FR2591388A1 - Reseau de photocapteurs pour un appareil de traitement d'image - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000003228 microsomal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002168 optical frequency-domain reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
L'invention concerne les réseaux de photocapteurs. Chaque photocapteur d'un réseau linéaire comprend un substrat 1, une couche photoconductrice en silicium amorphe 2, 3 formée sur le substrat et une paire d'électrodes espacées 5 formées sur la couche photoconductrice. La couche photoconductrice est constituée par au moins deux couches superposées 2, 3 parmi lesquelles la couche inférieure 2 présente une teneur en oxygène inférieure à celle de la couche supérieure. Application aux machines de télécopie. (CF DESSIN DANS BOPI)
Description
La présente invention concerne un réseau de photo-
capteurs prévu pour l'utilisation avec un appareil de traite-
ment d'image tel qu'une machine de télécopie ou une machine
de copie numérique.
On connait parfaitement l'utilisation d'un photocap- teur en tant qu'élément de conversion photoélectrique dans un appareil de traitement d'image tel qu'une machine de télécor
pie, une machine de copie numérique ou un lecteur de caractè-
res. On connaît également à l'heure actuelle l'utilisation d'un élément de détection d'image allongé pour lire une image avec une sensibilité élevée. Un tel élément de détection d'image allongé comprend un réseau de photocapteurs allongé, un réseau de sources lumineuses destiné à éclairer un original
à lire, et un réseau de focalisation d'image destiné à focali--
ser l'image d'un original sur le réseau de photocapteurs al-
longé, qui est constitué par des photocapteurs disposés en li-
gne. Un exemple d'un tel réseau de photocapteurs utilisé pour lire une image constitue ce qu'on appelle un photocapteur de
type "sandwich" qui est constitué par une couche photoconduc-
trice contenant une matière telle que du silicium amorphe, avec une paire de couches d'électrodes formées sur des faces
opposées de la couche photoconductrice. Ce type de photocap-
teur fournit, pour son signal de sortie, un photocourant pri-
maire qui est généré à l'intérieur de la couche photoconduc-
trice sous l'effet de la réception de la lumière incidente. Le signal de sortie est donc relativement faible. En outre, du fait que les couches d'électrodes sont disposées sur des faces opposées de la couche photoconductrice du photocapteur, un court-circuit peut se produire en cas de formation de trous
d'épingle dans la couche photoconductrice au cours de la fa-
brication. Pour éliminer les problèmes précités, on a utilisé récemment un photocapteur qu'on appelle un photocapteur de type plan, qui comporte une paire d'électrodes formées sur une même face de la couche photoconductrice contenant une matière
telle que du silicium amorphe, les électrodes étant mutuelle-
ment séparées par une distance qui définit partiellement la
région de réception de lumière. Ce type de photocapteur four-
nit,pour son signal de sortie,un photocourant secondaire qui est généré dans la couche photoconductrice. Le signal de sor- tie est donc élevé par rapport à celui d'un photocapteur de
type sandwich.
Des procédés connus pour la fabrication d'une cou-
che de silicium amorphe constituant de tels photocapteurs de type plan comprennent le procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma, le procédé de pulvérisation cathodique réactive, le procédé de revêtement ionique, etc. Tous ces procédés utilisent une décharge luminescente pour accélérer
la réaction. Dans tous ces procédés, il est nécessaire d'uti-
liser une puissance de décharge relativement faible pour for-
mer une couche de silicium amorphe présentant une photocon-
ductivité et une qualité élevées. Cependant, des couches pho-
toconductrices obtenues avec une faible puissance dé décharge présentent une mauvaise adhérence sur un substrat qui est par
exemple en verre ou en céramique, ce qui conduit à un problè-
me consistant en ce que la couche risque d'être arrachée pen-
dant un traitement de photolithographie destiné à former des électrodes.
Pour éviter que la couche soit arrachée, on a uti-
lisé jusqu'à présent un procédé consistant à déposer une cou-
che de silicium amorphe après avoir donné une certaine rugo-
sité à la surface d'un substrat. Plus précisément, on rend la surface d'un substrat rugueuse par des moyens chimiques ou mécaniques, comme par l'utilisation d'acide fluorhydrique ou
d'une brosse.
