FR2659184A1 - Boitier destine a loger des circuits a micro-ondes. - Google Patents

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Abstract

Ce boîtier comprend un corps conducteur métallique portant des circuits intégrés à micro-ondes (1b), des premier et second substrats diélectriques (5, 6) empilés sur le corps et logeant les circuits intégrés, le premier substrat (5) comportant des structures de lignes en forme de bandes pour la transmission de signaux, et des ouvertures (12a, 12b) remplies chacune d'un métal conducteur raccordé au corps, tandis que le second substrat (6) comporte des ouvertures (13a, 13b) remplies chacune par le métal conducteur, et des cloisons de blindage électromagnétique entre les trous voisins, isolant un mode de guide d'ondes entre les circuits intégrés. Application notamment à des boîtiers pour circuits intégrés à micro-ondes de petite taille.

Description

La présente invention concerne un boîtier destiné
à loger des circuits intégrés à micro-ondes.
La figure 1, annexée à la présente demande, re-
présente une vue de face d'un boîtier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes et dans lequel les circuits
intégrés à micro-ondes sont logés conformément à une tech-
nique de montage antérieure Sur le dessin, les chiffres de
référence 49 a-49 d désignent des circuits intégrés à micro-
ondes, les chiffres de référence 50 a-50 h des plots d'en-
trée/sortie de signaux à haute fréquence situés sur les circuits intégrés à micro-ondes, les chiffres de référence 51 a-51 h des plots d'entrée/sortie de signaux de commande situés sur les circuits intégrés à micro-ondes, les
chiffres de référence 52 a-52 d des supports destinés à sup-
porter les circuits intégrés à micro-ondes, les chiffres de
référence 53 a-53 c des substrats de lignes de connexion ser-
vant à raccorder les circuits intégrés à micro-ondes adja-
cents, le chiffre de référence 54 un boîtier destiné à lo-
ger les circuits intégrés à micro-ondes, les chiffres de
référence 55 a-55 f des cloisons de blindage électromagné-
tique destinées à réaliser une isolation entre les circuits intégrés à micro-ondes adjacents, les chiffres de référence
56 a et 56 b des connecteurs coaxiaux, les chiffres de réfé-
rence 57 a et 57 b des conducteurs centraux des connec-
teurs coaxiaux, les chiffres de référence 58 a-58 h des bornes dbtraversée pour les signaux de commande et les chiffres de référence 59 a-59 h des rubans ou fils de connexion. Ci-après, on va décrire le fonctionnement de
l'art antérieur tel qu'il est représenté sur la figure 1.
Sur la figure 1, un signal à haute fréquence est introduit dans le circuit à micro-ondes 49 a par l'intermédiaire du connecteur coaxial 56 a, du conducteur central 57 a du connecteur coaxial, du ruban de connexion 59 a et du plot d'entrée/sortie de signaux à haute fréquence 50 a, le signal
d'entrée étant réglé à un niveau ou à une amplitude prédé-
terminée par un signal externe introduit par
l'intermédiaire des bornes 58 a et 58 b de traversée des si-
gnaux de commande Le signal à haute fréquence est ensuite envoyé au plot d'entrée/de sortie de signaux à haute fré- quence 50 b de manière à être envoyé au circuit intégré à micro-ondes 49 b par l'intermédiaire du ruban de connexion 59 b, du substrat à ligne de connexion 53 a, du ruban de connexion 59 e et du plot d'entrée/sortie de signaux à haute
fréquence 50 c, o le réglage d ' un autre ni-
veau prédéterminé est exécuté de la même manière que cela a été décrit précédemment L'entrée du signal et le réglage de son niveau conformément à cette procédure sont répétés et le signal à haute fréquence est éventuellement délivré par l'intermédiaire du connecteur coaxial 56 b Une connexion spatiale d'un mode de guide d'ondes entre les
circuits intégrés à micro-ondes est empêchée par les cloi-
sons de blindage électromagnétique 55 a-55 f prévues dans le boîtier 54, ce qui permet un fonctionnement stable de
circuits intégrés individuels à micro-ondes.
Étant donné que les circuits intégrés à micro-
ondes sont montés de la manière classique indiquée précé-
demment, comme représenté sur la figure 1, il est néces-
saire de monter les connecteurs coaxiaux 56 a et 56 b, les bornes 58 a-58 h de traversée des signaux de commande et les
substrats des lignes de connexion 53 a-53 c de manière à for-
mer des connexions électriques entre les circuits intégrés à micro-ondes 49 a-49 d, qui sont séparés par les cloisons de blindage électromécanique 55 a-55 f dans le boîtier, et ceci pose le problème de l'accroissement du nombre des éléments et des heures de main-d'oeuvre En outre, les connecteurs coaxiaux 56 a et 56 b et les bornes de traversée 58 a-58 h doivent être du type hermétique de manière à établir une étanchéité totale et complète du boîtier 54, ce qui pose le problème de l'accroissement du coût et des dimensions de
fabrication du boîtier 54.
La présente invention a été mise au point pour éliminer les problèmes mentionnés précédemment et un but de la présente invention est de fournir un boîtier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes, qui possède de
faibles dimensions et soit aisé à fabriquer.
