FR2769376A1 - Procede de fabrication d'un dispositif a guide d'ondes optique utilisant un systeme a plasma couple de maniere inductive - Google Patents
Procede de fabrication d'un dispositif a guide d'ondes optique utilisant un systeme a plasma couple de maniere inductive Download PDFInfo
- Publication number
- FR2769376A1 FR2769376A1 FR9812305A FR9812305A FR2769376A1 FR 2769376 A1 FR2769376 A1 FR 2769376A1 FR 9812305 A FR9812305 A FR 9812305A FR 9812305 A FR9812305 A FR 9812305A FR 2769376 A1 FR2769376 A1 FR 2769376A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- optical waveguide
- forming
- manufacturing
- core layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
- G02B2006/12173—Masking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique utilisant un dispositif à plasma couplé de manière inductive. Dans ce procédé, une couche de revêtement inférieure et une couche de noyau sont formées en séquence sur un substrat (100). Un motif de masque est formé sur la couche de noyau. Le substrat (100) est chargé sur une électrode de cathode (600) d'un système à plasma couplé de manière inductive. Un plasma formé à partir d'un gaz de réaction est généré en appliquant respectivement une première et une deuxième énergies à RF à l'électrode de cathode (600) et à une bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, pour mettre en forme une couche de noyau exposée et obtenir un guide d'ondes optique. Puis, une couche de revêtement supérieure couvrant le guide d'ondes optique est formée.
Description
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A GUIDE D'ONDES
OPTIQUE UTILISANT UN SYSTEME A PLASMA COUPLE DE MANIERE
INDUCTIVE
CONTEXTE DE L'INVENTION
1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif pour communications optiques et plus particulièrement, un procédé de
fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique.
2. Description de l'art associé
Un dispositif à guide d'ondes optique est un dispositif de transmission optique de base destiné à transmettre un signal optique, parmi divers composants
optiques constituant un circuit à ondes de lumière.
Le dispositif à guide d'ondes optique comprend des couches de revêtement supérieures et inférieures formées sur un substrat et un guide d'ondes optique destiné à effectuer un guidage d'ondes de la lumière formée entre les couches de revêtement supérieures et inférieures. Le guide d'ondes optique doit présenter un motif uniforme pour transmettre la lumière. Pour cela, un procédé pour former une couche de noyau sur la couche de revêtement inférieure et mettre en forme la
couche de noyau est requis.
La couche de noyau est mise en forme au moyen d'un procédé de gravure utilisant un système de gravure ionique réactive (RIE) tel que représenté sur la figure 1. Pour être plus spécifique, une couche de noyau et un motif de masque exposant une aire prédéterminée de la couche de noyau sont formées séquentiellement sur un substrat 40. Le motif de masque est habituellement formé de résine photosensible. Le substrat résultant 40 est chargé sur une électrode de cathode 43 du système de RIE, comme représenté sur la figure 1. L'énergie à radio fréquences (RF), générée par un générateur d'énergie à RF 41, est appliquée à une électrode de cathode 43 et une polarisation en courant continu (CC) est appliquée à une électrode supérieure 45, séparée d'une distance prédéterminée et opposée à la cathode 43. En même temps, un gaz réactif est délivré dans le système de RIE pour permettre à un plasma d'être généré depuis le gaz réactif par l'énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 43. Le plasma ainsi généré atteint le substrat 40 et réagit avec la couche de noyau exposée par le motif de masque, pour ainsi mettre
en forme la couche de noyau. Le motif de masque, c'est-
à-dire un motif de résine restant, est ensuite éliminé.
Dans ce procédé de gravure utilisant le système de RIE, la vitesse de gravure est lente. Lorsque par exemple, une couche de silice est utilisée comme couche de noyau, la vitesse de gravure est très lente, à
savoir d'environ 300 À/min. (30 nm/min.) à 500 A/min.
(50 nm/min.). Ainsi, pour former un guide d'ondes optique par gravure d'une couche de noyau ayant une épaisseur d'environ 8gm ou davantage, une gravure
pendant une durée d'environ 3 à 5 heures est requise.
En conséquence, la productivité d'un processus de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique est dégradée. Un procédé d'augmentation de puissance à RF peut être utilisé pour augmenter la vitesse de gravure. Dans ce procédé, la concentration du plasma généré est augmentée en augmentant la puissance à RF, de manière à augmenter ainsi l'énergie pour la gravure. Toutefois, en augmentant la puissance à RF, un autre problème peut se produire en ce que la tension de polarisation en CC appliquée à l'électrode supérieure 45 augmente jusqu'à un niveau anormal. Cette augmentation de polarisation en CC peut endommager le guide d'ondes optique ou la couche de revêtement inférieure et le substrat. Ce type de détérioration diminue les caractéristiques d'un circuit à ondes de lumière comportant un dispositif à
guide d'ondes optique.