Avec un tel procédé, la rugosité du substrat n'est pas uniforme sur toute la surface qui a subi un traitement
visant à la rendre rugueuse. En outre, des défauts microsco-
piques existent souvent de façon locale sur la surface du substrat. Par conséquent, les caractéristiques de réseaux de photocapteurs présentent souvent une certaine dispersion si
ces réseaux sont fabriqués d'une manière similaire à la ma-
nière classique, par dépôt d'une couche de silicium amorphe
sur le substrat et par la formation d'électrodes.
Un élément de détection d'image allongé construitau moyen de réseaux de photocapteurs classiques peut produire des
signaux binaires de diverses amplitudes, ce qui exige l'utili-
sation de circuits de correction pour corriger une telle dis-
persion, et conduit à un coQt élevé de l'élément de détection.
Compte tenu des problèmes décrits ci-dessus, un but
de l'invention est de procurer un réseau de photocapteurs uti-
lisant des photocapteurs de type plan, dans lequel chaque pho-
tocapteur présente une caractéristique améliorée et uniforme, de façon qu'un élément de détection d'image allongé réalisé
avec de tels photocapteurs produise des signaux binaires pré-
sentant une plus faible dispersion d'amplitude, et de façon
qu'il ne soit pas nécessaire d'utiliser des circuits de cor-
rection pour une telle dispersion.
Un autre but de l'invention est de procurer un ré-
seau de photocapteurs prévu pour l'utilisation dans un appa-
reil de traitement d'image et comportant un ensemble de pho-
tocapteurs disposés en un réseau, chacun de ces photocapteurs comprenant un substrat, une couche photoconductrice formée sur le substrat et constituée par du silicium amorphe, et une paire d'électrodes disposées sur une surface de la couche photoconductrice, les électrodes étant mutuellement séparées par une certaine distance qui définit partiellement une région
de réception de lumière du photocapteur; dans lequel la cou-
che photoconductrice du photocapteur est constituée sous la
forme d'au moins deux couches superposées, et la couche infé-
rieure qui est la plus proche du substrat présente une faible
teneur en oxygène.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la
description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se
référant aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en plan partielle montrant
un photocapteur du réseau de photocapteurs conforme à l'in-
vention; la figure 2 est une coupe selon la ligne II-II de la figure 1; la figure 3 est une vue en plan partielle montrant le réseau de photocapteurs conforme à l'invention; la figure 4 est un graphique montrant la teneur en oxygène dans la couche photoconductrice; et les figures 5 et 6 sont des graphiques représentant
le photocourant et le courant d'obscurité.
Dans la description, on appelle couche de silicium
amorphe sous-jacente la couche inférieure dans la couche pho-
toconductrice, tandis qu'on appelle simplement couche de si-
licium amorphe une ou plusieurs couches situées au-dessus de
la couche de silicium amorphe sous-jacente, lorsque ces déno-
minations sont applicables.
La figure 1 est une vue en plan partielle montrant un photocapteur du réseau de photocapteurs conforme à un mode de réalisation de l'invention, et la figure 2 est une coupe selon la ligne II-II de la figure 1. La référence 1 désigne un substrat, la référence 2 désigne une couche de silicium amorphe sous-jacente et la référence 3 désigne une couche de
silicium amorphe. Ces couches constituent la couche photocon-
ductrice. La référence 4 désigne une couche de contact ohmi-
que et la référence 5 représente des électrodes par lesquel-
les on prélève le photocourant.
- En ce qui concerne la matière du substrat 1, on ? peut utiliser du verre tel par exemple que du verre n 7059
ou n 7740 fabriqué par Corning Co., du verre du type SCG fa-
briqué par Tokyo Applied Chemistry Co., ou du verre de silice
ou une céramique telle qu'une céramique partiellement émail-
lée.
