FR2722916A1 - Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element - Google Patents

Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element Download PDF

Info

Publication number
FR2722916A1
FR2722916A1 FR9508969A FR9508969A FR2722916A1 FR 2722916 A1 FR2722916 A1 FR 2722916A1 FR 9508969 A FR9508969 A FR 9508969A FR 9508969 A FR9508969 A FR 9508969A FR 2722916 A1 FR2722916 A1 FR 2722916A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
solder
connection
core
substrate
connection element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9508969A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2722916B1 (fr
Inventor
Yuzo Shimada
Yoshimasa Tanaka
Shinichi Hasegawa
Takayuki Suyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9402006A external-priority patent/FR2716387A1/fr
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of FR2722916A1 publication Critical patent/FR2722916A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2722916B1 publication Critical patent/FR2722916B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10234—Metallic balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10666—Plated through-hole for surface mounting on PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10681—Tape Carrier Package [TCP]; Flexible sheet connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10992—Using different connection materials, e.g. different solders, for the same connection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/041—Solder preforms in the shape of solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Un élément de connexion comprend une âme (11) sensiblement sphérique et de la soudure recouvrant l'âme (11). Un premier substrat a une première plage de connexion (22) en surface inférieure et un trou traversant (25). Un deuxième substrat (30) a une deuxième plage de connexion (31) en surface supérieure. Une pâte de soudure est prévue sur la plage de connexion (31) du deuxième substrat. Le premier substrat est positionné en sorte que la première plage de connexion (22) soit face à l'élément de connexion. Ce dernier et la pâte de soudure sont chauffés à une température telle que l'âme (11) ne fond pas. La pâte de soudure et la soudure fondent pour connecter les plages de connexion. La pâte de soudure et la soudure de l'élément de connexion s'écoulent dans le trou traversant.

Description

ELEMENT DE CONNEXION ET PROCEDE DE CONNEXION METTANT EN
OEUVRE CET ELEMENT
DESCRIPTION
Domaine technique et art antérieur
La présente invention concerne un élément de connexion pour connecter des dispositifs électroniques, et plus particulièrement un élément de connexion pour connecter des plages de connexion se faisant face.
Une technique conventionnelle pour connecter un substrat flexible et un substrat de montage est décrite dans le brevet américain nO 5 261 155.
Se référant à la figure 6 de la référence, un élément de soudage 32 et une pate de soudure 27 relient un conducteur 39 d'un substrat flexible 31 et une plage conductrice de connexion 23 d'un substrat 13. L'élément de soudage 32 et la pâte de soudure 27 forment une bosse de soudure.
Se référant aux figures 4 et 5 du brevet américain n0 5 261 155, le substrat flexible 31 et le substrat 13 sont connectés par les étapes suivantes.
Dans une première étape, la pâte de soudure 27 est déposée sur la plage conductrice de connexion 23 du substrat 13.
Dans une deuxième étape, l'élément de soudage 32 est positionné sur la pâte de soudure 27. Auprès cela, le substrat flexible 31 est positionné de sorte que le conducteur 39 fasse face à l'élément de soudage 32.
Dans une troisième étape, l'élément de soudage 32 et la pâte de soudure 27 sont chauffes pour fondre et connecter le conducteur 39 et la plage conductrice de connexion 23.
Se référant à la figure 9, la référence décrit de plus un trou traversant prévu dans le substrat flexible 31. Le trou traversant n'est pas effilé.
La structure conventionnelle susmentionnée pose les problèmes suivants.
Premièrement, les hauteurs des bosses (c'est-à-dire l'interstice entre le conducteur 39 et la plaque conductrice 23) varient avec les positions de celles-ci lorsque le substrat flexible 31 gondole, et deviennent ainsi irrégulières et ont une hauteur non-uniforme.
Deuxièmement, lorsque le substrat flexible 31 est pressé contre le substrat 13 pendant le chauffage pour augmenter la planéité de celui-ci, l'élément de soudage 32 et la pâte de soudure 27 sont écrasés. L'élément de soudage 32 et la pâte de soudure 27, écrasés, s'étendent sur les substrats 31 et 13, établissant ainsi des courts-circuits entre des motifs conducteurs prévus sur les substrats.
Les premier et deuxième problèmes susmentionnés sont particulièrement graves lorsque la technique conventionnelle est appliquée à une soudure à pas réduit.
Troisièmement, la résistance mécanique de la bosse de soudure est faible.
Quatrièmement, une connexion défectueuse de la bosse de soudure n ' est pas facile à détecter, car la bosse de soudure est cachée sous le substrat flexible 31.
