l'un des cas ci-dessus (A), (B) est provoqué. even if one of the above cases (A), (B) is caused.

t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-')T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) En outre, une plage d'épaisseur t de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 ne subit pas de fracture par une relation avec l'épaisseur T de la puce t> (1.04 x 10-6) T4 - (5.26 x 10-4) T3 + (1.02 x 10 - ') T2 - 9,12T + 3.55 x 102 --- (1) in addition, a range of thickness t of the reinforcing plate 10 within which the semiconductor chip 6 does not undergo fracture by a relationship with the thickness T of the chip

12 2787610 12 2787610

de semiconducteur 6 dans chaque examen est fondée sur les résultats expérimentaux des examens décrits ci-dessus comprenant la flexion, l'application de pression en un point aigu et l'application de pression en un point obtus. semiconductor 6 in each examination is based on the experimental results of the above described examinations including bending, the application of pressure in an acute point, and the application of pressure in an obtuse item. Ces plages indiquées par les lignes obliques correspondent à la plage d'épaisseur de la plaque de renfort 6 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur 6 subit difficilement la fracture, même si l'utilisateur est assis sur une chaise, la carte à circuit intégré 1 étant dans la poche revolver du pantalon de l'utilisateur, la force de pression est appliquée sur un point très étroit de la carte à circuit intégré 1, ou bien la force de pression est appliquée sur un point relativement large de la These ranges indicated by the oblique lines correspond to the range of thickness of the reinforcing plate 6 within which the semiconductor chip 6 hardly undergoes fracture, even if the user sits on a chair, the card integrated circuit 1 is in the back pocket of the pants of the user, the pressing force is applied to an integrated very narrow point of the circuit board 1, or the pressure force is applied over a relatively wide point of the

carte à circuit intégré 1. IC card 1.

La figure 9 représente une plage d'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur de laquelle la puce de semiconducteur subit difficilement la fracture. 9 shows a range of thickness of the reinforcing plate 10 within which the semiconductor chip hardly suffers fracture. Sur cette figure, une courbe C2 (qui est la même que la courbe C2 de la contrainte maximum de 380 MPa de la figure 7a) représente une limite o la puce de semiconducteur 6 subit la fracture ou non. In this figure, a curve C2 (which is the same as the curve C2 of the maximum stress of 380 MPa of Figure 7a) represents a boundary where the semiconductor chip 6 undergoes fracture or not. Lorsqu'une équation destinée à représenter la courbe C2 est calculée en utilisant une approximation par les moindres carrés, le membre de droite de l'équation suivante (2) peut être obtenu. When an equation for representing the curve C2 is calculated using an approximation of least squares, the right side of the following equation (2) can be obtained. De ce fait, lorsque l'épaisseur t de la plaque de renfort 10 est établie à l'intérieur de la plage de l'équation suivante (1), ceci peut empêcher la puce de semiconducteur 6 de se fracturer, même si Therefore, when the thickness t of the reinforcing plate 10 is established within the range of the following equation (1), this can prevent the semiconductor chip 6 to fracture, although

l'un des cas ci-dessus (A), (B), (C) est provoqué. one of the above cases (A), (B), (C) is caused.

t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-')T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) Dans ce cas, l'exemple particulier des dimensions de la t> (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 10-4) T3 + (8.08 x 10 - ') T2 - 7,61T + 3.3 x 102 --- (2) in this case, the specific example of the dimensions of

carte à circuit intégré 1 sera présenté ci-après. IC card 1 will be presented below.

[Exemple particulier 1] Chaque épaisseur de la feuille de circuit 2 et de la feuille de couverture 4 est de 125 pm, respectivement. [Specific Example 1] Each thickness of the circuit sheet 2 and the cover sheet 4 is 125 pm, respectively. L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 après que les deux feuilles 2, 4 soient collées par l'intermédiaire de la feuille intermédiaire 3 est de 605 pm, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 est de 150 pm, et l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est de 50 pm. The total thickness of the IC card 1 after the two sheets 2, 4 are bonded via the intermediate sheet 3 is 605 pm, the thickness of the semiconductor chip 6 is 150 pm, and the thickness of the reinforcing plate 10 is 50 pm. Cet exemple particulier 1 satisfaitl'équation (1). This particular example satisfaitl'équation 1 (1).