D'autre part, lorsque le motif de masque est formé de résine photosensible, un défaut du motif de résine peut être produit en raison d'une limitation de la résolution dépendant de l'épaisseur de la résine. Ce défaut du motif de résine peut générer des défauts dans le profil ou la forme du motif de couche de noyau, c'est-à-dire dans le guide d'ondes optique. Ainsi, une
erreur de transmission optique peut être générée.
Pour être plus spécifique, le guide d'ondes optique
peut généralement être d'une hauteur d'environ 8 um.
Ainsi, l'épaisseur du motif de résine requise pour un processus de gravure doit être maintenue sans être entièrement utilisée avant que la couche de noyau soit entièrement éliminée par gravure. Le rapport de
sélection de gravure d'une couche de matériau, c'est-à-
dire d'une couche de silice, utilisée comme couche de noyau, par rapport au motif de résine, est d'environ 1:1. Ainsi, un motif de résine ayant une épaisseur d'environ 10 pm ou davantage est requis pour graver une
couche de noyau ayant une épaisseur d'environ 8 gm.
La limitation de la résolution est accompagnée par le processus d'exposition et de développement, pour former le motif de résine ayant la grande épaisseur mentionnée ci-dessus. En conséquence, des défauts de motif de résine peuvent être générés par l'exposition ou des défauts de développement. Un défaut peut également être généré sur le profil ou forme du motif de couche de noyau, c'est-à-dire le guide d'ondes optique obtenu par le processus de mise en forme de la couche de noyau, utilisant le motif de résine
défectueux.
RESUME DE L'INVENTION
Pour résoudre les problèmes ci-dessus, un but de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique, par lequel la productivité est accrue dès lors qu'un processus de mise en forme d'une couche de noyau peut être exécuté à
grandes vitesses.
Un autre but de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique par lequel le profil, la forme ou un autre aspect d'un guide d'ondes optique formé au moyen d'un motif de masque plus mince peut être amélioré par l'introduction d'un motif de masque ayant une sélectivité de gravure élevée par rapport à une couche
de noyau.
Pour atteindre le premier but, dans un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique, d'abord une couche de revêtement inférieure, puis une couche de noyau, sont formées sur un substrat. La couche de noyau peut être une couche de silice, une couche polymère
optique ou une couche d'oxyde de monocristal.
Un motif de masque exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. Le motif de masque est formé par une couche de résine photosensible, une
couche de silicium amorphe ou une couche de siliciure.
Comme alternative, le motif de masque peut être formé par une couche métallique telle qu'une couche de chrome ou une couche de titane. La couche métallique est formée par pulvérisation ou dépôt par faisceau
d'électrons.
L'étape de formation du motif de masque peut être exécutée comme suit. Un motif de résine photosensible, exposant la couche de noyau, est formé sur la couche de noyau. La couche métallique est formée sur la structure
résultante sur laquelle est formé le motif de résine.
Un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau, est formé en supprimant le motif de résine tout en supprimant simultanément une partie de la couche
métallique formée sur le motif de résine.
Comme alternative, l'étape de formation du motif de masque peut être réalisée comme suit. La couche métallique est formée sur la couche de noyau. Un motif de résine photosensible, exposant la couche métallique, est formé sur la couche métallique. Un motif de masque métallique exposant, la couche de noyau, est réalisé en mettant en forme la couche métallique exposée, en utilisant le motif de résine comme masque. L'étape de mise en forme de la couche métallique exposée est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche ou humide. Le substrat comportant le motif de masque est formé sur une électrode de cathode d'un système à plasma à couplage inductif comportant l'électrode de cathode, une électrode supérieure opposée à l'électrode de cathode par intervalles prédéterminés et une bobine à plasma couplée de manière inductive intercalée entre
l'électrode supérieure et l'électrode de cathode.
Un plasma provenant d'un gaz de réaction est généré en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergie à RF à l'électrode de cathode et à la bobine à plasma couplée de manière inductive, pour mettre en forme sur la couche de noyau exposée par le motif de masque, et obtenir un guide d'ondes optique. Le gaz de réaction comprend un gaz fluorure tel qu'un gaz de tétrafluorure de carbone ou un gaz d'hexafluorure de soufre. Puis, une couche de revêtement supérieure couvrant le guide
d'ondes optique est formée.
Pour atteindre le deuxième but, dans un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, une couche de revêtement inférieure et une couche de noyau sont formées en séquence sur un substrat. La couche de noyau peut être une couche de silice, une couche polymère optique ou une couche d'oxyde de monocristal. Un motif de masque métallique exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. Le motif de masque métallique est formé par une couche de chrome ou une couche de titane. Le motif de masque métallique est formé par pulvérisation ou dépôt par faisceau
d'électrons.
L'étape de formation du motif de masque métallique est exécutée comme suit. Un motif de résine photosensible exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. La couche métallique est formée sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine. Un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau, est formé en supprimant le motif de résine tout en supprimant simultanément une partie de
la couche métallique formée sur le motif de résine.
