FR2705695A1 - Procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide. - Google Patents
Procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2705695A1 FR2705695A1 FR9403739A FR9403739A FR2705695A1 FR 2705695 A1 FR2705695 A1 FR 2705695A1 FR 9403739 A FR9403739 A FR 9403739A FR 9403739 A FR9403739 A FR 9403739A FR 2705695 A1 FR2705695 A1 FR 2705695A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- solution
- layer material
- solvent
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 title description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 7
- 238000013021 overheating Methods 0.000 abstract description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 108091023231 Ap4A Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Se and Te Chemical class 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
On sature un métal fondu, servant de solvant, à une première température avec un matériau de substrat et on le mélange à un métal de couche. La solution et le substrat sont ensuite "surchauffés" séparément, à une deuxième température, plus élevée, puis remis en contact. Au moyen de la surchauffe se produit pour l'épitaxie une force motrice thermodynamiquement négative, qui compense au moins partiellement la force motrice positive pour l'épitaxie produite du fait des différences d'énergies de surface limite, entre matériau de couche et solution et matériau de substrat et solution. Le degré de surchauffe détermine la force motrice totale résultante de l'épitaxie, celle-ci pouvant être diminuée jusqu'à zéro.
Description
1 2705695
Procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide La présente invention concerne un procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide, c'est-à-dire un procédé pour déposer une couche à partir d'un matériau de couche prédéterminé sur une surface d'un substrat composée d'un matériau différent du matériau de couche, procédé dans lequel une solution contenant un matériau de couche dissout dans un solvant est mise en contact
avec une surface de substrat.
Dans l'épitaxie en phase liquide (LPE = liquid phase épitaxie) on met usuellement en contact une solution sous-refroidie du matériau de couche, dans un solvant, avec la surface de substrat, voir par exemple Hansson et al, J. Appl. Phys. 72 (5), 1. septembre 1992, pages 2083 à 2085; Hsieh, Journal of Crystal
Growth 27 (1974), pages 49 à 61; Bauer et al, J. Mater.
Res., 5, Nr. 4, April 1990, pages 852 à 894.
Les procédés d'épitaxie en phase liquide sont utilisés entre autres pour la préparation de structures de couche Si-Ge présentant une étendue, par exemple pour des transistors bipolaires avec une
hétérotransition (HBT), ayant un produit amplification-
largeur de bande plus élevé que pour les transistors au silicium bipolaires classiques et s'avérant plus économiques que les HBT composés d'hétérostructure
AlGaAs/GaAs et GaInAs/InP.
Avec les procédés d'épitaxie connus, y compris le LPE, il est cependant très difficile de constituer des couches semi-conductrices minces, notablement exemptes de dislocation. Les couches épitaxiques étendues sont métastables aux basses températures de croissance. Pour des températures élevées (dépassant à peu près 700 C) on n'a pas pu obtenir jusqu'ici une
croissance bi-dimensionnelle.
La présente invention a par conséquent pour but d'indiquer un procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide, avec lequel on puisse développer des couches a4fnoD eL aP aLLaG eJ ainaLiajuL aJ 0LOp uoLInLos eL ap a3ejlns ap aL6JuL anb 4sa UOLLpuoD EL e'ej1sqns eL Jns a4Dnoo eun,p uoLqEWJoJ eL JLuaqqo Jnod (sapLLOS sdoz SDel aLLLnow uoL4nLos eL anbsJoL 'uoLTnLos eL ap 4a sepLLos sdjoD sap aDejlns ap saL6Jaua saL e.;ua eauaJla4JLp el sa alwLL aDejins ap aLe.aual) -eq*no3 ap neLJaqeW/qUe^LOS We qe.fsqns ap neLJa4Ewu/uEALOS O aS4U9 SILwLL aoeJlns ap sSL6.Iaua set SeIUe a3uaJaS Lp EL e LLeUUOL.iodoJd 4sa ^AL4Lsod 4uemenbLweu powJaq4 aoLow aSjojo el -AL:lsod uuawanbLweu powmi4q aDLo ow eoDjo aunp jasodsLp ap JLessaSeu 4sa Lk 'adLouLJd ua 'elejsqns un ans a4snoz aun J9sodap Jnod S lejlsqns np aDejns el ans asodap a4noD aP e ew p nL em np -eLnos inessLede un a uas,4qo uonb