Pour atteindre cet objectif, un boîtier destiné à
loger des circuits à micro-ondes conforme à la présente in-
vention comprend un corps conducteur métallique servant à supporter lesdits circuits intégrés à micro-ondes au niveau de sa surface supérieure; un premier substrat diélectrique fixé à l'état empilé sur ladite surface supérieure dudit corps conducteur métallique et possédant une pluralité de trous destinés à recevoir respectivement lesdits circuits intégrés, des structures de lignes en forme de bandes pour la transmission de signaux disposées sur la surface
supérieure du corps pour le raccordement de plots d'en-
trée/sortie de signaux à haute fréquence desdits circuits intégrés entre eux et à des bornes externes de transmission de signaux, et des ouvertures de blindage remplies chacune d'un matériau métallique conducteur raccordé audit corps conducteur métallique pour réaliser un blindage électromagnétique, lesdites ouvertures de blindage étant prévues à des intervalles égaux ou inférieurs à À/4, À étant la longueur d'onde d'un signal à haute fréquence dans une bande de fréquences devant être utilisée; et un second substrat diélectrique fixé à l'état empilé sur ledit premier substrat diélectrique et possédant une pluralité de trous associés à ceux ménagés dans ledit premier substrat
diélectrique de manière à recevoir lesdits circuits inté-
grés, une plaque métallique conductrice permettant de réa-
liser une fermeture étanche et un blindage électromagné-
tique et située sur la surface supérieure du second substrat, des ouvertures de blindage remplies chacune par ledit matériau métallique conducteur raccordé entre ladite plaque métallique conductrice et ledit matériau métallique conducteur situé dans chacune desdites ouvertures de blindage dudit premier substrat diélectrique, et des cloisons de blindage électromagnétique entre les trous voisins destinés à recevoir lesdits circuits intégrés pour réaliser une isolation d'un mode de guide d'ondes entre
lesdits circuits intégrés.
Étant donné que le nombre des éléments et des heures de montage peut être réduit grâce à l'agencement
d'un corps principal du boîtier servant à loger une plura-
lité de substrats diélectriques, et à la formation de bornes d'entrée/sortie de signaux à haute fréquence, de bornes d'entrée/sortie de signaux de commande et de cloisons de blindage électromagnétique en tant qu'éléments intégrés, et étant donné qu'il est aisé d'obtenir une étanchéité complète, le boîtier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes, conforme à la présente invention, est avantageux en ce qu'il est possible
d'accroître son rendement de fabrication.
D'autres caractéristiques et avantages de la pré-
sente invention ressortiront de la description donnée ci-
après prise en référence aux dessins annexés, sur les-
quels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente une vue de face d'un boîtier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes et dans lequel ces circuits sont installés, conformément à une technique antérieure; la figure 2 représente une vue de face d'un
boîtier destiné à loger des circuits intégrés à micro-
ondes, dans lequel ces circuits sont effectivement instal-
lés, conformément à la présente invention;
la figure 3 représente une vue en coupe trans-
versale prise suivant la ligne A-A sur la figure 2;
la figure 4 représente une vue en coupe trans-
versale prise suivant la ligne B-B sur la figure 2; la figure 5 représente un dessin montrant des détails de la partie C de la figure 2;
la figure 6 représente une vue en coupe trans-
versale prise suivant la ligne D-D sur la figure 5; la figure 7 est un dessin montrant un autre exemple de réalisation d'un blindage électromagnétique moyennant l'aménagement de trous traversants latéraux, dans lesquels on introduit un métal conducteur; la figure 8 est un dessin montrant un autre
exemple de transformation d'une ligne en forme de micro-
bande en des lignes trois plaques;
la figure 9 représente une vue en coupe trans-
versale prise suivant la ligne E-E sur la figure 8; la figure 10 est un dessin montrant un exemple de contrôle des caractéristiques d'un circuit intégré à micro-ondes; la figure 11 est un dessin montrant un autre
exemple de contrôle des caractéristiques d'un circuit inté-
gré à micro-ondes; la figure 12 est un exemple de disposition d'un câblage au-dessous d'un circuit intégré à micro-ondes; la figure 13 est un dessin montrant un exemple de connexion à la masse de la ligne en forme de bande de transmission de signaux à haute fréquence au niveau de la surface d'extrémité du boîtier; la figure 14 est un dessin montrant un exemple de montages empilés d'un autre type de circuits intégrés; la figure 15 est un dessin montrant un exemple de réalisation d'un blindage électromagnétique grâce à l'utilisation d'une structure de mise à la masse placée
contre la face inférieure du substrat diélectrique et por-
tant un autre type de circuit intégré représenté sur la fi-
gure 14; la figure 16 est un dessin montrant un exemple
de disposition de sortie de bornes d'entrée/sortie de si-
gnaux de commande, dans une direction verticale; la figure 17 est un dessin montrant un autre exemple de disposition de sortie des bornes d'entrée/sortie de signaux de commande, dans une direction verticale; et la figure 18 est un dessin montrant un exemple
de disposition de sortie de bornes d'entrée/sortie de si-
gnaux à haute fréquence, dans une direction verticale.
La figure 2 représente une vue de face d'un boî-
tier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes conforme à la présente invention, et les figures 3 et 4 sont des vues en coupe transversale prises suivant les lignes A-A et B-B sur la figure 2 Sur ces dessins, les chiffres de référence la-Id désignent des circuits intégrés à micro-ondes, les chiffres de référence 2 a-2 h des plots d'entrée/de sortie de signaux à haute fréquence situés sur les circuits intégrés, les chiffres de référence 3 a-3 h des plots d'entrée/sortie de signaux de commande situés sur les sorties des circuits intégrés, le chiffre de référence 4 (sur les figures 3 et 4) un conducteur métallique, le chiffre de référence 5 un premier substrat diélectrique possédant des trous carrés destinés à loger respectivement les circuits intégrés, le chiffre de référence 6 (sur les figures 3 et 4) un second substrat diélectrique possédant des trous carrés plus larges que ceux du premier substrat diélectrique 5, le chiffre de référence 7 une plaque métallique conductrice permettant de réaliser une étanchéité complète et un blindage électromagnétique, les chiffres de référence 8 a-8 e des structures de lignes en
forme de bandes de transmission de signaux à haute fré-
quence situées sur le premier substrat diélectrique, et les chiffres de référence 9 a-9 h des structures de lignes en
forme de bandes de transmission de signaux de commande si-
tuées sur le premier substrat diélectrique 5, les chiffres
de référence l Oa-10 h des cloisons de blindage électromagné-
tique comprenant le second substrat diélectrique 6 et la plaque métallique 7, les chiffres de référence lla-llr des
rubans ou fils de connexion, les chiffres de référence 12 a-
12 h (sur les figures 3 et 4) des trous traversants, dans lesquels des métaux conducteurs sont introduits pour le blindage électromagnétique et qui sont ménagés à travers le premier substrat électrique 5 à un ou des intervalles égaux ou inférieurs à À/4, A étant une longueur d'onde d'un signal dans une bande de fréquences devant être utilisée, les chiffres de référence 13 a-13 h (sur les figures 3 et 4) des
trous traversants ménagés dans le second substrat di-
électrique 6 au(x) même(s) intervalle(s) que ceux présents dans le substrat 5 et remplis par des métaux conducteurs destinés à réaliser un blindage électromagnétique de la
même manière que les métaux prévus pour le substrat 5.
Dans la forme de réalisation mentionnée précédem-
ment, un signal à haute fréquence est introduit par l'intermédiaire de la structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux à haute fréquence 8 a, puis est envoyé au circuit intégré à micro-ondes la par
l'intermédiaire du ruban lia et du plot d'entrée/sortie 2 a.
Dans le circuit la, le niveau ou l'amplitude du signal d'entrée est commandé de manière à être réglé à une valeur prédéterminée en fonction d'un signal de commande envoyé de l'extérieur par l'intermédiaire des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande 9 a
et 9 b Le signal à haute fréquence, dont le niveau est com-
mandé, est ensuite envoyé au circuit intégré lb par l'intermédiaire du plot d'entrée/sortie 2 b, du ruban lld, de la structure de ligne en forme de bande 8 b et du plot d'entrée/sortie 2 c, o un réglage d'un second niveau prédéterminé est exécuté d'une manière semblable au réglage prévu pour le circuit intégré la Des réglages de niveaux similaires sont répétés dans les circuits intégrés lc et
ld, et le signal à haute fréquence est éventuellement déli-
vré par la configuration de ligne en forme de bande de
transmission de signaux à haute fréquence 8 e.
Dans cette forme de réalisation, il est possible
d'empêcher une fuite du signal à haute fréquence en direc-
tion de l'extérieur et une perturbation du signal à haute fréquence à partir de l'extérieur Toute connexion spatiale
du mode de guide d'ondes entre les circuits intégrés à mi-
cro-ondes la-id est également empêchée par les métaux de
blindage électromagnétique introduits dans les trous tra-
versants 12 a-12 h et 13 a-13 h et prévus dans les premier et second substrats diélectrique 5 et 6 comme représenté sur
les figures 3 et 4 Par conséquent, chacun des circuits in-
tégrés la-ld fonctionne de façon stable Un blindage élec-
tromagnétique approprié peut être réalisé en utilisant des
trous traversants latéraux ou des rainures 17 a et 17 b rem-
plies par des métaux conducteurs, au niveau des extrémités intérieures du premier substrat diélectrique 5, et au moyen de trous traversants ou d'encoches 18 a et 18 b remplis par
des métaux conducteurs, au niveau des extrémités inté-
rieures du second substrat diélectrique 6, et ces métaux sont raccordés par des métaux de liaison 16 e et 16 f comme cela est représenté sur la figure 7, à la place de l'utilisation des trous traversants complets remplis par les métaux comme représenté sur la figure 3 Dans ce cas, étant donné que le métal déposé dans les trous traversants
latéraux 17 a, 17 b, 18 a et 18 b est plus efficace que les mé-
taux indiqués en dernier pour établir un blindage électro-
magnétique substantiel et complet, il est préférable
d'utiliser les structures de trous traversants latéraux re-
présentées sur la figure 7 lorsque le blindage électroma-
gnétique est requis dans une bande de fréquences relative-
ment élevée.
La figure 5 représente des détails de la partie C entourée par une ligne formée de tirets sur la figure 2, et la figure 6 représente une vue en coupe transversale prise suivant la ligne D-D sur la figure 5 Sur les figures 5 et 6, les chiffres de référence 14 a-14 d et 15 a-15 d désignent des trous traversants latéraux ou des rainures ménagées
dans les premier et second substrats diélectriques 5 et 6.
Ces trous traversants latéraux sont remplis par des métaux conducteurs servant à réaliser un raccordement à la masse,
et les chiffres de référence 16 a et 16 c désignent les mé-
taux de raccordement insérés entre les métaux conducteurs introduits dans les trous traversants latéraux 14 a et 15 a,
ainsi que dans les trous traversants latéraux 14 a et 15 c.
les a*îe aples de métaux des trous traversants 14 a et 15 b,
14 d et 14 d, sont également raccordés par des métaux conduc-
teurs 16 b et 16 d (ce qui n'est pas représenté sur ces fi-
gures). Comme cela est représenté sur les figures 5 et 6, la structure de ligne en forme de bande de transmission de
signaux à haute fréquence 8 a (ou 8 e), qui s'étend au-des-
sous du second substrat 6, est accouplée aux lignes à trois
plaques, constituées par les métaux conducteurs de raccor-
dement à la masse introduits dans les trous traversants
14 a-14 d et 15 a-15 d dans les premier et second substrats di-
électriques 5 et 6, et les métaux de liaison 16 a-16 d, et par conséquent le signal d'entrée à haute fréquence peut
traverser le second substrat diélectrique 6 sans être af-
fecté par un couvercle d'étanchéité (non représenté) fixé
à la surface supérieure du métal conducteur 7.
