FR2551563A1 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 81
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 59
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 58
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 49
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 claims 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 691
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 244
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 103
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 92
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 description 91
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 52
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 47
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 37
- -1 Si H 4 Chemical class 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 25
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 16
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 16
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 9
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen trioxide Chemical compound [O-][N+](=O)N=O LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017817 a-Ge Inorganic materials 0.000 description 4
- WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N dinitrogen tetraoxide Chemical compound [O-][N+](=O)[N+]([O-])=O WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 150000002290 germanium Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012549 training Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004369 Alkaline modified starch Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004277 Ferrous carbonate Substances 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004400 Neutral Methacrylate Copolymer Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 2
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 2
- 235000019427 alkaline modified starch Nutrition 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000728 ammonium alginate Substances 0.000 description 2
- 235000010407 ammonium alginate Nutrition 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000648 calcium alginate Substances 0.000 description 2
- 235000010410 calcium alginate Nutrition 0.000 description 2
- 239000000679 carrageenan Substances 0.000 description 2
- 235000010418 carrageenan Nutrition 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen pentaoxide Chemical compound [O-][N+](=O)O[N+]([O-])=O ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 235000019457 neutral methacrylate copolymer Nutrition 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 235000013808 oxidized starch Nutrition 0.000 description 2
- 239000001254 oxidized starch Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000737 potassium alginate Substances 0.000 description 2
- 235000010408 potassium alginate Nutrition 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000770 propane-1,2-diol alginate Substances 0.000 description 2
- 235000010409 propane-1,2-diol alginate Nutrition 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004401 Anionic methacrylate copolymer Substances 0.000 description 1
- 239000001878 Bakers yeast glycan Substances 0.000 description 1
- 239000004374 Basic methacrylate copolymer Substances 0.000 description 1
- 239000004370 Bleached starch Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150092640 HES1 gene Proteins 0.000 description 1
- 108010002352 Interleukin-1 Proteins 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003266 Leaf® Polymers 0.000 description 1
- 101100284799 Mus musculus Hesx1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N Nitrogen oxide(NO) Natural products O=N ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N OOOO Chemical compound OOOO RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTAFLBZLAZYRDX-UHFFFAOYSA-N OOOOOO Chemical compound OOOOOO DTAFLBZLAZYRDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010000020 Platelet Factor 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 241000348346 Suta Species 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019458 anionic methacrylate copolymer Nutrition 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O azanium;azide Chemical compound [NH4+].[N-]=[N+]=[N-] UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 235000019424 basic methacrylate copolymer Nutrition 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019428 bleached starch Nutrition 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- OMBRFUXPXNIUCZ-UHFFFAOYSA-N dioxidonitrogen(1+) Chemical compound O=[N+]=O OMBRFUXPXNIUCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N hydrogen azide Chemical compound N=[N+]=[N-] JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 235000010603 pastilles Nutrition 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001253 polyvinylpolypyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013809 polyvinylpolypyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 238000001303 quality assessment method Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT PHOTOCONDUCTEUR100 MONTE SUR UN SUBSTRAT101. L'ELEMENT COMPREND UNE COUCHE DE RECEPTION DE LUMIERE102 AYANT UNE CONSTITUTION DE COUCHES SELON LAQUELLE UNE PREMIERE REGION DE COUCHEG103 COMPRENANT UNE MATIERE AMORPHE CONTENANT DES ATOMES DE GERMANIUM ET UNE SECONDE REGION DE COUCHES104 PRESENTANT UNE PHOTOCONDUCTIBILITE COMPRENANT UNE MATIERE AMORPHE CONTENANT DES ATOMES DE SILICIUM SONT SUCCESSIVEMENT PREVUES A PARTIR DU COTE DU SUBSTRAT101, LA COUCHE DE RECEPTION DE LUMIERE102 CONTENANT DES ATOMES D'AZOTE. APPLICATION EN PARTICULIER A L'ELECTROPHOTOGRAPHIE.
Description
La présente invention concerne un élément photoconducteur ayant une
sensibilité à des ondes électromagnétiques telles que la lumière (terme utilisé dans son sens élargi incluant les radiations ultraviolettes, la lumière visible, les radiations infrarouges, les rayons X, les
rayons gamma, etc).
Les matières photoconductrices, qui constituent des couches photoconductrices dans des dispositifs à s Emi-oconducteurs ou état solide decaptation d'iage, dans des éléments de formation 10 d'image pour l'électrophotographie dans le domaine de la formation des images, ou dans des dispositifs de lecture d'écriture manuscrite et analogues, sont nécessaires pour avoir une sensibilité élevée, un grand rapport SN (photocourant Ip/courant d'obscurité Id), des caractéristiques spectrales correspondant à celles des ondes électromagnétiques à émettre, une réponse rapide à la lumière, la valeur désirée de résistance d'obscurité ainsi qu'aucun effet nocif sur les corps humains pendant l'utilisation En outre, dans un dispositif à l'état solide de captation 20 d'image, il est également nécessaire que l'image résiduelle soit traitée facilement dans une période déterminée En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour l'électrophotographie à assembler dans un dispositif électrophotographique à utiliser dans un bureau comme 25 appareil de bureau, la caractéristique d'absence d'effet
nocif est très importante.
Partant du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe (appelé ci-après a-Si) a été étudié récemment en tant que matière photoconductrice Par exemple, 30 les documents allemands OLS N 2 746 967 et N 2 855 718 divulguent des applications de a-Si pour une utilisation dans des éléments de formation d'image pour l'électrophotographie, tandis que le document allemand OLS N
2 933 411 divulgue une application de a-Si pour une utilisa35 tion dans un dispositif de lecture transducteur photoélectrique.
Cependant, dans la situation actuelle, les éléments photoconducteurs de l'art antérieur ayant des couches photoconductrices constituées de a-Si ont besoin d'être encore améliorés dans un équilibre de caractéristiques globales incluant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices telles que la valeur de 5 la résistance d'obscurité, la photosensibilité et la réponse à la lumière, etc, et des caractéristiques d'environnement pendant l'utilisation telles que la résistance à l'humidité,
et une plus grande stabilité au cours du temps.
Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 10 ci-dessus est appliqué dans un élément de formation d'image pour l'électrophotographie, on observe fréquemment que le potentiel résiduel reste durant l'utilisation si on a l'intention d'effectuer en même temps des améliorations concernant l'augmentation de la photosensibilité et de 15 la résistance d'obscurité Lorsqu'un tel élément photoconducteur est utilisé de façon répétée pendant longtemps, il y aura divers inconvénients tels qu'une accumulation des fatigues par des utilisations répétées ou bien le phénomène appelé fantôme selon lequel des images résiduelles 20 sont formées, ou bien la caractéristique de réponse diminuera graduellement lorsqu'il y a une utilisation à grande
vitesse de façon répétée.
De plus, a-Si a un coefficient relativement faible d'absorption de la lumière dans la gamme des lon25 gueurs d'ondes plus longues dans la région de la lumière visible par comparaison avec la gamme incluant les ondes plus courtes En conséquence, en correspondance avec ce qui se passe dans le laser à semiconducteur appliqué actuellement en pratique, la lumière de la gamme des longueurs 30 d'ondes plus longues ne peut en fait être utilisée, lorsqu'on emploie une lampe à halogène ou une lampe fluorescente en tant que source lumineuse Ainsi, divers points doivent
être améliorés.
Par ailleurs, lorsque la lumière irradiée n'est 35 pas suffisamment absorbée dans la couche photoconductrice, mais que la quantité de lumière atteignant le substrat est augmentée, il peut survenir une interférence à cause de la réflexion multiple dans la couche photoconductrice, ce qui devient la cause d'un manque de focalisation de l'image au cas o le substrat lui-même présente une réflectance élevée contre la lumière émise à travers la couche
D photoconductrice.
Cet effet sera augmenté si le point irradié
est choisi plus petit dans le but d'augmenter la résolution, ce qui pose un problème important dans le cas de l'utilisaL.ion d'un laser à semiconducteur comme source de lumière.
En outre, des matières a-Si à utiliser pour constituer la couche photoconductrice peuvent contenir en tant qu'atomes constituants des 'atomes d'hydrogène oe des atomes d'halogènes tels que des atomes de fluor, des atomes de chlore, etc, pour améliorer leurs caractéris15 tiques électriques, photoconductrices, des atomes de bore, des atomes de phosphore, etc, pour commander le type d'électroconductilon ainsi que d'autres atomes pour améliorer d'autres caractéristiques En fonction du contenu des atomes constituants, des problèmes peuvent quelquefois 20 survenir concernant les caractéristiques électriques ou
photoconductrices de la couche formée.
Dans plusieurs cas, par exemple, la vie des photoporteurs produits par irradiation de lumière dans la couche photoconductrice formée est insuffisante ou bien, 25 dans la portion d'obscurité, les charges injectées depuis le c 6 té du substrat ne peuvent être gênées suffisamEn outre, lorsque l'épaisseur de la couche est de 10 microns ou plus, des phénomènes tendent à survenir 30 tels que le relâchement ou le pelage des couches depuis la surface du substrat ou la formation de fissures dans les couches, au cours du temps, lorsqu'elles sont laissées à l'air après enlèvement d'une chambre de dép 6 t sous vide pour la formation de la couche Ces phénomènes auront lieu de façon particulièrement fréquente lorsque
le substrat est un substrat en forme de tambour utilisé habituellement dans le domaine de l'électrophotographie.
255 1563
Ainsi, il y a donc des problèmes à résoudre en ce qui
concerne la stabilité au cours du temps.
Par conséquent, tandis qu'on essaie d'améliorer les caractéristiques d'une matière a-Si en soi, d'une 5 part, il est également nécessaire, d'autre part, de faire des efforts pour vaincre tous les problèmes mentionnés
ci-dessus lors de la conception de l'élément photoconducteur.
Etant donné les points ci-dessus, la présente invention envisage, à la suite d'études poussées faites 10 de façon complète au point de vue applicabilité et utilité de a-Si, de produire un élément photoconducteur pour des éléments de formation d'image destinés à l'électrophotographie, des dispositifs de captation d'image à l'état solide, des dispositifs de lecture, etc On a donc trouvé 15 qu'un élément photoconducteur ayant une constitution de couche comprenant une couche de réception de lumière présentant une photoconductibilité qui comprend a-Si, en particulier une matière amorphe contenant au moins, soit un atome d'hydrogène (H), soit un atome d'halogène (X) dans une 20 matrice d'atomes de silicium tel que ce qu'on appelle -le silicium amorphe hydrogéné, le silicium amorphe halogéné ou le silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène (appelés ci-après globalement a-Si(H,X)), l'élément photoconducteur étant préparé par conception de manière à pré25 senter une structure spécifique telle que décrite ciaprès, non seulement présente en pratique des caractéristiques extrêmement bonnes, mais également surpasse les éléments photoconducteurs de l'art antérieur sous presque tous les rapports, du fait qu'en particulier il présente 30 des caractéristiques excellentes en tant qu'élément photoconducteur pour l'électrophotographie et aussi des caractéristiques excellentes de spectre d'absorption dans la
gamme des longueurs d'ondes plus longues.
L'objet principal de la présente invention 35 est de produire un élément photoconducteur ayant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices qui soient constamment stables et du type correspondant à tout environnement en n'ayant aucune dépendance par rapport aux ambiances d'utilisation, cet élément étant remarquablement excellent en ce qui concerne ses caractéristiques de photosensibilité dans la gamme des longueurs d'ondes plus longues et une résistance à la fatigue de lumière, et étant également excellent au point de vue durabilité sans provoquer de phénomène de détérioration lors d'un usage répété, aucun potentiel résiduel ou presque
pas de potentiel résiduel n'étant alors observé.
Un autre but de la présente invention est de fournir un élément photoconducteur ayant une photosensibilité élevée sur toute la région de la lumière visible, en particulier il est excellent en association avec un laser à semiconducteur tout en ayant une réponse rapide à la lumière. 15 Un autre but de la présente invention est de
produire un élément photoconducteur qui soit excellent lors d'une adhésion entre un substrat et une couche fournie sur le substrat ou entre des couches laminées respectives, tout en étant stable lorsque l'arrangement structurel 20 est serré et d'une qualité-de couche élevée.
Un autre but de la présente invention est de fournir un élément photoconducteur pouvant suffisamment retenir des charges durant le traitement de chargement pour la formation d'images électrostatiques lorsqu'il 25 est appliqué en tant qu'élément pour la formation d'une
image électrophotograpque, cet élément ayant également d'excellentes caractéristiques électrophotographiques qui ne sont pas réduites m 6 me dans une atmosphère humide, les procédés ordinaires électrophotographiques pouvant alors 30 y être appliqués très efficacement.
En outre, un objet de la présente invention est de produire un élément photoconducteur pour électrophotographie qui puisse fournir facilement une image de grande qualité avec une densité élevée, une clarté en 35 demi-ton, une résolution élevéeetune absence d'image "non focalisée". La présente invention permet également de produire un élément photoconducteur ayant une photosensibilité élevée et une caractéristique élevée de rapport SN et
un bon contact électrique avec le substrat.
Selon la présente invention, il s'agit d'un élément photoconducteur comprenant un substrat pour élément 5 photoconducteur et une couche de réception de lumière fournie sur le substrat et ayant une constitution de couche dans laquelle une première région de couche (G) comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium et une seconde région de couche (S) présentant une photo10 conductibilité et comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium sont successivement présentes à partir du côté du substrat, la couche de réception de
lumière contenant des atomes d'azote.
D'autres caractéristiques et avantages de la 15 présente invention résulteront de la description détaillée
qui va suivre d'exemples de réalisation et en référence aux dessins annexés sur lesquels: les figures 1 et 11 représentent une vue schématique en section montrant la constitution des couches 20 d'une forme de réalisation préférée de l'élément photoconducteur selon la présente invention; les figures 2 à 10 montrent schématiquement le profil en profondeur des atomes d'azote dans la région de couche (N); et la figure 12 est une illustration schématique
du dispositif utilisé pour préparer les éléments photoconducteurs de la présente invention dans les exemples.
En référence aux dessins, les éléments photoconducteurs selon la présente invention vont maintenant 30 être décrits en détail ci-dessous.
Comme indiqué, la figure 1 est une vue schématique en section montrant la constitution des couches d'une première forme de réalisation de l'élément photoconducteur
de l'invention.
L'élément photoconducteur 100 montré à la figure 1 est constitué par une couche de réception de lumière 102 formée sur un substrat 101 pour l'élément photoconducteur, la couche de réception de lumière 102 ayant une
surface libre 105 sur une surface d'extrémité.
La couche de réception de lumière 102 a une structure de couche constituée par une première région de couche (G) 103 consistant en atomes de germanium et, 5 si on le désire, au moins une couche d'atomes de silicium (Si), d'atomes d'hydrogène (H) et d'atomes d'halogènes (X) (ci- après désignés en abrégé comme "a-Ge(Si,H,X)"
et une seconde région de couche (S) 104 ayant une photoconductibilité constituée par a-Si(H,X) laminée successive10 ment depuis le côté de substrat 101.
Dans le cas o les atomes de germanium sont contenus dans la première région de 'couche (G) 103 en compagnie d'autres atomes, des atomes de germanium sont contenus dans la première région de couche (G) 103 dans 15 une distribution telle qu'ils sont distribués de façon continue et uniforme à la fois dans la direction de l'épaisseur de la couche de la première région de couche (G) 103 et dans la direction interplanaire en parallèle à
la surface du substrat 101.
Dans la présente invention, dans la seconde région de couche (S) fournie sur la première région de couche (G), il n'y a aucun atome de germanium et en formant la couche de réception de lumière avec une telle structure de couche, il est possible de donner un élément photoconduc25 teur qui soit excellent en photosensibilité à la lumière sur toute la région des longueurs d'ondes depuis des longueurs d'ondes relativement courtes jusqu'à des longueurs d'ondes relativement longues y compris la région de lumière visible. En outre, comme la distribution des atomes de germanium dans la première région de couche (G) est telle que des atomes de germanium sont distribués de façon continue sur toute la région de couche, l'affinité entre la première région de couche (G) et la seconde région 35 de couche (S) est excellente et la lumière dans la gamme des longueurs d'ondes plus longues qui ne peut être absorbée sensiblement par la seconde région de couche (S) peut
être absorbée dans la première région de couche (G) de façon presque complète lorsqu'on utilise un laser à semiconducteur, ce qui fait qu'on peut empêcher toute interférence par la réflexion sur la surface du substrat.
Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, lorsque des atomes de silicium sont contenus dans la première région de couche (G), les matières de réception de lumière respectives constituant la première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) 10 présentent le constituant commun en atomes de silicium, et, par conséquent, une stabilité chimique suffisante
peut être assurée à l'interface laminée.
Dans la présente invention, le contenu en atomes de germanium dans la première région de couche (G) contenant 15 des atomes de germanium,qui peut être déterminé de façon appropriée comme on le désire, de manière à réaliser effectivement les buts de la présente invention, peut de préférence être de 1 à 10 x 105 ppm atomiques, de préférence 100 à 9,5 x 105 ppm atomiques, et de préférence encore 20 500 à 8 x 105 ppm atomiques sur la base de la somme des
atomes de germanium et des atomes de silicium.
Dans l'élément photoconducteur de la présente
invention, l'épaisseur de couche de la première région de couche (G) et l'épaisseur de la seconde région de couche 25 (S) constituent un facteur important pour atteindre effectivement l'objet de la présente invention et il en résulte que la conception de l'élément photoconducteur doit être étudiée suffisamment pour que des caractéristiques désirables puissent lui être imparties.
Dans la présente invention, l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) peut de préférence être de 0,003 à 50 plm, de préférence encore
de 0,004 à 40 lim, et plus encore de 0,005 à 30 pm.
Par ailleurs, la couche d'épaisseur T de la 35 seconde région de couche (S) peut être de préférence de 0,5 à 90 gm, de préférence encore de 1 à 80 gm, et de
préférence également de 2 à 50 pm.
La somme de l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) et l'épaisseur de couche T de la seconde région de couche (S), à savoir (TB + T) peut être déterminée de façon appropriée comme on le désire 5 lors de la conception des couches de l'élément photoconducteur, sur la base de la relation organique mutuelle entre les caractéristiques requises pour les deux régions de couche et les caractéristiques requises pour toute la
couche de réception de lumière.
Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, la gamme numérique pour l'épaisseur ci-dessus (TB + T) peut être de préférence de 1 à 100 Vm, de préférence encore de 1 à 80 im et, finalement, de préférence
de 2 à 50 gm.
Dans une forme plus appréciée de la présente invention, on choisit les valeurs numériques des épaisseurs respectives TB et T, comme mentionné cidessus, de manière
que la relation TB/T<l soit satisfaite.
Lors de la sélection des valeurs numériques 20 des épaisseurs TB et T dans le cas ci-dessus, les valeurs de T Bet de T devraient de préférence être déterminées de manière que la relation TB/T< 0,9, de préférence encore
TB/T< 0,8 puisse être satisfaite.
Dans la présente invention, lorsque la teneur ou contenu 25 en atomes de germanium de la première région de couche (G) est de 1 x 105 ppm atomiques ou plus, sur la base de la somme des atomes de germanium et des atomes de silictum, l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) devrait être aussi mince que possible, de 30 préférence 30 pm ou moins, de préférence encore 25 pm
ou moins et de préférence maximum 20 pm ou moins.
Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, pour améliorer la photosensibilité, la résistance d'obscurité et en outre pour améliorer l'adhésion entre 35 le substrat et la couche de réception de lumière, des atomes d'azote sont contenus dans la couche de réception de lumière Les atomes d'azote contenus dans cette couche peuvent être contenus, soit de façon uniforme à travers toute la région de couche de réception de lumière ou seulement localement dans une partie de la région de couche
de réception de lumière.
Des atomes d'azote peuvent être distribués dans une condition telle que le contenu C(N) puisse
être, soit uniforme, soit non uniforme dans la direction d'épaisseur de couche de la couche de réception de lumière.
Dans la présente invention, la région de couche 10 (N) contenant des atomes d'azote prévue dans la couche de réception de lumière est étudiée de manière à pouvoir occuper toute la région de couche de la'couche de réception de lumière lorsqu'on désire améliorer surtout la photosensibilité et la résistance d'obscurité Par ailleurs, lorsque 15 l'objet principal est de renforcer l'adhésion entre le substrat et la couche de réception de lumière, elle occupe la région de couche de partie terminale (E) du côté du
substrat de la couche de réception de lumière.
Dans le premier cas, le contenu en atomes d'azote de la région de couche (N) est relativement faible pour maintenir une photosensibilité élevée, tandis que dans le dernier cas, il est de préférence relativement important pour assurer un renforcement de l'adhésion avec
le substrat.
Pour accomplir simultanément le premier et le second buts recherchés, des atomes d'azote peuvent être distribués selon une proportion relativement plus élevée du côté du substrat et selon une proportion relativement plus faible du coté de surface libre de la couche 30 de réception de lumière, ou en variante, on peut avoir une distribution d'atomes d'azote tels que des atomes d'azote ne sont pas contenus positivement dans la région de couche de surface sur le côté de surface libre de la
couche de réception de lumière.
Dans la présente invention, le contenu en atomes d'azote de la région de couche (N) prévu dans la couche de réception de lumière peut être choisi de façon appropriée en fonction des caractéristiques requises pour la région de couche (N) en soi ou, lorsque la région de couche (N) est prévue en contact direct avec le substrat, en fonction de la relation organique, ainsi la relation avec les carac5 téristiques à l'interface en contact avec le substrat, etc. Lorsqu'on doit fournir une autre région de couche en contact direct avec la région de couche (N), le contenu en atomes d'azote peut etre choisi de façon 10 appropriée en considérant également les caractéristiques de ladite autre région de couche et la relation avec les caractéristiques de l'interface en contact avec l'autre
région de couche.
Le contenu en atomes d'azote dans la région 15 de couche (N), qui peut être déterminé de façon appropriée
comme on le désire en fonction des caractéristiques requises pour l'élément photoconducteur à former peut être de préférence 0,001 à 50 % atomiques, de préférence encore 0,002 à 40 % atomiques, et enfin, de préférence 0,003 à 30 % 20 atomiques.
Dans la présente invention, lorsque la région de couche (N) comprend toute la région de la couche de réception de lumière ou lorsque, bien que ne comprenant pas toute la région de couche, l'épaisseur de couche (TN) 25 de la région de couche (N) est suffisamment grande par
rapport à l'épaisseur de couche T de la couche de réception de lumière, la limite supérieure du contenu en atomes d'azote dans la région de couche (N) devrait de préférence être suffisamment plus faible que la valeur mentionnée 30 ci-dessus.
Dans le cas de la présente invention, lorsque le rapport entre l'épaisseur de couche (TN) de la région de couche (N) et l'épaisseur de couche T de la couche de réception de lumière est de 2/5 ou plus élevée, la 35 limite supérieure du contenu en atomes d'azote dans la région de couche (N) peut etre de préférence de 30 % atomiques ou moins, de préférence encore de 20 % atomiques ou moins, et finalement de préférence de 10 % atomiques
ou moins.
Les figures 2 à 10 montrent des exemples typiques de distribution dans la direction de l'épaisseur 5 de couche des atomes d'azote contenus dans la première région de couche (N) de l'élément photoconducteur de la,
présente invention.
A ces figures, on indique en abscisses le contenu C(N) des atomes d'azote et en ordonnées l'épaisseur de 10 couche de la première région de couche (N), t B montrant la position de la surface d'extrémité de la région de couche (N) -sur le côté du substrat et t T la position de la surface d'extrémité de la région de couche (N) sur le côté opposé au côté du substrat En d'autres termes, la -15 formation de couche de la région de couche (N) contenant des atomes d'azote procède du côté t B au côté t T. La figure 2 montre une première forme typique de réalisation du profil de profondeur des atomes d'azote
dans la direction de l'épaisseur de couche de la 20 région de couche (N).
Dans la forme de réalisation montrée à la figure 2, depuis la position d'interface t B à laquelle la surface du substrat, sur lequel la région de couche (N) contenant des atomes d'azote doit être formée, est en contact avec 25 la surface de la région de couche (N) vers la position t 1, des atomes d'azote sont contenus dans la région de couche (N) formée, tandis que le contenu C(N) en atomes d'azote prend une valeur constante de C 1, le contenu étant graduellement réduit à partir du contenu C 2 de façon conti30 nue de la position t 1 à la position d'interface t T A la position d'interface t T, le contenu C(N) en atomes
d'azote est de C 3.