SaLLae SLSLo04 ueW 43e4uoo us asLU eL ap ainp eL a aineWadwaq awalxnep eL 'eLiAnooeJ e le.lsqns ap aejens el 3oAe fainleÀadwa4 awaeLxnap a4o5 e 4De4uoo oz ua aSLW lul uoDLnLos EL 'uoLsnj ap ajnlejadw9 aq4o e aLe6a said nad e uaLq no a4enoo ap nepJaetw np uoLsnf ap ainqeJadwa eL e ainaLiaJuL quepuadao sLew ainewadwa; aJeLweid el e eainaLiedns '(Z1) aJn4ejadwma awLxnap aun e 'SelneL ap un,L quemwjedas 'sa4ne4o ci quos 4eilsqns eL anb LsuLe eaiedaid LSULE uoL:nLos eL enb as ua la '4oDnoD ap neLiaqew ne,a6UeLtuJ W (qejsqns ep neLIaEW np uoLsnf ap aJneJadwaq EL ap 4a) a43noa ep neL.aew np uoLsnr ep ainlejadwt1 eL ap snossap-ne inaLeA auLe4JD aun 4a ueALOS np uoLsn? ap 01 uLod el aeue 99nljLs 'eauLwtjaqppid (TI) aJn4ejadwSe aeLweid aun e qe.Isqns ap neLiaewm ua aJnles qsa 4ueALOS aL enb qje4 aL jed SLJsnsseoeo 'snssap-LoD,aL ad j np 9pgzooJd un Jed nLosaJ 1se ewGLqoJd a3 UOLsLDajd ú DaAe saaL6aj aS.a lueAnod sinessLede sep o@Ae aaLgquoD uo6e4 ap 'laqnoo ap neLa:ew np uoLsnj ap ain4ejadwSe EL enbsnC quawMnbLwJa44 saLqezs 'uoLEDOLstLp ap saqdwaxe quwmanbLqed 'saouLw sa3LJqDnpuoD-Lwas
96990EZ
et que celle de la couche doit être inférieure à celle
du substrat.
Par le terme "surchauffe" de la solution saturée en matériau de substrat à la première température, on entend une force motrice thermodynamiquement négative pour l'épitaxie. Cette force motrice négative agit à l'encontre de la force motrice positive pour l'épitaxie, qui a été produite par les différences d'énergie de surface entre le matériau de couche et solution et le matériau de substrat et solution. Le degré de la surchauffe détermine la force motrice totale résultante pour l'épitaxie. Cette dernière peut être diminuée jusqu'à zéro. Grâce au présent procédé, le réglage de l'épaisseur de couche, jusqu'à descendre à l'épaisseur d'une monocouche, est réglable de façon précise. Le matériau fabriqué est thermiquement stable, jusqu'à la
température de fusion du matériau de couche.
Sur la figure est représenté le taux de croissance de couche Ge sur du Si (111) à partir d'une
solution de Bi, en fonction du sous-refroidissement.
Un domaine d'application préféré est constitué par les couches épitaxiques minces, ayant une certaine étendue, ne présentant pas de dislocation, par exemple
des structures à couches Ge-Si.
On peut utiliser comme solvant tous les matériaux ayant à la deuxième température T2, "la température de croissance" ou bien "la température de surchauffe" à l'état liquide, une énergie de surface inférieure à celle du matériau de couche et à celle du matériau de substrat. Le solvant doit, évidemment, être liquide à la température de croissance et présenter une solubilité suffisante pour le matériau de substrat et le matériau de couche, en outre, il ne doit pas manifester de propriété indésirable telle qu'une radioactivité. Le point de fusion du solvant doit être inférieur à celui du matériau de substrat. L'énergie de
4: 2705695
surface du matériau de couche doit, en outre, être
inférieure ou égale à celle du matériau de substrat.
Le procédé n'est pas limité à des substrats monocristallins, on peut également recouvrir des substrats polycristallins. L'ordre de succession de la saturation du solvant à la première température T1 prédéterminée avec le matériau de substrat et l'insertion du matériau de couche dans la solution est indifférent. Dans le cas du silicium comme matériau de substrat et du germanium comme matériau de couche, on peut utiliser comme solvant par exemple les métaux qui sont Bi, Ga, In, Pb, Sb et Sn. On peut également utiliser des alliages constitués par les métaux cités, ensemble, ou bien avec d'autres métaux, ayant une énergie de surface élevée et/ou une solubilité élevée pour Ge et Si, par exemple Au, Ag. Du fait que la fonction de la température de l'énergie de surface à l'état solide est différente, Ga et Sn ne conviennent que pour des températures de développement inférieures à à peu près 300 C. La saturation s'effectue à une première température, dans l'intervalle du point de fusion de métal servant de solvant allant jusqu'au point de fusion du Ge (937 C). Les températures de croissance
sont également situées dans cette plage.