Comme alternative, l'étape de formation du motif de masque métallique peut être réalisée comme suit. La couche métallique est formée sur la couche de noyau. Un motif de résine photosensible, exposant la couche métallique, est formé sur la couche métallique. Un motif de masque métallique exposant la couche de noyau est réalisé en mettant en forme la couche métallique
exposée en utilisant le motif de résine comme masque.
L'étape de mise en forme de la couche métallique exposée est exécutée en utilisant un procédé de gravure
sèche ou humide.
Le substrat comportant le motif de masque métallique est formé sur une électrode de cathode d'un système à plasma à couplage inductif comportant l'électrode de cathode, une électrode supérieure opposée à l'électrode de cathode par intervalles prédéterminés et une bobine à plasma couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure et
l'électrode de cathode.
Un plasma provenant d'un gaz de réaction est généré en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergie à RF à l'électrode de cathode et à la bobine à plasma couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau exposée par le motif de masque, et obtenir un guide d'ondes optique. Le gaz de réaction comprend un gaz fluorure tel qu'un gaz de tétrafluorure de carbone ou un gaz d'hexafluorure de soufre. Puis, une couche de revêtement supérieure couvrant le guide
d'ondes optique est formée.
Selon la présente invention, la productivité est augmentée car un processus de mise en forme de la
couche de noyau peut être exécuté à grandes vitesses.
Un motif de masque ayant une sélectivité de gravure élevée par rapport à la couche de noyau est également utilisé, permettant ainsi une amélioration du profil ou de la forme du guide d'ondes optique formé en réalisant
un motif de masque plus mince.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
Les buts et avantages de la présente invention ci-
dessus deviendront plus clairs en décrivant en détail des modes de réalisation préférés de celle-ci en référence aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une coupe transversale d'un système de gravure ionique réactive RIE; les figures 2 à 5 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de réalisation d'un motif de masque utilisé pour fabriquer un dispositif à guide d'ondes optique selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant une étape de fabrication d'un guide d'ondes optique utilisant le motif de masque réalisé selon le premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est une coupe transversale d'un système à plasma couplé de manière inductive utilisé pour fabriquer un guide d'ondes optique; la figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant une étape d'achèvement du dispositif à guide d'ondes optique selon le premier mode de réalisation de la présente invention; et les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon un deuxième
mode de réalisation de la présente invention.
DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES
Les modes de réalisation de la présente invention peuvent être modifiés en diverses autres formes et la portée de la présente invention ne doit pas être interprétée comme étant limitée par les modes de réalisation. Les modes de réalisation sont fournis pour expliquer plus complètement la présente invention aux hommes de l'art. Sur les dessins, les formes ou autres
éléments sont exagérés ou simplifiés pour la clarté.
Des numéros de référence semblables sur les dessins
indiquent les mêmes éléments.
Les figures 2 à 5 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de réalisation d'un motif de masque utilisé pour fabriquer un dispositif à guide d'ondes optique selon un premier mode de
réalisation de la présente invention.
La figure 2 montre l'étape de formation d'une couche de revêtement inférieure 200 et d'une couche de
noyau 300 sur un substrat 100.
Pour être plus spécifique, la couche de revêtement inférieure 200 et la couche de noyau 300 sont formées en séquence sur un substrat plat 100 fait de silicium ou de verre. La couche de noyau 300 est ultérieurement
mise en forme pour obtenir un guide d'ondes optique.
Ainsi la couche de noyau 300 est formée d'un matériau à travers lequel la lumière peut être guidée ou se propager. La couche de noyau 300 est également formée d'un matériau ayant un indice de réfraction plus élevé
que celui de la couche de revêtement inférieure 200.
Dans le cas, par exemple, d'un guide d'ondes optique en silice, une couche de silice contenant du silicium oxydé (SiO2) comme composante principale est utilisée comme couche de noyau 300. Comme alternative, la couche de noyau 300 peut être formée par une couche de matériau organique telle qu'une couche d'oxyde de monocristal ou un polymère optique. Le présent mode de réalisation prend comme exemple le cas de l'utilisation d'une couche de silice comme couche de noyau 300, mais la présente invention n'est pas limitée à ce mode de réalisation. La figure 3 montre l'étape de formation d'un motif
de résine photosensible 450 sur la couche de noyau 300.
Pour être plus spécifique, le motif de résine 450 exposant une aire prédéterminée de la couche de noyau 300 est formé sur la couche de noyau 300. Le motif de résine 450 couvre ici une portion de la couche de noyau
300 destinée à être gravée ultérieurement.
La figure 4 montre l'étape de formation d'une couche métallique 500 sur l'ensemble de la surface de la structure résultante sur laquelle est formé le motif
de résine 450.
La couche métallique 500 est formée sur l'ensemble de la surface de la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine 450. La couche métallique 500 est formée d'un métal ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau 300. Par exemple, lorsque la couche de silice est utilisée comme couche de noyau 300, la couche métallique 500 est formée de titane (Ti) ou de chrome (Cr). La couche
métallique 500 est de préférence formée de chrome (Cr).