La figure 8 montre un autre exemple de la partie C de la figure 2, et la figure 9 représente une vue en coupe transversale prise suivant la ligne E-E sur la figure 8 A la place du métal conducteur de raccordement à la masse inséré dans les trous traversants latéraux 14 a-14 d
comme représenté sur les figures 5 et 6, un métal conduc-
teur de raccordement à la masse introduit dans les trous
traversants 19 a-19 d est prévu dans le premier substrat di-
électrique 5 dans cet exemple C'est-à-dire qu'aucun des trous traversants 19 a-19 d n'est un trou traversant latéral
(ou une encoche) comme représenté sur les figures 8 et 9.
Dans cet exemple, on peut obtenir des effets semblables à
celui obtenu sur les figures 5 et 6.
En se référant maintenant à la figure 10, on va décrire une autre forme de réalisation qui permet de déli-
vrer un signal de contrôle représentant les caractéris-
tiques de chaque circuit intégré à micro-ondes monté dans
un boîtier tel que mentionné précédemment.
Sur la figure 10, on a représenté à titre d'exem-
pie des moyens de contrôle servant à contrôler les caracté-
ristiques du circuit intégré lb, les éléments semblables à ceux des figures 2-9 étant désignés par les mêmes chiffres de référence La structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux à haute fréquence 8 a (figure 2) est subdivisée en deux structures de lignes en forme de bandes 8 fet 8 g et une structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux de test à haute fréquence 8 h est
prévue pour l'envoi d'un signal de test à haute fréquence.
Ces structures 8 f-8 h sont séparées par une fente S et l'une ou l'autre des structures 8 f ou 8 h est raccordée au choix à
la structure 8 g par modification d'un ruban ou fil connec-
teur 11 S De façon similaire, la partie de sortie des si-
gnaux pour le circuit la est constituée par des structures de lignes en forme de bandes 8 i-8 k et par un ruban de
connexion llt.
Dans l'état représenté sur la figure 10, le si-
gnal de test à haute fréquence est introduit dans la struc-
ture 8 h et est envoyé au circuit intégré lb par l'intermédiaire du ruban de connexion li S, de la structure 8 g, du ruban de connexion lle et du plot d'entrée/sortie de signaux à haute fréquence 2 c Le signal d'entrée est alors commandé de manière que son niveau soit réglé à un niveau prédéterminés fonction du signal de commande introduit par l'intermédiaire des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande 9 c et 9 d, puis est il
envoyé à l'extérieur par l'intermédiaire du plot d'en-
trée/sortie de signaux à haute fréquence 2 d, le ruban de connexion lli, de la structure de ligne en forme de bande 8 g, du ruban de connexion 11 t et de la structure de ligne en forme de bande 8 j afin de contrôler les caractéristiques du circuit intégré lb Une fois achevée une telle opération
de contrôle, les rubans de connexion ils et lit sont commu-
tés depuis les structures de lignes en forme de bandes 8 h et 8 j aux structures de lignes en forme de bandes 8 f et 8 k respectivement d 3 e natière à établir la connexion normale, ce qui permet
d'exécuter le fonctionnement normal.
Une autre forme de réalisation pouvant être uti-
lisée pour contrôler les caractéristiques du circuit inté-
gré à micro-ondes et représenté sur la figure 11, sur la-
quelle des éléments semblables à ceux des figures 10 et 2 sont désignés par les mêmes chiffres de référence Dans cette forme de réalisation, un élément formant résistance est raccordé en parallèle à la structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux à haute fréquence
8 c (figure 2), et un composant de couplage pour le trans-
fert du signal à haute fréquence circulant dans la ligne en forme de bande 8 c jusqu'à l'élément formant résistance 20 est formé au moyen de la ligne en forme de bande 8 j ce qui permet de contrôler les caractéristiques d circuit intégré à micro-ondes lb. Étant donné qu'il est possible, avec chacune des formes de réalisation représentées sur les figures 10 et 11, de contrôler les caractéristiques du circuit intégré à micro-ondes réellement installé dans le boîtier, toute panne du circuit peut être spécifiée après que les circuits
intégrés aient été installés dans le boîtier.
On va décrire ci-après les modifications du boî-
tier destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes, en référence aux figures 2-18, sur lesquels des éléments similaires à ceux des figures 2-11 sont désignés par les
mêmes chiffres de référence.
La figure 12 représente un agencement correspon-
dant à la figure 3, dans lequel une structure en f orme de
fil de transmission de signaux de commande s'étend au-des-
sous du circuit intégré à micro-ondes lb Dans cet agence- ment, les troisième et quatrième substrats diélectriques 21
et 22 sont superposés entre eux entre le conducteur métal-
lique 4 et le circuit intégré lb, une structure de mise à la masse 24 pour le circuit intégré lb est prévue sur la surface supérieure du quatrième substrat diélectrique 22, tandis qu'une structure de câblage 23 pour la transmission de signaux de commande est prévue sur la surface supérieure du troisième substrat diélectrique 21 En outre, des trous traversants 27 a et 27 b, 28 a et 28 b remplis par des métaux conducteurs pour raccorder la structure de câblage 23 sont
prévus respectivement dans les quatrième et premier sub-
strats diélectriques 22 et 5 de manière à raccorder la structure de câblage 23 située sur le substrat 22 aux structures de lignes en forme de bandes de transmission de
signaux de commande 9 c et 9 d sur le substrat 5, la struc-
ture de câblage de transmission de signaux de commande pou-
vant être disposée au-dessous du circuit intégré lb En
outre, des trous traversants 25 a et 25 bet 26 a et 26 b rem-
plis par des métaux conducteurs pour réaliser le blindage
électromagnétique sont prévus respectivement sur le pour-
tour des troisième et quatrième substrats diélectriques 21
et 22 Les métaux conducteurs situés dans les trous traver-
sants 25 a, 25 b, 26 a et 26 b sont raccordés aux métaux conduc-
teurs prévus dans les trous traversants 12 c et 12 j prévus
dans le substrat 5 de manière à permettre le blindage élec-
tromagnétique de l'ensemble du boîtier.