L'épaisseur de couche n'est pas seulement limitée par le degré de surchauffe T1-T2 mais également par la valeur absolue de la température de croissance T2, la quantité du matériau de couche contenue dans la
solution et la durée d'élevage.
La solution peut, en outre, contenir un dopant.
Dans le système Bi-Ge-Si, à une température de croissance T2 de 920 C, la croissance cesse pour une surchauffe supérieure à 300 C, c'est-à- dire que, dans ce cas, la température de saturation T1 est inférieure à 620 C. Avec une durée de croissance de 40 secondes
2705695
et une quantité de matériau de 7g de Bi à titre de solvant et de 0,3 g de Ge comme matériau de couche, l'épaisseur de couche varie de façon à peu près linéaire, de 0 à 5 nm, pour des "surchauffes" allant de
300 C à 130 C.
Sur la figure, le taux de croissance pour des couches Ge sur Si (111) composées d'une solution de Bi est représenté en fonction du sousrefroidissement. La température de saturation T1 est, dans ce cas, de
780 C. On a travaillé avec différents sous-
refroidissements T = T1-T2 < 0, T2 étant la température de croissance. Les points constituent des données expérimentales la ligne est une courbe auxiliaire. Les quantités de matériau utilisées ont été (exprimées en 315 unités de masse) de 7 g pour Bi et d'à peu près 250 mg
pour Ge.
Dans un système In-Ge/Si (001) l'épaisseur de couche de Ge varie entre O et 4 monocouche pour des "sous-refroidissements" de -10 C à 0 C à une température de croissance T2 de 500 C et des durées de croissance supérieures à 30 secondes. Dans ce cas les quantités de matériau utilisées "exprimées en unités de
masse" sont de 100 g pour In et de 6 g pour Ge.
Des exemples d'autres systèmes solvant-matériau de couche-matériau de substrat sont indiqués dans le tableau suivant: Solvant matériau de couche matériau de substrat Ga GaAs AlGaAs In GaAs AlGaAs Ga InGaAs InP In InGaAs InP On peut prendre en compte comme solvant tous les matériaux satisfaisant aux conditions mentionnée ci-dessus, donc, outre des métaux, par exemple également des métalloïdes tels que Se et Te, mais, en
fait les métaux sont cependant en général préférés.
6 2705695
Claims (3)
1. - Procédé de déposition d'une couche, constituée d'un matériau de couche prédéterminé, sur une surface d'un substrat, constitué d'un matériau de substrat, procédé dans lequel une solution du matériau de couche est préparée dans un solvant et la solution étant mise en contact avec la surface du substrat à une température de croissance (T2) inférieure aux température de fusion du matériau de substrat et du matériau de couche, dans lequel a) on utilise un solvant dont l'énergie de surface à la température de croissance est inférieure à celle du matériau de couche et, b) on utilise un matériau de couche dont l'énergie de surface à la température de croissance est inférieure à celle du matériau de substrat, caractérisé en ce que, c) pour préparer la solution, on sature le solvant en matériau de substrat à une température inférieure à la température de croissance et l'on mélange avec du matériau de couche, et d) on chauffe séparément à la température de croissance le matériau de substrat et la solution contenant le matériau de couche, ainsi que le substrat, avant de mettre en contact la solution avec la surface
du substrat.
2. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise comme solvant un
métal ou un alliage métallique.
3. - Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'on utilise du silicium comme matériau de substrat, du germanium comme matériau de couche, et, comme solvant, du bismuth, du gallium, de l'indium, du plomb, de l'antimoine, du zinc ou des alliages de ces matériaux, entre eux ou avec d'autres métaux, ayant une énergie de surface élevée et/ou
manifestant une solubilité élevée pour Ge et Si.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4310612A DE4310612C1 (de) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | Flüssigphasen-Heteroepitaxieverfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2705695A1 true FR2705695A1 (fr) | 1994-12-02 |
| FR2705695B1 FR2705695B1 (fr) | 1998-03-06 |
Family
ID=6484416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9403739A Expired - Fee Related FR2705695B1 (fr) | 1993-03-31 | 1994-03-30 | Procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5513593A (fr) |
| JP (1) | JPH0769783A (fr) |
| DE (1) | DE4310612C1 (fr) |
| FR (1) | FR2705695B1 (fr) |
| GB (1) | GB2276564B (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10117306B4 (de) * | 2001-04-02 | 2005-10-13 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Dünnschicht-Anordnung |
| US6936530B1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition method for Si-Ge epi layer on different intermediate substrates |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530011A (en) * | 1964-12-07 | 1970-09-22 | North American Rockwell | Process for epitaxially growing germanium on gallium arsenide |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3810794A (en) * | 1970-09-24 | 1974-05-14 | Varian Associates | Preparation of gap-si heterojunction by liquid phase epitaxy |
| BE795005A (fr) * | 1972-02-09 | 1973-05-29 | Rca Corp | Procede et appareil de croissance epitaxiale d'une matiere semi-conductrice a partir de la phase liquide et produit ainsi obtenu |
| NL7209744A (fr) * | 1972-07-14 | 1974-01-16 | ||
| US4201623A (en) * | 1978-05-23 | 1980-05-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for making epitaxial silicon crystals with uniform doping levels |
| US4357183A (en) * | 1980-08-13 | 1982-11-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Heteroepitaxy of germanium silicon on silicon utilizing alloying control |
| US4373989A (en) * | 1981-11-30 | 1983-02-15 | Beggs James M Administrator Of | Controlled in situ etch-back |
| US4876210A (en) * | 1987-04-30 | 1989-10-24 | The University Of Delaware | Solution growth of lattice mismatched and solubility mismatched heterostructures |
-
1993
- 1993-03-31 DE DE4310612A patent/DE4310612C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-24 GB GB9405893A patent/GB2276564B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-30 FR FR9403739A patent/FR2705695B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-31 JP JP6063763A patent/JPH0769783A/ja active Pending
- 1994-03-31 US US08/221,198 patent/US5513593A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530011A (en) * | 1964-12-07 | 1970-09-22 | North American Rockwell | Process for epitaxially growing germanium on gallium arsenide |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHAN B O ET AL: "STRAINED SI1-XGEX LAYERS GROWN BY LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY", MATERIALS LETTERS, vol. 14, no. 5 / 06, 1 September 1992 (1992-09-01), pages 263 - 267, XP000360185 * |
| ZOLPER J C ET AL: "SELECTIVE AREA SOLUTION GROWTH OF GE AND GAAS ON SI", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 66, no. 1, 1 July 1989 (1989-07-01), pages 210 - 214, XP000030311 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2705695B1 (fr) | 1998-03-06 |
| GB2276564A (en) | 1994-10-05 |
| GB2276564B (en) | 1997-02-05 |
| GB9405893D0 (en) | 1994-05-11 |
| US5513593A (en) | 1996-05-07 |
| DE4310612C1 (de) | 1994-11-10 |
| JPH0769783A (ja) | 1995-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kinoshita et al. | Homogeneous In0. 3Ga0. 7As crystal growth by the traveling liquidus-zone method | |
| EP1699951B1 (fr) | Procede de realisation de substrats autosupportes de nitrures d'elements iii par hetero epitaxie sur une couche sacrificielle | |
| FR2548219A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de matiere a constituants multiples | |
| FR2705695A1 (fr) | Procédé d'hétéroépitaxie en phase liquide. | |
| JP5363343B2 (ja) | 多結晶半導体材料層の低温形成 | |
| JPH07263375A (ja) | 化合物半導体用オーム接触の製造方法 | |
| JP4014411B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法 | |
| US4500367A (en) | LPE Growth on group III-V compound semiconductor substrates containing phosphorus | |
| US3530011A (en) | Process for epitaxially growing germanium on gallium arsenide | |
| EP0524114A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un cristal à gradient de maille | |
| EP0243231B1 (fr) | Procédé de préparation de semi-isolants 3-5-mono-cristallins par dopage et application des semi-isolants ainsi obtenus | |
| EP2609638B1 (fr) | METHODE DE PREPARATION D'UN SUBSTRAT DE GaAs POUR SEMI-CONDUCTEUR FERROMAGNETIQUE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT ET SEMI-CONDUCTEUR OBTENUS ET UTILISATIONS DE CE DERNIER | |
| JPH0247437B2 (fr) | ||
| US5387549A (en) | Process for fabricating ohmic contact | |
| EP3265261B1 (fr) | Procede de d'assemblage par brasage de deux elements via un compose intermetallique | |
| US20100062266A1 (en) | Method for growing epitaxy | |
| FR2691288A1 (fr) | Procédé de formation de films semi-conducteurs monocristallins. | |
| US4620854A (en) | Method of preparing indium ingots | |
| JPS58199799A (ja) | ３−５族化合物の液相成長法 | |
| FR2833619A1 (fr) | Procede de fabrication de substrats semi-conducteurs cristallins | |
| JP4006721B2 (ja) | 混晶半導体単結晶の成長方法 | |
| JPS62241893A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0228920A (ja) | 液相成長方法 | |
| WO2005078166A1 (fr) | Procede et dispositif de fabrication de monocristaux | |
| Palatnik et al. | Solid-State Epitaxy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |