FR2704240A1 - Installation de revêtement sous vide. - Google Patents
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Abstract
Une installation de revêtement sous vide possède une enceinte 2 en forme de pot, contre le côté ouvert de laquelle peut être maintenue de manière étanche, une zone partielle d'un substrat 1. Dans l'enceinte 2 est disposée une cible 7. Une paroi d'isolement 9 permet, après avoir enlevé le substrat 1, de maintenir cette cible 7 sous vide, dans une chambre-source 11, à l'abri de l'air.
Description
L'invention concerne une installation de revêtement sous vide destinée à
réaliser un revêtement sur une zone d'un substrat au moyen d'une cathode de pulvérisation présentant une cible, en guise de source de revêtement, qui est disposée dans une enceinte réalisée sous forme de pot, pouvant être appliquée de manière étanche, par l'intermédiaire d'un côté ouvert,
sur le substrat.
Une installation de revêtement sous vide de ce type, fait l'objet du document US-A-4 514 275. Dans le cas d'une telle installation de revêtement, lorsque le revêtement se fait sur une zone localisée d'un substrat de grande surface, il n'est pas nécessaire que l'enceinte présente un volume suffisant pour loger l'ensemble du substrat, parce que le substrat forme une partie de la paroi de l'enceinte. Elle ne nécessite qu'une section légèrement plus grande que la zone devant être pourvue du revêtement. Aussi, l'installation de revêtement sous vide, connue, est d'une construction très compacte. Elle est par exemple particulièrement bien adaptée à l'application d'une couche formant
détecteur, sur la vitre d'un véhicule automobile.
Dans le cas d'installations de revêtement sous vide, dans lesquelles la source de revêtement est une cathode de pulvérisation comportant une cible, il arrive souvent que la cible réagisse facilement avec des constituants de l'atmosphère, de sorte qu'elle ne doit pas être exposée à l'atmosphère. Cela ne peut toutefois pas être évité dans le cas des installations de revêtement sous vide, connues, parce que l'atmosphère, après la séparation de l'enceinte et de la cible, peut s'introduire dans l'enceinte réalisée sous forme de pot,
par le côté frontal alors ouvert.
Le but de l'invention consiste à réaliser une installation de revêtement sous vide du type de celle mentionnée en introduction, de manière telle, qu'il soit possible également d'utiliser, en guise de matériau de vaporisation, des cibles réagissant facilement avec des
constituants de l'atmosphère.
Conformément à l'invention, ce but est atteint
grâce au fait que l'enceinte est divisée en une chambre-
source et une chambre de substrat, par l'intermédiaire d'une paroi d'isolement pouvant être déplacée de manière étanche devant la source de revêtement. Dans le cas d'une telle installation de revêtement sous vide, il est possible de séparer la partie du pot dans laquelle se trouve la cible, de la partie o se trouve le substrat, avant d'enlever le substrat du pot, c'est à dire avant
que de l'air puisse pénétrer dans le pot.
Du point de vue de la construction, l'isolement de la chambre-source peut être effectuée de manière particulièrement simple, lorsque la paroi d'isolement est réalisée de manière a être maintenue par un arbre disposé de manière pivotante sur un côté de l'enceinte, et de façon à pouvoir être déplacée de
manière étanche vers l'intérieur de l'enceinte.
La chambre-source peut être d'une configuration particulièrement compacte, lorsque selon une autre caractéristique de l'invention, la source de revêtement ou cathode de pulvérisation, est maintenue dans l'enceinte, de manière à pouvoir être déplacée en
direction du substrat.
Des couches diverses peuvent être appliquées rapidement les unes à la suite des autres, lorsque selon un autre développement de l'invention, dans l'enceinte, est prévu un dispositif d'échange comportant au moins deux cibles ou sources de revêtement différentes. Grâce à un tel dispositif d'échange, il est également possible de réaliser différentes étapes de processus, par exemple une gravure ionique, un procédé par fluorescence, des procédés hautes fréquences ou à courant continu, des procédés réactifs ou non réactifs ou des procédés de dépôt chimique en phase vapeur au plasma, désignés par
procédés PECVD.
L'invention autorise de nombreux modes de réalisation. En vue de mieux exposer son principe de base, un de ces modes de réalisation ainsi qu'une variante d'un détail de celui-ci, vont être décrits dans la suite, et sont représentés sur le dessin annexé, qui montre: Fig. 1 une coupe verticale d'une installation de revêtement sous vide selon l'invention, fig. 2 une coupe verticale d'un détail de
l'installation, qui diffère de la figure 1.