Cinquièmement, lorsque le substrat flexible 31 est pressé contre le substrat 13, la soudure écrasée s'étale sur la surface supérieure du substrat flexible 31 à travers le trou traversant.
Résumé de l'invention
Étant donnés les problèmes susmentionnés de la technique de connexion conventionnelle, un premier objet de la présente invention est de fournir un élément de connexion pour former des bosses de soudure de hauteur uniforme.
Un deuxième objet de la présente invention est d'éviter l'écrasement des bosses de soudure lorsque les substrats sont pressés l'un contre l'autre.
Un troisième objet de la présente invention est d'augmenter la résistance mécanique des bosses de soudure.
Un quatrième objet de la présente invention est de rendre plus facile la détection d'un défaut de connexion.
Un cinquième objet de la présente invention est d'éviter que la soudure s'étale sur la surface supérieure du substrat flexible 31 à travers le trou traversant lorsque le substrat flexible 31 est pressé contre le substrat 13.
Un sixième objet de la présente invention est d'améliorer la fiabilité de la soudure à pas réduit.
Selon la présente invention, un élément de connexion comprend une âme ayant un premier point de fusion et de la soudure recouvrant l'âme et ayant un deuxième point de fusion. Le deuxième point de fusion est inférieur au premier point de fusion. L'âme peut avoir une forme sensiblement sphérique.
Selon la présente invention, un dispositif électronique comprend un premier substrat, un deuxième substrat, et une âme. Le premier substrat a une première surface, une deuxième surface, et une première plage de connexion sur sa première surface. Le deuxième substrat a une première surface, une deuxième surface, et une deuxième plage de connexion sur sa deuxième surface. La première plage de connexion fait face à la deuxième plage de connexion. L'âme est sensiblement sphérique et est intercalée entre les première et deuxième plages de connexion. Les première et deuxième plages de connexion sont connectées par une soudure.
Le premier substrat peut avoir un trou traversant en une position de la première plage de connexion, et au moins une partie de la soudure est positionnée dans le trou traversant. Le trou traversant peut être effilé.
Les premier et deuxième substrats peuvent être connectés par les étapes suivantes. Dans une première étape, une première plage de connexion est formée sur une surface du premier substrat. Dans une deuxième étape, une deuxième plage de connexion est formée sur une surface du deuxième substrat. Dans une troisième étape, un élément de connexion est préparé. L'élément de connexion comprend une âme sensiblement sphérique et de la soudure recouvre l' me.
L'âme et la soudure ont respectivement des premier et deuxième points de fusion. Le premier point de fusion est supérieur au deuxième point de fusion. Dans une quatrième étape, une pâte de soudure est déposée sur la deuxième plage de connexion du deuxième substrat. Dans une cinquième étape, l'élément de connexion est positionné sur la pâte de soudure. Dans une sixième étape, le premier substrat est positionné de sorte que la première plage de connexion soit en face de l'élément de connexion. Dans une huitième étape, l'élément de connexion et la pâte de soudure sont chauffés à des températures entre les premier et deuxième points de fusion. La pâte de soudure et la soudure de l'élément de connexion fondent pour connecter les première et deuxième plages de connexion.
Dans une première étape, un trou traversant peut etre percé dans le premier substrat en une position de la première plage. Au moins l'une de la pâte de soudure et de la soudure de l'élément de connexion s'écoule dans le trou traversant. Une connexion défectueuse peut être détectée en examinant si au moins une partie de la pâte de soudure et de la soudure de l'élément de connexion dépasse ou non du trou traversant du premier substrat.
Brève description des figures
D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, prise en liaison avec les dessins annexés, dans lesquels
La figure 1 est une coupe transversale d'un élément de connexion selon un premier mode de réalisation de la présente invention.
La figure 2 montre la structure d'un dispositif électronique selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 3(a) à 3(d) montrent des étapes d'une première méthode pour connecter un support en bande 20 et un substrat 30 montré sur la figure 2.
Les figures 4(a) à 4(c) montrent des étapes d'une deuxième méthode pour connecter un support en bande 20 et un substrat 30 montré sur la figure 2.
Les figures 5(a) à 5(d) montrent la structure et le procédé de fabrication d'un dispositif électronique selon un troisième mode de réalisation de la présente invention
La figure 6 montre la structure d'un dispositif électronique selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention
Les figures 7(a) à 7(d) montrent des étapes d'une méthode pour connecter une plage de connexion 50 et un élément de connexion 10 montré sur la figure 6.
Sur ces dessins, les mêmes numéros de référence désignent respectivement les mêmes parties.
Description détaillée de modes préférés de réalisation
Le premier mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Le premier mode de réalisation concerne un élément de connexion.