Dans la forme de réalisation montrée à la figure 3, le contenu C(N) en atomes d'azote est réduit graduelle35 ment et de façon continue de la position t B à la position t T à partir du contenu C 4 jusqu'à devenir le contenu C 5 à la position t T. Dans le cas de la figure 4, le contenu C(N) en atomes d'azote est rendu constant en tant que C 6 de
la position t B à t 2, avec décroissement graduel en continu de la position t 2 à la position t T, et le contenu C(N) est 5 sensiblement annulé à la position t T (le zéro signifie ici que le contenu est inférieur à la limite détectable).
Dans le cas de la figure 5, le contenu C(N) en atomes d'azote décroft graduellement et continûment de la position t B à la position t T à partir du contenu C 8, 10 jusqu'à devenir sensiblement nul à la position t T. Dans la forme de réalisation de la figure 6, le contenu C(N) en atomes d'azote est constamment C 9 entre la position t B et la position t 3, et il est de C 10 à la position t T Entre la position t 3 et la position t T, le contenu 15 est réduit comme une fonction du premier degré de la position t 3 à la position t T. Dans la forme de réalisation de la figure 7, on forme un profil en profondeur de manière que le contenu C(N) prenne une valeur constante de Cil de la position t B 20 à la position t 4, et il décroît comme une fonction du premier degré du contenu C 12 au contenu C 13 de la position t 4 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée à la figure 8, le contenu C(N) en atomes d'azote décroît comme une fonc25 tion du premier degré du contenu C 14 à zéro de la position t B à la position t T. A la figure 9, on montre une forme de réalisation dans laquelle le contenu C(N) en atomes d'azote décroît comme une fonction du premier degré du contenu C 15 ou C 16 de la 30 position t B à t 5 et il est rendu constant au niveau du contenu C 16 entre la position t 5 et t T Dans la forme de réalisation de la figure 10, le contenu C(N) en atomes d' azote se trouve au contenu C 17 à la position t B, ce contenu C 17 étant initialement diminué graduellement et abruptement vers la position t 6 jusqu'à la position t 6 et à tel endroit, il s'agit du contenu C 18 à la
position t 6.
Entre la position t 6 et la position t 7, le contenu C(N) décroît initialement de façon abrupte et ensuite graduellement jusqu'à être égal au contenu C 19 à la position t 7 Entre la position t 7 et la position t 8, le contenu décroît très graduellement jusqu'au contenu C 20 à la position t 8 Entre la position t 8 et la position t T, le contenu décroît le long de la courbe selon une forme telle que montrée à la figure depuis le contenu C 20 jusqu'à sensiblement zéro. Comme décrit ci-dessus, à propos d'exemples typiques de profils de profondeur d'atomes d'azote contenus dans la région de couche (N) dans la direction de l'épaisseur de couche en référence aux figures 2 à 10, dans la présente invention, la région de couche (N) est prévue 15 de façon désirée selon le profil de profondeur ayant une partie enrichie en contenu C(N) en atomes d'azote du côté du substrat et une portion appauvrie en contenu C(N) en atomes d'azote jusqu'à ce qu'elle soit considérablement plus faible que celle du côté du substrat du 20 côté de l'interface t T. Dans la présente invention, la région de couche (N) contenant des atomes d'azote et constituant la couche de réception de lumière peut être de préférence prévue de manière à avoir une région localisée (B) contenant 25 des atomes d'azote selon un contenu relativement plus
élevé du côté du substrat comme décrit ci-dessus, et dans ce cas, l'adhésion entre le substrat et la couche de réception de lumière peut être améliorée davantage. La région localisée (B) peut être de façon 30 désirable prévue comme
expliqué à l'aide des symboles montrés aux figures 2 à 10, à 5 pm près de la position d'interface t T. Dans la présente invention, la région localisée ci-dessus (B) peut être rendue identique à toute la région 35 de couche (LT) jusqu'à la profondeur d'une épaisseur de pm depuis la position d'interface t B ou, en variante,
une partie de la région de couche (LT).
La détermination peut être faite en fonction des caractéristiques requises pour la région de réception de lumière à former,que la région localisée (B) soit une
partie ou le tout de la région de couche (LT).
La région localisée (B) peut de préférence être formée selon une formation de couche telle que le maximum Cmax du contenu C(N) en atomes d'azote dans une distribution dans la direction d'épaisseur de couche soit de préférence 500 ppm atomiques ou plus, de préférence 10 encore 800 ppm atomiques ou plus, de préférence enfin
1000 ppm atomiques ou plus.
En d'autres termes,selon la présente invention, la région de couche (N) contenant des atomes d'azote est formée de manière que la valeur maximale Cmax du profil 15 en profondeur puisse exister dans une épaisseur de couche de 5 pm depuis le côté de substrat (la région de couche
à 5 pm d'épaisseur près de t B).
Selon la présente invention, les atomes d'halogènes (X) qui peuvent être incorporés de façon optionnelle 20 dans la première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) constituant la couche de réception de lumière, sont le fluor, le chlore, le brome et l'iode, en particulier
de préférence le fluor et le chlore.
Dans la présente invention, la formation de 25 la première région de couche (G) constituée par a-Ge(Si,H,X) peut être mise en oeuvre selon le procédé de dépôt sous vide utilisant un phénomène de déchargement, tel que le procédé de décharge à lueur, le procédé de pulvérisation ou le procédé de placage ionique Par exemple, pour la 30 formation de la première région de couche (G) constituée par a-Ge(Si,H,X) selon le procédé de décharge à lueur, le processus de base comprend l'introduction d'un gaz de départ pour la fourniture de Ge, capable de fournir des atomes de germanium (Ge) de façon optionnelle en compa35 gnie d'un gaz de départ pour la fourniture de Si capable de fournir des atomes de silicium (Si), et un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes (X) dans une chambre de dépôt qui peut être mise à une pression réduite intérieurement, et l'excitation de la décharge à lueur dans ladite chambre de dépôt, ce qui 5 permet d'effectuer la formation de couche sur la surface d'un substrat placé à une position prédéterminée Pour distribuer uniformément les atomes de germanium dans la première région de couche (G), on peut former une couche constituée par a-Ge(Si,H,X) tout en commandant le profil 10 de profondeur des atomes de germanium selon la courbe de vitesse de changement désirée En variante, pour une formation selon la méthode par pulvérisation, lorsqu'on effectue la pulvérisation en utilisant une cible constituée de Si ou deux feuilles de cible de ladite cible et une 15 cible constituée par Ge, ou une cible d'un mélange de Si et de Ge dans une atmosphère d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou un mélange de gaz à base de ès gaz, un gaz de départ pour l'alimentation en Ge dilué optionnellement avec He, Ar, etc, et optionnellement, si désiré, 20 en compagnie d'un gaz pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz pour l'introduction d'atomes d'halogènes (X) peuvent être introduits dans une chambre de dépôt pour la pulvérisation, ce qui permet de former une atmosphère de plasma d'un gaz désiré, et la pulvérisation 25 de la cible mentionnée peut être effectuée tout en commandant les débits de gaz du gaz de départ pour l'alimentation en Ge en fonction de la courbe de vitesse de changement désirée. Dans le cas du procédé de placage ionique par 30 exemple, une source de vaporisation telle qu'un silicium polycristallin ou un silicium monocristallin et un germanium polycristallin ou un germanium monocristallin peuvent être placés en tant que source de vaporisation dans un vaisseau d'évaporation, et la source d'évaporation est chauffée par le procédé de chauffage à résistance ou le procédé à faisceau électronique (procédé EB) à vaporiser, et le produit vaporisé volant est amené à traverser l'atmosphère de plasma de gaz désirée, tandis que, par ailleurs,
on suit le même processus que dans le cas de la pulvérisation.
Le gaz de départ pour fournir Si à utiliser dans la présente invention peut inclure des siliciums hydrogénés 5 gazeux ou gazéifiables (silanes) tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10 et d'autres comme matières efficaces En particulier, Si H 4 et Si 2 H 6 sont préférés pour leur manipulation aisée pendant la formation de la couche et pour
leur efficacité à fournir Si.
On peut utiliser efficacement comme des substances qui peuvent être des gaz de départ pour la fourniture de Ge, un germanium hydrogéné gazeux ou gazéifiable tel que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10, Ge 5 H 12, Ge 6 H 14, Ge 7 H 16, Ge 8 H 18, Ge 9 H 20, etc En particulier, Ge H 4, Ge 2 H 6 et Ge 3 H 8 sont préférés à cause de leur manipulation aisée pendant
la formation de la couche et de leur efficacité pour fournir Ge.
Des gaz de départ efficaces pour l'introduction d'atomes d'halogènes à utiliser dans la présente invention 20 peuvent inclure un grand nombre de composés halogénés, de préférence par exemple des composés halogénés gazeux ou gazéifiables tels que des gaz halogénés, des halogénures, des composés interhalogénés,des dérivés de silane substitués par des halogènes, etc. En outre, on peut également inclure des composés gazeux ou gazéifiables de silicium contenant des atomes d'halogènes constitués d'atomes de silicium et d'atomes d'halogènes en tant qu'éléments constituants efficaces
selon la présente invention.
Des exemples typiques de composés halogénés utilisés de préférence dans la présente invention peuvent inclure des gaz halogénés tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, des composés interhalogénés tels que Br F, Cl F, Cl F 3, Br F 5, Br F 3, IF 3, IF 7, I Cl, I Br, etc. On peut utiliser de préférence en tant que composés de silicium contenant des atomes d'halogènes, à savoir ce qu'on appelle des dérivés de silane substitués par des halogènes, des halogénures de silicium tels que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4, etc. Lorsque l'élément photoconducteur caractéristique selon la présente invention est formé selon le procédé 5 de décharge à lueur en utilisant un composé de silicium contenant des atomes d'halogènes, il est possible de former la première région de couche (G) comprenant a-Si Ge contenant des atomes d'halogènes sur un substrat désiré sans l'utilisation d'un gaz de silicium hydrogéné en tant que 10 gaz de départ capable de fournir Si en compagnie du gaz
de départ pour l'alimentation en Ge.
Dans le cas de la formation de la première région de couche (G) contenant des atomes d'halogènes selon le procédé de décharge à lueur, le processus de 15 base comprend l'introduction, par exemple, d'un halogénure de silicium en tant que gaz de départ pour l'alimentation en Si, de germanium hydrogéné en tant que gaz de départ pour la fourniture de Ge et d'un gaz tel que Ar, H 2, He, etc, à un taux de mélange prédéterminé dans la chambre 20 de dépôt pour la formation de la première région de couche (G) et l'excitation de la décharge à lueur pour former une atmosphère de plasma de ces gaz, de sorte que la première région de couche (G) puisse être formée sur un substrat désiré Pour commander la proportion d'atomes 25 d'hydrogène incorporés, de façon plus aisée, on peut également mélanger un gaz hydrogéné ou un gaz d'un composé de silicium contenant des atomes d'hydrogène avec ces
gaz dans la proportion désirée pour former la couche.
En outre, chaque gaz n'est pas limité à une 30 seule espèce, mais des espèces multiples peuvent être
disponibles en toute proportion désirée.
Dans l'un ou l'autre cas du procédé par pulvérisation et du procédé par placage ionique, l'introduction d'atomes d'halogènes dans la couche formée peut être réali35 sée en introduisant le gaz du composé halogéné ci-dessus ou du composé de silicium ci-dessus contenant des atomes d'halogènes dans une chambre de dépôt et en formant une
atmosphère de plasma dudit gaz.
Par ailleurs, pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, par exemple H 2 ou des gaz tels que des silanes 5 et/ou du germanium hydrogéné comme mentionné ci-dessus, peuvent être introduits dans une chambre de dépôt pour la pulvérisation, suivi de la formation de l'atmosphère
de plasma desdits gaz.
Dans la présente invention, on peut utiliser 10 efficacement en tant que gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes, les halogénures ou les composés de silicium à contenance d'halogène D'autre part, il est également possible d'utiliser efficacement en tant que matière de départ pour la formation de la première 15 région de couche (G) des substances gazeuses ou gazéifiables incluant des halogénures contenant un atome d'hydrogène comme l'un des constituants, par exemple un halogénure d'hydrogène tel que HF, H Cl, H Br, HI, etc; du silicium hydrogéné halogéno-substitué tel que Si H 2 F 2 9 Si H 2 12, Si H 2 C 12, Si HC 13, Si H 2 Br 2, Si H Br 3, etc; des halogénures de germanium hydrogénés tels que Ge HF 3, Ge H 2 F 2, Ge H 3 F, Ge H C 13, Ge H 2 C 12, Ge H 3 Cl, Ge H Br 3, Ge H 2 Br 2, Ge H 3 Br, Ge HI 3, Ge H 2 I 2, Ge H 3 I, etc; des halogénures de germanium tels que Ge F 4, Ge C 14, Ge Br 4, Ge 14, Ge F 2, Ge C 12, Ge Br 2, Ge I 2, etc. Parmi ces substances, on peut utiliser de préférence comme matière de départ des halogénures contenant des atomes d'hydrogène pour l'introduction d'atomes d'halogènes, car les atomes d'hydrogène qui sont très efficaces pour commander les caractéristiques électriques ou photo-électri30 ques peuvent être introduits dans la couche simultanément avec l'introduction des atomes d'halogènes pendant la
formation de la première région de couche (G).
Pour introduire structurellement des atomes d'hydrogène dans la première région de couche (G), à part 35 ceux mentionnés ci-dessus, H 2 ou un silicium hydrogéné tel que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10, etc, en compagnie de germanium ou d'un composé de germanium pour fournir du Ge, ou un germanium hydrogéné tel que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10, Ge 5 H 12, Ge 6 H 14, Ge 7 H 16, Ge 8 H 18, Ge 9 H 20, etc, en compagnie de silicium ou d'un composé de silicium pour fournir Si peuvent être admis à coexister dans une chambre de dépôt,
et ensuite on effectue l'excitation de la décharge.
Selon une forme de réalisation préférée de la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogènes (X) ou la somme des quantités d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogènes (H + X) que peut contenir la première région de couche 10 (G) constituant la couche photoconductrice à former devrait être de préférence de 0,01 à 40 % atomiques, de préférence encore 0,05 à 30 % atomiques, de préférence finalement
de 0,1 à 25 % atomiques.
Pour commander la quantité d'atomes d'hydrogène 15 (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) devant être contenue
dans la première région de couche (G), par exemple, la température de substrat et/ou la quantité des matières de départ utilisées pour l'incorporation d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogènes (X) à introduire dans 20 le système à dispositif de dépôt, la puissance de déchargement, etc, peut être commandée.
Selon la présente invention, pour la formation de la seconde région de couche (S) constituée de a-Si(H,X), les matières de départ (I) pour la formation 25 de la première région de couche (G) à partir de laquelle la matière de départ pour le gaz de départ pour l'alimentation en Ge est émise, sont utilisées comme matière de départ (II) pour la formation de la seconde région de couche (S), et la formation de couche peut être effectuée 30 en suivant le même processus et les mêmes conditions que
lors de la formation de la première région de couche (G).
Plus particulièrement selon la présente invention, la formation de la seconde région de couche (S) constituée de a-Si(H,X) peut être effectuée selon le pro35 cédé de dépôt sous vide en utilisant le phénomène de déchargement tel que le procédé de décharge à lueurs le procédé de pulvérisation ou le procédé de placage ionique Par exemple, pour la formation de la seconde région de couche (S) constituée de a-Si(H,X), le processus de base comprend l'introduction d'un gaz de départ d'alimentation en Si capable de fournir des atomes de silicium comme décrit 5 ci-dessus, de façon optionnelle en compagnie de gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X), dans une chambre de dépôt qui peut être amenée à une pression réduite intérieurement, et l'excitation d'une décharge à lueur dans la chambre 10 de dépôt, ce qui forme une couche comprenant a-Si(H,X)
sur un substrat désiré placé à une position prédéterminée.
En variante, pour la formation selon le procédé de pulvérisation, des gaz pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) peuvent être intro15 duits dans une chambre de dépôt lors de la réalisation d'une pulvérisation d'une cible constituée de Si dans un gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou un mélange de gaz
base de ces gaz.
Dans l'élément photoconducteur selon la présente 20 invention, en incorporant une substance (C) pour commander
la conductibilité dans la seconde région de couche (S) ne contenant aucun atome de germanium prévu sur la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium, les conductibilités de ladite région de couche (S) peuvent 25 être commandées librement comme on le désire.
En tant que substance (C) pour commander les caractéristiques de conductibilité, on peut mentionner ce qu'on appelle les impuretés dans le domaine des semiconducteurs Selon la présent invention, on peut inclure 30 des impuretés du type p don nt des caractéristiques de conductibilité du type p et des impuretés du type N donnant des caractéristiques de conductibilité du type N au a-Sil(H,X) constituant
la seconde région de couche (S) formée.
Plus particulièrement, on peut mentionner comme 35 impuretés du type p des atomes appartenant au groupe III du tableau périodique (atomes du groupe III) tels que B (bore), Al (aluminium), Ga (gallium), In (indium), Tl
(thallium), etc, en particulier de préférence B et Ga.
En tant qu'impuretés du type n, on peut inclure les atomes appartenant au groupe V du tableau périodique (atomes du groupe V) tels que P (phosphore) , As (arsenic), Sb (antimoine), Bi (bismuth), etc, en particulier de préférence P et As. Selon la présente intention, la proportion de la substance (C) pour commander la conductibilité dans la seconde région de couche (S) peut être choisie de façon appropriée en fonction de la conductibilité requise pour 10 ladite région de couche (S) ou des relations avec les caractéristiques des autres régions de couche en contact direct avec la région de couche (S) ou Ies caractéristiques au niveau de l'interface en contact avec les autres régions
de couche.
Selon la présente invention, le contenu de
la substance (C) pour commander la conductibilité contenue dans la seconde région de couche (S) devrait être de préférence de 0,001 à 1000 ppm atomiques,de préférence encore de 0,005 à 500 ppm atomiques, de préférence enfin 20 de 0,1 à 200 ppm atomiques.
Pour l'incorporation d'une substance (C) pour commander la conductibilité telle que les atomes du groupe III ou les atomes du groupe V de façon structurelle dans la seconde région de couche (S), une matière de départ 25 pour l'introduction des atomes du groupe III ou une matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V peut être introduite à l'état gazeux dans une chambre de dép 6 t en compagnie des matières de départ pour la formation de la seconde région de couche pendant la formation des 30 couches En tant que matière de départ qui peut être utilisée pour l'introduction des atomes du groupe III, il est désirable d'utiliser les matières qui sont gazeuses à la température ambiante sous la pression atmosphérique ou qui peuvent être aisément gazéifiées au moins dans 35 des conditions de formation de couche Des exemples typiques de telles matières de départ pour l'introduction des atomes du groupe III sont, par exemple, les composés pour l'introduction des atomes de bore, tels que les hydrures de bore tels que B 2 H 6, B 4 H 10, B 5 H 9, B 5 H 11, B 6 H 10, B 6 H 12, B 6 H 14, etc, et des halogénures de bore tels que BF 3, BC 13, B Br 3, etc Par ailleurs, il est également possible d'utiliser Al C 13, Ga Cl 3, Ga(CH 3)3, In C 13, Tl C 13, etc. Les matières de départ qui peuvent être utilisées efficacement selon la présente invention pour l'introduction des atomes du groupe V peuvent comprendre, pour l'introduction d'atomes de phosphore, un hydrure de phosphore tel que PH 3, P 2 H 4, etc, des halogénures de phosphore 10 tels que PH 4 I, PF 3, PF 5, PC 13, PC 15, P Br 3, P Br 5, PI 3, etc. En outre, il est également possible d'utiliser As H 3, As F 3, As Cl 3, As Br 3, As F 5, Sb H 3, Sb F 3, Sb F 5, 56 C 13, Sb C 15, Bi H 3, Bi Cl 3, Bi Br 3, etc, efficacement en tant que matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V. Selon la présente invention, pour fournir la région de couche (N) contenant des atomes d'azote dans la couche de réception de lumière, on peut utiliser une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'azote en compagnie de la matière de départ pour la formation 20 de la couche de réception de lumière, comme mentionné ci-dessus, pendant la formation de cette dernière et on peut l'incorporer dans la couche formée tout en commandant
leurs quantités.
Lorsqu'on doit employer le procédé de décharge 25 à lueurs pour la formation de la région de couche (N), la matière de départ, comme le gaz de départ, pour la formation de la région de couche (N) peut être constituée en ajoutant une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'azote à la matière de départ choisie comme 30 désiré parmi celles permettant la formation de la couche de réception de lumière, comme mentionné ci-dessus En tant que telle matière de départ pour l'introduction d'atomes d' azote, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses ou gazéifiables contenant au moins des atomes 35 d'azote en tant qu'atomes constituants Par exemple, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) comme atomes constituants, un gaz de départ contenant des atomes d'azote (N) comme atomes constituants et optionnellement un gaz de départ contenant des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X) comme atomes constituants dans une proportion de mélange désirée; un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constituants et un gaz de départ contenant des atomes d'azote et des atomes d'hydrogène comme atomes constituants également dans une proportion de mélange désirée. En variante, on peut également utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constituants, et un gaz de départ contenant des, atomes
d'azote (N) comme atomes constituants.
La matière de départ utilisée efficacement comme le gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote (N) à utiliser durant la formation de la région de couche (N) est éventuellement des composés contenant (N) en tant qu'atome constituant ou des composés contenant N et H comme atomes constituants, tels que des composés gazeux ou gazéifiables d'azote, des nitrures et des azothydrures, comprenant, par exemple, de l'azote (N 2), de l'ammoniac (NH 3), de l'hydrazine (H 2 NNH 2), de l'azothydrure d'hydrogène (HN 3), de l'azothydrure d'ammonium (NH 4 N 3), etc. En variante, lorsqu'on bénéficie de l'avantage de l'introduction d'atomes d'hydrogène (X) en addition avec des atomes d'azote (N), on peut également utiliser des composés d'halogénure d'azote tels que le trifluorure d'azote (F 3 N), le tétrafluorure d'azote (F 4 N 2), etc. Selon la présente invention, pour renforcer davantage l'effet obtenu par les atomes d'azote, il est possible d'incorporer des atomes d'oxygène en plus des atomes d'azote dans la région de couche (N) Le gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène dans la 35 région de couche peut inclure, par exemple, de l'oxygène (O 2), de l'ozone ( 03), de l'oxyde azotique (NO), du peroxyde d'azote (N 02), du protoxyde d'azote (N 20), de l'anhydride azoteux (N 203), du tétroxyde d'azote (N 204), de l'anhydride azotique (N 205), du trioxyde d'azote (NO 3) et des siloxanes inférieurs contenant des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constituants tels que le disiloxane (H 3 Si O Si H 3), du trisiloxane (H 3 Si O Si H 20 Si H 3), etc. Pour la formation de la région de couche (N) contenant des atomes d'azote selon le procédé de pulvérisation, on peut utiliser une pastille de Si monocristallin ou polycristallin ou une pastille de Si 3 N 4 ou une pastille
3 4 3
contenant Si et Si 3 N 4 mélangés ensemble et on peut réaliser la pulvérisation de ces pastilles dans diverses atmosphères
de gaz.
Par exemple, lorsqu'on utilise comme cible une couche de Si, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote de façon optionnelle en compagnie d'un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogènes, qui peuvent être dilués de façon optionnelle avec un gaz de dilution, peuvent être introduits dans une chambre de dép 6 t pour la pulvérisation 20 de manière à former un plasma de gaz dans lequel la pulvérisation de la pastille de Si mentionnée ci-dessus peut
être réalisée.
En variante, en utilisant des cibles séparées de Si et de Si 3 N 4 ou une feuille d'une cible contenant 25 Si et Si 3 N 4 mélangés ensemble, la pulvérisation peut êtreréalisée dans une atmosphère d'un gaz diluant tel qu'un gaz pour la pulvérisation ou dans une atmosphère de gaz contenant au moins des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X) en tant qu'atomes constituants. 30 On peut utiliser comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote les gaz de départ montrés comme exemple dans le procédé de décharge à lueurs décrit précédemment
et ce sont des gaz efficaces en cas de pulvérisation.