La figure 1 montre un substrat 1, constitué dans le cas présent d'une vitre de véhicule automobile, sur lequel est appliquée par le haut, par l'intermédiaire de son côté frontal ouvert, une enceinte 2 réalisée sous forme de pot. Un joint d'étanchéité périphérique 3, assure l'étanchéité entre l'enceinte 2 et le substrat 1. De cette manière on réalise une chambre à vide 4, qui est délimitée par l'enceinte 2 et par le substrat 1 en direction du bas, lorsque l'on se réfère à la figure. Une pompe turbomoléculaire 5, qui est bridée directement sur l'enceinte 2, sert à réaliser le vide dans la chambre à vide 4. Dans l'enceinte 2 est disposée une source de revêtement 6, se présentant, dans le présent exemple de réalisation, sous la forme d'une installation de pulvérisation cathodique comportant une cible 7. Une flèche double 8 indique que la source de revêtement 6, y compris sa cible 7, peut être déplacée de façon à se trouver plus ou moins éloignée du substrat 1. Lorsque la source de revêtement 6 se trouve dans sa position supérieure, une paroi d'isolement 9 représentée partiellement et disposée sur un arbre 10 tournant, peut être pivotée, de manière étanche, vers l'intérieur de l'enceinte 2, sous la source de revêtement 6. Cette paroi d'isolement 9 divise alors l'enceinte 2 en une chambre- source 11 au-dessus de la paroi d'isolement 9, et une chambre de substrat 12, en-dessous de la paroi
d'isolement 9.
Conformément à la figure 2, dans la chambre à vide 4, est agencé un dispositif d'échange 13, qui, dans le présent exemple de réalisation, se présente sous la forme d'un carrousel et porte deux cibles différentes 7, 7a. Par une rotation, au moyen d'un arbre 14, la cible 7, 7a souhaitée peut être amenée en face du substrat 1, de sorte qu'il est possible de déposer des couches
différentes par pulvérisation cathodique.
Claims (4)
1. Installation de revêtement sous vide destinée à réaliser un revêtement sur une zone d'un substrat au moyen d'une cathode de pulvérisation présentant une cible, en guise de source de revêtement, qui est disposée dans une enceinte réalisée sous forme de pot, pouvant être appliquée de manière étanche, par l'intermédiaire d'un côté ouvert, sur le substrat, caractérisée en ce que l'enceinte (2) est divisée en une chambre-source (11) et une chambre de substrat (12), par l'intermédiaire d'une paroi d'isolement (9) pouvant être déplacée de manière étanche devant la source de
revêtement (6).
2. Installation de revêtement sous vide selon la revendication 1, caractérisée en ce que la paroi d'isolement (9) est réalisée de manière a être maintenue par un arbre (10) disposé de manière pivotante sur un côté de l'enceinte (2), et de façon à pouvoir être déplacée de manière étanche vers l'intérieur de
l'enceinte (2).
3. Installation de revêtement sous vide selon la revendication 2, caractérisée en ce que la source de revêtement (6) est maintenue dans l'enceinte (2), de manière à pouvoir être déplacée en direction du substrat (1).
4. Installation de revêtement sous vide selon
l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce
que dans l'enceinte (2), est prévu un dispositif d'échange (13) comportant au moins deux cibles
différentes (7, 7a).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4313353A DE4313353C2 (de) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Vakuum-Beschichtungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2704240A1 true FR2704240A1 (fr) | 1994-10-28 |
FR2704240B1 FR2704240B1 (fr) | 1998-02-20 |
Family
ID=6486228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9404790A Expired - Fee Related FR2704240B1 (fr) | 1993-04-23 | 1994-04-21 | Installation de revêtement sous vide. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5372693A (fr) |
JP (1) | JPH06346235A (fr) |
DE (1) | DE4313353C2 (fr) |
FR (1) | FR2704240B1 (fr) |
IT (1) | IT1269524B (fr) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4341635C2 (de) * | 1993-12-07 | 2002-07-18 | Unaxis Deutschland Holding | Vakuumbeschichtungsanlage |
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-
1994
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- 1994-03-16 US US08/213,874 patent/US5372693A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-18 JP JP6078691A patent/JPH06346235A/ja active Pending
- 1994-04-21 FR FR9404790A patent/FR2704240B1/fr not_active Expired - Fee Related
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