Se référant à la figure 1, un élément de connexion 10 a une âme 11 ayant une forme sensiblement sphérique et de la soudure 12 recouvrant l'âme 11.
Le diamètre de l'âme 10 est approximativement de 300 pm. L'épaisseur de la soudure 12 est approximativement de 5 à 10 pm.
L'âme 11 est formée de métal (unitaire ou alliage) ou de céramique. Le point de fusion de l'âme 11 doit être supérieur à celui de la soudure 12.
Dans le cas de métaux, le matériau de l'âme 11 est de préférence choisi dans le groupe comprenant le cuivre, le fer, le nickel, le chrome, le tungstène, le molybdène, l'argent et des alliages d'au moins deux des métaux précédents.
Dans le cas de céramiques, le matériau de l'âme 11 peut etre de l'alumine, du verre, de la zircone ou de la silice.
Le matériau de la soudure 12 peut être de l'étain un alliage or/étain, ou de la soudure étain/plomb. Une telle soudure est connue dans l'art et est disponible dans le commerce.
Le deuxième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Le deuxième mode de réalisation concerne un dispositif électronique intégrant l'élément de connexion 10 et le procédé de fabrication de celui-ci.
Se référant à la figure 2, un dispositif électronique 11 comprend une puce intégrée à grande échelle (LSI) 41, un support en bande 20 et un substrat 30. Le support en bande 20 et le substrat 30 sont connectés via l'âme 11 et la soudure 31.
Dans le mode de réalisation illustré, la puce LSI 41 est de forme carrée, avec une longueur d'environ 17,5 Rit;
La puce LSI 41 a 800 bornes le long de chacun de ses bords.
Les bornes sont alignées avec un pas de 80 Wm. Les bornes sont connectées au support en bande 20 via des conducteurs intérieurs 61.
Le support en bande 20 comprend un film isolant 21.
L'épaisseur du film isolant 21 est approximativement de 50 pm. Le film isolant 21 est formé à partir d'un matériau ayant une résistance à la chaleur appropriée et un coefficient de dilatation thermique relativement faible. Le film isolant 21 est de préférence facile à fixer aux motifs conducteurs. En particulier, le film isolant 21 est de préférence formé à partir de polyimide ou de benzocyclobutène (BCB).
Le film isolant 21 a un trou traversant 25. Un motif conducteur 23 est formé sur la surface intérieure du trou traversant 25. Un motif conducteur 24 et une plage de connexion 22 sont formés sur les surfaces supérieure et inférieure du film isolant 21, respectivement, et sont connectés entre eux par l'intermédiaire du motif conducteur 23. L'épaisseur de la plage de connexion 22 et des motifs conducteurs 23 et 24 est approximativement de 10 à 25 pm.
La plage de connexion 22 et le motif conducteur 24 sont annulaires et ont des diamètres extérieurs d'environ 500 pra et 250 pm, respectivement. La plage de connexion 22 et les motifs conducteurs 23 et 24 sont formés en cuivre et sont plaqués avec de l'or.
Le trou traversant 25 est effilé, ou va en diminuant ;
En particulier, le diamètre du trou traversant 25 est fixé à approximativement 150 pm et 300 pm au niveau des surfaces supérieure et inférieure du film isolant 21, respectivement.
Le substrat 30 a une plage de connexion 31 sur sa surface supérieure; La plage 31 est circulaire, avec un diamètre d'environ 600 pm. Les plages de connexion 22 et 31 sont connectées par la soudure 13. L'âme 11 est intercalée entre les plages de connexion 22 et 31.
Le matériau et la dimension de l'âme 11 sont identiques à ceux du premier mode de réalisation. La partie supérieure de l'âme 11 est logée dans le trou traversant 25 et vient en contact avec le motif conducteur 23. L'élément de connexion 10 peut facilement être logé dans le trou traversant 25, car l'âme 11 est sphérique et le trou traversant 25 est effilé, ou va en diminuant. L'extrémité inférieure de l'âme 11 est placée sur la plage de connexion 31. L'âme 11 soutient le support en bande 20 sur le substrat 30.
Une partie de la soudure 13 est placée dans le trou traversant 25. L'extrémité supérieure de la soudure 13 dépasse du trou traversant 25 et apparait sur la surface supérieure du support de bande 20.
Une première méthode de connexion du support en bande 20 et du substrat 30 va maintenant être décrite.