Selon la présente invention, lorsqu'on prévoit 35 une région de couche (N) contenant des atomes d'azote pendant la formation de la couche de réception de lumière, la formation de la région de couche (N) ayant l'état de distribution désiré dans la direction de l'épaisseur de la couche (profil en profondeur) en faisant varier la proportion C(N) d'atomes d'azote contenus dans ladite région de couche (N) peut être conduite dans le cas du 5 procédé de décharge à lueurs en introduisant un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote dont la proportion C(N) doit être variée, dans une chambre de dépôt, tout en faisant varier de façon appropriée le débit de gaz selon la courbe de vitesse de changement désirée. 10 Par exemple, par le procédé manuel ou par tout autre procédé utilisé conventionnellement, tel qu'un moteur entraîné extérieurement, etc, l'ouverture d'une certaine vanne à aiguille fournie à l'intérieur du système de canalisation de l'écoulement des gaz peut être changée graduellement. 15 Pendant ce processus, le taux de variation n'est pas nécessairement linéaire, mais le débit peut être commandé selon une courbe de taux de variation prévue précédemment au moyen, par exemple, d'un micro-ordinateur pour obtenir
la courbe désirée de proportion.
Dans le cas o la région de couche (N) est formée par le procédé de pulvérisation, la formation d'un profil désiré en profondeur d'atomes d'azote dans la direction de l'épaisseur de la couche en faisant varier le contenu C(N) en atomes d'azote dans la direction de l'épais25 seur de la couche peut être réalisée tout d'abord de la même manière que dans le cas du procédé de décharge à lueurs en utilisant une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'azote à l'état gazeux et en faisant varier de façon appropriée comme on le désire le débit dudit gaz lorsqu'il est introduit dans la chambre
de dép 6 t.
En second lieu, la formation d'un tel profil en profondeur peut être également réalisée en changeant précédemment la composition d'une cible pour la pulvérisa35 tion Par exemple, lorsqu'une cible comprenant un mélange de Si et de Si 3 N 4 doit être utilisée, le taux de mélange de Si par rapport à Si 3 N 4 peut être-varié dans la direction
de l'épaisseur de couche de la cible.
Dans la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogènes (X) ou la somme des quantités d'atomes d'hydrogène et d'atomes 5 d'halogènes (H + X) présentes dans la seconde région de couche (S) constituant la couche de réception de lumière à former devraient de préférence être de 1 à 40 % atomiques, de préférence encore de 5 à 30 % atomiques, finalement
de préférence de 5 à 25 % atomiques.
Le substrat à utiliser selon la présente invention peut être, soit une matière électroconductrice, soit une matière isolante En tant que matière électroconductrice,
on peut mentionner des métaux tels que Ni Cr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, etc, ou 15 leurs alliages.
On peut utiliser habituellement comme matière isolante des pellicules ou des feuilles de résines synthétiques, comprenant polyester, polyéthylène, polycarbonate, acétate de cellulose, polypropylène, chlorure de polyvinyle, 20 chlorure de polyvinylidène, polystyrène, polyamide, etc, verres, céramiques, papiers, etc Ces substrats isolants
devraient de préférence présenter au moins une surface soumise à un traitement électroconducteur et il est désirable de prévoir d'autres couches sur le côté desquelles 25 le traitement électroconducteur a été appliqué.
Par exemple, un traitement électroconducteur d'un verre peut être effectué en fournissant une pellicule fine de Ni Cr, Al, Cr, Mo,Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In 203, Sn O 2, ITO (In 203 + Sn O 2) En variante, une pellicule de résine synthétique telle qu'une pellicu de polyester peut être soumise au traitement électroconducteur sur sa surface par dépôt de vapeur sous-vide, dépôt par faisceau électronique ou pulvérisation d'un métal> tel Ni Cr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, 35 Ta, V, Ti, Pt, etc, ou par un traitement de lamination avec ledit métal, ce qui donne à la surface une électroconductibilité Le substrat peut avoir une forme quelconque telle que cylindres, courroies, plaques ou autres, et cette forme peut être déterminée comme on le désire Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 100 de la figure 1 doit être utilisé comme un élément de formation d'image pour l'électrophotographie, il peut êtreformé de façon 5 désirable pour donner une courroie sans fin ou un cylindre
à utiliser lors d'un copiage continu à grande vitesse.
Le substrat peut avoir une épaisseur qui est déterminée de façon appropriée de manière qu'un élément photoconducteur puisse être formé comme on le désire Lorsque l'élé 10 ment photoconducteur doit avoir une certaine flexibilité,
le substrat est rendu aussi mince que possible de manière que sa fonction puisse encore être suffisamment présente.
Cependant, dans un tel cas, l'épaisseur est de préférence de 10 pm ou plus, du point de vue de la fabricatione et de la manipulation du substrat ainsi que sa résistance mécanique. La figure 11 est une illustration schématique
permettant d'expliquer la structure de couche de la seconde forme de réalisation de l'élément photoconducteur de 20 la présente invention.
L'élément photoconducteur 1100 de la figure 11 a un substrat destiné à l'élément photoconducteur 1101 et une première couche (I) 1102 et une seconde couche (Il) 1103 prévues sur le substrat 1101, la seconde couche 25 (II) 1103 ayant une surface libre 1106 sur une surface d'extrémité. L'élément photoconducteur 1100 de la figure 11 a la même constitution que l'élément photoconducteur 100 montré à la figure 1, sauf que la seconde couche (II) 30 1103 est formée par lamination sur la première couche (I) 1102 qui correspond à la couche de réception de lumière 102. En d'autres termes, le substrat 1101, la première région de couche (G) 1104 et la seconde région de couche 35 (S) 1105 correspondent au substrat 101, à la première
région de couche (G) 103 et à la seconde région de couche (S) 104, respectivement, et toutes les descriptions qui
les concernent peuvent leur être appliquées de façon semblable.
Dans l'élément photoconducteur 100 de la figure 1, la région de couche (N) contenant des atomes d'azote est prévue dans la couche de réception de lumière 102 5 comme décrit en détail ci-dessus Ce point est également applicable de la même manière à l'élément photoconducteur
1101 montré à la figure 11.
La matière amorphe ci-dessus constituant la seconde couche (II) peut inclure une matière amorphe conte10 nant des atomes de silicium (Si) et des atomes de carbone (C), de façon optionnelle en compagnie d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) (désignés ci-après comme "a-(Six Clx)y(H,X)ly" o O <x, y < 1) et une matière amorphe contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes 15 d'oxygène ( 0), de façon optionnelle en compagnie d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) (désignés
ci-après par "a-(Si x Olx)y(H,X)l-y", o O<x, y< 1).
Ainsi, dans l'élément photoconducteur 1100 ayant la structure de couche montrée à la figure 11, les 20 matières amorphes respectives constituant la première
couche (I) 1102 et la seconde couche (II) 1103 ont le constituant commun d'atomes de silicium et donc on assure suffisamment la stabilité chimique à l'interface laminée.
La formation de la seconde couche amorphe (II) 25 constituée par ces matières amorphes peut être réalisée selon le procédé de décharge à lueurs, le procédé de pulvérisation, le procédé d'implantation ionique, le procédé de placage ionique, le procédé à faisceau électronique, etc Ces procédés de préparation peuvent être choisis 30 de façon appropriée en fonction de divers facteurs tels que les conditions de préparation, l'importance de la :cha rge pour "l'investissement des capitaux destinés aux installations,, l'échelle de production, les caractéristiques désirables requises pour l'élément photoconducteur à pré35 parer, etc On peut de préférence utiliser le procédé
de décharge à lueurs ou le procédé de pulvérisation pour obtenir les avantages consistant en une commande relativement facile des conditions de préparation d'éléments photo-
conducteurs ayant les caractéristiques désirées et pour l'introduction facile d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'oxygène, d ' atomes d'hydrogène et/ou d'atcmes d'halogènes avec des
atomes de silicium (Si) dans la seconde couche (II) à préparer.
En outre, selon la présente invention, le procédé
de décharge à lueurs et le procédé de pulvérisation peuvent être utilisés en combinaison dans le même système de dispositif pour former la seconde couche (II).
Pour la formation de la seconde couche (II) 10 selon le procédé de décharge à lueurs, des gaz de départ pour la formation de la matière amorphe constituant la seconde couche (II), qui peuvent être mélangés de façon optionnelle avec un gaz diluant à un taux de mélange prédéterminé, peuvent être introduits dans une chambre de dépôt 15 pour obtenir un dépôt sous vide o on place un substrat,
la décharge à lueurs étant excitée dans la chambre de dépôt pour former les gaz introduits sous la forme d'un plasma de gaz, ce qui permet de déposer la matière amorphe pour la formation de la seconde couche (II) sur la première 20 couche (I) déjà formée sur le substrat.
Selon la présente invention, en tant que gaz de départ pour la formation de a-(Six Clx)y(HX)l y, on peut utiliser la plupart des substances contenant au moins soit des atomes de silicium (Si), soit des atomes de carbone 25 (C), soit des atomes d'hydrogène (H) et soit des atomes d'halogènes (X) comme atomes constituants qui sont des substances gazeuses ou gazéifiées de susbstances facilement gazéifiables. Par exemple, il est possible d'utiliser un 30 mélange d'un gaz de départ contenant du Si en tant qu'atome constituant, un gaz de départ contenant C en tant qu'atome constituant et optionnellement un gaz de départ contenant H en tant qu'atome constituant et/ou un gaz de départ contenant X en tant qu'atome constituant à un taux de mélange désiré, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constituant et un gaz de départ contenant C et H en tant qu'atomes constituants et/ou un gaz de départ contenant C et X en tant qu'atomes constituants, également à un taux désiré, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constituant et un gaz de départ contenant trois atomes constituants 5 de Si, C et H ou un gaz de départ contenant trois atomes constituants de Si, C et X. En variante, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H en tant qu'atomes constituants avec un gaz de départ O 10 contenant C en tant qu'atome constituant ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X en tant qu'atomes
constituants et un gaz de départ contenant C en tant qu'atome constituant.
Selon la présente invention, on peut utiliser comme gaz de départ pour la formation de a-(Six Ol X)y(H,X)l y, la plupart des substances contenant au moins soit des atomes de silicium (Si), soit des atomes d'oxygène ( 0), soit des atomes d'hydrogène (H), soit des atomes d'halogènes
(X) en tant qu'atomes constituants qui sont des substances 20 gazeuses ou gazéifiées facilement gazéifiables.
Par exemple, il est possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constituant, un gaz de départ contenant O en tant qu'atome constituant et optionnellement un gaz de départ contenant 25 H en tant qu'atome constituant et/ou un gaz de départ contenant X en tant qu'atome constituant à un taux de mélange désiré, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constituant et un gaz de départ contenant O et H en tant qu'atomes constituants et/ou un gaz 30 de départ contenant O et X en tant qu'atomes constituants, également à un taux désiré, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constituant et un gaz de départ contenant trois atomes constituants de Si, 0 et H ou un gaz de départ contenant trois atomes consti35 tuants de Si, O et X. En alternance, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H en tant qu'atomes constituants avec un gaz de départ contenant
0 en tant qu'atome constituant ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X en tant qu'atomes constituants et un gaz de départ contenant 0 en tant qu'atome constituant.
Selon la présente invention, les atomes d'halogènes appropriés X contenus dans la seconde couche (II) sont F, Cl, Br et I, en particulier de préférence F et Cl. Selon la présente invention également, les 10 gaz de départ qui peuvent être effectivement utilisés pour la formation de la seconde couche (II) peuvent inclure ceux qui sont gazeux dans des conditions de température ambiante et de pression atmospérique ou qui peuvent être-facilement gazéifiés. La formation de la seconde couche (II) selon
le procédé de pulvérisation peut être conduite comme suit.
En premier lieu, lorsqu'une cible constituée par du Si est soumise à la pulvérisation dans une atmosphère de gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou un mélange de gaz 20 à base de ces gaz, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) et/ou un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène ( 0) peut être introduit, optionnellement en compagnie de gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X) 25 dans une chambre de dép 6 t sous vide pour effectuer la pulvérisation. En second lieu, des atomes de carbone (C) et/ou des atomes d'oxygène ( 0) peuvent être introduits dans la seconde couche (II) formée par l'utilisation d'une 30 cible constituée de Si O 2 ou de graphite ou deux feuilles d'une cible constituée par Si et une cible constituée par Si O 2 et/ou du graphite ou une cible constituée par
Si et Si O 2 et/ou du graphite.
Dans ce cas, si le gaz de départ pour l'introduc35 tion d'atomes de carbone (C) et/ou le gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène ( 0), comme mentionné ci-dessus, sont utilisés en combinaison, la quantité d'atomes de
carbone (C) et/ou d'atomes d'oxygène ( 0) devant être incorporés dans la seconde couche (II) peut être aisément commandée comme désiré en en commandant le débit.
La quantité d'atomes de carbone (C) et/ou d'ato5 mes d'oxygène ( 0) à incorporer dans la seconde couche (II) peut être contr 6 lée comme on le désire en commandant le débit du gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) et/ou du gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène ( 0) en ajustant le rapport des atomes 10 de carbone (C) et/ou des atomes d'oxygène ( 0) dans la cible pour l'introduction d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'oxygène pendant la préparation de la cible, ou pour
la réalisation de ces deux opérations.
Le gaz de départ pour l'alimentation en Si 15 à utiliser selon la présente invention peut inclure des siliciums (silanes) gazeux ou gazéifiables hydrogénés tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 89 Si 4 H 10 et d'autres comme matières efficaces En particulier, Si H 4 et Si 2 H 6 sont préférés, étant donné leur manipulation aisée pendant 20 la formation de la couche et leur efficacité à fournir
du Si.
Par l'utilisation de ces matières de départ,
H peut également être incorporé en compagnie de Si dans la seconde couche (II) formée par un choix adéquat des 25 conditions de formation de la couche.
On peut inclure comme matières de départ efficacement utilisées pour fournir du Si, en plus des siliciums hydrogénés mentionnés ci-dessus, des composés de silicium contenant des atomes d'halogènes (X), à savoir ceux qu'on 30 appelle des dérivés de silane substitués par des atomes d'halogènes, y compris un halogénure de silicium tel que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4, Si C 13 Br, Si C 12 Br 2, Si Cl Br 3,
Si C 13 I, etc, en tant que matières préférées.
En outre, on peut également mentionner comme 35 matières efficaces de départ pour fournir Si pour la formation de la seconde couche (II) des halogenures contenant des atomes d'hydrogène comme l'un des constituants, qui sont gazeux ou gazéifiables, tels que du silicium hydrogéné halogénosubstitué, comprenant Si H 2 F 2, Si H 2 12, Si H 2 C 12, Si HC 13, Si H 3 Br, Si H 2 Br 2, Si H Br 3, etc. Egalement, dans le cas de l'utilisation d'un 5 composé de silicium contenant des atomes d'halogènes (X), X peut être introduit en compagnie de Si dans la seconde couche (II) formée par un choix approprié des conditions
de formation de la couche, comme mentionné ci-dessus.
* Parmi les matières de départ décrites ci-dessus, 10 des composés d'halogénure de silicium contenant des atomes
d'hydrogène sont utilisés comme une matière de départ préférable pour l'introduction d'atomes d'halogènes (X) dans la présente invention, car durant la formation de la seconde couche (II), les atomes d'hydrogène (H) qui 15 sont extrêmement efficaces pour commander les caractéristiques électriques ou photo-électriques peuvent être incorporés en compagnie d'atomes d'halogènes (X) dans la couche.
Des matières de départ efficaces à utiliser comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes 20 (X) lors de la formation de la seconde couche (II) peuvent comprendre selon la présente invention, en plus de celles mentionnées ci-dessus, par exemple, des gaz halogénés tels que fluor, chlore, brome et iode; des composés interhalogénés tels que Br F, Cl F, C 1 F 3, Br F 5, Br F 3, IF 3, IF 7, I Cl, 25 I Br, etc, et des halogénures d'hydrogène tels que HF, HC 1, H Br, HI, etc. Le gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) à utiliser lors de la formation de la seconde couche (II) peut inclure des composés contenant C et H 30 en tant qu'atomes constituants tels que des hydrocarbures saturés contenant de 1 à 4 atomes de carbone, des hydrocarbures éthyléniques ayant de 2 à 4 atomes de carbone, des hydrocarbures acétyléniques ayant de 2 à 3 atomes de carbone, etc. Plus particulièrement, on peut inclure comme hydrocarbures saturés, le méthane (CH 4), l'éthane (C 2 H 6), le propane (C 3 H 8), le n-butane (n-C 4 H 10), le pentane (C 5 H 12); comme hydrocarbures éthyléniques,réthylène (C 2 H 4), le propylène (C 3 H 6), le butène-1 (C 4 H 8), le butène-2 (C 4 H 8), l'isobutylène (C 4 H 8), le pentène (C 5 H 10); comme hydrocarbures acétyléniques, l'acétylène (C 2 H 2), l'acétylène de méthyle (C 3 H 4), le butyne (C 4 H 6). Par ailleurs, il est également possible d'utiliser des hydrocarbures paraffiniques halogéno-substitués tels que CF 4, C C 14, C Br 4, CHF 3, CH 2 F 2, CH 3 F, CH 3 C 11, CH 3 Br, CH 3 I, C 2 H 5 Cl, etc; des composés fluorés de soufre tels que SF 4, 10 SF 6, etc; des dérivés silane incluant des alkylsilanes tels que Si(CH 3)4, Si(C 2 H 5)4, etc, et des alkylsilanes halogénés tels que Si Cl(CH 3)3, Si C 12 (CH 3)2,
Si Cî 3 CH 3, etc, en tant que matières efficaces.
Les matières de départ pour la formation de 15 la seconde couche cidessus (II) peuvent être choisies et utilisées comme on le désire, lors de la formation de cette seconde couche (II) de manière que des atomes de silicium et des atomes de carbone et/ou des atomes d'oxygène optionnellement en compagnie d'atomes d'hydrogène 20 et/ou d'atomes d'halogènes puissent être contenus dans une proportion prédéterminée de la composition dans la
seconde couche (II) à former.
Par exemple, Si(CH 3)4 en tant que matière capable d'incorporer facilement des atomes de silicium, des atomes 25 de carbone et des atomes d'hydrogène et de former une couche ayant des caractéristiques désirées, ainsi que Si H C 13, Si C 14, Si H 2 C 12 ou Si H 3 C 1 en tant que matière pour incorporer des atomes d'halogènes,peuvent être mélangés selon une proportion prédéterminée de mélange et introduits à l'état 30 gazeux dans le dispositif pour la formation d'une seconde
couche (II) suivie par l'excitation de la décharge à lueus de manière à pouvoir former une seconde couche (II) comprenant a-(Six C-lx)y(Cl+H)l-y).
La matière de départ efficacement utilisée comme le gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène ( 0) à utiliser durant la formation de la seconde couche (II) est éventuellement des composés contenant ( 0) en tant qu'atome constituant ou des composés contenant N et O en tant qu'atomes constituants, tels qu'oxygène ( 02), ozone ( 03), oxyde azotique (NO), peroxyde d'azote (N 02), protoxyde d'azote (N 20), anhydride azoteux (N 203), 5 tétroxyde d'azote (N 204), anhydride azotique (N 205), trioxyde d'azote (N 03), et des siloxanes inférieurs contenant des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constituants -tels que disiloxane (H 3 Si O Si H 3), trisiloxane 10 (H 3 Si O Si H 2 O Si H 3), etc. Selon la présente invention, on peut inclure comme gaz diluant à utiliser lors de la formation de la seconde couche (II) par le procédé de décharge à lueurs
ou le procédé de pulvérisation, ce qu'on appelle les gaz 15 rares tels que He, Ne et Ar en tant que matières préférées.
La seconde couche (II) de la présente invention doit être formée soigneusement de manière que les caractéristiques requises puissent être exactement données comme
on le désire.
En d'autres termes, la matière ci-dessus contenant Si, C et/ou 0, optionnellement en compagnie de H et/ou X en tant qu'atomes constituants peut prendre diverses formes de la forme cristalline à la forme amorphe et présenter des propriétés électriques allant de la conduction 25 à la semiconduction et à l'isolation et des propriétés
de photoconduction allant de la photoconduction à la nonphotoconduction en fonction des conditions de préparation.
Par conséquent, selon la présente invention, les conditions de préparation sont choisies strictement comme on le désire 30 de manière à pouvoir former la matière amorphe pour la constitution de la seconde couche (II) avec les caractéristiques désirées en conformité avec le but poursuivi Par exemple, lorsque la seconde couche (II) doit être fournie surtout dans le but d'améliorer la résistance diélectrique, 35 la matière amorphe ci-dessus est préparée comme une matière amorphe présentant des comportements d'isolement électrique
marqués dans l'environnement d'utilisation.
En variante, lorsque le but primordial pour obtenir la seconde couche (II) est l'amélioration de caractéristiques d'utilisation continuellement répétées ou de caractéristiques d'utilisation dans l'environnement, 5 le degré de la propriété d'isolement électrique ci-dessus peut baisser dans une certaine mesure et la matière amorphe indiquée peut être préparée comme une matière amorphe ayant une sensibilité dans une certaine mesure à la lumière irradiée. Lors de la formation de la seconde couche (II) constituée par la matière amorphe ci-dessus sur la surface de la première couche (I), la température du substrat durant la formation de la couche est un facteur important ayant des influences sur la structure et les caractéristi15 ques de la couche à former, et selon la présente invention on désire commander strictement la température du substrat pendant la formation de la couche de manière que la seconde couche (II) puisse être préparée avec les caractéristiques visées. En tant que température du substrat lors de la formation de la seconde couche (II) pour atteindre effectivement les buts de la présente invention, on peut choisir de façon appropriée la gamme optimale des températures en conformité avec le procédé de formation de la 25 seconde couche (II) lors de sa réalisation, et de préférence de 20 à 400 C, de préférence encore de 50 à 350 'C et de préférence finalement de 100 A 300 C Pour la formation de la seconde couche (II), le procédé de décharge à lueurs ou le procédé par pulvérisation peut être avantageusement 30 adopté, parce qu'une commande stricte de la proportion des atomes de la composition constituant la couche ou une commande de l'épaisseur de la couche peut être obtenue avec une facilité relative par comparaison avec les autres procédés Au cas o la seconde couche (II) 35 doit être formée selon ces procédés de formation de couche, la puissance de déchargement pendant la formation de la couche est un facteur important influençant les caractéristiques de la matière amorphe ci-dessus constituant la seconde couche (II) à préparer, de même que
pour la température du substrat indiquée ci-dessus.
La condition de puissance de décharge pour 5 préparer efficacement la matière amorphe pour la constitution de la seconde couche (II) ayant les caractéristiques permettant d'accomplir les objets de la présente invention avec une bonne productivité peut être de préférence de 1 à 300 W, de préférence encore de 2 à 250 W, et finalement, 10 de préférence de 5 à 200 W. La pression de gaz dans une chambre de dépôt peut être de préférence de 1,33 à 133 Pa, de préférence
encore de 13,3 à 66,5 Pa.
Dans la présente invention, les limites numéri15 ques ci-dessus peuvent être mentionnées comme des gammes numériques préférables pour la température du substrat, et la puissance de décharge pour la préparation de la seconde couche (II) Cependant, ces facteurs de formation de la couche ne doivent pas être déterminés séparément 20 et indépendamment l'un de l'autre, mais il est désirable que les valeurs optimales des facteurs respectifs de formation de couche soient déterminées sur la base de relations mutuelles organiques de manière que la seconde couche
(II) ayant les caractéristiques désirées soit formée.
Le contenu respectif en atomes de carbone, atomes d'oxygène ou les deux à la fois dans la seconde couche (II) de l'élément photoconducteur de la présente invention sont des facteurs importants pour obtenir les caractéristiques désirées permettant d'atteindre les buts 30 de la présente invention, il en va de même des conditions pour la préparation de la seconde couche (II) Les proportions respectives d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'oxygène contenus dans la seconde couche (II) sont déterminées dans la présente invention de la façon désirée en fonction 35 de la matière amorphe constituant la seconde couche (II)
et ses caractéristiques.
Plus particulièrement, la matière amorphe représentée par la formule cidessus a-(Six C 11 X)y(H,X) 1 y peut être classifiée de façon large comme une matière amorphe constituée d'atomes de silicium et d'atomes de carbone (écrite ci-après "a-Sia C "' o O 4 a < 1), une matière a 1-a 'o) N air amorphe constituée par des atomes de silicium, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène (écrite ci-après comme a-(Sib Cl b)c Hlc, o O <b, c C 1) et une matière amorphe
constituée d'atomes de silicium, d'atomes de carbone, d'atomes d'halogènes et optionnellement d'atomes d'hydrogène (écrite ci-après comme "a-(Sid Cld)e(HX) 1 e", o O "d, 10 e < 1).