La figure 13 montre un exemple dans lequel une connexion de mise à la masse d'une structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux à haute fréquence 81 est formée à l'extrémité du boîtier représenté sur la figure 12 oes trous traversants latéraux ou encoches 30 sont prévus dans les surfaces d'extrémité des troisième et quatrième substrats 21 et 22 et sont remplis par des métaux conducteurs raccordés entre le conducteur métallique et la structure de mise à la masse 24 sur le quatrième substrat diélectrique 22, ce qui permet d'établir une interface de transmission du signal à haute fréquence en direction/à
partir de l'extérieur.
La figure 14 montre un exemple, dans lequel un circuit de commande ou un autre type de circuit intégré à haute fréquence devant être raccordé aux circuits intégrés à micro-ondes est empilé par-dessus le circuit intégré à micro-ondes lb Dans cet exemple, comme représenté sur la figure 14, des cinquième et sixième substrats diélectriques 32 et 33 sont empilés entre les premier et second substrats diélectriques 5 et 6, un septième substrat diélectrique 31 portant le circuit de commande ou le circuit intégré à haute fréquence d'un autre type est placé sur le cinquième substrat diélectrique 32 Le sixième substrat diélectrique 33 possède un trou, dont les dimensions sont supérieures à uidi Ensnidu septième substrat diélectrique 31 et dans lequel
ce substrat est logé.
Des structures de lignes en forme de bandes 34 a et 34 b,et 39 a et 39 b sont prévues respectivement sur les premier et sixième substrats diélectriques 5 et 33, et des
trous traversants 37 a et 37 b et 38 a et 38 b, qui sont rem-
plis par des métaux conducteurs, sont prévus respectivement dans les cinquième et sixième substrats diélectriques 32 et 33, ce qui permet le transfert d'un signal de commande ou analogue depuis le circuit de commande ou analogue monté sur le septième substrat diélectrique 31, jusqu'au circuit intégré lh par l'intermédiaire des structures de lignes en forme de bandes 39 a et 39 b, les métaux conducteurs situés dans les trous traversants 37 a et 37 b, et 38 a et 38 b et des
structures de lignes en forme de bandes 34 a et 34 b.
En outre, les cinquième et sixième substrats di-
électriques 32 et 33 comportent des trous traversants 35 a et 35 b, et 36 a et 36 b remplis par des métaux conducteurs
dans des parties correspondant à celles des trous traver-
sants 12 a et 12 b du premier substrat diélectrique 5 et à
des trous traversants 13 a et 13 b du second substrat di-
électrique 6 Par conséquent, l'ensemble du blindage élec-
tromagnétique du boîtier est obtenu au moyen des métaux conducteurs insérés dans les trous traversants
12 a,12 b,13 a,13 b,35 a,35 b,36 a et 36 b et d'un couvercle métal-
lique (non représenté) du boîtier.
En outre, dans le cas o il existe un problème d'interface électromagnétique entre le circuit intégré à micro-ondes et le circuit de commande ou analogue installé sur le septième substrat diélectrique 31 représenté sur la figure 14, on peut éliminer ce problème en prévoyant des structures de mise à lamsee 40 a et 40 b situées sur la sur-
face supérieure du cinquième substrat diélectrique 32 de manière à être raccordées aux métaux conducteurs situés
dans les trous traversants 35 a, 35 b et 36 a, 36 b des cin-
quième et sixième substrats diélectriques 32 et 33, et une
structure de mise à la masse 41 située sur la surface inté-
rieure du septième substrat diélectrique 31, comme repré-
senté sur la figure 15 Ces structures de mise à la masse 40 a, 40 b et 41 sont raccordées entre elles par la mise en place du septième substrat diélectrique 31 sur le cinquième
substrat diélectrique 31 sur le cinquième substrat diélec-
trique 32 Par conséquent, il est possible d'éviter toute interférence électromagnétique entre les circuits supérieur
et inférieur positionnés.
La figure 16 montre un exemple, dans lequel des bornes d'entrée de signaux de commande sont ressorties à l'extérieur dans une direction verticale Dans cet exemple, des trous traversants 43 a et 43 b remplis par des métaux
conducteurs sont ménagés dans le premier substrat diélec-
trique 5 de manière à raccorder les structures de lignes en forme de bandes 9 c et 9 d, et des bornes d'entrée de signaux
de commande 42 a et 42 b sont prévues de manière à être rac-
cordées aux métaux conducteurs situés dans les trous 43 a et 43 b Les bornes 42 a et 42 b s'étendent dans la direction
verticale dans deux trous ménagés dans le conducteur métal-
lique 4 Il est possible de prolonger les structures de lignes en forme de bandes de transmission de commande 9 a et
9 b jusqu'à la surface d'extrémité du boîtier et de les rac-
corder aux bornes 42 a et 42 b, comme représenté sur la fi-
gure 17 Dans ce cas représenté sur la figure 17, les
bornes 42 a et 42 b peuvent s'étendre dans la direction ver-
ticale comme sur la figure 10.