Se référant à la figure 3(a), dans une première étape, une pâte de soudure 32 est déposée sur la plage de connexion 31. L'épaisseur de la pâte de soudure 32 est approximativement de 150 à 250 pm. Ensuite, l'élément de connexion 10 est placé sur la pâte de soudure 32. L'élément de connexion 10 reste sur la pâte de soudure 32 du fait de l'adhérence de la pâte de soudure 32.
Se référant à la figure 3(b), dans une deuxième étape, l'élément de connexion 10 et la pâte de soudure 32 sont chauffés à une température entre les points de fusion de la soudure 12 et de l'âme 11. La soudure 12 et la pâte de soudure 32 fondent pour former la soudure 13, alors que l'âme ne fond pas. La soudure 13 est ensuite refroidie pour former une bosse de soudure comprenant l'âme 11.
Se référant à la figure 3(c), dans une troisième étape, le support en bande 20 est positionné en sorte que le trou traversant 25 soit placé par-dessus la soudure 13.
Se référant à la figure 3(d), dans une quatrième étape, la soudure 13 est chauffée et fond pour s'écouler dans le trou traversant 25, alors que l'âme 11 ne fond pas et soutient le support en bande 20. Une partie de la soudure 13 apparait au niveau de la surface supérieure du support en bande 20. La connexion défectueuse de la soudure 13 (et donc du dispositif électronique) peut facilement être détectée en examinant si au moins une partie de la soudure 13 dépasse ou non du trou traversant 25. Une connexion défectueuse existe lorsqu'une telle partie de soudure ne dépasse pas du trou traversant 25. Cette soudure établit un interstice uniforme entre le support en bande 20 et le substrat 30, car l'interstice est déterminé par le diamètre de l'âme 11.
Une deuxième méthode pour connecter le support en bande 20 et le substrat 30 va maintenant être décrite.
Se référant à la figure 4(a), une première étape de la deuxième méthode est identique à celle de la première méthode.
Se référant à la figure 4(b), dans une deuxième étape, le support en bande 20 est positionné en sorte que le trou traversant 25 soit placé au-dessus de l'élément de connexion 10.
Se référant à la figure 4(c), dans une troisième étape, l'élément de connexion 10 et la pâte à soudure 32 sont chauffés à une température entre les points de fusion de la soudure 12 et de l'âme 11. La soudure 11 et la pâte à soudure 32 fondent pour former la soudure 13 et s'écoulent dans le trou traversant 25, alors que l'âme ne fond pas et soutient le support en bande 20.
Une partie de la soudure 13 apparaît au niveau de la surface supérieure du support en bande 20. La connexion défectueuse de la soudure 13 peut facilement être détectée en examinant si au moins une partie de la soudure 13 dépasse ou non du trou traversant 25.
Dans la quatrième étape de la première méthode et la troisième étape de la deuxième méthode, le support en bande 20 peut être pressé contre le substrat 30 pour améliorer la régularité (par exemple la planéité) du support en bande 20. Le support en bande 20 peut également être pressé légèrement contre le substrat 30 pour améliorer l'écoulement de la soudure 13.
Les avantages techniques du deuxième mode de réalisation vont maintenant être décrits.
Premièrement, la hauteur de la bosse ou de l'interstice entre le support en bande 20 et le substrat 30 peut être ajusté avec précision et uniformité, car l'interstice est défini par l'âme 11.
Deuxièmement, lorsque le support en bande 20 est pressé contre le substrat 30, la soudure 13 n'est pas écrasée, car l'âme 11 soutient le support en bande 20.
Troisièmement, la résistance mécanique de la bosse de soudure est augmentée, car la bosse de soudure comprend l'âme 11.
Quatrièmement, la plage de connexion 22 peut être positionnée avec précision par-dessus la plage de connexion 31, car l'élément de connexion 11 est reçu par le trou traversant 25 pour positionner précisément la plage de connexion 22.
Cinquièmement, la connexion défectueuse de la soudure 13 peut facilement être détectée en examinant si une partie de la soudure 13 dépasse ou non du trou traversant 25.
Sixièmement, lorsque le support en bande 20 est pressé contre le substrat 30, la soudure écrasée 13 ne s'étale pas par-dessus la surface supérieure du support en bande 20, car l'âme 11 soutient le support en bande 20.
Le troisième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Le troisième mode de réalisation concerne un système électronique intégrant l'élément de connexion 10 et le procédé de fabrication de celui-ci
Se référant à la figure 5(d), un dispositif électronique du troisième mode de réalisation comprend la même puce LSI 41 que celle du deuxième mode de réalisation.
Un motif conducteur 26 est formé sur la surface supérieure du film isolant 21. Le matériau du film isolant 21 est le même que celui du deuxième mode de réalisation.
Un motif conducteur 24 est formé sur le motif conducteur 26. Une plage de connexion 22 est formée sur la surface inférieure du film isolant 21. Un motif conducteur 23 est formé sur -la surface intérieure du trou traversant 25. La plage de connexion 22 et les motifs conducteurs 23 et 24 sont formés par placage à l'or. La plage de connexion 22 et les motifs conducteurs 23 et 24 peuvent également etre formés par placage au cuivre, puis placage à l'or sur le placage au cuivre.
L'élément de connexion 10 est logé dans le trou traversant 25 et connecté au motif conducteur 23. Si le diamètre de l'âme 11 est suffisamment grand, l'élément de connexion 10 n'est pas logé dans le trou traversant et connecté à la plage 22. L'élément de connexion 10 comprend l'amie 11 et un alliage or/étain 14 en tant que soudure 12.
L'extrémité inférieure de l'élément de connexion 10 est connectée à la plage de connexion 31 par de la soudure 32.
Une méthode va maintenant être décrite pour connecter le support en bande 20 et le substrat 30.
Se référant à la figure 5(a), dans une première étape, l'élément de connexion 10 est placé dans le trou traversant 25. L'alliage or/étain 14 vient en contact avec le motif conducteur 23.
L'élément de connexion 10 est chauffé à des températures entre approximativement 300 et 350 C dans une atmosphère d'azote pendant environ 10 minutes. Le film isolant 21 n'est pas endommagé par le chauffage, car la température de décomposition du polyimide est supérieure à 400"C.
La température eutectique de l'alliage or/étain 'est d'environ 2800C. Ainsi, le chauffage provoque une réaction entre l'or plaqué sur le motif conducteur 23 et l'alliage or/étain 14 pour connecter l'élément de connexion 10 et le motif conducteur 23.
Se référant à la figure 5(b), le support en bande 20, la puce LSI 41 et l'élément de connexion 10 forment un support de dispositif électronique 42.
Se référant à la figure 5(c), dans une deuxième étape, une pate de soudure est déposée sur la plage de connexion 31. Le support de dispositif électronique 42 est positionné en sorte que l'élément de connexion 10 soit placé sur la pâte de soudure 32.
Se référant à la figure 5(d), dans une troisième étape, la pâte de soudure 32 et l'élément de connexion 10 sont chauffés; La pâte de soudure 32 et l'alliage or/étain fondent et connectent l'élément de connexion 10 et la plage de connexion 31.
Le troisième mode de réalisation présente les avantages susmentionnés, du premier au cinquième, du deuxième mode de réalisation.
Le quatrième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit; Le quatrième mode de réalisation concerne un support de dispositif électronique intégrant l'élément de connexion 10 et le procédé de fabrication de celui-ci.
Se référant à la figure 6, un support de dispositif électronique 42 selon la quatrième mode de réalisation comprend la puce LSI 41. La structure de la puce LSI 41 est identique à celle du deuxième mode de réalisation.
Un motif conducteur 27 est formé sur la surface inférieure du film isolant 21. Le motif conducteur 27 est plaqué avec de l'or 28. Une partie du motif conducteur 27 sert de conducteur intérieur et est connectée à la puce LSI 41.
Une plage 50 est formée sur la surface inférieuré du film isolant 21. La plage 50 comprend un motif conducteur 51 plaqué avec une couche d'or 52. La plage 50 est connectée au motif conducteur 27. Les épaisseurs du motif conducteur 51 et de la couche d'or 52 sont respectivement d'environ 10 à 25 pm et d'environ 1 à 5 pm.
L'élément de connexion 10 est connecté à la plage 50.
Un alliage or/étain 53 est formé entre l'élément de connexion 10 et la couche d'or 52.
Un matériau isolant 29 couvre la surface inférieure du film isolant 21 pour protéger le motif conducteur 27 de tout endommagement.
Une méthode pour connecter la plage de connexion 50 et élément de connexion 10 va maintenant être décrite.
Se référant à la figure 7(a), dans une première étape, le motif conducteur 51 est formé sur la surface inférieure du film isolant 21.
Se référant à la figure 7(b), dans une deuxième étape, le motif conducteur 51 est plaqué avec une couche d'or 52.
Se référant à la figure 7(c), dans une troisième étape, l'élément de connexion 10 est pressé contre la couche d'or 52.
Se référant à la figure 7(d), dans une quatrième étape, l'élément de connexion 10 est chauffé à des températures entre approximativement 300 et 350 C dans une atmosphère d'azote pendant environ 10 minutes. Le film isolant 21 n'est pas endommagé par le chauffage, car la température de décomposition du polyimide est supérieure à 4000C.