Dans la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée par a-Sia Cl a' le contenu en atomes de carbone de la seconde couche (II) peut généralement être de 1 x 10 3 à 90 % atomiques, de préférence 1 à 80 % atomiques, de préférence encore de 10 à 75 % atomiques, à savoir en termes de représentation par a, dans l'expression ci-dessus a-Sia-Cla' a étant de préférence 0,1 à 0,99999, de préférence encore 0,2 à 0,99, et finalement,
de préférence de 0,25 à 0,9.
Selon la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée par a-(Sib Cl b)c H 11 c, le contenu en atomes de carbone dans la seconde couche (II) peut préférablement être de 1 x 10 3 à 90 % atomiques, de préférence encore de 1 à 90 % atomiques, finalement, de préférence de 10 à 80 % atomiques, le contenu en atomes d'hydrogène peut être de préférence de 1 à 40 % atomiques, de préférence encore de 2 à 35 % atomiques, finalement, de préférence de 5 à 30 % atomiques, et l'élément photoconducteur formé lorsque le contenu en hydrogène se trouve 30 dans ces plages est applicable de manière suffisante
comme un excellent élément au point de vue pratique.
C'est-à-dire qu'en termes de représentation par l'expression ci-dessus a(Sib Clb)c Hl_c, b devrait être de préférence de 0,1 à 0,99999, de préférence encore de 0,1 35 à 0,99, de préférence finalement de 0,2 à 0,9 et c de préférence de 0,6 à 0,99, de préférence encore de 0,65 à 0,98,
et de préférence finalement de 0,7 à 0,95.
Lorsque la seconde couche doit être constituée à partir de a-(Sid Cld)e(H, X)1-e, le contenu en atomes de carbone dans la seconde couche (II) peut de préférence -3 être de 1 x 10 3 à 90 % atomiques, de préférence encore de 1 à 90 % atomiques, de préférence finalement de 10 à 85 % atomiques, le contenu en atomes d'halogènes étant de préférence de 1 à 20 % atomiques, de préférence encore de 1 à 18 % atomiques, de préférence finalement de 1 à 15 % atomiques Lorsque le contenu en atomes d'halogènes 10 est à l'intérieur de ces plages, l'élément photoconducteur préparé est suffisamment applicable au point de vue pratique Le contenu en atomes d'hydrogène optionnellement peut être de préférence de 19 % atomiques ou inférieur,
de préférence encore de 13 % atomiques ou inférieur.
C'est-à-dire qu'en termes de représentation par d et e dans la formule cidessus a-(Sid Cld)e(H,X)l e, d devrait de préférence être de 0,1 à 0, 99999, de préférence encore de 0,1 à 0,99, et de préférence finalement de 0,15 à 0,9 et e de préférence de 0,8 à 0,99, de préférence 20 encore de 0, 82 à 0,99 et de préférence finalement de 0,85
à 0,98.
Par ailleurs, la matière amorphe représentée par la formule ci-dessus a(Six Olx)y(H,X)ly peut être classifiée largement comme une matière amorphe constituée 25 par des atomes de silicium et des atomes d'oxygène (écrite ci-après comme "a-Sia Ol a", o O < a < 1), une matière amorphe constituée par des atomes de silicium, des atomes d'oxygène et des atomes d'hydrogène (écrite ci-après comme a-(Sib Ol b)c Hlc, o O < b, c < 1) et une matière amorphe constituée par des atomes de silicium, des atomes d'oxygène,
des atomes d'halogènes et optionnellement des atomes d'hydrogène (écrite ci-après a-(Sid Ol_ O d)e Hld, o O < d, e < 1).
Selon la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée par a-Sia O 1 _a' le contenu en atomes d'oxygène de la seconde couche (II) peut être de préférence de 0,33 à 0,99999, de préférence encore de 0,5 à 0,99, et de préférence finalement de 0,6 à 0,9 en fonction
de a dans la formule ci-dessus a-Sia O 01 a.
Dans la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée par a-tib O 1 _b)c H 1 _c, le contenu en atomes d'oxygène peut de préférence être tel 10 que b dans la formule ci-dessus a(Si O 1 _b)c H 1 _c peut de préférence être de 0,33 à 0,99999, de préférence encore de 0, 5 à 0,9 et de préférence finalement de 0,6 à 0,9 et c doit être de préférence de 0,6 à 0,99, de préférence
encore de 0,65 à 0,98, de préférence finalement de 0,7 à 15 0,95.
Lorsque la seconde couche (II) doit être constituée par a-(Sid Old)e(H,X) 1 _e, le contenu en atomes d'oxygène peut de préférence être tel que d dans la formule cidessus a-(Sid Old)e(H,X)1 _e peut être de préférence de 0,33 20 à 0,99999, de préférence encore de 0,5 à 0,99, de préférence finalement de 0,6 à 0,9 et e peut être de préférence de 0,8 à 0,99, de préférence encore de 0,82 à 0,99 et de
préférence finalement de 0,85 à 0,98.
La gamme des valeurs numériques d'épaisseur de 25 couche de la seconde couche (II) devrait être si possible déterminée en fonction du but poursuivi de manière à
réaliser efficacement les objets de la présente invention. L'épaisseur de couche de la seconde couche (II) doit également être
déterminée comme désiré de façon 30 appropriéeen considérant soigneusement les relations avec les proportions en atomes d'oxygène, l'épaisseur de couche de la première couche (I) ainsi que d'autres relations organiques avec les caractéristiques requises
pour les régions de couche respectives.
En plus, il est également désirable de considérer le point de vue économique ainsi que la productivité ou la
capacité de production en série.
La seconde couche (II) de la présente invention doit si possible avoir une épaisseur de couche de préférence de 0,003 à 30 pm, de préférence encore de 0,004 à 20 pm, de préférence finalement de 0,005 à 10 gm Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, la caractéristique désirée de conductibilité peut être donnée à la première région de couche (G) en
incorporant une substance (C) pour commander la conductibilité comme décrit ci-dessus dans la première région de 10 couche (G).
La substance (C) pour commander la conductibilité
à incorporer dans la première région de couche (G) peut être contenue dans la première région de couche (G) soit uniformément sur toute la région de couche ou localement 15 dans une partie de la région de couche (G).
Selon la présente invention, lorsque la substance (C) pour commander la conductibilité est contenuedans la première région de couche (G) de manière à exister localement dans une partie de la région de couche (G), la région 20 de couche (PN) contenant ladite substance (C) doit autant que possible être prévue comme la région terminale de couche de la première région de couche (G) En particulier, lorsque la région de couche (PN) est prévue à la région de couche d'extrémité sur le côté de substrat de la première 25 région (G), il est possible de prévenir efficacement l'injection de chargesd'une polarité spécifique en provenance du substrat dans la couche de réception de la lumière en choisissant adéquatement la substance ci-dessus (C) à
contenir dans la région de couche (PN) ainsi que sa quan30 tité comme on le désire.
Dans la présente invention, lorsque la substance (C) pour commander la conductibilité est contenue dans la première région de couche (G) constituant une partie de réception de la lumière, de façon égale à travers toute 35 la région ou localement dans la direction de l'épaisseur de la couche, il est possible encore d'incorporer la substance ci-dessus (C) dans la seconde région de couche (S)
qui est prévue sur la première région de couche (G).
Lorsque la substance ci-dessus (C) est contenue dans la seconde région de couche (S), la substance (C) à contenir dans la seconde région de couche (S), sa quantité 5 et la manière d'après laquelle elle est contenue peuvent être déterminées de façon appropriée en fonction de la substance (C) contenue dans la première région de couche (G), de sa quantité et de la manière selon laquelle elle
y est contenue.
Dans la présente invention, lorsque la substance ci-dessus (C) est contenue dans la seconde région de couche (S), on préfère que la substance (C) soit contenue au moins dans la région de couche incluant l'interface en
contact avec la première région de couche (G).
Par ailleurs, la substance ci-dessus (C) peut aussi être contenue dans la seconde région de couche (S) de façon égale sur toute la région ou alternativement de façon uniforme seulement en une partie de la région de couche. Ainsi, lorsque la substance (C) pour commander la conductibilité est contenue à la fois dans la première région de couche (G)-et la seconde région de couche (S), on désire que la région de couche contenant la substance ci-dessus (C) dans la première région de couche (G) et la 25 région de couche contenant la substance ci-dessus (C) dans la seconde région de couche (S) soient prévues de manière à être en contact l'une avec l'autre La substance (C) contenue dans la première région de couche (G) et celle dans la seconde région de couche (S) peuvent être de la même espèce ou différentes et leurs quantités peuvent également être les mêmes ou différentes dans les régions respectives
de couche.
Cependant, dans le cas o la substance ci-dessus (C) contenue dans les régions respectives de la même sorte, 35 il est préférable d'accroître suffisamment de contenu dans la première région de couche (G) ou d'incorporer des substances ayant différentes caractéristiques électriques
dans des régions respectives de couche désirées.
Ainsi, selon la présente invention, en fournissant une région de couche (PN) contenant une substance (C) pour commander la conductibilité en incorporant la subs5 tance (C) dans la première région de couche (G) et/ou la seconde région de couche (S), les caractéristiques de conductibilité peuvent être commandées comme on le désire, mais le contenu doit autant que possible être déterminé
comme suit.
En d'autres termes, dans la présente invention, le contenu de la substance (C) pour commander la conductibilité dans la région de couche (PN) peut être choisi de façon appropriée en fonction de la conductibilité requise pour ladite région de couche (PN), ou bien en fonction des relations avec les caractéristiques d'autres régions de couche fournies en contact direct avec la région de couche (PN) ou les caractéristiques à l'interface
de contact avec les autres régions de couche.
Dans la présente invention, le contenu de la 20 substance (C) pour commander la conductibilité contenue dans la région de couche (PN) devrait être de préférence de 0,01 à 5 x 104 ppm atomiques, de préférence encore de 0,5 à 1 x 104 ppm atomiques, de préférence enfin de 1 à x 103 ppm atomiques. Selon la présente invention, en rendant le contenu de la substance (C) pour commander la conductibilité dans la région de couche (PN), égal à de préférence ppm atomiques ou plus, de préférence encore 50 ppm atomiques ou plus, de préférence enfin 100 ppm atomiques 30 ou plus par exemple, dans le cas o ladite substance à incorporer est une impureté du type p comme mentionné cidessus, la migration des électrons injectés depuis le côté du substrat dans la couche de réception de la lumière, peut être efficacement empêchée lorsque la surface libre 35 de la couche de réception de la lumière est soumise au traitement de chargement à la polarité @ Par ailleurs, lorsque la substance à incorporer est une impureté du type n, la migration de trous positifs injectés depuis le côté du substrat dans la couche de réception de la lumière peut être inhibée efficacement lorsque la surface libre de la couche de réception de la lumière est soumise au traitement de chargement à la polarité O Dans le cas mentionné ci-dessus, la région de couche (Z) à la portion excluant la région de couche cidessus (PN), comme décrit plus haut, peut contenir une substance pour commander la conductibilité de l'autre polarité,ou bien une substance pour commander les caractéristiques de conductibilité de la même polarité peut être contenue à l'intérieur de celle-ci dans une quantité bien plus faible que celle pratiquement contenuedans la région
de couche (PN).
Dans un tel cas, le contenu de la substance (C) pour commander la conductibilité contenue dans la région de couche ci-dessus (Z) peut être déterminé adéquatement comme on le désire en fonction de la polarité ou du contenu de la substance dans la région de couche (PN), mais elle est de préférence de 0,001 à 1000 ppm atomiques, de préférence encore de 0,05 à 500 ppm atomiques, de
préférence enfin de 0,1 à 200 ppm atomiques.
Dans la présente invention, lorsque le même type de substance pour commander la conductibilité est contenu 25 dans la région de couche (PN) et la région de couche (Z),
le contenu de la région de couche (Z) devrait être de préférence de 30 ppm atomiques ou moins.
Selon la présente invention, il est également possible de fournir une région de couche contenant une substance pour commander la conductibilité ayant une polarité et une région de couche contenant une substance pour commander la conductibilité, ayant l'autre polarité,en contact direct l'une avec l'autre, ce qui permet de fournir ce qu'on appelle une couche d'appauvrissement à ladite 35 région de contact En bref, par exemple, une région de couche contenant l'impureté du type p indiquée ci-dessus, et une région de couche contenant l'impureté du type n indiquée ci-dessus, sont prévues dans la couche de réception de la lumière en contact direct l'une avec l'autre pour former ce qu'on appelle une jonction p-n, ce qui fournit
une couche d'appauvrissement.
L'élément photoconducteur de la présente invention prévu pour avoir une telle constitution de couches et décrit en détail ci-dessus, peut résoudre tous les divers problèmes mentionnés plus haut et présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques, photoconduc10 trices et des caractéristiques de résistance diélectrique, ainsi que des caractéristiques d'utilisation dans un certain environnement. En particulier, l'élément photoconducteur de la présente invention est exempt de toute influence prove15 nant du potentiel résiduel sur la formation d'image lorsqu'il est appliqué à un élément de formation d'image pour électrophotographie, ses caractéristiques électriques étant stables avec une grande sensibilité, ayant un rapport SN élevé ainsi qu'une excellente résistance à la 20 fatigue par la lumière et une caractéristique excellente d'utilisation répétée tout en fournissant des images de
grande qualité avec une densité élevée, une clarté en demiton et une résolution élevée, de façon répétée et stable.
De même, dans l'élément photoconducteur de la présente invention, la première couche formée sur le substrat est elle-même tenace et excellente pour adhérer au substrat, ce qui fait qu'elle peut être utilisée de
façon continue et répétée à grande vitesse pendant longtemps.
Par ailleurs, l'élément photoconducteur de la présente invention a une photosensibilité élevée sur toute la région de la lumière visible, ce qui est particulièrement excellent en association avec un laser à
semi-conducteurs,et il est également excellent pour empêcher les interférences et présente une réponse rapide à 35 la lumière.
Un exemple du procédé pour produire l'élément photoconducteur selon la présente invention va maintenant
être décrit brièvement ci-dessous.
La figure 12 montre un exemple d'un dispositif
pour produire un élément photoconducteur.
Dans les bombes à gaz 1202 à 1206, sont herméti5 quement contenus des gaz de départ pour la formation de l'élément photosensible de la présente invention Par exemple,1202 est une bombe contenant du gaz Si H 4 dilué avec He (pureté: 99,999 %,abrégé ci-dessous sous la forme Si H 4/He), 1203 est une bombe contenant un gaz Ge H 4 10 dilué avec He (pureté: 99, 999 %,abrégé ci-après comme Ge H 4/He), 1204 est une bombe contenant un gaz Si F 4 dilué avec He (pureté: 99,999 %,abrégé ci-après sous la forme Si F 4/He), 1205 est une bombe contenant un gaz NH 3
(pureté: 99,999 %) et 1206 est une bombe contenant du gaz 15 H 2 (pureté:99,999 %).
Pour permettre à ces gaz de s'écouler dans la chambre de réaction 1201, lorsqu'on a confirmation que les vannes 1222-1226 des bombes à gaz 12021206 et que la vanne de fuite 1235 sont fermées, que les vannes d'entrée 20 1212-1216, les vannes de sortie 1217-1221 et les vannes auxiliaires 1232, 1233 sont ouvertes, la vanne principale 1234 reste ouverte pour évacuer la chambre de réaction 1201 et les conduitesde gaz A la prochaine étape, lorsque la lecture de l'indicateur de vide 1236 donne la valeur de 25 665 x 10-6 Pa, les vannes auxiliaires 1232, 1233 et
les vannes de sortie 1217-1221 sont fermées.
En référence maintenant à un exemple pour former la première couche (I) sur le substrat cylindrique 1237, du gaz Si H 4/He provenant de la bombe à gaz 1202, du gaz 30 Ge H 4/He provenant de la bombe à gaz 1203 et du gaz NH 3 de la bombe à gaz 1205 sont amenés à s'écouler dans les dispositifs de commande de débit et de masse 1207, 1208, 1209 respectivement, en ouvrant les vannes 1222, 1223, 1224 et en commandant les pressions sur les manomètres de sortie 1227, 1228, 1229 à 9,8 x 10 Pa, et en ouvrant graduellement les vannes d'entrée 1212, 1213, 1214, respectivement Ensuite les vannes de sortie 1217, 1218,
-51563
1219 et la vanne auxiliaire 1232 sont ouvertes graduellement pour permettre aux gaz respectifs de s'écouler dans la chambre de réaction 1201 Les vannes de sortie 1217, 1218, 1219 sont commandées de manière que la proportion du débit des gaz Si H 4/He, Ge H 4/He et NH 3 puisse avoir une valeur désirée et que l'ouverture de la vanne principale 1234 soit également commandée tout en surveillant l'affichage de l'indicateur de vide 1236 pour que la pression dans la chambre de réaction 1201 puisse atteindre la valeur désirée. 10 Après confirmation que la température du substrat 1237 est réglée à 50-400 C par le dispositif de chauffage 1238, la source de puissance 1240 est réglée à la puissance désirée pour exciter la décharge à lueurs dans la chambre de réaction 1201, ce qui permet de former une première région de couche 15 (G) sur le substrat 1237 Lorsque la première région de couche (G) est formée à l'épaisseur désirée, en poursuivant les mêmes conditions et le processus sauf pour le fait qu'on ferme complètement la vanne de sortie 1218, et en changeant les conditions de déchargement si on le désire, 20 on maintient le déchargement à lueurs pendant un intervalle de temps désiré, de sorte que la seconde région de couche (S) contenant sensiblement aucun atome de germanium puisse
être formée sur la première région de couche (G).
Pour l'incorporation d'une substance (C) pour 25 commander la conductibilité dans la première région de couche (G) et/ou la seconde région de couche (S) par exemple, un gaz tel que B 2 H 6, PH 3, etc peut être ajouté
aux gaz à introduire dans la chambre de dépôt 1201 pendant la formation de la première région de couche (G) et/ou la 30 seconde région de couche (S).
Pendant la formation de la couche, pour uniformiser cette formation, le substrat 1237 devrait autant que possible être mis en rotation par un moteur 1239 à
une vitesse constante.
Pour l'incorporation d'atomes d'halogène dans la première couche (I) par exemple, du gaz Si F 4 peut également être ajouté aux gaz ci-dessus en
amorçant la décharge à lueurs.
De même, lorsque des atomes d'halogène sont contenus dans la première couche (I) sans incorporation d'atomes d'hydrogène, un gaz Si F 4/He et un gaz Ge F 4/He peuvent être utilisés à la place du gaz précédent Si H 4/He et Ge H 4/He. Comme décrit ci-dessus, l'élément photoconducteur ayant la structure de couche montrée à la figure 1 peut alors être formé Pour la préparation de l'élément photo10 conducteur ayant la structure de couche montrée à la
figure 11, la procédure suivante peut être suivie.
C'est-à-dire que la formation d'une seconde couche (II) sur la première couche (I) formée à l'épaisseur désirée comme décrit ci-dessus, peut être réalisée par l'utilisation par exemple de gaz Si H 4 et des gaz respectifs C 2 H 4 ou/et NO, dilués optionnellement avec un gaz de dilution tel que He, selon les mêmes étapes de fonctionnement des vannes que lors de la formation de la première couche
(I), et ensuite en mrant la décharge à lueurs en suivant 20 les conditions désirées.
Pour l'incorporation d'atomes d'halogène dans la seconde couche (II) par exemple, du gaz Si F 4 et des gaz C 2 H 4 et/ou NO ou un mélange de gaz encore ajouté au gaz
Si H 4 peuvent être utilisés pour former la seconde couche 25 (II) selon la même procédure que décrit ci-dessus.
Pendant la formation des couches respectives, des vannes de sortie autres que celles nécessaires pour les gaz doivent bien sûr être fermées Ainsi, pendant la formation des couches respectives, pour éviter les restes 30 du gaz employé pour la formation de la couche précédente, dans la chambre de réaction 1201 et dans les conduites de gaz, des vannes de sortie 1217 1221 à la chambre de réaction, on effectue si nécessaire l'opération consistant à évacuer le système à un vide poussé en fermant les vannes de sortie 1217 1221, en ouvrant les vannes auxiliaires 1232, 1233 et en ouvrant complètement la vanne
principale 1234.
Chaque quantité d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'oxygène contenue dans la seconde couche (II) peut être commandée comme on le désire,par exemple dans le cas de la décharge à lueurs, en changeant le rapport de débit du gaz Si H 4 et du gaz tel que C 2 H 4 et/ou NO à introduire dans la chambre de réaction 1201 comme désiré, ou dans le cas de la formation de la couche par pulvérisation, en changeant le rapport de zone de pulvérisation de la pastille de silicium par rapport à la pastille en graphite 10 et/ou la pastille en Si O 2,ou en moulant une cible avec l'utilisation d'un mélange de poudre de silicium avec une poudre de graphite et/ou une poudre de Si O 2, avec le rapport de mélange désiré Le contenu en atomes d'halogène (X) de la seconde couche (II) peut être commandé en commandant le débit du gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène tels que du gaz Si F 4 lorsqu'il est
introduit dans la chambre de réaction 1201.
Lors de la formation de la première couche cidessus (I), pendant l'étape o un intervalle de temps s'est écoulé comme désiré, après le début de la formation de la couche, on peut interrompre l'écoulement du gaz B 2 H 6/He ou NH 3 dans la chambre de dépôt, ce qui permet de commander librement les épaisseurs respectives de couche de la région de couche (B) contenant des atomes de bore,
et de la région de couche (N) contenant des atomes d'azote.
Egalement, en commandant le débit de gaz du gaz NH 3 dans la chambre de dépôt 1201, en fonction de la courbe de vitesse de changement désirée, le profil en profondeur
des atomes d'azote contenus dans la région de couche (N) 30 peut être commandé comme on le désire.
La présente invention va maintenant être décrite
en référence aux exemples suivants.
Exemple 1
Au moyen du dispositif de la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie a été préparé sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions montrées au tableau 1 A. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à un chargement corona à Q 3 5,0 k V pendant 0,3 seconde, suivi immédiatement d'une irradiation d'une 5 image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source de lumière à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte d'essai du type transmission. Ensuite et immédiatement, un révélateur chargea10 ble X (contenant un toner et un support) a été placé en cascade sur la surface de l'élément formant l'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de l'élément de formation d'image Lorsque l'image de toner a été transféréesur un papier de transfert par une charge corona de 15 G 5,0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée
avec une excellente résolution et une bonne reproductibilité de gradations.
Exemple 2
Au moyen du dispositif montré à la figure 12, un 20 élément de formation d'image pour électrophotographie a été préparé en mettant en oeuvre la formation de la couche de la même manière que dans l'exemple 1, sauf qu'on a changé les conditions selon le tableau 2 A. Dans le cas de l'élément de formation d'image 25 ainsi obtenu, une image a été formée sur un papier de transfert selon les mêmes conditions et le même processus que dans l'exemple 1, sauf qu'il y a eu inversion de la polarité de charge et de la polarité de charge du révélateur
respectivement On a obtenu en conséquence une qualité 30 d'image très claire.
Exemple 3
Au moyen du dispositif de la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie a été préparé en exécutant la formation de la couche de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que les conditions ont été changées pour donner celles du tableau 3 A. Pour l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert selon les
mêmes conditions et le même processus que dans l'exemple 1.
On a donc obtenu en conséquence une qualité d'image très claire.
Exemple 4
L'exemple 1 a été répété sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été varié comme le montre le tableau 4 A en faisant varier le rapport 10 de débit de gaz Ge H 4/He par rapport au gaz Si H 4/He pour obtenir des éléments de formation d'image respectifs pour électrophotographie. Dans chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert selon les mêmes conditions et le même processus que dans l'exemple 1 pour obtenir les résultats montrés au tableau 4 A.
Exemple 5
On a répété l'exemple 1 sauf que l'épaisseur de 20 couche de la première couche a été variée comme le montre le tableau 5 A pour obtenir des éléments de formation
d'image respectifs pour électrophotographie.
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus,des images ont été formées sur un papier 25 de transfert dans les mêmes conditions et selon le même processus que dans l'exemple 1 pour obtenir le résultat montré au tableau 5 A.
Exemple 6
Au moyen du dispositif montré à la figure 12,un 30 élément de formation d'image pour électrophotographie a été préparé sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions montrées au tableau 6 A. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition 35 et soumis à une charge corona à -9 5,0 k V pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement par une irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à une dose de 2 lux
par seconde, à l'aide d'une carte de test du type transmission.