La figure 18 montre un autre exemple, dans lequel des bornes d'entrée/sortie à haute fréquence du boîtier sont ressorties à l'extérieur dans la direction verticale, et par conséquent on n'utilise aucune desto res en forme de
bande à micro-ondes 8 a ou 8 e (sur la figure 2) pour l'en-
trée/la sortie du signal à haute fréquence Dans cet exemple, au lieu d'utiliser une structure 8 a, on aménage un trou traversant dans le conducteur métallique 4, on fixe un connecteur coaxial 44 comprenant un conducteur central 45 au trou traversant situé dans le conducteur 4, et on raccorde le plot d'entrée/sortie 2 a du circuit intégré la au conducteur central 45 par l'intermédiaire d'un fil de connexion 48 En ce qui concerne la structure 8 e, on utilise un agencement similaire à la place de cette structure. Conformément au boîtier conforme à la présente invention, étant donné que ce boîtier est constitué par une
pluralité de substrats diélectriques dans lesquels sont in-
sérées d'une manière intégrée les fonctions nécessaires, le
nombre des éléments et des heures de montage peut être ré-
duit En outre, étant donné qu'il est facile de prévoir une fermeture totalement étanche, ceci permet d'accroître la
productivité En outre, il est possible de prévoir des câ-
blages à l'intérieur de chacun des substrats et entre les substrats et on peut obtenir différents types de montages
* par exemple le montage empilé, tout en augmentant la den-
sité de montage. On a décrit la présente invention d'une manière détaillée en se référant notamment à certaines de ces
formes de réalisation, mais on comprendra que l'on peut in-
troduire de nombreux changements et modifications sans sor-
tir du cadre de l'invention.

Claims (11)

REVENDICATIONS
1 Carter destiné à loger des circuits intégrés à micro-ondes, caractérisé en ce qu'il comporte
un corps conducteur métallique servant à suppor-
ter lesdits circuits intégrés à micro-ondes (la-ld) au niveau de sa surface supérieure; un premier substrat diélectrique ( 5) fixé à l'état empilé sur ladite surface supérieure dudit corps conducteur métallique et possédant une pluralité de trous destinés à recevoir respectivement lesdits circuits
intégrés, des structures de lignes en forme de bandes ( 9 a-
9 h) pour la transmission de signaux disposées sur la surface supérieure du corps pour le raccordement de plots d'entrée/sortie de signaux à haute fréquence desdits circuits intégrés entre eux et à des bornes externes de transmission de signaux, et des ouvertures de blindage
( 12 a-12 h) remplies chacune d'un matériau métallique conduc-
teur raccordé audit corps conducteur métallique pour réali-
ser un blindage électromagnétique, lesdites ouvertures de
blindage étant prévues à des intervalles égaux ou infé-
rieurs à À/4, À étant la longueur d'onde d'un signal à haute
fréquence dans une bande de fréquences devant être utili-
sée; et un second substrat diélectrique ( 6) fixé à l'état empilé sur ledit premier substrat diélectrique et possédant une pluralité de trous associés à ceux ménagés dans ledit premier substrat diélectrique de manière à recevoir lesdits circuits intégrés, une plaque métallique conductrice ( 7) permettant de réaliser une fermeture étanche et un blindage électromagnétique et située sur la surface supérieure du second substrat, des ouvertures de blindage ( 13 a-13 h) remplies chacune par ledit matériau métallique conducteur raccordé entre ladite plaque métallique conductrice et ledit matériau métallique conducteur situé dans chacune desdites ouvertures de blindage ( 12 a-12 h) dudit premier
substrat diélectrique, et des cloisons de blindage électro-
magnétique entre les trous voisins destinés à recevoir les-
dits circuits intégrés pour réaliser une isolation d'un
mode de guide d'ondes entre lesdits circuits intégrés.
2 Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat diélectrique ( 5) comporte des ouvertures de mise à la masse ( 14 a-14 d), remplies chacune par ledit matériau métallique conducteur destiné à être raccordé entre le corps conducteur métallique et chacune des lignes de raccordement à la masse desdites structures de lignes en forme de bandes de transmission des signaux, à proximité des extrémités de ces structures de lignes, et que ledit second substrat diélectrique ( 6) possède des ouvertures de mise à la masse ( 15 a-15 d) remplies chacune par le matériau métallique conducteur destiné à être raccordé entre ladite plaque métallique conductrice située sur la surface supérieure dudit second substrat diélectrique et ledit matériau métallique conducteur dans chacun desdits trous de mise à la masse
dudit premier substrat diélectrique.
3 Boîtier suivant la revendication 2, caracté-
risé en ce que des parties desdites structures des lignes en forme de bandes ( 9 a-9 h) situées sur ladite surface supérieure dudit premier substrat diélectrique ( 5) et qui traversent ledit second substrat diélectrique ( 6),
comprennent des lignes à trois plaques.
4 Boîtier selon la revendication 2, caractérisé en ce que chacune desdites structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux situées sur ledit premier substrat diélectrique ( 5) comprend deux parties séparées l'une de l'autre par une fente, que ledit premier substrat diélectrique ( 5) possède en outre des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de test ( 8 h)
prévues respectivement entre des bornes externes d'en-
trée/sortie de signaux de test utilisées pour l'entrée/la sortie de signaux d'entrée/sortie de test à haute fréquence, et les voisinages desdites fentes, et des fils de connexion (lit) destinés chacun à raccorder au choix l'une desdites deux parties ( 8 f,8 g) de structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux à l'autre ou à ladite structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux de test ( 8 h), ce qui permet un contrôle des caractéristiques à haute fréquence de chaque circuit intégré grâce au raccordement de l'une desdites deux parties à ladite structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux de test pour l'introduction/la
sortie desdits signaux d'entrée/sortie de test à haute fré-
quence dans/à partir dudit circuit intégré.
Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat diélectrique ( 5) comporte en outre des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de test, raccordées à des bornes
externes d'entrée/sortie de signaux de test pour l'en-
trée/la sortie de signaux d'entrée/ sortie de test à haute fréquence, et des éléments formant résistances ( 20) branchés entre lesdites structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de test et lesdites structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux, ce qui permet un contrôle des caractéristiques à
haute fréquence de chaque circuit intégré au moyen de l'en-
trée/de la sortie desdits signaux d'entrée/sortie de test à
haute fréquence dans/à partir dudit circuit intégré.
6 Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des troisième et quatrième substrats diélectriques ( 21,22) disposés entre ledit corps conducteur métallique ( 4) et ledit premier substrat diélectrique ( 5), et en ce que ledit troisième substrat diélectrique ( 21) possède des structures de transmission de signaux de commande ( 23), situées sur sa surface supérieure, et des ouvertures de blindage ( 25 a,25 b) remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé audit corps conducteur métallique; ledit quatrième substrat diélectrique ( 22) possède une structure de mise à la masse située sur sa surface supérieure et utilisée pour le montage desdits circuits intégrés sur le substrat, des ouvertures de blindage remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé entre le matériau métallique conducteur situé dans ladite ouverture de blindage présente dans ledit premier substrat diélectrique ( 5) et le métal métallique conducteur dudit troisième substrat diélectrique ( 21), et des ouvertures de raccordement de structures, remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé auxdites structures de raccordement de signaux de commande situées sur ledit troisième substrat diélectrique ( 21); et ledit premier substrat diélectrique ( 5) comporte en outre des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande ( 9 a-9 h) situées dans sa surface supérieure et des ouvertures de raccordement des structures, remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé entre ladite structure de ligne en forme de bande de transmission des signaux de commande et le matériau métallique conducteur situé dans ladite structure et établissant une liaison avec une ouverture dudit quatrième substrat diélectrique ( 22), grâce à quoi lesdites structures de raccordement de signaux de commande sont disposées au-dessous dudit quatrième substrat
diélectrique qui supporte lesdits circuits intégrés.
7 Boîtier selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit troisième substrat diélectrique ( 21) comporte des ouvertures de mise à la masse, remplies chacune par le matériau conducteur raccordé audit corps conducteur métallique, et ledit quatrième substrat diélectrique ( 22) comporte des ouvertures de mise à la masse, remplies chacune par le matériau conducteur raccordé entre le matériau conducteur dudit troisième substrat diélectrique et ladite structure de mise à la masse située
sur ce substrat.
8 Boîtier selon la revendication 6, caractérisé en ce que lesdites ouvertures de mise à la masse desdits troisième et quatrième substrats diélectriques ( 21,22) comprennent des encoches ménagées dans la surface latérale
de ces ouvertures.
9 Boîtier selon la revendication 1, caractérisé
en ce qu'il comporte des cinquième et sixième substrats di-
électriques ( 32,33) disposés entre lesdits premier et second substrats diélectriques ( 5,6), un septième substrat diélectrique ( 31) réuni audit cinquième substrat diélectrique ( 32) et logé à l'intérieur dudit sixième substrat diélectrique ( 33), et en ce que ledit cinquième substrat diélectrique ( 32) possède des ouvertures de raccordement de structures remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé à ladite structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux, et des ouvertures de blindage ( 35 a,35 b) remplies chacune par le matériau conducteur raccordé à celui dudit premier substrat diélectrique ( 5); ledit sixième substrat diélectrique ( 33) possède des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux, situées sur sa surface supérieure et raccordées auxdites bornes externes d'entrée/sortie de signaux, des ouvertures de raccordement des structures, remplies chacune par le matériau métallique conducteur raccordé entre celle dudit cinquième substrat diélectrique ( 32) et ladite structure de ligne en forme de bande de transmission de signaux située sur ce substrat, et des ouvertures de blindage ( 36 a,36 b) remplies chacune par le matériau métallique conducteur et raccordées entre les ouvertures desdites cinquième et second substrats diélectriques ( 32, 6); et ledit septième substrat diélectrique ( 31) possède des parties aptes à recevoir d'autres circuits intégrés destinés à être raccordés auxdits circuits intégrés à micro-ondes logés dans ledit premier substrat diélectrique ( 5). Boîtier selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdits autres circuits intégrés comprennent un circuit de commande servant à commander lesdits circuits intégrés à micro-ondes, que ledit premier substrat diélectrique ( 5) possède des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande situées sur sa surface supérieure et dont chacune sert à envoyer un signal de commande audit circuit intégré à micro-ondes, et que ledit sixième substrat diélectrique ( 33) possède des structures de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande situées sur sa surface supérieure, et des ouvertures de transmission de signaux de commande remplies chacune par le matériau métallique conducteur connecté entre lesdites configurations de lignes en forme de bandes de transmission de signaux de commande desdits
premier et sixième substrats diélectriques ( 5,33).
11 Boîtier selon la revendication 10, caracté-
risé en ce que ledit cinquième substrat diélectrique ( 32) possède une structure de mise à la masse ( 40 a,40 b) raccordée au matériau métallique conducteur situé sur sa surface supérieure, et un septième substrat diélectrique ( 31) possède une structure de mise à la masse ( 41) située sur sa surface inférieure et destinée à être raccordée à ladite structure de mise à la masse dudit cinquième substrat diélectrique ( 32), ce qui permet d'obtenir un blindage électromagnétique de la face opposée audit corps
conducteur métallique.
12 Boîtier selon la revendication 6, caractérisé
en ce qu'il comporte en outre des bornes d'entrée de si-
gnaux de commande raccordées auxdites structures de trans-
mission de signaux de commande situées sur ledit premier substrat diélectrique ( 5) et s'étendant à l'extérieur dans une direction verticale jusqu'aux différents conducteurs métalliques, à partir de la surface inférieure dudit corps. 13 Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites bornes externes de transmission de signaux comprennent des connecteurs coaxiaux ( 44) fixés audit corps conducteur métallique ( 4) et s'étendant vers l'extérieur dans une direction verticale jusqu'audit corps, lesdits conducteurs centraux ( 45) des connecteurs étant raccordés respectivement auxdits plots d'entrée/sortie ( 2 a)
des signaux desdits circuits intégrés.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486273A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Empaquetage pour circuit intégré à micro-ondes
EP0532845A1 (fr) * 1991-09-17 1993-03-24 Daimler-Benz Aerospace Aktiengesellschaft Support pour des dispositifs hyperfréquence planaires
EP0544915A1 (fr) * 1991-06-20 1993-06-09 Iwaki Electronics Co., Ltd. Structure de module de dispositif a semi-conducteurs et procede de production
EP0666594A1 (fr) * 1994-02-03 1995-08-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur et circuit intégré hybride
EP0872888A2 (fr) * 1997-04-16 1998-10-21 International Business Machines Corporation Module à billes en grille
US6639304B1 (en) 1999-10-27 2003-10-28 International Business Machines Corporation Ball grid array module

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2560001Y2 (ja) * 1991-09-04 1998-01-21 三菱電機株式会社 送受信モジュール
JP2823461B2 (ja) * 1992-12-11 1998-11-11 三菱電機株式会社 高周波帯ｉｃ用パッケージ
US5650760A (en) * 1995-11-13 1997-07-22 Hughes Aircraft Company Microwave enclosure
JP3638173B2 (ja) * 1996-03-27 2005-04-13 本田技研工業株式会社 マイクロ波回路用パッケージ
JPH09289404A (ja) 1996-04-24 1997-11-04 Honda Motor Co Ltd リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ
EP1069639B1 (fr) 1999-06-29 2006-04-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Module comportant un circuit à hautes fréquences
US6816225B2 (en) 2001-06-26 2004-11-09 International Business Machines Corporation LCD cell construction by mechanical thinning of a color filter substrate
EP1298728A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-02 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Dispositif de blindage contre les interférences électro-magnétiques pour un boítier pour semi-conducteur
US7485813B1 (en) 2008-03-16 2009-02-03 International Business Machines Corporation Stacked hole formed patterns for shielding through an aperture
RU2660799C1 (ru) * 2017-04-28 2018-07-09 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ получения герметичного корпуса микроэлектронного устройства с контролируемой средой в его внутреннем объеме

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4100516A (en) * 1977-03-18 1978-07-11 The Bendix Corporation Microwave circuit having grounding structure
US4414425A (en) * 1981-09-28 1983-11-08 Rca Corporation Broadband non-contacting RF shielding gasket
US4547755A (en) * 1984-03-27 1985-10-15 Watkins Johnson Company Microwave circuit structure and method of mounting

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63129701A (ja) * 1986-11-20 1988-06-02 Toshiba Corp マイクロ波回路装置
JPS63318802A (ja) * 1987-06-22 1988-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 集積回路パツケ−ジ
MY106055A (en) * 1988-01-27 1995-03-31 Lrc Products Polymeric casing with textured surface
US4951014A (en) * 1989-05-26 1990-08-21 Raytheon Company High power microwave circuit packages

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4100516A (en) * 1977-03-18 1978-07-11 The Bendix Corporation Microwave circuit having grounding structure
US4414425A (en) * 1981-09-28 1983-11-08 Rca Corporation Broadband non-contacting RF shielding gasket
US4547755A (en) * 1984-03-27 1985-10-15 Watkins Johnson Company Microwave circuit structure and method of mounting

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486273A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Empaquetage pour circuit intégré à micro-ondes
US5258646A (en) * 1990-11-16 1993-11-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Package for microwave IC
EP0544915A1 (fr) * 1991-06-20 1993-06-09 Iwaki Electronics Co., Ltd. Structure de module de dispositif a semi-conducteurs et procede de production
EP0544915A4 (en) * 1991-06-20 1993-08-18 Iwaki Electronics Co., Ltd. Package structure of semiconductor device and manufacturing method therefor
EP0532845A1 (fr) * 1991-09-17 1993-03-24 Daimler-Benz Aerospace Aktiengesellschaft Support pour des dispositifs hyperfréquence planaires
EP0666594A1 (fr) * 1994-02-03 1995-08-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur et circuit intégré hybride
US5528074A (en) * 1994-02-03 1996-06-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave semiconductor device and integrated circuit including microwave semiconductor devices
EP0872888A2 (fr) * 1997-04-16 1998-10-21 International Business Machines Corporation Module à billes en grille
EP0872888A3 (fr) * 1997-04-16 1999-05-12 International Business Machines Corporation Module à billes en grille
US6639304B1 (en) 1999-10-27 2003-10-28 International Business Machines Corporation Ball grid array module
US6806122B2 (en) 1999-10-27 2004-10-19 International Business Machines Corporation Ball grid array module

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US5113161A (en) 1992-05-12
FR2659184B1 (fr) 1993-07-23
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JPH03253098A (ja) 1991-11-12

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