La température eutectique de l'alliage or/étain est d'environ 280"C. Ainsi, le chauffage provoque une réaction entre la couche d'or 52 et l'alliage or/étain 14 de l'élément de connexion 10 pour former l'alliage or/étain 53. L'alliage or/étain 53 connecte l'élément de connexion 10 et le motif conducteur 52.
Dans le troisième mode de réalisation, de la soudure étain/plomb eutectique peut être utilisée pour la soudure 12 à la place de l'alliage or/étain 14. Le point de fusion de la soudure étain/plomb eutectique est d'environ 18OC.
Si on utilise de la soudure étain/plomb comme soudure 12, l'alliage or/étain 53 n'est pas formé.
Le quatrième mode de réalisation présente les avantages susmentionnés, du premier au quatrième, du deuxième mode de réalisation.
Des modifications de la présente invention vont maintenant être décrites.
La forme de l'âme 11 n7 est pas limitée à la forme sphérique, tant que l'âme il se loge facilement dans le trou traversant 25.
Ainsi, l'âme peut avoir en variante une forme ovale ou elliptique, ou toute autre forme similaire se logeant facilement dans le trou traversant.
La présente invention peut être appliquée à des substrats autres que le film isolant 21.
Les dimensions des structures ci-dessus sont seulement des exemples et les dimensions peuvent être ajustées en fonction des exigences des concepteurs.
Les présents modes de réalisation sont donc à considérer à tous points de vue comme illustratifs et nonrestrictifs, l'étendue de la présente invention étant définie par les revendications annexées plutôt que par la description ci-dessus, et toutes les modifications qui entrent dans le cadre d'équivalence et dans la signification des revendications sont donc destinées à être englobées par la présente.

Claims (21)

REVENDICATIONS
1. Élément de connexion, comprenant
une âme (11) ayant un premier point de fusion ; et
de la soudure (12) recouvrant ladite âme (11) et ayant un deuxième point de fusion inférieur audit premier point de fusion.
2. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite âme (11) a une forme sensiblement sphérique.
3. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite âme (11) comprend un métal.
4. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite ame (11) comprend une céramique.
5. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite soudure (12) comprend de ltetain.
6. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite soudure (12) comprend de l'étain et de l'or.
7. Élément de connexion selon la revendication 1, dans lequel ladite soudure (12) comprend de étain et du plomb.
8. Dispositif électronique, comprenant
un premier substrat ayant une première surface, une deuxième surface, et une première plage de connexion sur ladite première surface de celui-ci
un deuxième substrat ayant une première surface, une deuxième surface, et une deuxième plage de connexion sur ladite deuxième surface de celui-ci, ladite première plage de connexion faisant face à ladite deuxième plage de connexion ; et
une âme sensiblement sphérique intercalée entre lesdites première et deuxième plages de connexion ;
une soudure connectant lesdites première et deuxième plages de connexion.
9. Dispositif électronique selon la revendication 8, dans lequel ledit premier substrat a un trou traversant en une position de ladite première plage de connexion, et au moins une partie de ladite soudure est positionnée dans ledit trou traversant.
10. Dispositif électronique selon la revendication 9, dans lequel ledit trou traversant est effilé.
11. Dispositif électronique selon la revendication 8, dans lequel au mois l'une desdites première et deuxième plages de connexion est plaquée avec de l'or.
12. Procédé pour connecter des premier et deuxième substrats par soudure, comprenant les étapes consistant à
(a) former une première plage de connexion sur une surface dudit premier substrat
(b) former une deuxième plage de connexion sur une surface dudit deuxième substrat
(c) préparer un élément de connexion comprenant une âme sensiblement sphérique et de la soudure recouvrant ladite âme, ladite âme et ladite soudure ayant respectivement des premier et deuxième points de fusion, ledit premier point de fusion étant supérieur audit deuxième point de fusion
(d) déposer une pâte de soudure sur ladite deuxième plage de connexion dudit deuxième substrat ;
(e) positionner ledit élément de connexion sur ladite pâte de soudure ;
(f) positionner ledit premier substrat en sorte que ladite première plage de connexion soit en face dudit élément de connexion ; et
(g) chauffer ledit élément de connexion et ladite pâte de soudure à des températures entre lesdits premier et deuxième points de fusion, ladite pâte de soudure et ladite soudure dudit élément de connexion fondant pour connecter lesdites première et deuxième plages de connexion.