Ensuite et immédiatement, un révélateur chargeable
(contenant un toner et un support) a été placé en cascade 5 sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de cet élément.
Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par charge corona, de S 5,0 k V, on a obtenu une
image claire de densité élevée avec une excellente résolution 10 et une bonne reproductibilité de gradations.
Exemple 7
Pour l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'exemple 1, sauf pour le fait 15 d'utiliser comme source lumineuse à la place de la lampe à tungstène un laser à semi-conducteur du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm, on a effectué l'évaluation de la qualité de l'image En conséquence, une image de qualité élevée
excellente en résolution et bonne en reproductibilité de 20 gradation a pu être obtenue.
Exemple 8
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les 25 conditions montrées au tableau l B. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à charge et à exposition et soumis à une charge corona à 5 k V pendant 0, 3 seconde,sui Vie immédiatement par l'irradiation d'une 30 image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte d'essai du type transmission. Ensuite et immédiatement après, on a placé en cascade un révélateur chargeable -Q (contenant un toner et un support) sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner-une bonne image de toner sur la surface de cet élément Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par charge corona, de Q 5 k V, une image claire de densité élevée avec une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations a été obtenue.
Exemple 9
Au moyen du dispositif montré à la figure 12, on a préparé un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation de couche de la même 10 manière que dans l'exemple 8, sauf à changer les conditions comme au tableau 2 B. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et suivant la même procédure que dans l'exemple 8 sauf à inverser la polarité de chargement et la
polarité de charge du révélateur respectivement Comme résultat on a obtenu une qualité d'image très claire.
Exemple 10
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation de couche de la même manière que dans l'exemple 8, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 3 B. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, 25 on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et selon le même processus que dans l'exemple 8 Le résultat en est une qualité d'image très claire.
Exemple 11
L'exemple 8 a été répété sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été modifié comme le montre le tableau 4 B en faisant varier le rapport de débit des gaz Ge H 4/He par rapport à Si H 4/He pour
obtenir des éléments de formation d'image respectifs pour 35 électrophotographié.
Dans le cas de chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé sur un papier de transfert des images dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans l'exemple 8 pour obtenir le résultat montré au tableau 4 B.
Exemple 12
On a répété l'exemple 8 sauf que l'épaisseur de couche de la première couche a été modifiéecomme le montre
le tableau 5 B pour obtenir des éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments de formation d'image 10 ainsi obtenus,on a formé sur un papier de transfert des images dans les mêmes conditions et selon la même procédure que dans l'exemple 8 pour obtenir les résultats montrés au tableau 5 B.
Exemple 13
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les mêmes conditions que celles montrées aux tableaux 6 B à 8 B respectivement (échantillons n 601 B, 602 B et 603 B). 20 Chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus a été placé dans un dispositif d'essai à charge et à exposition et soumis à une charge corona à 5,0 k V pendant 0,3 seconde,suivie immédiatement par une irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen 25 d'une source de lumière à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde, à l'aide d'une carte d'essai du type transmission. Ensuite et immédiatement après, un révélateur chargeable (contenant un toner et un support a été placé en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de cet élément Lorsque l'image detoner a été transférée sur un papier de transfert par charge corona de 5, 0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée avec une 35 excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations.
Exemple 14
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat d'aluminium cylindrique de la même manière que dans l'exemple 8 sauf à employer les conditions montrées aux tableaux 9 B et 10 B respectivement
(échantillons n 701 B et 702 B).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus,on a formé sur un papier de transfert des 10 images selon les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 8 Le résultat en est une qualité d'image très claire.
Exemple 15
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12, 15 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat d'aluminium cylindrique de la même manière que dans l'exemple 8 sauf à employer les conditions des tableaux 11 B à 15 B, respective Ment (échantillons n 801 B
à 805 B).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus,on a créé des images sur un papier de transfert selon les mêmes conditions et procédure que dans
l'exemple 8 Il en résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 16
On a effectué une évaluation de la qualité d'image de l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'exemple 8 sauf à utiliser comme source de lumière à la place de la lampe à tungstène, unlaser à semi-conducteursdu type Ga AS ( 10 m W) de 810 nm Le résultat
en est une image de qualité élevée, excellente en résolution et bonne en reproductibilité des gradations.
Exemple 17
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions montrées au tableau 1 C. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à une charge corona à 5,0 k V pendant 0,3 seconde,suivie immédiatement par irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source de lumière à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte de test du type transmission. Immédiatement après, on a placé en cascade un révélateur chargeable 3 (contenant un toner et un support), sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de ce dernier Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par charge corona de 05,0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée avec une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations,
Exemple 18
On a préparé à l'aide du dispositif montré à la figure 12, un élément de formation d'image pour électropho20 tographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 17, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 2 C. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions etselonla même procédure que dans l'exemple 17, sauf à inverser la polarité de chargement et lapolarité de charge du révélateur respectivement Il en résulte une
qualité d'image très claire.
Exemple 19
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 17, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 3 C. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 17 Il en
résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 20
L'exemple 17 a été répété sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été modifié comme le montre le tab 1 eau 4 C en faisant varier le rapport des débits de gaz Ge H 4/He par rapport à Si H 4/He pour obtenir des éléments respectifs de formation
d'image pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments de formation d'image 10 ainsi obtenus,on a formé sur un papier de transfert des images dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 17 pour obtenir les résultats montrés au
tableau 4 C.
Exemple 21
On a répété l'exemple 17 sauf que l'épaisseur de couche de la première couche a été modifiée comme le
montre le tableau 5 C pour obtenir des éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie.
Avec chacun de ces éléments, on a formé sur un papier de transfert des images dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 17, de manière à obtenir les résultats montrés au tableau 5 C.
Exemple 22
On a préparé au moyen du dispositif montré 25 à la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les mêmes conditions que celles montrées au tableau 6 C. Chacun des éléments de formation d'image ainsi 30 obtenus a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à une charge corona de O 5 k V pendant 0,3 seconde,suivie immédiatement par l'irradiation d'une image lumineuse L'image lumineuse a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe 35 de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide
d'une carte d'essai du type transmission.
Immédiatement après, on a placé en cascade un révélateur chargeable (*t (contenant un toner et un support) sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de cet élément Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par charge corona, à Q 5,0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée avec une excellente résolution et une
bonne reproductibilité des gradations.
Exemple 23
Avec l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'exemple 17, sauf à utiliser à la place de la lampe à tungstène, en tant que source de lumière, un laser à semi-conducteur 15 du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm, on a effectué une évaluation de la qualité de l'image Il en résulte une image de grande qualité, excellente en résolution et
bonne en reproductibilité des gradations.
Exemple 24
En suivant les mêmes conditions et la même procédure que dans les exemples respectifs 17 et 22, sauf à changer les conditions de préparation de la seconde couche (II) pour donner les conditions respectives du tableau 7 C, on a préparé des éléments de forma25 tion d'image pour électrophotographie respectivement ( 48 échantillons de l'échantillon n 12-101 C à 12-108 C,
12-601 C à 12-608 C).
Les éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie ainsi préparés ont été placés 30 individuellement sur un dispositif de copiage et dans les mêmes conditions décrites dans les exemples respectifs, chaque élément de formation d'image pour électrophotographie a été évalué pour ce qui concerne la
qualité globale d'image de l'image transférée et sa 35 durabilité en utilisation continue et répétée.
Les résultats de l'évaluation de la qualité globale d'image et de la durabilité par une utilisation continue répétée pour ce qui concerne les échantillons respectifs sont montrés au tableau 8 C.
Exemple 25
On a préparé divers éléments de formation 5 d'image selon le même procédé que dans l'exemple 17, sauf à varier le rapport de proportion des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone de la seconde couche (II) en modifiant le rapport des zones cibles de la pastille de silicium par rapport au
graphite pendant la formation de la seconde couche (II).
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'imege,de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 17 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a effectué 15 des évaluations d'image pour obtenir les résultats montrés au tableau 9 C.
Exemple 26
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 17, respectivement, sauf à varier les rapports de proportion des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits du gaz Si H 4 par rapport au gaz C 2 H 4 pendant
la formation de la seconde couche (II).
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes allant jusqu'à l'étape de transfert ont été répétées environ 50 000 fois selon les procédés décrits à l'exemple 17 et ensuite on a effectué des évaluations des images pour obtenir un 30 résultat montré au tableau 10 C.
Exemple 27
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 17 respectivement, sauf à varier le rapport de proportion 35 des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits du gaz Si H 4, du gaz Si F 4 et du gaz C 2 H 4 pendant la formation de la seconde région de couche (II) Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 17 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a effectué des évaluations des images pour obtenir les résultats montrés au tableau 11 C.
Exemple 28
On a préparé divers éléments de formation d'image de la même manière que dans l'exemple 17, sauf à changer l'épaisseur de couche de la seconde couche (II), et les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 17 ont été répétées pour obtenir un résultat montré au tableau 12 C. 15 Exemple 29 On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions montrées au tableau 1 D. Un élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à une charge corona à O 5,0 k V pendant 0,3 seconde,suivie immédiatement par l'irradiation d'une image lumineuse L'image lumineuse a été 25 irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une
carte d'essai du type transmission.
Immédiatement après, un révélateur chargeable Q (contenant un toner et un support) a été placé 30 en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de cet élément Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par chargement corona de 5,0 kv, on a obtenu une image claire de 35 densité élevée avec une excellente résolution et une
bonne reproductibilité des gradations.
Exemple 30
A l'aide du dispositif montré à la figure 12, on a préparé un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 2 D. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29, sauf 10 à inverser la polarité de chargement et la polarité de charge du révélateur respectivement Il en résulte une
qualité d'image très claire.
Exemple 31
A l'aide du dispositif montré à la figure 12, 15 on a préparé un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 3 D. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, 20 on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29 Il
en résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 32
L'exemple 29 a été répété sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été modifié comme le montre le tableau 4 D en faisant varier le rapport entre les débits de gaz Ge H 4/He par rapport à Si H 4/He pour obtenir des éléments de formation d'image
respectifs pour électrophotographie.
* Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29, de manière à obtenir les résultats du tableau 4 D.
Exemple 33
On a répété l'exemple 29 sauf que l'épaisseur de couche de la première couche a été modifiée comme le
montre le tableau 5 D pour obtenir des éléments de formation d'image respectifs pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus,on a formé des images sur un papier de 5 transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29 pour obtenir les résultats montrés au tableau 5 D.
Exemple 34
A l'aide du dispositif montré à la figure 12, 10 on a préparé des éléments de formation d'image pour électrophotographie, sur un substrat d'aluminium cylindrique dans les mêmes conditions que celles montrées aux tableaux 6 D à 8 D respectivement (échantillons n 601 D,
602 D et 603 D).
Chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus a étéplacé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à un chargement corona à Q 5,0 k V pendant 0,3 seconde,suivi immédiatement par l'irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été 20 irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une
carte d'essai du type transmission.
Immédiatement après, un révélateur chargeable t (contenant un toner et un support) a été placé en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de celui-ci Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par chargement corona de Q 5,0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée avec une 30 excellente résolution et une bonne reproductibilité
des gradations.
Exemple 35
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12 des éléments de formation d'image pour élec35 trophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à utiliser les conditions des tableaux 9 D et 1 OD respectivement
(échantillons n 701 D et 702 D).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29 On a obtenu alors une qualité d'image très claire.
Exemple 36
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12, des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat d'aluminium cylindrique de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à employer les conditions montrées aux tableaux 11 D à
D respectivement (échantillons n 801 D à 805 D).
Avec chacun des éléments de formation d'image 15 ainsi obtenus, on a formé des images dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 29 Il en
résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 37
Avec l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'exemple 29, sauf à utiliser comme source de lumière à la place de la lampe à tungstène, un laser à semi-conducteur du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm, on a évalué la qualité de l'image Il en résulte une image de grande qualité, excellente en résolution et bonne en reproductibilité
des gradations.
Exemple 38
En suivant les mêmes conditions et procédure 30 que dans les tableaux respectifs 1 D de l'exemple 29 et 6 D de l'exemple 34, sauf à changer les conditions de préparation de la seconde couche (II) pour donner les conditions respectives du tableau 16 D, on a préparé des éléments de formation d'image pour électrophotographie respectivement ( 72 échantillons de l'échantillon n 12-401 D
à 12-408 D, 12-701 D à 12-708 D, 12-801 D à 12-808 D).
Les éléments de formation d'image respectifs pour êlectrophotographie ainsi préparés ont été placés individuellement sur un dispositif de copiage et dans les mêmes conditions que celles décrites dans les exemples respectifs, chaque élément de formation d'image pour électrophotographie a été évalué pour estimer la qualité globale d'image de l'image transférée et sa
durabilité lors d'un usage continu et répété.
Les résultats de l'évaluation de la qualité globale d'image et de l'évaluation de la durabilité par 10 utilisation répétée continue avec les divers échantillons, sont montrés au tableau 17 D.
Exemple 39
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 29, sauf à varier le rapport des contenus en atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en faisant varier le rapport des zones cibles de la pastille de silicium par rapport au graphite pendant la formation de la seconde couche (II) Avec chacun 20 des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a répété environ 50 000 fois les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 29 et ensuite on a effectué des évaluations d'image pour obtenir les résultats montrés au tableau 18 D. 25 Exemple 40 On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 29 respectivement, sauf à faire varier le rapport des proportions des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits du gaz Si H 4 par rapport au
gaz C 2 H 4 pendant la formation de la seconde couche (II).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes jusqu'au transfert ont été 35 répétées environ 50 000 fois, selon les procédés décrits à l'exemple 29, et on a effectué des évaluations d'image de manière à obtenir le résultat montré au tableau 19 D.
Exemple 41
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 29 respectivement, sauf à faire varier le rapport des proportions des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en faisant varier le rapport des débits du gaz Si H 4, du gaz Si F 4 et du gaz C 2 H 4 pendant la formation de la seconde couche (II). 10 Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 29 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite, on a effectué des évaluations d'image pour obtenir les résultats mntrés 15 au tableau 20 D.
Exemple 42
On a préparé des éléments de formation d'image respectifs de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à changer l'épaisseur de couche de la seconde cou20 che (II) et les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 29 ont été répétées pour obtenir les résultats montrés au tableau 21 D.
Exemple 43
Au moyen du dispositif montré à la figure 12, 25 on a préparé un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions montrées au tableau 1 E. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et 30 exposition et soumis à un chargement corona à G 5,0 k V pendant 0,3 seconde suivi immédiatement par une irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à
une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte 35 d'essai du type transmission.
Immédiatement après, un révélateur chargeable C (contenant un toner et un support) a été placé en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de ce dernier Lors du transfert de l'image de toner sur un papier de transfert par chargement corona de c 5,0 k V, on a obtenu une image claire de densité élevée avec une excellente résolution et une bonne
reproductibilité des gradations.
Exemple 44
On a préparé au moyen du dispositif montré 10 à la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant une formation de couche de la même manière que dans l'exemple 43, sauf à modifier les conditions pour donner celles du
tableau 2 E.
Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 43, sauf à inverser la polarité de chargement et la
polarité de charge du révélateur respectivement Il en 20 résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 45
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12, un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 43, sauf à changer les conditions pour donner celles du tableau 3 E. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert
dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 30 43 Il en résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 46
L'exemple 43 a été répété, sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été modifié comme montré au tableau 4 E en faisant varier le 35 rapport des débits des gaz du gaz Ge H 4/He par rapport au
gaz Si H 4/He pour obtenir des éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 43 pour obtenir les résultats montrés au tableau 4 E.
Exemple 47
L'exemple 43 a été répété, sauf que l'épaisseur de couche de la première couche a été modifiée comme le montre le tableau 5 E pour obtenir des éléments
de formation d'image pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 43, de manière à obtenir les résultats montrés au tableau 5 E.
Exemple 48
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions montrées au tableau 6 E. Chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus 20 a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à un chargement corona à Q 5,0 k V pendant 0,3 seconde suivi immédiatement par l'irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tunsgtène à une 25 dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte d'essai
du type transmission.
Immédiatement après, un révélateur chargeable Q (contenant un toner et un support) a été placé en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image 30 pour donner une bonne image de toner sur la surface de ce dernier Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par chargement corona, à O 5,0 k V, on a obtenu unoe image claire, de densité élevée
avec une excellente résolution et une bonne reproducti35 bilité des gradations.
Exemple 49
Avec l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans l'exemple 43, sauf à utiliser comme source lumineuse à la place de la lampe de tunsgtène, un laser à semi-conducteur du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm, on a effectué une évaluation de la qualité des images Il en résulte qu'on a obtenu une image de qualité élevée, excellente en résolution et
bonne en reproductibilité des gradations.
Exemple 50
En suivant les mêmes conditions et le même processus que dans les exemples respectifs 44, 45 et 47, sauf à modifier les conditions pour la préparation de la seconde couche (Il) pour donner les conditions respectives du tableau 7 E, on a préparé des éléments de formation 15 d'image pour électrophotographie, respectivement ( 24 échantillons de l'échantillon N O 11-401 E à 11-408 E,
11-501 E à 11-508 E, 11-601 E à 11-608 E).
Les éléments de formation d'image respectifs pour électrophotographie ainsi préparés ont été placés 20 individuellement sur un dispositif de copiage et dans les mêmes conditions que décrites dans les exemples respectifs, chaque élément de formation d'image pour électrophotographie étant évalué pour estimer la qualité
globale d'image de l'image transférée et sa durabilité 25 en usage continu et répété.
Les résultats de l'évaluation de qualité globale d'image et de durabilité avec une utilisation continue et répétée pour ce qui concerne les échantillons respectifs, sont montrés au tableau 8 E. 30 Exemple 51 On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 43, sauf à faire varier le rapport des proportions des atomes de silicium par rapport aux atomes d'oxygène 35 dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport
des zones cibles de pastilles de silicium par rapport à Si O 2 pendant la formation de la seconde couche (II).
Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 43 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a conduit des évaluations d'image pour obtenir le résultat montré au tableau 9 E.
Exemple 52
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 43 10 respectivement, sauf à faire varier le rapport des proportions d'atomes de silicium par rapport aux atomes d'oxygène dans la seconde couche (II) en modifiant les rapports des débits du gaz Si H 4 par rapport
au gaz NO pendant la formation de la seconde couche 15 (II).
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes allant jusqu'au transfert ont été répétées environ 50 000 fois selon les procédés décrits à l'exemple 43, et ensuite on a effectué des évaluations des images pour obtenir les résultats montrés au tableau 10 E.
Exemple 53
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 43 25 respectivement, sauf à faire varier le rapport de proportion des atomes de silicium par rapport aux atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits de gaz Si H 4, de gaz Si F 4 et de gaz NO pendant la formation de la seconde couche 30 (II) Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 43 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a effectué des évaluations des images pour obtenir les 35 résultats montrés au tableau 11 E.
Exemple 54
On a préparé des éléments respectifs de formation - d'image de la même manière que dans l'exemple 43, sauf à faire varier
l'épaisseur de couche de la seconde couche (II) et les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 43 ont été répétées pour obtenir les résultats montrés au tableau 12 E.
Exemple 55
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12, un élément de formation d'image pour 10 électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions montrées au tableau 1 F. L'élément de formation d'image ainsi obtenu a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à un chargement corona à Q 5,0 k V 15 pendant 0,3 seconde,suivi immédiatement de-l'irradiation d'une image lumineuse L'image lumineuse a été irradiée au moyen d'une source lumineuse à lampe de tungstène à une dose de 2 lux par seconde à l'aide
d'une carte d'essai du type transmission.
Immédiatement après, on a placé en cascade un révélateur chargeable Q (contenant un toner et un support) sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de ce dernier Lorsque l'image de toner a été transférée 25 sur un papier de transfert par chargement corona à O 5,0 k V, on a obtenu une image claire de haute densité avec une excellente résolution et une bonne
reproductibilité des gradations.
Exemple 56
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 55 sauf à changer les conditions pour donner celles du 35 tableau 2 F. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple , sauf à inverser la polarité de chargement et la polarité de charge du révélateur respectivement Il en
résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 57
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12 un élément de formation d'image pour électrophotographie en effectuant la formation des couches de la même manière que dans l'exemple 55, sauf à changer 10 les conditions pour donner celles du tableau 3 F. Avec l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on a formé une image sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple Il en résulte une qualité d'image très claire. 15 Exemple 58 L'exemple 55 a été répété sauf que le contenu en atomes de germanium de la première couche a été modifié comme le montre le tableau 4 F en faisant varier le rapport des débits des gaz du gaz Ge H 4/He par rap20 20 port au gaz Si H 4/He pour obtenir des éléments respectifs
de formation d'image pour électrophotographie.
Pour chacun des éléments ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 55, de manière à obtenir les résultats montrés au tableau 4 F.
Exemple 59
L'exemple 55 a été répété sauf que l'épaisseur de couche de la première couche a été modifiée comme
montré au tableau 5 F pour obtenir des éléments de forma30 tion d'image respectifs pour électrophotographie.
Avec chacun des éléments ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que dans l'exemple 55, de manière à obtenir les résultats montrés au tableau 5 F. 35 Exemple 60 On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substratcylindrique en aluminium dans les conditions montrées aux tableaux 6 F
à 8 F respectivement (échantillons n 601 F, 602 F et 603 F).
Chacun des éléments ainsi obtenus a été placé dans un dispositif d'essai à chargement et exposition et soumis à un chargement corona à 5,0 k V pendant 0,3 seconde, suivi immédiatement par une irradiation d'une image lumineuse Celle-ci a été irradiée au moyen d'une source de lumière à lampe de tungstène à
une dose de 2 lux par seconde à l'aide d'une carte 10 d'essai du type transmission.
Immédiatement après, un révélateur chargeable (contenant un toner et un support) a été placé en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image pour donner une bonne image de toner sur la surface de celui-ci Lorsque l'image de toner a été transférée sur un papier de transfert par chargement corona de Q 5,0 k V, on a obtenu une image claire de haute densité avec une excellente résolution et une bonne reproductibilité des gradations.
Exemple 61
On a préparé au moyen du dispositif montré à la figure 12, des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium de la même manière que dans l'exemple 55, sauf à 25 employer les conditions montrées aux tableaux 9 F et 10 F
respectivement (échantillons n 701 F et 702 F).
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de transfert dans les mêmes conditions et procédure que 30 dans l'exemple 55 Il en résulte une qualité d'image
très claire.
Exemple 62
On a préparé au moyen du dispositif de la figure 12 des éléments de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium de la même manière que dans l'exemple 55,sauf à employer les conditions montrées aux tableaux 11 F à 15 F
respectivement (échantillons n 801 F à 805 F).
Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on a formé des images sur un papier de
transfert dans les mêmes conditions et procédure que 5 dans l'exemple 55 Il en résulte une qualité d'image très claire.
Exemple 63
On a effectué l'évaluation de la qualité d'image avec l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions de formation d'image de toner que dans 1;exemple 55, sauf à utiliser comme source de lumière à la place de la lampe de tungstène un laser à semi-conducteur du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm Il en résulte une image de grande qualité, excellente en résolution et bonne en
reproductibilité des gradations.
Exemple 64
En suivant les mêmes conditions et la même procédure que dans les exemples respectifs 55, 56 et 57, sauf à faire varier les conditions de la préparation de la seconde couche (II) pour donner les conditions
respectives du tableau 16 F, on a préparé des éléments de formation d'image pour électrophotographie respectivement ( 24 échantillons de l'échantillon 11-101 F à 25 11-108 F, 11-201 F à 11-208 F, 11-301 F à 11308 F).
On a placé individuellement les éléments de formation d'image respectifs pour électrophotographie ainsi préparés sur un dispositif de copiage et selon les mêmes conditions que celles décrites dans les exem30 ples respectifs, on a évalué chaque élément de formation d'image pour électrophotographie en ce qui concerne la qualité globale d'image de l'image transférée et sa
durabilité en utilisation continue et répétée.
Les résultats de l'évaluation de la qualité 35 de l'image globale et de la durabilité en utilisation continue et répétée pour les divers exemples sont montrés au tableau 17 F.
Exemple 65
Divers éléments de formation d'image ont été préparés selon le même procédé que dans l'exemple 55, sauf à faire varier le rapport des proportions des 5 atomes de silicium et des atomes d'oxygène dans la seconde couche (II) en faisant varier le rapport des zones cibles de la pastille de silicium et du Si O 2 et également le rapport de mélange de Ar par rapport à NO durant la formation de la seconde couche (II) Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 55 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a effectué des évaluations d'image pour obtenir les résultats montrés au 15 tableau 18 F.