La couche métallique 500 est formée par un procédé de dépôt utilisant un système de pulvérisation ou un système de dépôt par faisceau d'électrons. La figure 5 montre l'étape de formation d'un motif
de masque 550.
Le motif de masque 550 est formé par suppression du motif de résine 450 et de la couche métallique 500 formée sur le motif de résine 450 en utilisant un procédé de pelage. Le procédé de pelage est exécuté en utilisant un solvant chimique. Le solvant chimique doit être ici capable de dissoudre et d'éliminer le motif de résine 450 en fonction de la qualité du matériau du motif de résine 450. De l'acétone ou analogue par exemple, est utilisée comme solvant chimique. Le solvant chimique dissout et élimine le motif de résine 450. Lorsque le motif de résine 450 est dissout, la couche métallique 500 déposée sur le motif de résine 450 est également éliminée. Ainsi, seule la couche métallique 500 directement déposée sur la couche de noyau 300 exposée par le motif de résine 450 subsiste,
formant ainsi le motif de masque 550.
Comme décrit ci-dessus, le motif de masque 550 est formé d'un matériau ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau inférieure 300. En conséquence, le motif de masque 550 peut être formé de manière plus mince qu'un motif de masque formé de résine photosensible. Ainsi, le motif de masque métallique 550 peut être formé précisément par le
procédé de pelage.
Le présent mode de réalisation décrit le motif de masque 550 formé par la couche de chrome comme décrit ci-dessus, mais le matériau du motif de masque 550 peut varier en fonction du matériau de la couche de noyau 300 destinée à recevoir un motif ultérieurement. Le motif de masque 550 peut utiliser une couche métallique telle que par exemple, une couche de titane, une couche polymère telle qu'une couche de résine photosensible, une couche d'oxyde telle qu'une couche de silicium oxydé, une couche diélectrique telle qu'une couche de
silicium amorphe ou une couche de siliciure.
La figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant une étape de formation d'un guide d'ondes optique 350 par formation de motif sur la couche de noyau 300. La figure 7 est une coupe transversale d'un système à plasma couplé de manière inductive (ICP)
utilisé pour former le guide d'ondes optique 350.
Le système à ICP comprend une électrode de cathode 600, d'une électrode supérieure 700 séparée d'une distance prédéterminée, et opposée à l'électrode de cathode 600, et d'une bobine à ICP 900. Une première énergie à RF générée par un premier générateur d'énergie à RF 800 est appliquée à l'électrode de cathode 600 et une polarisation en CC (courant continu) est appliquée à l'électrode supérieure 700. Une deuxième énergie à RF est également appliquée à la bobine à ICP 900. L'ensemble de la configuration du système à ICP est similaire à celle d'un système à RIE classique, à l'exception du fait que la bobine à ICP 900 est introduite et que la deuxième énergie à RF est
appliquée à la bobine à ICP 900.
Comme décrit ci-dessus, un substrat 100 sur lequel la couche de noyau 300 et le motif de masque 550 sont formés est chargée sur l'électrode de cathode 600 du système à ICP. Un gaz réactif est délivré au système à ICP par l'intermédiaire d'une ligne de fourniture de gaz (non représentée). Une première énergie à RF est appliquée à l'électrode de cathode 600, une deuxième énergie à RF est appliquée à la bobine à ICP et une polarisation en CC est appliquée à l'électrode
supérieure 700.
Les éléments du gaz de réaction délivré dans le système à ICP sont excités dans une phase de plasma par les première et deuxième énergies à RF respectivement appliquées à l'électrode de cathode 600 et à la bobine à ICP 900. Le plasma est ici généré sous diverses formes en fonction de conditions telles que la première énergie à RF, la deuxième énergie à RF, la pression partielle dans le système à ICP, le type de gaz de réaction, la quantité de gaz de réaction fournie ou la
sortie du système à ICP.
Le plasma contient des éléments du gaz de réaction, qui sont des ions excités par le gaz de réaction, un radical réactif, des électrons, etc. Les ions excités sont ici accélérés par la première énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et les ions accélérés entrent en collision avec le substrat 100. Ce bombardement ionique provoque la gravure sélective de la couche de noyau 300 exposée par le motif de masque 550. A ce moment, le mouvement des électrons (e) dans le plasma est modifié par la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 900. C'est-à-dire que les électrons du plasma exécutent un mouvement en spirale ainsi qu'un mouvement rectiligne. En conséquence, les électrons et les éléments du gaz de réaction ou les électrons et les ions du plasma ont davantage de chances d'entrer en collision entre eux. Ainsi, la probabilité de génération de plasma augmente,
augmentant ainsi la concentration de plasma.
L'augmentation de la concentration de plasma indique une augmentation de la concentration des ions dans le plasma, radicaux ou électrons. Cette augmentation d'ions, etc., augmente l'effet de bombardement ionique, permettant ainsi une gravure plus rapide de la couche de noyau 300 exposée par le motif
de masque 550.
Dans le présent mode de réalisation, un gaz de réaction comportant un gaz fluorure est utilisé comme gaz de réaction. Un gaz de tétrafluorure de carbone (CF4) par exemple, pouvant générer des ions fluorure de carbone (CFx+) et un radical fluorure ou un gaz hexafluorure de soufre (SF6) pouvant générer des ions hexafluorure de soufre et un radical fluorure, est
fourni comme gaz de réaction.
Ce gaz fluorure fourni est excité dans une phase plasma par la première énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 900. A ce moment, CFx, CFx, Fx, F+, F et des électrons (e) existent à l'intérieur du plasma qui est généré lorsque CF4 est utilisé comme gaz de réaction. SFX, SFX +, Fx, F, F et e existent à l'intérieur d'un plasma qui est généré
lorsque SF6 est utilisé comme gaz de réaction.
F: ou CFx est ici accéléré par la première énergie RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et entre en collision avec le substrat 100. En conséquence, la couche de noyau 300 est gravée par le bombardement ionique dû à F+ ou CFX+ Comme décrit ci-dessus, la concentration d'ions qui provoque le bombardement ionique dû au mouvement en spirale de e à l'intérieur du plasma par la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 800, telle que F ou CFx+ est augmenté. Ainsi, la vitesse de gravure
de la couche de noyau 300 devient plus grande.
Dans le présent mode de réalisation, un guide d'ondes optique 350 ayant une épaisseur d'environ 8 gm ou davantage peut être formée en utilisant des conditions de gravure concrètes données en exemple ultérieurement. Environ 10 sccm (centimètres cubes standards par minute) à 50 sccm par exemple, de SF6 ou CF4 sont délivrés à un système à ICP. La pression d'air dans le système à ICP est ici maintenue à environ 3 à mTorr (0,4 à 4 Pa). Environ 10 à 400 W de la première énergie à RF sont également appliqués à l'électrode de cathode 600 et environ 100 à 1500 W de la deuxième énergie à RF sont appliqués à la bobine à
ICP 900.
Dans les conditions de gravure décrites ci-dessus, la couche de silice utilisée comme couche de noyau 300 peut être gravée à une vitesse de gravure d'environ 3000 /min (300 nm/min.) ou davantage. Lorsqu'une couche de chrome est ici utilisée comme motif de masque 500, elle peut effectuer la sélectivité de gravure avec la couche de noyau 300 (c'est-àdire, la couche de chrome) d'environ 1:85. C'est-à-dire que lorsque la couche de chrome utilisée comme motif de masque 550 est consommée sur environ 1 A (0,1 nm), la couche de silice utilisée comme couche de noyau 300 est gravée sur une
épaisseur d'environ 65 A (6,5 nm), puis éliminée.
En conséquence, le motif de masque 550, c'est-à-
dire la couche de chrome, peut être introduit de manière plus mince. Une couche de résine inférieure plus mince pour réaliser un motif sur la couche de chrome en utilisant le procédé de pelage peut également être introduite, permettant de réaliser le motif de résine avec une haute résolution. Ainsi, le profil ou forme du motif de couche de chrome formé par le procédé de pelage, c'est-à-dire le motif de masque 550, est amélioré, de sorte qu'un motif de masque 550 ayant un
motif plus précis est obtenu.
Un procédé de gravure exécuté dans la condition de gravure d'utilisation du gaz de la famille des fluorures fournit des caractéristiques de gravure hautement anisotropes. Ainsi, les parois latérales du guide d'ondes optique 350 sont inclinées presque à
angles droits par rapport à la surface du substrat 100.
C'est-à-dire que le guide d'ondes optique 350 ayant un excellent profil de parois latérales peut être obtenu, et des caractéristiques de parois latérales plus
uniformes peuvent être obtenues.
Selon le premier mode de réalisation de la présente invention, le guide d'ondes optique 350 d'une épaisseur de 8 Hm ou davantage, ayant un excellent profil peut être formé en une durée plus courte par l'effet décrit ci-dessus. La figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant une étape d'achèvement du dispositif à guide d'ondes optique par formation d'une couche de revêtement supérieure 250 couvrant le guide d'ondes
optique 350.
Après que le motif de masque 550 restant sur le guide d'ondes 350 est éliminé, la couche de revêtement supérieure 250 couvrant le guide d'ondes 350 est formée. La couche de revêtement supérieure 250 est formée d'un matériau ayant un indice de réfraction inférieur au matériau du guide d'ondes 350. La couche de revêtement supérieure 250 est formée de préférence du même matériau que celui de la couche de revêtement
inférieure 200.
Les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversales illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon un deuxième
mode de réalisation de la présente invention.
Les mêmes numéros de référence dans le deuxième mode de réalisation que ceux du premier mode de réalisation indiquent les mêmes éléments. Dans le premier mode de réalisation, le motif de masque 550 est réalisé par mise en forme de la couche métallique 500 en utilisant le procédé de pelage. Toutefois, dans le deuxième mode de réalisation, un motif de masque 550a est réalisé par mise en forme d'une couche métallique
500a en utilisant un processus de gravure sélective.
En se référant à la figure 9, la couche de revêtement inférieure 200 et la couche de noyau 300 sont formées en séquence sur le substrat 100 comme dans le premier mode de réalisation. La couche métallique 500a ayant unegrande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau 300 est formée sur la couche de noyau 300 en fonction du matériau de la couche de noyau 300 à graver. La couche métallique 500a par exemple, est formée de Ti ou Cr. La couche métallique 500a est formée par pulvérisation ou dépôt
par faisceau d'électrons.
La figure 10 est une vue en coupe transversale illustrant l'étape de formation du motif de masque 550a
par mise en forme de la couche métallique 500a.
Un motif de résine photosensible 450a, exposant une partie de la couche métallique 500a, est formé sur la couche métallique 500a. La couche métallique exposée 500a est gravée en utilisant le motif de résine 450a comme masque de gravure, réalisant ainsi le motif de masque 550a, c'est-à-dire un motif de masque métallique, exposant une partie de la couche de noyau 300. Un procédé de gravure humide ou un procédé de gravure sèche utilisant un plasma peut être utilisé
pour graver la couche métallique 500a.
Le motif de masque 550a est formé d'un métal ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau inférieure 300, de sorte qu'il peut être formé d'une manière mince. Le motif de résine 450a destiné à former le motif de masque 550a peut également être formé de manière mince, permettant ainsi la formation d'un motif de résine 450a de haute résolution. En conséquence, le profil ou la forme du
motif de masque 550a est amélioré.
La figure 11 est une vue en coupe transversale illustrant l'étape de formation d'un guide d'ondes optique 350 par mise en forme de la couche de noyau 300. Le guide d'ondes optique 350 est formé par gravure d'une partie de la couche de noyau exposée 300 en utilisant un procédé de gravure utilisant un système à ICP. La couche de noyau 300 est, par exemple, mise en forme de manière sélective par un gaz réactif tel que SF6 ou CF4. Ainsi, l'effet tel que décrit dans le premier mode de réalisation peut être obtenu. Puis, le masque de gravure restant 550a est éliminé, formant ainsi la couche de revêtement supérieure 250, comme
représenté sur la figure 8.
Comme décrit ci-dessus, la couche de noyau peut être mise en forme plus rapidement en utilisant le gaz de réaction tel que SF6 ou CF4, et le système à ICP qui
peut générer des ions fluorure ou des ions fluocarbone.
En conséquence, la productivité de fabrication du
dispositif à guide d'ondes optique peut être améliorée.
Une grande sélectivité de gravure avec la couche de noyau peut également être obtenue en introduisant un motif de masque métallique, etc., de sorte qu'un motif de masque plus mince peut être introduit. De plus, des caractéristiques de gravure fortement anisotropes peuvent être obtenues, permettant de former un excellent profil proche de la perpendicularité du guide
d'ondes optique.
La présente invention a été décrite en détail en référence aux modes de réalisation décrits ci-dessus, mais la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation. Il est évident qu'un grand nombre de modifications ou améliorations peuvent être réalisées à l'intérieur de l'esprit technique de la présente
invention par les hommes de l'art.
Claims (20)
1. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, comprenant les étapes consistant à: former en séquence une couche de revêtement inférieure (200) et une couche de noyau (300) sur un substrat (100); former un motif de masque (550), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); charger le substrat (100) sur lequel le motif de masque (550) est formé, sur une électrode de cathode (600) d'un système à plasma couplé de manière inductive comportant l'électrode de cathode (600), une électrode supérieure (700), opposée à l'électrode de cathode (600) à intervalles prédéterminés, et une bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure (700) et l'électrode de cathode (600); générer un plasma à partir d'un gaz de réaction en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergies à RF (radiofréquence) à l'électrode de cathode (600) et à la bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau (300) exposée par le motif de masque (550) et obtenir un guide d'ondes optique (350); et former une couche de revêtement supérieure (250)
couvrant le guide d'ondes optique (350).
2. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel la couche de noyau (300) est une couche choisie dans le groupe constituée d'une couche de silice, une couche
polymère optique et une couche d'oxyde de monocristal.
3. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel le motif de masque est formé d'une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de résine photosensible, une couche de silicium amorphe et une
couche de siliciure.
4. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel le motif de masque (550) est formé d'une couche
métallique (500).
5. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel la couche métallique (500) est une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de chrome et d'une
couche de titane.
6. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel la couche métallique (500) est formée par pulvérisation
ou dépôt par faisceau d'électrons.
7. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel l'étape de formation du motif de masque (550) comprend les sous-étapes consistant à: former un motif de résine photosensible (450), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); former la couche métallique (500) sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine (450); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par suppression du motif de résine (450) en supprimant simultanément une partie de la couche métallique (500) formée sur le motif de
résine (450).
8. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel l'étape de formation du motif de masque (550) comprend les sous-étapes consistant à: former la couche métallique (500) sur la couche de noyau (300); former un motif de résine photosensible (450), exposant la couche métallique (500), sur la couche métallique (500); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par mise en forme de la couche métallique (500) en utilisant le motif de résine (450)
comme masque.
9. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 8, dans lequel l'étape de mise en forme de la couche métallique (500) est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche
ou humide.
10. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel
le gaz de réaction comprend un gaz fluorure.
11. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 10, dans lequel le gaz fluorure est choisi dans le groupe constitué de gaz tétrafluorure de carbone et de gaz hexafluorure de soufre.
12. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, comprenant les étapes consistant à: former en séquence une couche de revêtement inférieure (200) et une couche de noyau (300) sur un substrat (100); former un motif de masque métallique (550a), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); charger le substrat (100) sur lequel le motif de masque métallique (500a) est formé, sur une électrode de cathode (600) d'un système à plasma couplé de manière inductive comportant l'électrode de cathode (600), une électrode supérieure (700), opposée à l'électrode de cathode (600) à intervalles prédéterminés, et une bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure (700) et l'électrode de cathode (600); générer un plasma à partir d'un gaz de réaction en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergies à RF à l'électrode de cathode (600) et à la bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau (300) exposée par le motif de masque (550a) et obtenir un guide d'ondes optique (350); et former une couche de revêtement supérieure (250)
couvrant le guide d'ondes optique (350).
13. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel la couche de noyau (300) est une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de silice, une couche
polymère optique et une couche d'oxyde de monocristal.
14. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel le motif de masque métallique est formé d'une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de chrome
et une couche de titane.
15. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel la couche de masque métallique (500a) est formée par
pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons.
16. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel l'étape de formation du motif de masque métallique (550a) comprend les sous-étapes consistant à: former un motif de résine photosensible (450a), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); former la couche métallique (500a) sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine (450a); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par suppression du motif de résine (450a) en supprimant simultanément une partie de la couche métallique (500a) formée sur le motif de
résine (450a).
17. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel l'étape de formation du motif de masque métallique (550a) comprend les sous-étapes consistant à: former la couche métallique (500a) sur la couche de noyau (300); former un motif de résine photosensible (450a), exposant la couche métallique (500a), sur la couche métallique (500a); et former un motif de masque métallique sur la couche de noyau (300) par mise en forme de la couche métallique (500a) en utilisant le motif de résine
(450a) comme masque.
18. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 17, dans lequel l'étape de mise en forme de la couche métallique (500a) est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche
ou humide.
19. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel
le gaz de réaction comprend un gaz fluorure.
20. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 19, dans lequel le gaz fluorure est choisi dans le groupe constitué de gaz tétrafluorure de carbone et de gaz hexafluorure de soufre.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050967A KR19990030656A (ko) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 광도파로 제조방법 |
| KR1019970050964A KR19990030653A (ko) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 광도파로 제조방법 |
| KR1019970050965A KR100429850B1 (ko) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 광도파로 제조방법 |
| KR1019970050966A KR19990030655A (ko) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 광도파로 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2769376A1 true FR2769376A1 (fr) | 1999-04-09 |
Family
ID=27483234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9812305A Withdrawn FR2769376A1 (fr) | 1997-10-02 | 1998-10-01 | Procede de fabrication d'un dispositif a guide d'ondes optique utilisant un systeme a plasma couple de maniere inductive |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167037A (fr) |
| CN (1) | CN1213782A (fr) |
| CA (1) | CA2249094A1 (fr) |
| FR (1) | FR2769376A1 (fr) |
| GB (1) | GB2329873B (fr) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361097B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2002-11-21 | 우리로광통신주식회사 | 유도결합형 플라즈마 식각장치를 이용한 광도파로 제조방법 |
| US20020158047A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Yiqiong Wang | Formation of an optical component having smooth sidewalls |
| JP2005148468A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sony Corp | 光導波路、光源モジュール及び光情報処理装置 |
| KR101235834B1 (ko) * | 2010-12-08 | 2013-02-21 | 한국기계연구원 | 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법 |