[Exemple particulier 2] Chaque épaisseur de la feuille de circuit 2 et de la feuille de couverture 4 est de 100 pm, respectivement. [Specific Example 2] Each thickness of the circuit sheet 2 and the cover sheet 4 is 100 pm, respectively. L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 après que les deux feuilles 2, 4 soient collées par l'intermédiaire de la feuille intermédiaire 3 est de 627 pm, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 est de 150 pm, et l'épaisseur de la plaque de renfort 10 est de 50 pm. The total thickness of the IC card 1 after the two sheets 2, 4 are bonded via the intermediate sheet 3 is 627 pm, the thickness of the semiconductor chip 6 is 150 pm, and the thickness of the reinforcing plate 10 is 50 pm. Cet exemple particulier 2 satisfait les This particular example 2 satisfies

deux équations (1) et (2). two equations (1) and (2).

L'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 n'est pas limitée à la valeur décrite dans les exemples particuliers 1 et 2. Cependant, en prenant en considération la souplesse ou les possibilités d'utilisation de la carte à circuit intégré 1, il est préférable d'établir l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 pm. The total thickness of the IC card 1 is not limited to the value described in the specific examples 1 and 2. However, taking into consideration the flexibility and the possibilities of using the IC card 1 it is preferable to set the integrated total thickness of the circuit board 1 within a range of 400 to 900 pm. En outre, il est préférable d'établir l'épaisseur T de la puce de semiconducteur 6 à l'intérieur d'une plage de 10 à 30 % de l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1, et d'établir l'épaisseur de la plaque de renfort 10 à l'intérieur d'une plage de 8 à 20 % de l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1. Lorsque la carte à circuit intégré 1 doit être rendue plus mince, il est préférable d'amincir la feuille intermédiaire 13 et en outre la puce de semiconducteur 6, car la feuille de circuit 2 et la feuille de couverture 4 ne peuvent être amincies que de façon limitée. In addition, it is preferable to set the thickness T of the semiconductor chip 6 to within a range of 10 to 30% of the total thickness of the IC card 1, and to establish the the thickness of the reinforcing plate 10 within a range of 8 to 20% of the total thickness of the IC card 1. When the IC card 1 is to be made thinner, it is preferable thinning the intermediate foil 13 and further the semiconductor chip 6, because the circuit sheet 2 and the cover sheet 4 may be thinned to a limited extent. Dans ce cas, une épaisseur préférable de In this case, a preferable thickness

la puce de semiconducteur 6 est de 50 à 150 pm. the semiconductor chip 6 is 50 to 150 .mu.m.

Il doit être noté que la présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus, et peut être It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments described above, and can be

étendue et modifiée comme suit. extended and modified as follows.

C'est-à-dire que l'épaisseur totale de la carte à circuit intégré 1 peut être inférieure à 400 pm, ou bien peut être That is to say, the total thickness of the IC card 1 may be less than 400 pm, or may be

supérieure à 900 pm. greater than 900 pm.

L'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 n'est pas limitée à l'intérieur de 50 à 150 pm. The thickness of the semiconductor chip 6 is not limited to within 50 to 150 pm. Lorsqu'il est nécessaire d'amincir la carte à circuit intégré 1, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 peut être pratiquement de 0,5 pm, par exemple, alors que lorsqu'il n'y a pas besoin d'amincir la carte à circuit intégré 1, l'épaisseur de la puce de semiconducteur 6 When it is necessary to thin the IC card 1, the thickness of the semiconductor chip 6 may be substantially 0.5 pm, for example, while when there is no need to thin the IC card 1, the thickness of the semiconductor chip 6

peut être pratiquement de 200 pm, par exemple. can be virtually 200 pm, for example.

14 2787610 14 2787610

La plaque de renfort 10 peut être faite de cuivre, d'aluminium ou autre au lieu d'acier inoxydable. The reinforcing plate 10 may be made of copper, aluminum or the like instead of stainless steel. Dans ce cas, dans le but d'augmenter substantiellement la dureté de la puce de semiconducteur 6 de manière à empêcher une fracture, il est préférable d'effectuer une sélection parmi des matériaux présentant un module d'Young de 100 à 300 GPa. In this case, in order to substantially increase the hardness of the semiconductor chip 6 so as to prevent a fracture, it is preferable to select from materials having a Young's modulus of 100 to 300 GPa. En d'autres termes, de la matière plastique peut être utilisée si une telle In other words, the plastic material may be used if such

matière plastique présente le module d'Young décrit ci-dessus. plastic has the Young's modulus described above.

La carte à circuit intégré 1 n'est pas limitée à comporter la structure à trois couches présentant la feuille de circuit 2, The IC card 1 is not limited to include the three-layer structure having the circuit sheet 2,

la feuille intermédiaire 3 et la feuille de couverture 4. the intermediate sheet 3 and the cover sheet 4.

La plaque de renfort 10 peut être agencée sur une surface de la feuille de circuit 2 opposée à une surface o la puce de semiconducteur 6 est montée. The reinforcing plate 10 may be arranged on a surface of the circuit sheet 2 opposite to a surface where the semiconductor chip 6 is mounted. Dans ce cas, il est préférable de coller une feuille sur la feuille de circuit 2 de façon à In this case, it is preferred to paste a sheet on the circuit sheet 2 so as to

sceller la plaque de renfort 10. seal the reinforcing plate 10.

En outre, on peut omettre l'élément de joint 7. In addition, one can omit the seal element 7.

2787610 2787610

Claims (7)