Exemple 66
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 55 respectivement, sauf à faire varier les rapports de proportion des atomes de silicium et des atomes d'oxygène dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits du gaz Si H 4 et du gaz NO pendant la
formation de la seconde couche (II).
Avec chacun des éléments de formation d'image 25 ainsi obtenus, les étapes jusqu'au transfert ont été répétées environ 50 000 fois selon les procédés décrits à l'exemple 55 et ensuite on a effectué des évaluations d'image pour obtenir les résultats montrés au tableau 19 F.
Exemple 67
On a préparé divers éléments de formation d'image selon le même procédé que dans l'exemple 55 respectivement,sauf à faire varier les rapports de proportion des atomes de silicium et des atomes d'oxygène dans la seconde couche (II) en modifiant les rap35 ports des débits du gaz Si H 4, du gaz Si F 4 et du gaz NO pendant la formation de la seconde couche (II) Avec chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage décrites à l'exemple 55 ont été répétées environ 50 000 fois et ensuite on a effectué des évalua5 tions d'image de manière à obtenir les résultats montrés au tableau 20 F.
Exemple 68
On a préparé des éléments de formation d'image respectifs de la même manière que dans l'exemple 29, sauf à changer l'épaisseur de la seconde couche (II),et les étapes de formation d'image, de d veloppement et de nettoyage décrites à l'exemple 55 ont été répétées pour obtenir les résultats montrés au tableau 21 F. Les conditions communes de formation de couche dans les exemples respectifs de la présente invention sont les suivantes: Température de substrat: couche contenant un atome de germanium (Ge) C couche ne contenant aucun atome de germanium (Ge). environ 250 C Fréquence de déchargement: 13,56 M Hz Pression interne dans la chambre de réaction pendant la réaction: 40 Pa 1 e <Ji c Cn
TABLEAU 1 A
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseur Constitution Gaz ent (conditions Rapport des débits d'écou décharge nation de çou de couch des couches employés normales)(cm/ lement (W/cm 2 he(m/ /) (m) Si H 4/He-0,05 Ge H 4/Si H 4-l/1 Première Ge H,/He-0,05 Si H"+Ge H,-50 NH,/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 0,18 5 3 couche NH 3 M Deuxicme Si H 4/He=O,5 Si H 4 = 200 0, 1815 15 coucheTABLEAU 2 A Débit d'écoule Puissance de Vitesse de forEpaisseur Constitution Gaz ment (conditions Rapport des débits décharge d ation de cfu de couche des couches employés ormales)(cmun d'écoulement déch 2 a L_ d dc (om) ________________, ,_ _,'__W/__ 2 __che (pm/10 /s) ( m) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 11/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 + Ge H 4 = 50 N Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100 " 0 0,18 5 5 couche NH s Deuxième Si IIH 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge Hl,/Si Hl/10 018 5 1 couche GçH 4/He= 0,05 Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 018 15 1 couche 1 -4 -J Ln Ln o J t Jl Lw t JI b-4 cn c
TA B LEAU 3 A
Débit d'écoule 'Puissance de Vitesse de for Epaisseu Constitution Gaz employés ment (conditions Rapport des débits décharge mation de-c u e couche des couches normales)(cm 3/mi b) d'écoulement (W/cm 2) che (um l /s) (mm) Si H 4/He= O 005 Ge H 4/Si H 4-4/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4-50 N Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 0,18 5 2 NH 3 couche| c Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 u 200 N Hs/Si H 4-2/100 couche N Ha 3 018 15 2
B 2 H$/He-10 B 2 H,/Si H 4-'1 x 10.
Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4-200 couche /70 B 2/SH 4 X 1018 15 15 B 2 H/He 10 B 2 l{ 6/Si H,,lx 10-5
BHG/e=_ 0-
1 h> Ln Ln t J 1 0 ' w E Un
T A B L E A U 4 A
b c Echantillon N 401 A 402 A 403 A 404 A 405 A 406 A 407 A Proportion de Ge (% atomiques) 1 3 5 10 40 60 90 Evaluation O _ O
À 1 O 1
): Excellent O 0: Bon /: pratiquement satisfaisant
TABLEAU 5 A
-4 %O Echantillon N 501 A 502 A 503 A 504 A 505 A Epaisseur de 01 5 1 2 5 couche ("m) Evaluation O O O O O: Excellent O: Bon n Ln Ln o% Oq i bcn c ca
TA B LE AU 6 A
Puissance Jitesse de for J Epaisseur Rapport des débits de décharge nation de cou Ide couche d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4/8) (pm)
_,,,,,,
Ge H 4/Si H 4 = 4/10 N Hs/(Ge H 4 +Si H 4)-2/100 Première couche Ge H 4/He= 0,05 Si H,+Ge H 4-50 0,18 N Ha Co O euxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4200 I couche PH/He PH/Si Hm X 7 018 _ 520 couche PH 3/He, 10, PH s/$t H 4 1 x 10 r M Ln Ln tn or w b" b
CD O
CA
TABLEAU l B
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseui Constitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits d'écou dcharge mation de cou de couche des couches normales) (cm'/ (W/cm 2) che (pm) _______min) lement h S _/ mât N) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He-0,05 S'i H#,+Ge Hr = 50 couche 0,18 5 B 2 Hs/He= 10-3 B 2 Hi/(Ge Hq+ Si H 4)= 3 x 1 3 NHI NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4)= 3/ 10 cuh, / = 0,, _ 0,1 1 Deuxième Si H 4/He= 095 Si H 4200 018 15 20 couche 11 Co n Ln t-f tn VI ch ta c ( On
T A B L E A U 2 B
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseu Constitution Gaz employés ment (conditions Rapport des débits d'écoule décharge mation de cou e couche des couches normales)(cm 3/ ment (W/cm 2) che (pm 10-4/s (pm) ,rmin) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4-1/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4-50 couche 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 10 '3 B 2 H/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O-3 o N Ha NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4)> 3/100 Deuxième Si H 4/He= 005 Si H,+ Ge H 4 = 50 Ge H,/Si H 4 =l/10 couche 0,18 15 19 Ge H 4/He= 0,05 Troisième Si H 4 /I{e= O; 5 Si H = 200 0,18 15 5 couche, " Ln UM Ln J, o' w cn ci
TA B LEAU 3 B
Constitution Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseur des couches Gaz employés ment (condition Rapport des débits décharge Imation de cou de couche normales)(cm in R M'écoulement (W/cm 2) che (Vm 10-4/s ("m) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/l/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 2 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 5 xl O 0-3 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)=l/100 Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 0,18 15 20 couche B 2 H 6/He= 10 = 3 B 2 H 6/Si H 4 = 2 x 10-4 r) Ln t A os U 4 fo o Lnl uq Lfl Ln'
enb Tied ua ques Teus Te S:.
U Og:0 lu 8 T 1 eoxz: oo Co rl O O JO Q uo ten 1 v As ll J l u 1 mrt m E mnt 8 O ltc O mtl mi OO'O'O mmoo 00 ' O oqoo O Dno D ap iness Ted E 880 S __lLOS g 90 S ESOS a O'S Eú O S EIOS EIOS IN UOI Tautis q il v 'xia yo uov IT Ue U Og O 'fui TT Dx T O O O ( O uo T;en Te Aa (senb Tmole %) 9 'Lb Zb 6 '8 E úEú L'9 Z l,'Sl i'8 úI ' ao ap uo T xodo z I..ue Tlnozg, p T/1 01/8 OTI/L / / OII/Z T/T O OOT/S s Tqp sep zaodde/
"HTS/ "HD
580 P SHLO' H 901 5501 a 1 o T UZ Ob UI Ob o N UOT O T 01 U t M O D O o UO e qfl nv E'Iav L to c D "I tg c c
TA B LEAU 6 B
Débit d'écoule S d Vitesse de for Epaisseur Constitution ment (condition Rapport des débits Puissance d Enation de cou de couche Gaz employéedchres 48 des couches Gaz employés normales)(cm'/ d'écoulement (W/cmh he (Mm 10 04/s) (Pm) min) _ _ _ Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4-5/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H,+Ge Hr-50 couche B 2 H 6/He-108 3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)5 xl O 3 0,18 5 2 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 Deuxième Si H 4/He=O,5 Si H 4 = 200 couche PH 3/He PH,/Si H 49 xl O 5 0, 18 1 20 (Echantillon N 601 B) r,) Un Ln tn 0 % ow c Cn
T A B L E AU
7 B ' Débit d'écoule-: Puissance de itesse de for Epaisseur Constitution Gazemployés ment (condition Rapport des débits décharge ation de cu de couche des couches normales)(cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) he (m 1 /s) (m) _________________e( __O-_ _/s)_)min) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H%+Ge H 4 = 50 couche 51 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H</(Ge H 4 +Si H 4)8 x 104 0,18 5 15 ON NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 Deuxième Si H 4/He= 015 Si H 4 = 200 Deuxième 0,18 15 5 couche PH 3/He= 10 3 P Hm/Si H 4 lxl O S (Echantillon N 602 B) r'> u vu Ln vi ot t, Ut
T CALEAU 8 B
TABLEAU 8 B
c c Cn Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gzepos normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10 04/s couche minà Cl Jm L Si H 4/He= 0,05 Ge H*/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He= O 005 Si H 4 +Ge H 4 = 50 couche couche B 2 H 6/He= 103 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4}= 3 xl O 0-3 0,18 5 1 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 Deuxième Si H,/He= 0,5 Si H 4 = 200 0,18 15 20
3 0,18 15 2
couche B 2 H 6/He= 10 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10-4 (Echantillon N o 603 B) o O -J t J 1 Pl U 4 ai w% c
T A B LE A U 9 B
-* Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisment (condition Rapport des débits décharge mation de c Ou seur de Constitution Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10 /s cuce des couches ii)IM Si H 4/He= 005 Ge H 4/Si H 41/10 Ge H 4/He= 0,05 Si H,+Ge H 4 = 50 Première 0,18 5 1 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) '=lxl O 5 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Deuxième couche Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge Ha= 50 0,18 5 19 B 2 H 5/He= 10 3 B 2 H$/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/10-5 Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 0,18 15 5 couche B 2 H 6/He 10 3 B 2 Hs/Si H 4-'3 X 10 I (Echantillon N 701 B) Co ol Ln Ln "I
b *s.
c II E cn
TA BL E AU 10 B
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseur Constitution Gaz employes ment (conditions Rapport des débits décharge mation de sou de couche des couches normale (cm 3/min d' tcoul pemnt W/c che(um 10 /s) (um) Si H 4/He-0, 05 Ge H 4/Si Hi = 3/10 Première Ge H,/He-0,05 Si H"+Ge H 4 = 50 O 018 5 1 couche B 2 H 6/He-10 's B 2 H 6/ (Ge H 4 +Si H 4)=-lx 10 Co NH 3 NH/ (Si H 4 +Si H 4)'3/100 Deuxième Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 couche Ge H 4/He-0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 NH 3/Si H 4 = 3/100 0,18 5 1 NH$ Troisième Si H 4/He-0,5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 3/100 couche
NH 3 0,18 15 1
B 211 s/He-10-3 B 2 H$/Si H 4 =lx 10 r 4 Quatrième Si H 4/He= 05 Si H 4200 B 2 H 6/Si H =x 110 4 couche 0,18 15 15 n B 2 H 6/He= 10 (Echantillon N 702 B) Io Lfn Ln Ln l A l A <' uemai Te 1 u TI Tlnpl a e (HT +H)/ú H uamtalno Dg,p si Tqap sap zaoddei en (IL Og 9 o uo T Tlueq O a) 0 c.' aqpnoz 61 5 T 810 O Oz="HTS S O =a H/e H Ts a/H Ts Ton, úHN 00 OOT/ú 8 ' aqonoo I 5 8 T'0 ={(HTS+He D)/t HN O So HSD+"H 1 S 50 '0 =a H/'Ha 9 em Txnua OT/E=w HTS/I Ha 9 500 =OH/ HTS
00 T/8 'Z
OOT/ú= ({HTS+HTS) /HN EHN
_ O Txú=( HTS+ 4 Ha D)/S Hfl 6-01 =OH/I 9 HZ I S 81 00 O S-t He D+t-HTS S O =H/Haaa D O OT/Cú't HTUS/t Ha D 50 '0 =OH/t HTS (UTUI (un 1) s/_ O o lr) aq: (Cme/M) iuumalno, p /,Em 3) (STULOU o Tda sono sep qalno D ap -no D ap UOT Iu eaaqp es Tqap sap 3 loddw I suo TI Tpuoo) luaeu z Oe O T Us T Uuoo anossled S -io; ap assal T ap aouess Tn _ -e Tno Dg,p #qq/i, q L fi y a Il a y 1 O ut o b Mn C Ca
T A B L E A U 12 B
Constitution Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisdes couches Gaz employés ment (condition Rapport des débits décharge mation de cou seur de normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4/s couche min) (Iu Lm) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H = 1/10 Première Ge H 4/He=O,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 O 5 couche B 21 c 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4) = 3 xl O NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100 % O Deuxième Si H 4 /He= 0,05 Ge H 4/Si H 4-l/10 couche Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 0 5 BgH 6/He= 03 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 Troisième Si H 4/He= 005 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 couche Ge H 4/He= 0,05 0,18 15 19
0,18 15 19
Quatrième Si H,4/He= O ? 5 Si H 4 = 200 0,18 15 15 couche __ _ _ (Echantillon N 802 B) w Ir'a o Ln Ln Wn c> w. t; Q
T A B L E A U 13 B
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseui Constitution ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou de couch des couches Gaz empoys normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4/s) (pm) mt n, ,,,, Si H 4/He= 0,05 I Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4-50 0,18 5 1 Premiere 01 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H&/(Ge H 4 +Si H 4)= 5 x 10-3 N 3 NHS/,3 NH (Ge H 4 +Si H 4) =l/100 % O Deuxième Sii 4 /He= 005 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Deuxième couche couche Ge H 14/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 1 B 2 H 6/He-103 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 5/10-3 Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 0,18 15 20
coce B 2 H /Hesl OB 2 H 2 H/Si H,= 2 x 10,,.
%O (Echantillon N 803 B) ra UI u L -.' Ln o.- 8-
TA B LEAU 14 B
Débit d'écoule Puissance Vitesse de for EpaisConstitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits de décharge mation de cou seur de des couches normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (m 14/s couche min) * __ _ _ _ _ _ __d'écoulement Si H 4/He= 0,05 Ge H,/Si H 4-3/10 Première Ge H 4/He-0,05 Si H,+Ge H 4-50 couche 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 10 3 B 2 Hs/Si H 4-3 x 10 NH 3 NH 3/Si Hk-3/100 % 2,83/ 100 Deuxième Si H 4/He= 0,5 NH 3/Si H 4 = 2,83/100 % O Deuxieme couche NH 3 Si H 4-200 0,18 15 20 B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H$/Si H 4-3 X 10 4 (Echantillon N 804 B) Le rapport des débits d'écoulement NH 3/Si H 4 a été réduit linéairement w O w rej Ln Ln Ln 0 % O 4 S
TA B LEAU 15 B
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gaz emloé ment (conditions Rapport des-débits décharge mation de cou seur de des couches Gzemployés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 104/ couche min) s) (m Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 Première Ge H 4/He 01 y 05 Si H 4 +Ge H 4-50 Première 0,8 5 1 couche B 2 H /He-10 B 2 Hs/(Ge H"+Si H 4)lx 10 l O O |NHS NH$/ (Ge H,,+Si H)= 3/l O 00,0 Si H{ 4/He= 0, 05 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Deuxième couche Ge H 4/He= 0,05 Si Hq+Ge H 4-,50 O 18 5 19 B 2 H&/He-10-3 B 2 H/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/105 Troisième Si H 4/He Si H = 200 couche -4 couche B 2 H 6/He-10-$ B 2 Hi/Si H-3 x 10,18 15 5 (Echantillon N 805 B) Le rapport des débits d'écoulement NH 3/(Ge H 4 + Si H 4) a été réduit linéairement %O
NI U 1
t Jm 0 % u W O_'-p u Ca c
TABLEAU 1 C
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gaz employés ment (condition, Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches normales)(cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4/s couche _ min) (UM) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 =ll Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 + Ge H 4 = 50 NH$/(Ge H 4 +Si H 4)2/100 0,18 5 3 couche NH 3 $, = Deuxième o couche Si H 4/He= 0,5 O Si H 4200 0,18 15 15 Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0,18 10 0,5 Couche (II)
C 2 H 4
l Cz H w Ln vi ul Ln us c ( 1
T A B L E A U 2 C
" Débit d'écoule Puissance Vitesse de for EpaisConstitution ment (condition Rapport des débits de décharge mation de cou seur de Gaz employés ',a des couches normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (Vm 10-4/s) couche min), (Vm) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4-l/10 Première couche Ge H 4/He-0 05 Si H 4 +Ge H 4-50 NH 3 /(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100 % O 0,18 5 5 NH, Deuxième Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 eme 0,18 5 1 couche couche Ge H,/He-0,05 c. Troisième couche Si H 4/He=O,5 Si H 4 = 200 0,18 15 15 D Oc Ln o L w>' Cr% Uà P. O cn
T A B L E A U 3 C
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseuz Constitution ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou de couch Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 104/s) (Pm) des couches min) i i_ _,,,,,_, Si H 4/He 1 e 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 4/10 Première Ge H 4/He-0,05 Si H 4 +Ge H If-50 N Hs/(Ge H 4 +Si H 14)-2/100 0, 18 5 2 couche N Hls v Hè Si H 4/He= 0,5 Si H 4-,200 NH 3/Si H 4 = 2/100 Deuxième couche couche NHI 0,18 5 2 o B 2 H 6/He= 10 S B 2 H 6/Si H 4 lx 10 5
, , , , _.
Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 02 H/He= 3 B 2 H/Si H 4 Xl O 0,18 15 15 B 2 H$/He= 10 B 2 H /Si H 4 '-'x 10 rlo ul Ln tn Ln 0 % tu e-
TAB L EAU 4 C
Echantillon N 401 C 402 C 403 C 404 C 405 C 406 C 407 C Proportion de Ge (% atomiques) 1 3 5 10 40 60 90 Evaluation O ( A O d: Excelle'nt O: Bon ': Pratiquement satisfaisant
TABLEAU 5 C
so CD ,i, , _, Echantillon N 501 C 502 C 503 C 504 C 505 C Epaisseur de couche 0,1 0,5 1 2 5 (um) __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Evaluation O O O À: Excellent 0: Bon na Ln Ln 0 % nu cn
TABLEAU 6 C
cn Débit d'écoule Vitesse de foi EpaisConstitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits Puissance de Vit de f ep des couches décharge aoe ( seurhe normales) (cm 3/ d'écoulement déchr che (pm 10 / couche min _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ (W/cm 2)) min) Ss) (um) Si H 4/He= 0,005 Si H 4/Ge H 4 =l/100 Première Ge H 4/He= 0,05 Ge H 4-50 NH 3 /(Ge H 4 +Si H 4 ≥ 2/100 0,18 5 2 couche a> Ni H 3 o Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 Ge H 4/Si Ht 4 = 50 % couche O 18 15 20 PH 3/He= 10-3 P Hs/Si H 4 =lx O l-' Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 Couche (II) 0,18 10 0,5
C 2 H 4
Lfl Ln Ln 01 % tu ul o U
TABLEAU 7 C
T A B L E A U 7 C
c .n Gaz employés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance de Epaisseur de Condition (conditions nor d'écoulement ou rap décharge couche (pm) males)(cm 3/min) port des aires (W/cm 2) Pastille Si et 12-1 C Ar 200 graphite = 1,5:8,5 0,3 0,5 12-2 C Ar 200 i 03 0,3
= 0,5:9,5
12-3 C Ar 200 si 0,3 1,0 = 6:4 12-4 C Si H 4/Hel Si H 5 Si H 4:C 2 H 4 0, 18 03 12-4 C Si H 4 = 15 ' 0718 0)3
C 2 H 4 = 0,4:9,6
I } 12-5 C Sil 14/He= 0,5 Si H:C 24 018 15 12-C C Si H 4 = 100 0718 1 H 5
C 2 H 4 5:5
12-6 C Si 14 /He-0,5 Si H 4 +Si F 4 = 150 Si H 4:Si F 4:C 2 i 4 0,18 0,5 12-6 C Si F 4/He= 0,5 =,5:1,5:7 Si H 4/He-0,5 Si II 4:Si F 4:C 2114 12-7 C Si F 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 = 15 0,18 0,3
= 0,3:0,1:9,6
C 2 H 4,
Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 = 150 Si H 4:Si F 4:C 214 15 12-8 C Si F/He== 3:3:4
C 2 H 4
o O r N vi uo LM Uà
TABLEAU
8 C Conditions de préparation pour la Echantillon N couche (II) évaluation
12-1 C 12-10 C 12-601 C
12-l C 4 o I o I olo l
12-2 C - 112-102 C 12-602 C
" o lo I ol 12-3 C j 112-103 C l 12-603 C I 12-3 C 12-1 I -o I o O J-T 124 c l 2-:04 c l 12-604 C
12-105 C 12-604 C
12-4 C J _,
12-6 C 12-106 C l 12-606 C )1 ' i', I 'ó I ' @ l " 1
1 12-107 C I 12-607 C
12 ol C O 10 o I'o'
12-8 12-108 C 12-608 C
_ _ O Io I O io I Echantillon N Evaluation globa Evaluation de le d'image durabilité Evaluation standard: o O Excellent Bon t-J Ai 1 Cn
TABLEAU 9 C
Echantillon N 1301 C 1302 C 1303 C 1304 C 1305 C 1306 C 1307 C Cible Si:C (rapport des 9:1 6 5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 aires) _ i Si: C (rapportdes teneurs) 9,7:0,3 8,8:12 7,3:2,7 4,,8:552 3:7 2:8 0,8:9,2 des tencurs) Evaluation de qualité d'image O O O
*A O ()) O
o t"J : Très bon O: bon x: défaut d'image formé /%: suffisamment utilisable en pratique r%) Ln ul uà 'n w u'a Lr% u'l <'J piu iog agem-r, p:jne"G 'X, anb Tl Pad ue eqes TI Tn luemmes Tjjns: V uoq:0 uoq spil:0 o cr- 0 ' 0 a 2 vmi, p ___:T Ienb ap uo Tien Ie AS (sanaua E'6:8 O 8 8:Z* 8: Z L:U 9:Y s'g:S's ú:L I:6 sep ziodde/) D: IS -elno Dgp s,'qq sep 8 '6: 'O ç 596:çúào S'6 ': O 6:1 8:Z 9 P:g :9 r:6 Pioddei) 1 Hz D: qtt TS D 8 O Pl DLO Pl D 9 O 91 DSOI DPO O T DE 00 T D 0,r O q o Tour N UO Th I Ueqz s DOL fi y II y ta -.4 tn cq O 1 Ns cn' O.J c, (> 1 (n
TA B LEAU 11 C
, Echantillon N 1501 C 1502 C 1503 C 1504 C 1505 C 1506 C 1507 C 1508 C Si F 4:Si F 4:C 2 H 4 (rapport des dé 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0, 4:9 0,2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 0,1:0,1:9,8 bits d'écoulement Si:C (rapport des teneurs) 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9 2 Evaluation de qualité d'image O O x o Cà: Très bon O: Bon A: satisfaisant pratiquement x: Défaut d'image formé
T A B L E A U 12 C Echantillon Epaisseur de Résultats No couche (II) (Pm) 1601 C 0,001 Défaut
d'image susceptible de survenir 1602 C 0,02 Pas de défaut d'image pendant 20 000 répétitions 1603 C 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions 1604 C 1 Stable pendant 200 000 répétitions N Ln Ln 0 % u W E. un
TABLEAU 1 D
Débit d'écouleConstitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits des couches normales)(cm'/ d'écouelment ______________ min) Si H, /He-0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 couche 3 Bz HB/He= 10-3 B 2 Hs/(Ge HB+Si H 4)= 3 xl O-s o 1 NH$ NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) -3/100 Deuxième Si H 4/He= 05 Si H 4 = 200 Si H 4/He= O ?,5 Si H 4100 l Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 Couche (
C 2 H 4
o en' ru Ln Ln Ln os Uà bo a en
T A B L E AU 2 D
I l l,, I I _ II f Constitution des couches Gaz employés Débit d'écoulenent (conditions normales) (cm 3 Rapport des débits d 'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de tormation de couche (gm 10 s)/ Epaisseur de couche (,,m% _ _ _ t u^Lz Z i t -Y _, _tm,IL 1 Première couche Si H 4/He= O > 05 Ge H 4/He= 0,05 B 2 Hs/He= 10-3 Si Ht+Ge H 4-50 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/10-3 0,18 H U - n NH 3 NHI/(Ge H 4 +Si H 4)-3/100 Deuxième Si H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4 +Si H 4 =-1/10 couche,18 5 19 Ge H 4/He-0, 05 I l, t Troisième couche Si H 4/He 0, 5 Si Hk-200 0,18 __________ ____________ 1 i L u un w. CA
TA B LEAU 3 D
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisiment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de Constitution Gaz employés normales) (cm 3 o/ d'écoulement c) ( des couches min) (W/cm 2) minp) Si H 4/He= 0,05 Si H 4/Ge H 4 =l/100 Première Ge H 4/He= 0,5 Ge H 4 = 50 couche 0,18 5 2 o _" B 2 H 6/He= 10-' B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 5 xl O 0- 3 Q; U NH 3 NH/ (Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 Deuxième Si H 4 /He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 0118 15 20 B 2 H 6/He= 10 B 2 H 6/Si H 4 = 2 X$ 01 r U n Ln 0 % Uà ra c un
TABLEAU
4 D
,, , __
Echantillon N 401 D 302 D 403 D 404 D 405 D 506 D 407 D 408 D ,,,, Ge H 4/Si H 4 (rapport d Ges H déb Sit Hdréapport 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 des débits d'écoulement) Teneur en Ge (% atomiques) 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 Evaluation, O O : Excellent O: Bon
TABLEAU 5 D
,, ,, _, ,
Echantillon N 501 D 502 D 503 D 504 D 505 D 506 D 507 D 508 D Epaisseur de couche O,0030 pm O,0500 pm 0,lpm 0,3 pin O,8 m 3 u 4 m Spm Evaluation O O O O o @: Excellent O S Bon Z": satisfaisant pratiquement 1 %> Ln Ln Un 0 % tu 1-*
TABLEAU 6 D
Débit d'écoule Puissance de Jitesse de for EpaisPuissance de Eas Constitution Gaz employés ment (conditions prt des débits décharge natn de cou seur de Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 5/10 Première Ge H 4 a/He0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 _e couche 0,c 1 a 8 5 2 H B 2 H 6/He= 10 B 2 HS/o Ge H 4 +Si H 4)e 5 xl O a> NHS N Hi,/(Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 c Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 200 8 5 BPH/He= 10 ' BPHH/Si H'4 = 9 X+ 5 xl O Si H 4/He= 0,5 Si Hk= 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 Couche (II) 0,18 10 0,5
C 2 H 4
(Echantillon N 601 D) o o rlo ul Ln Ln I 0 % U 1 en
TA B LEAU 7 D
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de foz EpaisConstitution ment (condition Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gaz employs normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (Vm 10-4/ couche mink s) (sm) Si H 4/He-0,05 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 Première Ge H 4/He 00,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 H couche 0,85 l couche B 2 Hc/He-10 '3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)> 8:x 10-4 3 NH 3 NHI/ ({Ge H 4 +Si H 4) 1/100
:s 11,, -.
Q Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 200 couche 0,18 15 5 PH/He-103 PH$/Si H 4 =-1 xl O O 5 Couche (II) Si H 4/He-0,5 Si H 4-100 si H 4/c 2 H 4 = 3/7 0,18 10 0,5
C 2 H 4
(Echantillon N O 602 D) -O ri 'n vi 0 a bd
TABLEAU 8 D
c cn Débit d'écoule Vitesse de forPissance de mto e Eas Constitution ment (conditions Rapport des débits Puissane mation de cou Epaisdes couches Gaz employés normales) ( tcm 3/ d'écoulement décharge che (Vm 104/ seur de mdé e (W/cmi)) couche (pi Si H 4/He= 0005 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si Ha,+Ge H 4 = 50 H couche 0,18 5 1 couc B 2 H 6/He= 10 3 B 2 H/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O-3 18 5 1 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100 o Deuxième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 0,18 15 20 B 2 H 6/He= 10 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10-4 Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 Couche (II) 0,18 10 0,5 (Echantillon N 603 D) 1) r> o.b 0 w Wl
TABLEAU 9 D
TABL EAU 9 D
l;I cn Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for Epaisseui Constitution ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou de couch des couches Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10 4/s) (pm) _ min) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 Première Ge H 4/He= O 05 Si H 4 +Ge H,-50 couche 0,18 5 1 cuh B 2 /H 10 B 2 H 6/He 103 BH 6 (Ge H 4 +Si H 4)=lxl O 05 _H NH 3 N Hs/ (Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 Deuxième Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 =l/10 couche o Ge H 4/He= 0,05 Sl H 4 +Ge H 4 = 50
0718 5 19
B 2 H 6/He= 10-3 B 2,1/(Ge H 4 +Si H 4)=lxl O 1 Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 0, 18 15 5 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 HI/Si H-3 x 10 018 15 5 (Echantillon N 701 D) m rui LM Ln n w ii c
TA B LEAU 1 OD
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gzepoé ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 104/ couche min) s) (am) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H,= 3/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4,-50 couche O 18 5 1 cuh B 2 HH/He-10-3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)=lx 10-s NH 3 NH 3/Si H 4-3/100 Deuxième Si H /He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 couche Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4-50 NH,/Si H,= 3/100 O 018 5
1
NH 3 Troisième Si H 4/He=O,5 Si H 4-200 NH,/Si H 4 = 3/100 couche
NH 3 0,18 15 1
B 2 H 6/He= 10 ' B 2 HS/Si H 4-lxl O-4 Quatrième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 B 2 He/Si H 4 =lx 10-4 couche O 018 15 15 _B 2 H(/He= 10-3 _ (Echantillon N 702 D) -à Lnl Ln 0 c Ul rn S
TA B LEAU 11 D
Débit d'écoule Vitesse de for Epaisment (conditions Rapport des débits ssance e ation de cou seur de Constitution Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cme) che (pm 104/s) couche des couches min) (W/cm m) _ _ (um Si IH 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He-0105 Bi Hl+ Ge H 4-50 couche 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 10-3 B 2 HS/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O-3 NH 3 NHS/ (Ge H 4 +Si H 4) = 3/100
% 2,83/100
Deuxième Si H 4/He= 005 G 2 H 4/Si H 4 = 3/10 couche couche Ge H /He= 0, 05 Si HN+Ge H 4 = 50 NH /(Ge H 4 +Si H) O 184 O 18 5 1 u: 2,83/1000 NHS Troisième couche SIH 4/He-0 05 Si H 4-200 0,18 5 19 (Echantillon N 801 D) Le rapport des débits d'écoulement NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) a été réduit linéairement Ln Un Un uw c. C an
T A B L E A U 12 D
Débit d'écouleConstitution Gaz ment (conditions Rapport des débits des couches Gaz employés normales) (cm/ d'écoulement min) Si H 4/He= 0705 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Ge Ha 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Première couche B 2 H$/He= 10-3 B 2 H 6 S/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 NH 3 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/1000 O Hi Deuxième Si H 4/He= 005 Ge H 4/Si H 4 =l/10 _Deuxième couche Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 o B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 Troisième Si H 4/He= 015 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 41 =/10 couche couche Ge H 4/He= 0,05 Quatrième couche Si H 4/He=Op 5 Si H 4 = 200 -à Ln r Il. U 1 t JA Ln..% o M w (Echantillon N 802 D) b> c Oc
T A B L E A U 13 D
_ Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Ga epoé ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gaz employés normales) (cm' d'écoulement (W/cm 2) che (im 1 4/ couche ___ ___ __ _,_ _ ra in) (u) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Première Gi H /He= 1,05 Si H 4 +Ge H 4-50 couche 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 10 3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 5 x 10-3 _H I 4 NH 3 NH /(Ge H 4 +Si H 4) =- 1/ 11000 o a Deuxième Si H 4,/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 couche Ge H 4/He=O,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 1 B 2 Hs/He= 10 3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 5 x 10 3 Troisième Si H,4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 018 15 20 B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/Si H 4 = 2 x 10-4 (Echantillon N 803 D) o t Ln Un IF, Ln 0 w M
TA B LEAU 14 D
c cn Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (m 104 des couches min) _______ ____ 0-4 ____ couche min)s cuh (urn)Si H 4/He= 0205 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4,= 50 Première 0,18 5 1 couche B 2 H,/He= 10-$ B 2 Hs/Si H 4-3 x 10 3 a 3 NH$ NH /Si H 4 = 3/100 2,83/100 o 8 Dx Si H 4/He-0,05 NH$/Si H 4 "-2 p 83/100 % O < Deuxième couche NHS Sil H 4200 0,18 15 20 B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H,/Si H 43 xl O 4 (Echantillon N 804 D) Les rapportsdes débits d'écoulement NH 3/Si H 4 ont été réduits linéairement -J tn Ln on 0 % Uà cb c Cil
TAB L E A U 15 D
Vitesse de for Epaiss n Débit d'écoule Puissance de mation de cou seur de Constitution Gaz employés ment (conditions Rapport des débits décharge che (_m 104 c h O cuh des couches Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement coue min)m _ (us) Si H 4/He= 0,05 Ge H/Sil /10 Première Ge H 4/He=O,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 couche 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 108 B 2 H$/(Ge H 4 +Si H 4)=xlx 105 NH, N Hs/(Ge Hk+Si H)-3/100 '0
H __ _ _ _ ___ _ _ _
Si H 4/He=O 005 Ge H 4/Si H 4 = 1/10 Deuxième couche Ge H 4/He-0,05 Si H 4 +Ge H 4-50 0,18 5 19 o o B 2 H 6/He,10 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)'Xl O 5 ' Troisième Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche 0,18 15 5 B 2 Hs/He-10-s B 2 H /Si Ha-3 x 1 O 4-_ (Echantillon Ne 805 D) Le rapport des débits d'écoulement NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) a été réduit linéairement co Ln tn n w UM O t M VI o O c
TAB L EA U 16 D
Gaz employés Débit d'écoulemen Rapport des débits Puissance de d Condit Gzieploés (conditions nor d'écoulement ou rap décharge (W/cm couche (pm) Condition dhrg W/m couche (iim) males) (cm 3 l/min' rapport des aires 121 D Ar 200 pastille Si: 0,3 05 raphite = 1,5:8,5 0,3 0,5 pastille Si: 122 D Ar 200 graphite = 0,5:9,5 0,3 0,3 pastille Si: 12-3 D Ar 200 graphite = 6:4 0,3 12-4 D Si H 4/He= 1 Si H 4 = 15 Si H 4:C 2 H 4 O 018 0,3
C 2 H 4 = 0,4:9,6
12-5 D Sii 4/He= 05 Si H= 100 Si H 4:C 2 H 4 0,18 175
12-5 D 01 C 214 5:5
12-6 D Si H 4/He= 0,5 Si HI 4 +Si F= 150 Si H 4:Si F 4:C 2 H 4 0,18 O 5 Si F 4/He= 0,5 = 1 5 15:
C 2 H 4 =_ 5:7
Si H 4/He= 0,5 Si H 4:Si F 4:C 2 H 12-7 D Si F 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 = 15 = 0,3:0,1:9,6 0518 3
_ _ _ _ _ _ _ _ C 2 H 4 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
12-8 Si F 4/He= O 5 Si H 4 +Si F 4 = 150 Si H Si F 4:C 2 H 018 1 5 12-8 D Si F 4/He= 0 5 = 3:3:4
_________ C 2 H' _ _ _ _ __ _ _ _ _ __= 3:3:4
aj Ln n Ln cs wa
T A B L E A U 17 D
15 20
Condition de pré Echantillon N /évaluation paration pour la couche (II)
12-401 DI 12-701 D 12-801 D
12-1 D
O 1 I-O i '0 I O 1 o l o i
12-402 D 12-702 D 12-802 D
12 -2 D, o o I I 12-403 D i 12-703 D 12-803 D
12-3 D O O O I O
12-404 D I 12-704 D 12-804 D
12-4 D I
12 __D _ 12-405 D 12-705 D 12-805 D
_ _ _ _ _ @ I @ @ I
12-406 D | 12-706 D 12-806 D
12-6 D ) JI
12-407 D T 12-707 D 12-807 D
12-7 D o O 0 O to OI I 12-4 o 08 D 12-708 D 12-808 D12-8 D |O O O o 1,o ol Ioto O Echantillon N Evalution glo Evaluation bale d'image de durabilité Evaluation standard: O Excellent O Bon b" n ABLEAU 18 D T-A BLllÈt EAU 1 D bc Echantillon N 1301 D 1302 D 1303 D 1304 D 1305 D 1306 D 1307 D Cible Si:C (rapport des aires), 91 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0, 2:9,8 Si:C (rapport 9,7:0,3 8,8:1 P 2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 des teneurs), Evaluation de qualité d'image O X t) : Très bon O: Bon x S Défaut d'image formé A: Suffisamment utilisable en pratique M Ln 0 % en tan c CA
T A B L E A U 19 D
Echantillon N 1401 D 1402 D 1403 D 1404 D 1405 D 1406 D 1407 D 1408 D Si H 4:C 2114 (rapport 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 O 5:9,5 0,35:9,65 O 2:9 8 jes déits d'écouS i: C (rapport des teneurs) 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 172:818 0,8:9,2 Evaluation de qualité d'image @ O X M : Très bon O Bon A: Suffisamment utilisable en pratique X<: Défaut d'image formé "* Ln Ln 0 % w ci
T A B L E A U 20 D
Echantillon N 1501 D 1502 D 1503 D 1504 D 1505 D 1506 D 1507 D 1508 D _,, , Si I 14:Si F 4:C 2 H 4 (rapport des dé 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 016:0:4:9 O J 2:0,3:9,5 0,2:0,15:9,65 01:0,1:9,8 bits d'écoulement Si:C (rapport des teneurs) 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 Evaluation de A qualité d'image / O O X t O w O O: Très bon O: Bon A-' Satisfaisant pratiquement x: Défaut d'image formé
T A B L E AU 21 D
Echantillon Epaisseur de N couche (II) (Pm) Rsultats 1601 D 0,001 Défaut d'image susceptible de survenir 1602 D 0,902 Pas de défaut d'image pendant 20 000 répétitions 1603 D 0,05 Stable pendant 50 000 répétions 1604 D 1 Stable pendant 200 000 répétitions r 17 vui o-' w i-
TABLEAU 1 E
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for -EpaisConstitution Ga l ment (conditions Rapport des débits smation de cou seur de des couches az empoys normales) (cim 3/ d'écoulement dcarge che (gm 104/ couche min)_ (W/cm') ()m) Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 1/1 Première H couche Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 N Hs/(Ge H 4 +Si Hl)= 2/100 0,18 5 3 a≥ NH 3
U 1, " _ _
=o Deuxième U couche Si H 4/He= 0,5 Si H 4-200 0,18 15 15 Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/NO=l Couche <Il N 0,18 10 0,5 NO N ru Ln Ln 0 U Wà G
TABLEAU 2 E
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de fr-EpaisConstitution ment (conditions Pisned ies eo-Eas Constitution Gaz employés ment (onditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches normales) (cm 3/in) d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4 couche _ __ min) _ __s)/(m Sil I 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H =l/10 Première Ge H,/He= 005 Si H"+Ge H 4 = 50 NHI/(Ge H%+SJH 4)= 3/100-0 0,18 5 5 couche N Hs Deuxie Si H 4/He= O 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 l/10 :3 couche H/H=/0 O o couche Ge Hr 4/He-0,05 Troisième Si H 4/He= O m 5 Si H*'-200 0,18 15 15 couche O, 81 r%> Ln Ln o' w p a cn
TA B LEAU 3 E
I Constitution__ Débit d'écoule Puissance de Vitesse de fo Epaisdes couches Gaz employés ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 104/ co(ch _min) _ (cmh Ge H 4/He 0,5 Ge H 4-50 N Hs/Ge H 4 M-2/100 Première O 8 5 2 couche NH 3 ii,, _ i , _ ii 1 i _ H Deuxième Si H 4/Hle= 0,5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4-2/100 couche N so _ couche NH, 0,18 15 2 ug B 2 H 6/He-10-J Ba Hs/Si H 4-l Xl O S Troisième Si H 4/He-0 = 5 Si H 4 = 200 couche O 18 15 15 B 2 H</He" 10 l B 2 H 6/Si H 4-lx 105 s _ ii i _ _,, , r%) ul Ln n ui w% c
T A B L E A U 4 E
Echantillon N O 401 E 402 E 403 E 404 E 405 E 406 E 407 E Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomiques) Evaluation O _ O / O: Excellent O: Bon g 2: Pratiquement satisfaisant -J
T A B L E A U 5 E
Echantillon N O 501 E 502 E 503 E 504 E 505 E Epaisse r de couche O 1 O 5 1 2 5 (vlaiom, _ l l Evaluation O O O O _ O Excellent O: Bon Do Ln Ln Gs Uà P" Pcn
TABLEAU 6 E
Débit d'écoule-;itesse de for EpaisConstitution Puissance denation de cou seur de des couches |Gaz employeés ment (conditions Rapport des débits décharge he (m 104/ couche Min) __ _ __ _ __ _ __ _ __ _ __m__ _ __ _ S__ __ _ _ (__ m)Si H 4/He= 00 d 5 Ge H 4/Si Ha 4 = 4/10 Première Ge H 4/He-0, 05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 2/100 0718 5 2 couche NH 3 S Deuxième i H 4/He= 0,5 Si H= 200 15 20 icouchre GPH/He= 1003 PH 3/Si H 4 = 1 x 2 O 018 Couche(II 05 10 0,5 NO. Ln Ln 'à, vi os ui
T A B L E AU 7 E
Débit d'écoule Rapport des débits Conditions, Gaz employés ment (condition d'écoulement ou Puissance de Epaisseur de lormales nrapport des aires décharge (W/cm 2 couche (zm) il-l E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) pastille Si 3 0,5 Si O 2 = 1:3 O 0,3 0,5 11-2 E Ar (NO/Ar) 200 ( 111) pastille Si: 03 03 Si O 2 = 1:60 11-3 E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) Spil 164 0:3 Si O 2 = 6:4 O 31 11-4 E Si H 4 /He 1 Si H 4 = 15 Si H;:NO O,18 O 3 Si H 4/He= 0, Si HI 4 -NO = 5:1 11-5 E Si H 4/He= 0,5 Si H= 10 O Si H 4:NO 0,18 1,5 il-5 NO Si H 4 = 100 0718 5
NO:= 1:
Si H 4/He-= 0,5 -150 Si II 4 Si F:NO 11-7 E S F,/fle=-,5 Si H 4 +SI-15 4 0,18 0,3
NO = 2,1 _ 4
11-8 E Si HP/He= 0,5 Si I 4 +Si F 4 Siif,:Si F 4:NO O 18 5 Si F 4/11 e= 0, 5 = 150 = 1:1:3 NO t % O r La Ln Ln 0 % ui U 1 o
TABLEAU 8 E
15 Condition de pré paration pour la Echantillon N /évaluation i couche (Il) i ll-l E 11-201 E 11-301 E 11-601 Ej 11-IE _ O 10 1 O 1 O 1 O i 0, 11-2 E 11-202 E, 11-302 E 11-602 E
11-2 E
o iotl io o t o i 11-3 E s
11-3 E 1-203 E, I-33 11-603 E
____o,,tt Ol_ ol o j
11-4 E | 11-204 E 11-304 E 11-604 E
_I@ _ ____ _ _ _ l@ t@ ll-SE J 11-205 E 11-305 E 11-605 E ______ i i 1 @ 1 @ 62 1 i 11-6 E t 11-206 E 1-306 E 11-606 E
11-7 E _ 11-207 E 11-307 E 11-607 E
11-8 E | 11-208 E 11-308 E 11-608 E
11 8 _ I O I 5 J OT Iio Echantillon N , l Evaluation de Evaluation de qualité d'image durabilité Evaluation standard: O Excellent O Bon O t' Un
T A B L E A U 9 E
un Echantillon N 1201 E 1202 E 1203 E 1204 E 1205 E 1206 E 1207 E Si:5102 9:1 6,5:3 ',5 4:10 2:20 1:100 1:100 1:100 (rapport des aires) (rapport des aires)01) (/1) /) ( 1/1) ( 2/1) ( 3/1) ( 4/1) (NO/Ar))_ _ _ _ _ _ __ __ _ _ S :O (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7 3:2,7 5,0:5,J O 4,5:5; 5 4:6 3:7 teneurs) Evaluation de qualité de l'image O X
_ _,
w (: Très bon 0: Bon L: Suffisamment utilisable en pratique X: Défaut formé d'image ni un 0 % o uw eni c
TABLEAU
E Echantillon N 1301 E 1302 E 1303 E 1304 E 1305 E 1306 E 1307 E Si I 4:NO (rapport des débits 1000:1 99:1 5:1 1:1 1:2 3:10 1:1000 d'écoulement) ' Si:O (rapport 9 9999: des teneurs) 9,9:0,1 9:1 6:4 5:5 3,3:6,7 2:8 0 e 0001 y Evaluation de qualité d'image w @: Très bon O: Bon A: pratiquement satisfaisant X: Défaut d'image formé r%) Ln ui %; 1 wu c ci
TA B LEAU 11 E
Echantillon N 1401 E 1402 E 1403 E 1404 E 1405 E 1406 E 1407 E Si H 4;Si F:NO (rapport des débits 5005400:1 50:50:1 55552 5:5:10 11 l:4 3:3:20 1:1:2000 d'écoulement) _ si.-o (rapport des 9,99983 teneurs) 0 0002 9, 8810 881 -63-e p 149356,,:7, Evaluation de qua lité d'image A O ) O X / à w w a Très bon O: Bon A: Pratiquement satisfaisant X: Défaut d'image formé rf Ln Ln ON n os
TABLEAU 12 E
15 Echantillon Epaisseur de la N deuxième couche (II) sutas Défaut d'image suscep1601 E 0,001 tible de survenir Pas de défaut d'image 1602 E 002 pendant 20 000 répé.titions Stable pendant 50 000 1603 E 0705 répétitions 1604 E 1 Stable pendant 200 000 répétitions Un e-
TABLEAU 1 F
r W T l 74 ccc ii frl __R'
X I llitese: de fn Rnnis-
Constitution des couches Débit d'écoulement (conditions normales) (cm' m 4 N Gaz employés Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) mation de c uche (pm 10 / s) seur de couche (um) __T
__ _ C L _I ________________,_ '
Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Première 0,18 5 1 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10-3 NHS NH 3/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100
_ _,__,
H c ai o c-, = O w Ln Deuxième Si H 4/He= 0 5 Si H 4 = 200 0,18 couce Si IH 4 /Iie= 0, 5 Si H 4 = 100 Si H /NO=l 0,18 0.5 Couche (II) NO _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ J I _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 1 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ i _ _ _ _ _ _ _ _ _ PO Ln L.A U; 1 uo w ú
T A B L E A U 2 F
Débit d'écoule issance Vitesse de for EpaisConstitution ment (conditions Rapport des débits Puissance mation de c u seur de Constitution R a p p o r t d e S dbits de décharge s Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement dche (pm 10 couche -des 'Couches (W/_min) W S (uml -,, Première couche Si H 4/He= 0105 Ge H 4/He= 0,05 B 2 H 6/He-10 '-3 Si H +Ge H 4 = 550 Ge H 4/Si H 4-1/10 0,18 ow a" B 2 H/ (Ge H 4 +Si H 4)= 3 x 10 3 NH,/ (Ge H&,+ Si H 4)= 3/100 H g u J M U - &l&J 3 W S i H/He= 005 H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4 +Si H 4 =l/10 Deuxième 0,18 5 19 couche Ge H 4/He= 0505
_ _ 5
Troisième couche Si H 4/He= 0 5 Si H 4-200 0,18
I _ _
Ul "n Ln LA 0 w Uà a-
T A B L E A U 3 F
Débit d'écoule 'Vitesse de for EpaisConstitution ment (conditions Rapport des débits Puissance de imation de cou seur de des couches Gaz employé normales) (cm/ d'écoulement décharge che (gm 1 04 (W/cm 2)) couche Hmin) s) Sm Ge H 4/He= 0,05 Ge Hi= 50 H Première B 2 Hs/He-10-3 B 2 Hs/Ge H 4 = 5 x O l 0,18 5 2 couche > NH 3 _ N Hi/Ge H 4 = 1/100
àS Si H 4/He-0,5 Si H 4 = 200.
Deuxième 15 20 couche B 2 HS/He-10-$ B 2 Hs/Si H 4 " 2 x 10,18 j rg Ln 0. x 0 Dl cn c
TAB L E A'U 4 F
Echantillon N 401 E 402 E 403 E 404 E 405 E 406 E 407 E 408 E ii,, m, i, d Ge Hs +Si Hs (rapport 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 des débits d'écoulement), _ __,_ Teneur en Ge (% atomiques) 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (%atomiques) ,i t J l,, Evaluation O O O : Excellent O S Bon
TABLEAU 5 F
Echantillon N 501 E 502 E 503 E 504 E 505 E 506 E 507 E 508 E Epaisseur de couche 0,003 pm D,0500 Pm Oylum 0,3 pm 0,8 3 um 4 im 5 Pm (urn), '_ Evaluation O O O O O O -à Co @s Excellent 0 S Bon : Pratiquement satisfaisant rg u Ln wa Cilé c <Jn c
TABLEAU 6 F
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Débit d'écouleConstitution décharge mation de cou seur de des couchs Gaz employs ment (conditions Rapport des débits (W/cm 2) che (Im 104/ couche descoucinormales)(cm 3 d'écoulement S) Si H 4/He= 0705 Ge H 4/Si H 45/10 Première Ge H 4/He=O,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 2 Première 01 _ couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 HG /(Ge H 4 +Si H 4) = 5 x 10-3 à 8 Nils NHS / Ge H 4 +Si H 4)= 1/100 c) _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ o Si H 4/Hle= 0, 5 Si H 4 = 200 Deuxième 018 15 20 couche PH 3/He= 10 3 PH 3/Si H 4 = 9 x 10-5 w %.0 Si H 4/He= O 5 Si H 4 = 100 Si H 4 /NO=l 0,18 0,5 Couche (II) NO
_ _
(Echantillon N 601 F) r%) Ln Ln os w 1- cn
T A B L E A U 7 F
, Débit d'écouleConstitution ment (conditions Rapport des débits des couches Gaz empoys ormales)(cm 3/ d'écoulement _______ min) Si H 4/He= 0, 05 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Première Ge H 4/He O,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 O couche "couche B 2 H 6/He= 10 l B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 8 Xl O 4 NH 3 NH 3/ (Ge H 4 +Si H 4) = 1/100 o U Deuxième Siti 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 couche PH 3/He= 10-3 PH /Si H 4 =lx O 5 Si H,/He= 075 Si H 4 = 100 Si H 4/N O =l Couche I I) NO (Echantillon N 602 F) I o. O réa un ui w S
TABLEAU 8 F
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gaz employés ment (condition Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (sm 104/ couche ___________ min) _ s) (Um) Si H 4/He-0,05 Ge Hk/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He-0,05 Si H +Ge H 4-50 couche 0,18 5 1 _h Ba Hs/Hem-10 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 x O l U Ni 13 NH 3 I/(Ge H 4 +Si H 4) = 3/100 o. 0 l 8 15 20
U S ili 4 /lie= O, 5 Si H 4 = 200.
Deuxième 0, 18 15 20 couche B 2 H 1/He-10-' B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10 Si IH 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/NO=l Couche (II) 0,18 10 0,5 NO (Echantillon N 603 F) M rl ut L LM Ln 0 % w a-.
TA B LEAU 9 F
"Débit d'écoule vitesse de for Epaisment (conditions d éissance de mation de cu seur de Constitution Gaz employés Rapport des débits décharge e des couches Gaz employés 'normales) (cm 3 d/échag che (vm 10 / couche Constuio cuche d 'écoulement (W/cm 2) min) S) (Bm) _ i, ,,,, Si Ha/He=O 005 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Première Ge H 4/He-0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Première 501 couche B 2 Hs/He= 10-3 B 2 Hs / (Ge H 4 +Si H 4 '-1 x 105 H NH il N Hsi/ (Ge H 4 +Si H)-3/100 Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4-1/10 Deuxième couche Ge H 4/He-0 '05 Si H, Ge H 4-m 50 0,18 5 19 B 2 Hs/He-10- 3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H>)-lxl O s Troisième Si Ha /He= 0,5 Si HI-200 couche B 2 H,/He-l O 3 B 2 H/Si 43 xl O-4 8 15 5 (Echantillon N* 701 F) Pa IN en t:,' b 0 % Ud O $-à cn
T A B L E A U 10 F
c u 1 Débit d'iécoule Puissance d Vitesse de fo EpaisCon titution Gament (condition Rapport des débits décharge mation de c Ou seur de des couches Gaz employes normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm) he (m 10-/ couche des couchesmi) ______________ (Wc) ch(m O Ioue __._n s) um Si H 4/He= 0,05 Gei H 4/Si H 4 = 3/10 Première Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 couche B 2 H/He 10 BH 5 0,18 5 1 B 2 H 6/He= 10 _ 3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)=lxl O 05 NH 3 NH 3/Si H = 3/100 Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 14 = 3/10 Deuxième couche Ge H 4/He= O 005 Si H+Ge H 4 = 50 N Hs/Si H 4 = 3/100 0, 18 5 1
G>O NH 3
3 Troisime Si Hi/He= 0,5 Si H 4 = 200 NH 3/Si H 4 = 3/100 couche coce NH 3 l 0,18 15 1 Bz H /He= 10 9 B 2 H 6/Si H 4 =lx 10-4 Quatrième Si H/He= O 5 Si H 4 = 200 B 2 H 6/Si H 4 =lx O l couche O H/He 018 15 15 B 2 H 0/He= 10-_ _ _ _ __ O F (Echantillon N 702 F) w ru u L Ln -.,à Un cr w t. C O n
TA B LEAU 11 F '
D'6 Débit d'écoule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution Gaz el ment conditions Rapport des débits décharge mation de c seur de des couches normales) Rc d'écoulement (W/cm 2) che (PM 10/ couche Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Ge H 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Premiere 0, 18 5 l couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl 0-3 NH, NHS/(Ge H 4 +Si H 4)= 3/100
2,83/100
Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 4 = 3/10 Deuxième couche Ge H 4/He-0,05 Si Hk+ Ge H,= 50 NH /(Ge H 4 +Si H 4)= O 18 5 1
2 83/100 % O 0,18
c-> o NH 3 Troisième couche Si H/He= 0,5 Si H%-200 0,18 15 19 (Echantillon N 801 F) Le rapport des débits d 'écoulement NH 3/(Ge H 4 + Si H 4) a été réduit linéairement Z N Ln Ln 0 % W b- (A
TABLEAU 12 F
Débit d'écoule Puissance de Vitesse de foa EpaisConstitution ment (conditions Rapport des débits décharge mation de cou seur de des couches Gaz employés normales) (cm/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10-4/ couche min) _, s) (pm) Si I 4/lie= O O,05 Ge H 4/Si H 4 =l/10 Première Ge II 4/He=-0,05 Si H +Ge H 14 = 50 couche 0,18 5 0,5 couche B 2 H/He= 10-3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O 3 0,18 5 0,5 Nil NH 53/ {Ge H 4 +Si H 4)= 3/100 O Si I 14/He=O 05 Ge HU/Si H,= 1/10 Deuxième couche Ge H 4,/He= 0, 05 Si H,4 +Gei 14 = 50 0,18 5 015 ot B 2 H 6/He= 10 3 B 2 Hs/(Ge H 4 +Si H 4)= 3 xl O 3 Troisième Si I 14/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 Ge H 4/Si H 4 =l/10 couche O 18 5 19 Ge H 4/He= O,05 I ' Quatrième couche Si H 4/He= 0,5 Si H= 200 18 15 5 0,18 i 1 Ln ra) Ln.i. 0, ul t-n o w (Echantillon N 802 F) m Lnl Lle Ln I % Ur' (AE 08 e N UOTTT Uan 3 a)
T I I I T I
fi-OIXZ-%HTS/l Ha T 8 T'0 t -olm OH/t"Hz e s O-0 H/ Htus g; O al/e l ITS aqzno D Om P Ts TOZI
OOZ"-HTS
k HTS+q Hmo) /OH 30 COI-OH/i Hli T 5 8 T' O d S q He D+q HTS O O 'O*H/t HBD aq 3 no D 0 T/C='HTS/"JID úO'0 = "emg Txnea OT/i="HTS/"He D 590 = 40 OH/*HTS
, __,
C 3
0 " 00 T/T" (HTS+"HDD) I 'HN, OTXS("HTS+"HSD) /'R O
S 8 T'O t HN t.OT=e H/IHZ SO 'O=H/ 4 Hl D SO'0-OR=H/HTS H- os-"Heo+"IITS aiqno 3 a:lT amae OT/C'%HTS/ "Heo u Ta (url) /(s,,tul a,, (ZUID/p) 3 uama Tno Ip /m) (sa Te U-ou s o Tdm ze saq Dnoi sap aeinoz ap -n 1 o ap uolzat agienq 3 p s Tqep sep jaoddrj /uop"Tpuo) su 9 UU o I uoents T Isuo Ds :nass Tued -_o: ap a U Sf, p a-ueson ___ __no_,p __qa_ &AL V I a V Z tt m kn
T AB L E A U 14 F
Débit d'é coule Puissance de Vitesse de for EpaisConstitution ment (conditions Rapport des débits décharge ation de cou seur de des couches Gaz employés normales) (cm 3/ d'écoulement (W/cm 2) che (pm 10 04/ couche _ _ min) s_) _Um Si H l/He=O 005 Ge H 4/Si H 4 = 3/ 10 Gei{ 4/He= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 018 5 Première 01 couche B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10-3, H _" NH 3 NH 3/Si H 4 = 3/1002,83/100 Deuxième Si H 4/He= 0,5 NH 3/Si HI 4 = 283/ 100 " O Deuxième o v couche NH 3 Si H 4 = 200 0,18 1520 , B 2 H 6/He= 10-3 B 2 H 6/Si H 4 = 3 x 10-4 S_ _ _ __(Echantillon N 804 F) Le rapport des débits d'écoulement NH 3/Si H 4 a été réduit linéairement -J ro Ln Ln ui =.% M c > O 1
T A B L E AU 15 F
Débit d'écoule Puissanc itessde for Epaismation de cou seur de Cdstccuches Gaz employés ment (conditions Rapport des débits de décharge che (dm 104/ couche des ccuches normales) (cm 31 d'écoulement (W/cm 2) S; Si H 4/He= 0,05 Ge H 4/Si H 41/10 Ge H 4/He= 0,05 Si Ha+Ge H 4 50 Première 0,18 5 1 couche B 2 li 6/He= 10-3 B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)=x 1 x 0-$ NH 3 NHS/ (Ge H 4 +Si H)= 3/100 O Si H 4,/He= 005 Ge H 2/Si H 4 =l/10 Deuxième G D couche Ge H /Ue= 0,05 Si H 4 +Ge H 4 = 50 0,18 5 19 B 2 H 6/He= 10-' B 2 H 6/(Ge H 4 +Si H 4)=lxl C-s I Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 200 Troisième 0,18 15 5 couche B 2 Hs/He= 10-3 B 2 H 6/Si H 4 = 3 xl O 4 co (Echantillon N 805 F) des débits d'écoulement NH 3/(Ge H 4 +Si H 4) a été Le rapport réduit linéairement ro Ln Un 0 % w VI
TABLEAU 16 F
Débit d'écoule Rapport des débits Puissance de Epaisseur de Conditions Gaz employés ment (conditions d'écoulement ou décharge couche (pm) nonnrm; l qà m$/m 3 i) ra Dpport des ai$es (W/cm 2) 1 l-l E Ar (NO/Ar> 20 ( > Pastille Si: 03 0,5 Si O 2 '1:30 11-2 E Ar (NO/Art) 200 ( 11/ 1)lle Si O 1:0 0,3 0,3 11-3 E Ar (NO/Ar) 200 ( 1/1) Pastille Si: 0,3 1,0 11-3 ú Ar(NO/Ar) 200 ( 1/1) S 640,3 1,0 Si O 2 6:4 11-4 E Si HH/He=l Si II 4:NO 0,18 0,3 s E Si HI 4 /He= O x 5 Si 410 Si H 4:NO 1 15 NO l = 1 -:1 11-5 E Si F 4 /e 5 Si H 4 = 100 0,18 0,5 NO 11-6 E Si II /He= 05 Si H 4 +Si F 4 Sil *Si F 4:NO 08 O Si F 4/He=O 5 = 150 = 1:1:118 5
NO '_ = 1: _ 1
11-7 E Si F 4/He= 015 = 2:1:40,83
N O _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1-8 E Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 Si H 4:Si F 4:NO 0,18 1,5 Si F 4 /le= O 5 = 150 = 1:1:3
NO, , ,
% O r.% Ln Ln Ln 0 % w
TA B LEAU 17 F
10 15
Condition de préparation pour la Echantillon N /évaluation couche (II) il'l E ' l-0 'Ej ll-201 E j 11-301 lE 0 t oilo lolo
11-102 E I 11-202 E 11-3021
11-2 E to oi lo Lo t 11-1 E OI-104 1-2 o E I -3 O O
______ 010 0 O O O
11-104 E 11-204 E| 11-304 E I
11-6 E O I i 1 ^ 10 1 o @ïo
11-105 E 11-205 E 11-305 E
11-7 E I O o
11-106 E 11-206 E 11-306 E
11-8 E
11-105 E t 11-207 E I 11-307 E 11-7 E |o' to Io to o Io 11-108 E 11-208 E 11-30 o E 11-7 E O I -O l O l 1 o Echantillon-N Evaluation glo Evaluation bale d'image de durabilité Evaluation standard: Excellent O Bon t M cn 1 M c, TAB n L AU 18 F
T A BL EAU 18 F
cçn ___ _________ _______ _________ i T i
1205 E 1206 E
1207 E
rchnntiion N
1201 E
1202 E
1203 E
1204 E
1205 E
1206 E
1207 E
I I I I I ta i 1 1 1 1: O Cible ' (NO/Ar) Si:O ( Evaluat d' @: T di: Si O 2 (iappor des aires) 9:1
{ 0/1)
6,5:3,5
( 1/1)
4:10
( 1/1)
2:20 ( 1/1)
1: 100 ( 2/1)
1:100
( 3/1)
1:100 ( 4/1)
rapport 97:03 8,8:1,2 7,3:2,7 5,0:5,0 4 5:5,5 4:6 3:7 des teneurs) ion de qualité A image f _ J' rrès bon O: Bon /k: Suffisamment utilisable en pratique X: Défaut d'image formé ro ul J ul 0 ' W c c un
TA B LEAU 19 F
Echantillon N 1301 E 1302 E 1303 E 1304 E 1305 E 1306 E 1307 E ,,, Si HO:NO (rapport des débits 1000:1 99:1 5:1 1:1 1:2 3:10 1:1000 d'écoulement) Si:O (rapport 99999: des teneurs) 9 ooo S 9:01 9:1 6:4 5:5 3,3:6,7 2:8 Evaluation de O X qualité d'image (Ln t'J : Très bon 0 S Bon Pratiquement satisfaisant X: Défaut d'image formé r', Ln Ln 0 % LJ
TABLEAU 20 F
T A BL EAU 20 F
c ot Echantillon N 1401 E 1402 B 1403 E 1404 E 1405 E 1406 E 1407 E Sili 4: Si Ft 4:NO (rapport des débits 500:400:1 60:50 s:1 5:5:2 5:5:10 1:1:4 3:3:20 1:1:2000 d'écoulement) _ Si:0 9,9998: (rapportdesteneurs) 9,9998 9, 8:0,2 8,8:1,2 6,3:3,7 5,1:4,9 3,5:6,5 2,3:7,7 (rapport des teneurs) O, 0002 ', ',:2,3 Evaluation de qualité A d'image O i O O X U 1 @: Très bon O: Bon /: Pratiquement satisfaisant X: Défaut d'image formé r I Ln Ln Ln 0 % Uà
TA B LEAU 21 F
Echantillon Epaisseur de No Icouche (II) Résultats 1601 E 0001 Défaut d'image susceptible de survenir Pas de défaut d'image pendant 1602 E 0,02 20 000 répétitions 1603 E 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions 1604 E _Stable pendant 200 000 répétitions
Claims (26)
1 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat ( 101) destiné audit élément photoconducteur ( 100) et une couche de réception de lumière ( 102) 5 fournie sur le substrat ( 101) et présentant une constitution de couches selon laquelle une première région de couche (G) ( 103) comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium et une seconde région de couche (S) ( 104) présentant une photoconductibilité et comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium sont fournies successivement depuis le côté du substrat, la couche de réception de lumière
( 102) contenant des atomes d'azote.
2 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat ( 1101) pour ledit photoconducteur 15 ( 1100) et une couche de réception de lumière prévue sur ledit substrat et constitué par une première couche (I) ( 1102) avec une constitution de couches selon laquelle une première région de couche (G) ( 1104) comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium et une seconde région de couche 20 (S) ( 1105) présentant une photoconductibilité comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium sont successivement prévues depuis le côté du substrat et une seconde couche (II) ( 1103) comprenant une matière amorphe contenant
des atomes de silicium et au moins soit des atomes de carbone, 25 soit des atomes d'oxygène, la première couche (I) ( 1102) contenant des atomes d'azote.
3 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que des atomes d'hydrogène sont
contenus dans au moins une parmi la première région de couche 30 (G) et la seconde région de couche (S).
4 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que des atomes d'halogène sont contenus dans au moins une de la première région de couche (G) et
la seconde région de couche (S).
5 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la quantité d'atomes de germanium contenue dans la première région de couche (G) est de 1 à 1 x 106 ppm atomiques sur la base de la somme avec
les atomes de silicium de la première région de couche (G). 5 6 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la première région de couche (G) a une épaisseur de couche TB de 0,003 à 50 gm.
7 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la seconde région de 10 couche (S) a une épaisseur de couche T de 0,5 à 90 gm.
8 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la relation entre l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) et
l'épaisseur de couche T de la seconde région de couche (S) 15 est égale à TB/T < 1.
9 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de couche TB de la première région de couche (G) est de 30 gm ou inférieure, lorsque la proportion d'atomes de germanium 20 contenus dans la première région de couche (G) est de
1 x 10 ppm atomiques ou plus, sur la base de la somme avec les atomes de silicium de la première région de couche (G).
Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la proportion d'atomes 25 d'azote dans la région de couche (N) o doivent se trouver
des atomes d'azote est de 0,001-à 50 % atomiques.
11 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que des atomes d'azote sont contenus dans la couche de réception de lumière dans un état 30 tel que des atomes d'azote sont distribués dans la région de couche (N) dans laquelle se trouvent des atomes d'azote de façon non uniforme dans sa direction d'épaisseur de couche. 12 Elément photoconducteur selon la revendica35 tion 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une substance (C) pour
commander la conductibilité est contenue dans la couche de réception de lumière.
13 Elément photoconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la substance (C) pour commander la conductibilité est un atome appartenant au groupe III du tableau périodique.
14 Elément photoconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe III du tableau périodique est choisi parmi B, Al, Ga, In cation mander groupe
et Tl.
Elément photoconducteur selon la revendi12, caractérisé en ce que la substance (C) pour comla conductibilité est un atome appartenant au V du tableau périodique.
16 Elément photoconducteur selon la revendi15, caractérisé en ce que l'atome appartenant au V du tableau périodique est choisi parmi P, As, 3 i. cation groupe Sb et B 17 Elément photoconducteur selon la revendi20 cation 12, caractérisé en ce que le contenu en substance (C) pour commander la conductibilité dans la couche de réception
de lumière est de 0,01 à 5 x 104 ppm atomiques.
18 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une substance (C) pour 25 commander la conductibilité est contenue dans la première
région de couche (G).
19 Elément photoconducteur selon la revendication 18, caractérisé en ce que le contenu en substance (C)
pour commander la conductibilité de la première région de 30 couche (G) est de 0,01 à 5 x 104 ppm atomiques.
Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une substance (C) pour commander la conductibilité est contenue dans la seconde
région de couche (S).
21 Elément photoconducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que le contenu en substance (C) pour commander la conductibilité dans la seconde région de
couche (S) est de 0,001 à 1000 ppm atomiques.
22 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 0,01 à 40 % atomiques en atomes d'hydrogène sont contenus dans la première région de couche (G). 23 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 0,01 à 40 % atomiques d'atomes d'halogène -sont contenus dans la première région
de couche (G).
24 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 0,01 à 40 % atomiques
en tant que total d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène sont contenus dans la première région de couche (G).
Elément photoconducteur selon la revendi15 cation 1 ou 2, caractérisé en ce que 1 à 40 % atomiques d'atomes d'hydrogène sont contenus dans la seconde région
de couche (S).
26 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 1 à 40 % atomiques d'atomes d'halogène sont contenus dans la seconde région de
couche (S).
27 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que 1 à 40 % atomiques en tant que total des atomes d'hydrogène et des atomes d'halo25 gène sont contenus dans la seconde région de couche (S).
28 Elément photoconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche de réception
de lumière a une région de couche (PN) contenant une substance (C) pour commander la conductibilité.
29 Elément photoconducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la région de couche (PN) est fournie comme la région de couche de la partie d'extrémité sur le côté-du substrat de la couche de réception de lumière. 30 Elément photoconducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la région de couche (PN) présente dans sa partie interne l'interface reliée entre la première région de couche (G) et la seconde région de
couche (S).
31 Elément photoconducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la région de couche (PN) est fournie dans la seconde région de couche (S). 32 Elément photoconducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la région de couche (PN)
est fournie dans la région de couche (G).
33 Elément photoconducteur selon la revendi10 cation 28, caractérisé en ce que le contenu en substance (C) pour commander la conductibilité dans la région de couche
(PN) est de 0,01 à 5 x 104 ppm atomiques.
34 Elément photoconducteur selon la revendication 32, caractérisé en ce que la matière amorphe consti15 tuant la seconde couche (II) est représentée par la formule suivante: a-(Six C 1-x)y(HIX) 1-y
(o O < x, y < 1).
Elément photoconducteur selon la revendi20 cation 32, caractérisé en ce que la matière amorphe constituant la seconde couche (II) est une matière amorphe représentée par la formule suivante: a-(Six O 1-x)y(HX)1 x y
(o O < x, y < 1).
36 Elément photoconducteur selon la revendication 32, caractérisé en ce que la seconde couche (II) a
une épaisseur de couche de 0,003 à 30 gm.
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162725A JPS6053957A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 電子写真用光導電部材 |
| JP58163433A JPS6055350A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 電子写真用光導電部材 |
| JP58167746A JPS6059359A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用光導電部材 |
| JP58167750A JPS6059363A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用光導電部材 |
| JP58191985A JPS6083953A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導電部材 |
| JP58197331A JPS6088950A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光導電紡材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2551563A1 true FR2551563A1 (fr) | 1985-03-08 |
| FR2551563B1 FR2551563B1 (fr) | 1986-05-16 |
Family
ID=27553267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8413662A Expired FR2551563B1 (fr) | 1983-09-05 | 1984-09-05 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4585721A (fr) |
| DE (1) | DE3432646A1 (fr) |
| FR (1) | FR2551563B1 (fr) |
| GB (1) | GB2148021B (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0204396A1 (fr) * | 1985-04-01 | 1986-12-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Mélanges gazeux et procédés pour le dépôt de semi-conducteurs amorphes |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2024186A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-09 | Hitachi Ltd | Photoconductive material |
| FR2490839A1 (fr) * | 1980-09-25 | 1982-03-26 | Canon Kk | Element photoconducteur |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
| JPS57172344A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic photorecepter |
| US4490450A (en) * | 1982-03-31 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
-
1984
- 1984-08-31 US US06/646,425 patent/US4585721A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-05 GB GB08422402A patent/GB2148021B/en not_active Expired
- 1984-09-05 DE DE19843432646 patent/DE3432646A1/de active Granted
- 1984-09-05 FR FR8413662A patent/FR2551563B1/fr not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2490839A1 (fr) * | 1980-09-25 | 1982-03-26 | Canon Kk | Element photoconducteur |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 20, suppl. 20-1, 1981, pages 291-296, Tokyo, JP; G. NAKAMURA et al.: "Amorphous SiGe: H for high performance solar cells" * |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8422402D0 (en) | 1984-10-10 |
| FR2551563B1 (fr) | 1986-05-16 |
| GB2148021A (en) | 1985-05-22 |
| GB2148021B (en) | 1986-12-17 |
| DE3432646C2 (fr) | 1989-02-09 |
| US4585721A (en) | 1986-04-29 |
| DE3432646A1 (de) | 1985-04-04 |
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