13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite étape (e) comprend de plus les étapes consistant à
chauffer ledit élément de connexion et ladite pâte de soudure à une température entre lesdits premier et deuxième points de fusion, pour faire fondre ladite pâte de soudure et ladite soudure dudit élément de connexion ; et
refroidir ledit élément de soudure et ladite pâte de soudure en sorte que ladite pâte de soudure, ladite àme et ladite soudure dudit élément de connexion donnent une bosse de soudure.
14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite âme dudit élément de connexion soutient ledit premier substrat sur ledit deuxième substrat pendant ladite étape (g).
15. Procédé selon la revendication 12, ladite étape (g) comprenant de plus une étape consistant à
presser ledit premier substrat contre ledit deuxième substrat.
16. Procédé selon la revendication 12, ladite étape (a) comprenant de plus une étape consistant à
plaquer ladite première plage de connexion avec de 1' or.
17. Procédé selon la revendication 12, ladite étape (b) comprenant de plus une étape consistant à
plaquer ladite deuxième plage de connexion avec de l'or.
18. Procédé selon la revendication 12, dans lequel ladite étape (a) comprend de plus une étape consistant à percer un trou traversant dans ledit premier substrat en une position de ladite première plage de connexion, et dans lequel au moins l'une de ladite pâte de soudure et de ladite soudure dudit élément de connexion s'écoule dans ledit trou traversant.
19. Procédé selon la revendication 18, ladite étape (g) comprenant de plus une étape consistant à
examiner si au moins une partie de ladite pate de soudure et de ladite soudure dudit élément de connexion dépasse ou non dudit trou traversant dudit premier substrat.
20. Support de dispositif électronique, comprenant
un premier substrat ayant une première surface, une deuxième surface, et une plage de connexion sur ladite deuxième surface ;
une âme sensiblement sphérique ; et
de la soudure recouvrant ladite âme et connectant ladite âme et ladite plage de connexion.
21. Procédé pour connecter des premier et deuxième substrats par soudure, comprenant les étapes consistant à
(a) former une première plage de connexion sur une surface dudit premier substrat
(b) former une deuxième plage de connexion sur une surface dudit deuxième substrat ;
(c) préparer un élément de connexion comprenant une âme sensiblement sphérique et de la soudure recouvrant ladite âme, ladite âme et ladite soudure ayant respectivement des premier et deuxième points de fusion, ledit premier point de fusion étant supérieur audit deuxième point de fusion
(d) positionner ledit élément de connexion sur ladite première plage de connexion
(e) chauffer ledit élément de connexion à une température entre lesdits premier et deuxième points de fusion pour connecter ledit élément de connexion et ladite première plage de connexion.
(h) chauffer ledit élément de connexion et ladite pAte de soudure à une température entre lesdits premier et deuxième points de fusion, ladite pâte de soudure et ladite soudure dudit élément de connexion fondant pour connecter lesdites première et deuxième plages de connexion.
(g) positionner ledit premier substrat en sorte que ledit élément de connexion soit en face de ladite deuxième plage de connexion ; et
(f) déposer une pâte de soudure sur ladite deuxième plage de connexion dudit deuxième substrat ;
FR9508969A 1994-02-22 1995-07-24 Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element Granted FR2722916A1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9402006A FR2716387A1 (fr) 1994-02-22 1994-02-22 Dispositif et procédé pour la production de particules de granulométrie contrôlée en suspension dans un milieu gazeux et application pour la fabrication de matériaux fibreux.