    REVENDICATIONS
  1. 1. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur 1. An IC card comprising: a circuit substrate (2) having a conductor circuit
    (5), (5)
    une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afirn de renforcer la puce de semiconducteur, et faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de i00 à 300 [GPa], et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, dans laquelle une épaisseur totale de la structure stratifiée comprenant le substrat de circuit, la puce de semiconducteur, la plaque de renfort, la feuille de couverture est à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 [pm], et lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et (2). a semiconductor chip (6) mounted on the circuit substrate, a reinforcing plate (10) mounted on the semiconductor chip, afirn strengthen the semiconductor chip and made of a material whose Young's modulus is within a range of i00 300 [GPa], and a cover sheet (4) mounted on the reinforcing plate in order to protect the semiconductor chip, wherein a total thickness of the laminated structure comprising the substrate circuit, the semiconductor chip, the reinforcing plate, the cover sheet is within a range of 400 to 900 [pm], and when a thickness of the semiconductor chip is T, a thickness t of the reinforcing plate is within a range satisfying at least one of the following equations (1) and (2). t > (1, 04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 1C-4)T3 + (8,08 x 10-l)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) t> (1, 04 x 10-6) T4 - (5.26 x 10-4) + T3 (1.02 x 10-1) T2 - 9,12T + 3.55 x 102 --- (1) t> (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 1C-4) T3 + (8.08 x 10-l) T2 - 7,61T + 3.3 x 102 --- (2)
  2. 2. Carte à circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle l'épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur 2. An IC card according to claim 1, wherein the thickness t of the reinforcing plate is inside
    d'une plage satisfaisant l'équation (1). a range satisfying equation (1).
  3. 3. Carte à circuit intégré selon la revendication 1, dans laquelle l'épaisseur t de la plaque de renfort est à l'intérieur 3. An IC card according to claim 1, wherein the thickness t of the reinforcing plate is inside
    d'une plage satisfaisant l'équation (2). a range satisfying equation (2).
  4. 4. Carte à circuit intégré selon l'une quelconque des 4. An IC card according to any one of
    revendications 1 à 3, dans laquelle la plaque de renfort (10) claims 1 to 3, wherein the reinforcing plate (10)
    est agencée sur une surface du substrat de circuit (2) à l'opposé d'une surface o la puce de semiconducteur (6) est montée. is arranged on a surface of the circuit substrate (2) opposite to a surface where the semiconductor chip (6) is mounted.
    16 2787610 16 2787610
  5. 5. Carte à circuit intégré selon l'une quelconque des 5. An IC card according to any one of
    revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la puce de claims 1 to 4, wherein the thickness of the chip
    semiconducteur (6) est à l'intérieur d'une plage de 50 à semiconductor (6) is within a range of 50 to
    [pm]. [Pm].
  6. 6. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur (5), une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, et présentant une épaisseur sélectionnée à partir d'une plage de 50 à 150 [pm], une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, dans laquelle une épaisseur totale de la structure stratifiée comprenant le substrat de circuit, la puce de semiconducteur, la plaque de renfort, la feuille de couverture est à l'intérieur d'une plage de 400 à 900 [pm], et lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est sélectionnée à partir d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes 6. An IC card comprising: a circuit substrate (2) having a conductor circuit (5), a semiconductor chip (6) mounted on the circuit substrate, and having a thickness selected from a range of 50 150 [pm], a reinforcing plate (10) mounted on the semiconductor chip in order to enhance the semiconductor chip, and a cover sheet (4) mounted on the reinforcing plate in order to protect the semiconductor chip wherein a total thickness of the laminated structure comprising the circuit substrate, the semiconductor chip, the reinforcing plate, the cover sheet is within a range of 400 to 900 [pm], and when a thickness of the semiconductor chip is T, a thickness t of the reinforcing plate is selected from a range satisfying at least one of the following equations
    (1) et (2). (1 and 2).
    t > (1,04 x 10-6)T4 - (5,26 x 10-4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9, 12T + 3,55 x 102 ---() t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) t> (1.04 x 10-6) T4 - (5.26 x 10-4) + T3 (1.02 x 10-1) T2 - 9, 12T + 3.55 x 102 --- () t > (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 10-4) T3 + (8.08 x 10-1) T2 - 7,61T + 3.3 x 102 --- (2)
  7. 7. Carte à circuit intégré comprenant: un substrat de circuit (2) comportant un circuit conducteur (5), une puce de semiconducteur (6) montée sur le substrat de circuit, une plaque de renfort (10) montée sur la puce de semiconducteur, afin de renforcer la puce de semiconducteur, et faite d'un matériau dont le module d'Young est à l'intérieur d'une plage de 100 à 300 [GPa], et une feuille de couverture (4) montée sur la plaque de renfort, afin de protéger la puce de semiconducteur, 7. An IC card comprising: a circuit substrate (2) having a conductor circuit (5), a semiconductor chip (6) mounted on the circuit substrate, a reinforcing plate (10) mounted on the semiconductor chip , to enhance the semiconductor chip and made of a material whose Young's modulus is within a range of 100 to 300 [GPa], and a cover sheet (4) mounted on the plate reinforcement, to protect the semiconductor chip,
    17 2787610 17 2787610
    dans laquelle, lorsqu'une épaisseur de la puce de semiconducteur est T, une épaisseur t de la plaque de renfort est sélectionnée à partir d'une plage satisfaisant au moins l'une des équations suivantes (1) et ",2).5 t > (1,04 x 10-%)T4 - (5,26 x 10- 4)T3 + (1,02 x 10-1)T2 - 9,12T + 3,55 x 102 ---(1) t > (7,22 x 10-7)T4 - (4,0 x 10-4)T3 + (8,08 x 10-1)T2 - 7,61T + 3,3 x 102 ---(2) wherein, when a thickness of the semiconductor chip is T, a thickness t of the reinforcing plate is selected from a range satisfying at least one of the following equations (1) and "2) .5 t> (1.04 x 10 -%) T4 - (5.26 x 10- 4) T3 + (1.02 x 10-1) T2 - 9,12T + 3.55 x 102 --- (1) t> (7.22 x 10-7) T4 - (4.0 x 10-4) T3 + (8.08 x 10-1) T2 - 7,61T + 3.3 x 102 --- (2)
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