La couche photoconductrice du photocapteur appar-
tenant au réseau de photocapteurs conforme à l'invention est constituée par un ensemble de couches superposées, chaque
couche ayant une teneur en oxygène différente. Une couche in-
férieure (c'est-à-dire la plus proche du substrat) présente
une teneur en oxygène inférieure à celle d'une couche supé-
rieure. La teneur en oxygène d'une couche-de silicium amorphe sousjacente, 2, est de préférence inférieure à une proportion
atomique de 2000 ppm, tandis que celle de la couche de sili-
cium amorphe 3 correspond de préférence à une proportion ato-
mique comprise entre 2000 et 4000 ppm.
La teneur en oxygène de la couche photoconductrice
remplit les fonctions suivantes. Il est spécialement souhai-
table d'utiliser une couche conductrice supérieure ayant une
teneur en oxygène élevée, pour obtenir un photocourant élevé.
Si une couche photoconductrice ayant une teneur en oxygène élevée est formée directement sur le substrat rugueux pour
assurer une bonne adhérence sur ce dernier, les caractéris-
tiquesdu photocourant et du courant d'obscurité peuvent être influencées par des rugosités localement différentes du
substrat. Si au contraire on utilise une couche photoconduc-
trice ayant une faible teneur en oxygène, du fait que celle-
ci a une faible conductivité et un faible rendement, les ca-
ractéristiques de photocourant et de courant d'obscurité sont de façon correspondante moins influencées par l'état de la surface du substrat. Sur la base de ce qui précède, dans le dispositif de l'invention la couche inférieure est une couche ayant une teneur en oxygène relativement faible, tandis que la couche supérieure est une couche ayant une teneur
en oxygène relativement élevée. Il en résulte qu'il est possi-
ble d'atténuer l'influence de l'état de la surface du substrat sur le photocourant dans toute la couche photoconductrice, et
d'obtenir également un photocourant élevé.
Une teneur en oxygène trop élevée peut entraîner une détérioration notable de la couche photoconductrice, qui n'est pas souhaitable en utilisation pratique. Ainsi, la teneur en oxygène de la couche de silicium amorphe 3 est de préférence dans la plage d'une proportion atomique de 2000 à 4000 ppm, tandis que par opposition, la teneur en oxygène de la couche de silicium amorphe sous-jacente 2 est de préférence dans la plage correspondant à une proportion atomique de 1 à 2000 ppm. Si l'épaisseur de la couche de silicium amorphe
sous-jacente est trop élevée, le rendement global de la cou-
che photoconductrice est diminué. Par conséquent, conformé-
ment à l'invention, il est souhaitable que l'épaisseur de la couche de silicium amorphe sous-jacente 2 ne soit pas trop
élevée, et elle doit par exemple être inférieure à 100 nm.
On peut former la couche de silicium amorphe sous-
jacente 2 et la couche de silicium amorphe 3 en utilisant le
procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma, le pro-
cédé de pulvérisation cathodique réactive ou le procédé de
revêtement ionique, dans des conditions de décharge lumines-
cente appropriées, en ce qui concerne la puissance de déchar-
ge, la température du substrat, la composition des gaz et la
pression des gaz.
On va maintenant décrire l'invention de façon plus
spécifique en considérant des exemples.
Exemple 1
On a utilisé un substrat de verre (n 7059 fabriqué par Corning Co.) dont les faces opposées ont été polies, et
on a traité ce substrat dans un mélange liquide d'acide fluor-
hydrique (solution aqueuse à 49 % en volume), d'acide nitri-
que (solution aqueuse à 60 % en volume) et d'acide acétique, dans des rapports en volume respectifs de 1:5:40.On a ensuite recouvert le substrat de verre 1 avec un masque portant un
motif désiré et on l'a placé dans un appareil de décomposi-
tion par décharge luminescente du type à couplage capacitif, de façon à maintenir le substrat sous une pression inférieure à 130 FPa et à 230 C. On a ensuite introduit dans l'appareil
un gaz consistant en SiH4 ayant une pureté de qualité "épita-
xie" (fabriqué par Komatsu Denshi K.K.), avec un débit ramené aux conditions normales de 50 cm 3./min,et un gaz consistant en 02 (pureté de 99,9999 %), avec un débit de 50 ppm par rapport à celui du SiH4, en maintenant la pression de gaz à 13 Pa. On a ensuite établi une décharge luminescente avec une puissance de décharge radiofréquence de 150 W pendant 2 minutes, en uti- lisant une source d'énergie de haute fréquence (13,56 MHz), pour former une couche de silicium amorphe sous-jacente 2 ayant une épaisseur d'environ 50 nm. Ensuite, en utilisant un gaz consistant en SiH4 avec un débit ramené aux conditions
normales de 25 cm3/minet un gaz consistant en 02 avec un dé-
bit de 3000 ppm par rapport à celui du SiH4, sous une pression
de gaz de 10,5 Pa, on a établi une décharge luminescente pen-
dant 4 heures avec une puissance de décharge de 20 W, pour
former une couche de silicium amorphe 3 ayant une épaisseur d'en-
viron 0,7micromètre. On aensuite déposé une couche de con-
+ tact ohmique n (d'environ 0,15 micromètre d'épaisseur), avec une puissance de décharge de 30 W, utilisant en tant que matières constitutives un mélange gazeux de SiH4 dilué à 10 % dans H2 et de PH3 dilué à 1000 ppm, avec un rapport de mélange de 1:5. On a ensuite formé une couche conductrice de 0,3 micromètre, en déposant de l'aluminium au moyen du procédé d'évaporation
par faisceau d'électrons.
Après avoir formé un motif de matière de réserve photographique ayant une configuration désirée et constitué par une matière de réserve photographique positive (OFDR 8000 fabriquée par Tokyo Applied Chemistry Co.), on a-enlevé la
région exposée de la couche conductrice pour former des élec-
trodes 5, en utilisant un mélange liquide d'acide phosphorique
(solution aqueuse à 85 % en volume), d'acide nitrique (solu-
tion aqueuse à 60 % en volume), d'acide acétique glacial et
d'eau, dans des rapports en volume respectifs de 16:1:2:1. En-
suite, en utilisant le procédé d'attaque par plasma et un ap-
pareil du type à plaques parallèles, on a effectué une attaque
par voie sèche pour enlever la couche de n+ à nu, en travail-
lant avec une puissance radiofréquence de 120 W et -une pres-
sion de 9 Pa d'un gaz consistant en CF4. On a ainsi formé une + couche n ayant un motif désiré, après l'enlèvement de la
matière de réserve photographique restante.
On a fabriqué de cette manière un réseau de photo-
capteurs comportant 864 photocapteurs disposés en un réseau sur un seul substrat. La figure 3 montre schématiquement une vue en plan partielle de ce réseau de photocapteurs. Sur la figure, la référence 1il désigne une électrode indépendante et la référence 12 désigne une électrode commune. La densité de ce réseau de photocapteurs allongé est de 8 bits/mm, et sa
longeur correspond à la largeur d'un document de format A6.
Exemple 2
Apres avoir formé sur un substrat 1 une couche de silicium amorphe sousjacente 2 et une couche de silicium amorphe 3, d'une manière similaire à celle de l'Exemple 1, on a mesuré la teneur en oxygène des deux couches 2 et 3 formées sur le substrat, en utilisant la spectrométrie de masse par émission ionique secondaire. Les résultats sont représentés sur la figure 4. Comme on le voit sur la figure 4, la teneur en oxygène de la couche de silicium amorphe 3 est de l'ordre d'une proportion atomique de 3000 ppm, tandis que celle de la couche de silicium amorphe sous-jacente 2 est inférieure à la valeur précitée. L'interface entre la couche de silicium amorphe sous-jacente 2 et le substrat 1 présente une teneur en oxygène supérieure à une proportion atomique de 3000 ppm, comme on le voit sur la figure 4. On peut considérer que cette teneur en oxygène élevée résulte de l'influence de
l'oxygène à l'état d'impureté qui est présent à l'interface.
Exemple 3
On a mesuré l'uniformité du photocourant et du cou-
rant d'obscurité entre des bits de sortie du réseau de photo-
capteurs obtenu par l'Exemple 1, et les résultats correspon-
dants sont représentés sur la figure 5.
Dans un but de comparaison, on a fabriqué un réseau de photocapteurs d'une manière similaire à celle de l'Exemple
1, à l'exception de l'omission de la couche de silicium amor-
phe sous-jacente. On a mesuré l'uniformité du photocourant et du courant d'obscurité de ce réseau de photocapteurs, et les
résultats correspondants sont représentés sur la figure 6.
En comparant les résultats représentés sur les fi- gures 5 et 6, on peut voir que le réseau de photocapteurs conforme à l'invention présente une excellente uniformité de photoconductivité, même lorsqu'on utilise un substrat rugueux
pour assurer une bonne adhérence sur la couche photoconductri-
ce. Du fait que le réseau de photocapteurs conforme à l'invention présente des caractéristiques uniformes, il n'est pas nécessaire d'employer des circuits de correction, même pour un réseau de photocapteurs allongé, ce qui conduit à un
coût faible.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir
du cadre de l'invention.
Claims (3)
1. Réseau de photocapteurs prévu pour l'utilisation
avec un appareil de traitement d'image et comportant un en-
semble de photocapteurs disposés en un réseau, dans lequel chacun des photocapteurs comprend un substrat (1), une couche
photoconductrice (2, 3) formée sur le substrat (1) et consis-
tant en silicium amorphe, et une paire d'électrodes (5) dis-
posées sur une surface de la couche photoconductrice, les électrodes (5) étant mutuellement espacées par une certaine distance qui définit partiellement une région de réception de lumière du photocapteur, caractérisé en ce que la couche photoconductrice du photocapteur est réalisée sous la forme d'au moins deux couches superposées (2, 3), et en ce que la couche inférieure (2) qui est la plus proche du substrat (1)
présente une faible teneur en oxygène.
2. Réseau de photocapteurs prévu pour l'utilisation avec un appareil de traitement d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la teneur en oxygène de la couche inférieure (2) de la couche photoconductrice (2, 3) correspond
à une proportion atomique inférieure à 2000 ppm.
3. Réseau de photocapteurs prévu pour l'utilisation avec un appareil de traitement d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche inférieure
(2) de la couche photoconductrice est inférieure à 100 nm.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274567A JPH0812932B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | フォトセンサアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2591388A1 true FR2591388A1 (fr) | 1987-06-12 |
| FR2591388B1 FR2591388B1 (fr) | 1994-08-19 |
Family
ID=17543531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8617074A Granted FR2591388A1 (fr) | 1985-12-06 | 1986-12-05 | Reseau de photocapteurs pour un appareil de traitement d'image |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4835507A (fr) |
| JP (1) | JPH0812932B2 (fr) |
| DE (1) | DE3641454A1 (fr) |
| FR (1) | FR2591388A1 (fr) |
| GB (1) | GB2184886B (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3066944B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
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| FR2551266A1 (fr) * | 1983-08-23 | 1985-03-01 | Canon Kk | Element photoconducteur utilisable en electrophotographie |
| DE3504369A1 (de) * | 1984-02-10 | 1985-08-14 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung eines fotosensors |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS53989A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phtoconductor and its preparation |
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| US4405915A (en) * | 1980-03-28 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducing element |
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| JPS6045255A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Canon Inc | 光導電部材 |
| US4650984A (en) * | 1984-01-12 | 1987-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor array for treating image information |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60274567A patent/JPH0812932B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-12-02 US US06/936,740 patent/US4835507A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-04 DE DE19863641454 patent/DE3641454A1/de active Granted
- 1986-12-05 GB GB8629106A patent/GB2184886B/en not_active Expired
- 1986-12-05 FR FR8617074A patent/FR2591388A1/fr active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812932B2 (ja) | 1996-02-07 |
| GB2184886B (en) | 1989-10-11 |
| DE3641454C2 (fr) | 1989-08-31 |
| DE3641454A1 (de) | 1987-06-11 |
| GB8629106D0 (en) | 1987-01-14 |
| JPS62133771A (ja) | 1987-06-16 |
| US4835507A (en) | 1989-05-30 |
| FR2591388B1 (fr) | 1994-08-19 |
| GB2184886A (en) | 1987-07-01 |
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