JP17062494 1994-07-22
JP23653094 1994-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2722916A1 true FR2722916A1 (fr) 1996-01-26
FR2722916B1 FR2722916B1 (fr) 1997-02-07

Family

ID=34317124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9508969A Granted FR2722916A1 (fr) 1994-02-22 1995-07-24 Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2722916A1 (fr)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997001866A1 (fr) * 1995-06-29 1997-01-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Boitier a structure en reseau de billes mettant en oeuvre des spheres recouvertes de soudure
EP0840374A1 (fr) * 1996-10-30 1998-05-06 STMicroelectronics S.A. Empaquetage semi-conducteur ayant des éléments de support liés mécaniquement et électriquement
EP0959648A1 (fr) * 1997-01-30 1999-11-24 Ibiden Co., Ltd. Carte imprimee et son procede de production
FR2799337A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-06 St Microelectronics Sa Procede de realisation de connexions electriques sur la surface d'un boitier semi-conducteur a gouttes de connexion electrique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0084464A2 (fr) * 1982-01-20 1983-07-27 North American Specialities Corporation Connecteur pour sous-assemblages électroniques
US4807021A (en) * 1986-03-10 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having stacking structure
FR2620569A1 (fr) * 1987-09-11 1989-03-17 Radiotechnique Compelec Procede pour calibrer l'epaisseur d'une soudure d'un composant electronique sur un substrat
EP0343379A2 (fr) * 1988-05-26 1989-11-29 International Business Machines Corporation Empaquetage à film mince pour la connexion mixte d'une puce
DE4223280A1 (de) * 1991-07-16 1993-01-21 Sharp Kk Schaltkreistraeger-baueinheit und verfahren zu deren herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0084464A2 (fr) * 1982-01-20 1983-07-27 North American Specialities Corporation Connecteur pour sous-assemblages électroniques
US4807021A (en) * 1986-03-10 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having stacking structure
FR2620569A1 (fr) * 1987-09-11 1989-03-17 Radiotechnique Compelec Procede pour calibrer l'epaisseur d'une soudure d'un composant electronique sur un substrat
EP0343379A2 (fr) * 1988-05-26 1989-11-29 International Business Machines Corporation Empaquetage à film mince pour la connexion mixte d'une puce
DE4223280A1 (de) * 1991-07-16 1993-01-21 Sharp Kk Schaltkreistraeger-baueinheit und verfahren zu deren herstellung

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997001866A1 (fr) * 1995-06-29 1997-01-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Boitier a structure en reseau de billes mettant en oeuvre des spheres recouvertes de soudure
EP0840374A1 (fr) * 1996-10-30 1998-05-06 STMicroelectronics S.A. Empaquetage semi-conducteur ayant des éléments de support liés mécaniquement et électriquement
US5959355A (en) * 1996-10-30 1999-09-28 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Semiconductor package having mechanically and electrically bonded supportive elements
EP0959648A1 (fr) * 1997-01-30 1999-11-24 Ibiden Co., Ltd. Carte imprimee et son procede de production
EP0959648A4 (fr) * 1997-01-30 2004-06-23 Ibiden Co Ltd Carte imprimee et son procede de production
US7222776B2 (en) 1997-01-30 2007-05-29 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and manufacturing method therefor
FR2799337A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-06 St Microelectronics Sa Procede de realisation de connexions electriques sur la surface d'un boitier semi-conducteur a gouttes de connexion electrique
EP1091627A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-11 STMicroelectronics SA Procédé de réalisation de connexions électriques sur la surface d'un boítier semi-conducteur à gouttes de connexion électrique
US6399475B1 (en) 1999-10-05 2002-06-04 Stmicroelectronics S.A. Process for producing electrical connections on the surface of a semiconductor package with electrical-connection drops

Also Published As

Publication number Publication date
FR2722916B1 (fr) 1997-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2727569A1 (fr) Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element
EP0709886B1 (fr) Film conducteur anisotrope pour la microconnectique
FR2779867A1 (fr) Structure de montage et procede de montage d'un dispositif a semi-conducteur
FR2541044A1 (fr) Procede de montage d'une plaquette de circuit integre sur un substrat
FR2733354A1 (fr) Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil
JP2557268B2 (ja) 装置取付け方法
FR2722916A1 (fr) Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element
EP0818813B1 (fr) Système de composants à hybrider et procédé d'hybridation autorisant des dilatations thermiques
FR2769100A1 (fr) Boitier pour dispositif photosemi-conducteur
FR2724051A1 (fr) Montage de dispositif electronique et son procede de fabrication
EP0114760A1 (fr) Boîtier à dissipation thermique élevée, notamment pour microélectronique
WO2000026958A1 (fr) Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites
FR2782440A1 (fr) Structure de montage pour circuit integre a grande echelle
EP1427008B1 (fr) Procédé de fabrication d'un module électronique comportant un composant actif sur une embase
FR2620569A1 (fr) Procede pour calibrer l'epaisseur d'une soudure d'un composant electronique sur un substrat
FR2748856A1 (fr) Dispositif diode a semiconducteur a montage en surface
JP4369643B2 (ja) はんだ接合層
EP0795903B1 (fr) Procédé pour le montage de composants sur un substrat
FR2818870A1 (fr) Procede de realisation d'interconnexion dans un circuit imprime multicouches
FR2569052A1 (fr) Procede d'interconnexion de circuits integres
FR2523397A1 (fr) Procede de montage de composants electroniques sur un support et produit realisable par le procede
EP0753990B1 (fr) Dispositif de connexion et procédé de connexion
EP0486392A1 (fr) Circuit hybride formé de deux circuits dont les pistes sont reliées par des billes de connexion électrique
JPS61181136A (ja) ダイボンデイング方法
FR2466860A1 (fr) Procede de soudure d'un cristal semi-conducteur sur un support metallique et dispositif semi-conducteur comportant un cristal de silicium et un support nickele reunis par ce procede

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse

Effective date: 20080331