| TW202329224A (zh) * | 2021-10-01 | 2023-07-16 | 美商沛思量子公司 | 用於光子裝置之圖案化方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592008A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
| JPH03291605A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路の形成方法 |
| US5607542A (en) * | 1994-11-01 | 1997-03-04 | Applied Materials Inc. | Inductively enhanced reactive ion etching |
| US5658820A (en) * | 1995-03-20 | 1997-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing ferroelectric thin-film capacitor |
| US5667631A (en) * | 1996-06-28 | 1997-09-16 | Lam Research Corporation | Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032844B2 (ja) * | 1977-06-16 | 1985-07-30 | 住友電気工業株式会社 | 光導波路の製造方法 |
| JPS63194206A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 石英系光導波路の製造方法 |
| WO1991010341A1 (fr) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | Reacteur a plasma hf inductif a basse frequence |
| JPH04147201A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 石英系光導波路及びその製造方法 |
| JPH05215929A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Hitachi Cable Ltd | ガラス導波路の製造方法 |
| JPH05307125A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Japan Energy Corp | 光導波路の製造方法 |
| EP0680072B1 (fr) * | 1994-04-28 | 2003-10-08 | Applied Materials, Inc. | Procédé pour le fonctionnement d'un réacteur CVD à haute densité de plasma utilisant un couplage inductif et capacitif combinés |
| JPH08262250A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Toshiba Mach Co Ltd | 光導波路作製方法およびその装置 |
| JP3951003B2 (ja) * | 1995-11-17 | 2007-08-01 | 俊夫 後藤 | プラズマ処理装置および方法 |
| JP3492833B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2004-02-03 | リコー光学株式会社 | ドライエッチング用金属マスク・ドライエッチング用金属マスクの作製方法および深堀りドライエッチング方法 |
| JPH09167696A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sony Corp | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| TW373268B (en) * | 1997-02-21 | 1999-11-01 | Applied Materials Inc | Low temperature etch process utilizing power splitting between electrodes in AN RF plasma reactor |
-
1998
- 1998-09-30 CA CA002249094A patent/CA2249094A1/fr not_active Abandoned
- 1998-09-30 CN CN 98120207 patent/CN1213782A/zh active Pending
- 1998-09-30 JP JP10277548A patent/JPH11167037A/ja active Pending
- 1998-10-01 FR FR9812305A patent/FR2769376A1/fr not_active Withdrawn
- 1998-10-02 GB GB9821310A patent/GB2329873B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592008A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
| JPH03291605A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路の形成方法 |
| US5607542A (en) * | 1994-11-01 | 1997-03-04 | Applied Materials Inc. | Inductively enhanced reactive ion etching |
| US5658820A (en) * | 1995-03-20 | 1997-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing ferroelectric thin-film capacitor |
| US5667631A (en) * | 1996-06-28 | 1997-09-16 | Lam Research Corporation | Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 086 (P - 269) 19 April 1984 (1984-04-19) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 125 (P - 1331) 30 March 1992 (1992-03-30) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2249094A1 (fr) | 1999-04-02 |
| JPH11167037A (ja) | 1999-06-22 |
| GB9821310D0 (en) | 1998-11-25 |
| GB2329873A (en) | 1999-04-07 |
| CN1213782A (zh) | 1999-04-14 |
| GB2329873B (en) | 1999-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0001030B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un masque selon une configuration donnée sur un support | |
| EP0478072B1 (fr) | Procédé pour réaliser des motifs d'alignement de masques | |
| JP5268931B2 (ja) | プラスチック表面にナノ構造を製造する方法 | |
| EP3072149A1 (fr) | Procédé de gravure sélective d'un masque disposé sur un substrat silicié | |
| EP0665587A1 (fr) | Substrat pour composants intégrés comportant une couche mince et son procédé de réalisation | |
| FR2767927A1 (fr) | Guide d'ondes optique hybride et son procede de fabrication | |
| FR2681189A1 (fr) | Pile solaire en silicium amorphe et procede pour sa fabrication. | |
| EP2333815A1 (fr) | Procédé de détourage d'un substrat chanfreiné. | |
| CA2953247C (fr) | Procede de texturation aleatoire d'un substrat semi-conducteur | |
| FR2769376A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a guide d'ondes optique utilisant un systeme a plasma couple de maniere inductive | |
| EP1299902B1 (fr) | Procede de realisation d'une grille pour une structure de transistor cmos a canal de longueur reduite | |
| FR2588416A1 (fr) | Procede de formation selective d'un film depose | |
| CN1695095A (zh) | 制造聚合物微结构和聚合物波导的方法 | |
| FR2798739A1 (fr) | Masque a dephasage utilisant le cra1on comme materiau de dephasage et procede de fabrication de celui-ci | |
| CN110534429B (zh) | 一种超导薄膜及其制备方法 | |
| FR2766582A1 (fr) | Methode de fabrication de composant optique et composant optique fabrique selon cette methode | |
| CA2432815A1 (fr) | Dispositif optiquement actif comportant un canal sur un substrat optique | |
| EP0689222A2 (fr) | Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé | |
| EP1342112A2 (fr) | Guide d'onde comportant un canal dans un substrat optique | |
| EP0336461A1 (fr) | Procédé pour aplanir la surface d'un dispositif semiconducteur | |
| US6479197B1 (en) | Method of manufacturing two-color filter | |
| EP3465788B1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche | |
| EP1802452A2 (fr) | Element optique avec revetement de chrome opaque comportant une ouverture et son procede de fabrication | |
| EP0905495A1 (fr) | Couche de protection de circuits intégrés, et son procédé de fabrication | |
| FR2855651A1 (fr) | Procede de realisation de cadran d'afficheur par traitement de substrat en silicium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |