JPS6053957A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置におりる光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５・７１８号公報には電子写真用像形成部材としての
応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

しかし乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材には、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、総合的な特性向上を計る必要があるという更に改
良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部側は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所朋ゴースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−３ｌは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、また、通常使用されているハロゲンラ
ンプや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に
使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余
地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多く々ると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「？ケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上ける為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よ）の電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取ル出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｔ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部側を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（６）又はノ・ロダン原
子（３）のいずれか一方を少々くとも含有するアモルフ
ァス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノ蔦ロダ
ン化アモルファスシリコン、或いはノ・ロダン含有水素
化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記とし
てｒ　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成さ
れる光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の構成
を、以後に説明される様に特定化して設計され作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかシで
なく、従来の光導電部側と較べてみてもあらゆる点にお
いて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材と
して著しく優れた特性を有していること、及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であ択層品質の高い光導電部
材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿算囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ダル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された、第１の層
領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層領域値）とが前記支持体側よ
ル順に設けられた層構成の光受容層とを有し、前記光受
容層中に社窒素原子が含有されている事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、！気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するため罠模式的に示した構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１と該支持体１０１の上に、光受容層１０
２を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一方の
端面に有している。

光受容層１０２は、支持体１０１側よシグルマニウム原
子と、必要に応じてシリコン原子、水素原子、・・ロダ
ン原子（３）の中の少なくとも１つを含有する非晶質材
料（以後ｒ　ａ　−Ｇｅ　（Ｓｌ、ＨｌＸ）　Ｊと略記
する）で構成された第１の層領域（Ｇ）　１０３とａ−
ｓＢＨ＋Ｘ）で構成され、光導電性を有する第２の層領
域（Ｓ）　１０４とが順に積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に他の原子と共に含有さ
れるゲルマニウム原子が含有される場合は、ゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の層厚方向及び
支持体１０１の表面と平行な面内方向に連続的であって
且つ均一に分布した状態となる様に前記第１の層領域（
Ｇ）　１０３中に含有される。

本発明に於いては、第１の層領域口）上に設りられる第
２の層領域（Ｓ）中には、ダルマニウム原子社含有され
ておらず、この様な層構造に光受容層を形成することに
よって可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子の
分布状態位、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域←）と第２の層領域（Ｓ）
との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用し
た場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れな
い長波長側の光を第１の層領域り）に於いて、実質的に
完全に吸収することが出来、支持体面からの反射による
干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域り）
にシリコン原子が含有される場合、第１の層領域（Ｇ）
と第２の層領域■）とを構成する光受容材料の夫々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているので、積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。

本発明において、第１の層領域Ｏ）中に′含有されるダ
ルマニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜決められるが、シリコン
原子との和に対して好ましくは１〜１０　Ｘ　１０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好ましくは１００〜９．５
Ｘ１０　ａｔｏｍｌｅ　ｐｐｍ　ｓ最適には、５００〜
８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ！　ＩＩＩＰ”とされるのが望
ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚社、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
ましくは、３０Ｘ〜５０μ、よル好ましくは、４０１〜
４０μ、最適には、５０Ｘ〜３０μとされるのが望まし
い。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０．
５〜９０μ、好ましくは１〜８０μ、最適Ｋｔｉ２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の層厚
Ｔの和（ＴＢ十Ｔ）は、両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔ、＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは、１〜１００μ、よシ好適には
１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましく　４−ｊ：Ｔ。

／Ｔ≦１なる関係を満足するように、夫々に対して適宜
適切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦０．９．最適には
ＴＢ／Ｔ≦０，８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域初中に含有されるダルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍ１ｃ　ｐ
ｐｍ以上の場合には、第１の層領域■の層厚ＴＩｌは、
成可く薄くするのが望ましく、好ましくは３０μ以下、
よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とされ
る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には支持体と光受容層との間の密着性の改良を計
る目的の為に光受容層中には、窒素原子が含有される。

光受容層中に含有される窒素原子は、光受容層の全層領
域に万偏なく含有されても良いし、或いは、光受容層の
一部の層領域のみに含有させ偏在させても良い。

又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（へ））が光受
容層の層厚方向に於いて均一であってもよいし、層厚方
向に不均一であっても良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる窒素原子の含有
されている層領域例は、光感度と暗抵抗の向上を主たる
目的とする場合には、光受容層の全層領域を占める様に
設けられ、支持体と光受容層との間の密着性の強化を計
るのを主たる目的とする場合には、光受容層の支持体側
端部層領域（６）を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域例中に含有される窒素原子の含有量
は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後者の
場合には、支持体との密着性の強化を確実に削る為に比
較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為Ｗは、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、光受容層の
自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか或いは
、光受容層の自由表面側の表層領域には、窒素原子を積
極的には含有させない像な窒素原子の分布状態を層領域
■中に形成すれは良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（へ））
に含有される窒素原子のカ有！！、は、層領域的）自体
に要求される特性、或いは該層領域蝕が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域−に直に接触して他の層領域が設けられ
る場合ｔｃは、該他の層領域の特性や、該イ［）の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、窒
素原子の含有量が適宜選択される。

層領域韓中に含有される窒素原子の量は、形成される光
導電部拐に要求される特性に応じて所望に従って適宜法
められるが、好ましくは、０００１〜５０ａｔｏｍｌｃ
　％　ｒよシ好ましくは、０．００２〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｌｃ％とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域□□□が光受容層の全域を占め
るか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域
■の層厚Ｔ０の光受容層の層厚Ｔに占める割合が充分多
い場合には、層領域−に含有される窒素原子の含有量の
上限は、前記の値よル充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域的）の層厚ＴＮが光受容層の
層厚ＴＫ対して占める割合が５分の２以上となる様な場
合には、層領域■中に含有される窒素原子の茄の上限は
、好ましくは、３０　ａｔｏｍｉｃ％以下、よシ好まし
くは、２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適にはｌ　Ｏａｔ
ｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部制の
層領域的）中に含有される窒素原子の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は窒素原子の分布濃
度ｃＨを、縦軸は、層領域閥の層厚を示ｌ〜、ｔＲけ支
持体側の層領域（財）の端面の位置を、ｔ。

は支持体側とは反対側の層領域勤の端面の位置を示す。

即ち、窒素原子の含有される層領域−はｔＲ側よりｔＴ
側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（へ））中に含有される窒素原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、窒素原子の含有される層領域
−が形成される支持体の表面と該層領域（へ）の表面と
が接する界面位置１Ｂよシｔ１の位置までは、窒素原子
の分布濃度Ｃ（Ｎ）がＣ１なる一定の値を取り乍ら窒素
原子が形成される層領域卸に含有され、位置ｔ１よりは
濃度Ｃ！よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては窒素原子の分布
濃度Ｃ輛けＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される窒素原子の
分布濃度ＣＩ）は位置ｔＢよシ位置ｔＴに到るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度
Ｃ１ｉとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合にｔま、位置ｔＢよシ位置ｔ２までは窒素
原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ２
と位＠ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、
位置ｔアにおいて、分布濃度Ｃ輛は実質的に零とされて
いる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合であ
る）。

第５図の場合には、窒素原子の分布濃度Ｃ□□□は位置
鴫よシ位置ｔアに到るまで、濃度Ｃｓ　、Ｌニジ連続的
に徐々に減少され、位１１ｉｔ、において実質的に零と
されている。

第６図に示す例において社、窒素原子の分布濃度０輪は
、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度ｃ９と一定値
であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１ｏとされる。位置
ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位ｉｔｓよシ位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度ｃ（ｇ）は位
置輸よシ位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取ル、位
置ｔ４より位置ｔｒまでは濃度Ｃ１２より濃度−３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位＠ｔＢより付置ｔアに至
るまで、窒素原子の分布濃度Ｃ（財）は濃度Ｃ１４より
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔＩｉに至るまで
は、窒素原子の分布濃度ＣＨｉ１、濃度−６よシ濃度自
６壕で一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの
間においては、濃度自６の一定値とされた例が示されて
いる。

第１０図に示される例においては、窒弊原子の分布濃度
Ｃ勤は位置１Ｂにおいて濃度ｃｔｙであシ、位置ｔ６に
至るまではこの濃度Ｃ１７よシ初めはゆっくシと減少さ
れ、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ６では濃度自８とされる。

位１ｐｌ、ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激
に減少さｔして、その後は、緩かに徐々に減少されて位
置ｔ７で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔｓ　との
間°ごは、極めてゆっくルと律々にｒｉ９．少されて位
ばｔ５において、濃度Ｃｘｏに至る。位置ｔｓと位置ｔ
。

の間におい一層は、濃度Ｃ２０よシ実質的に零になる様
に図に示す如き形状の曲線に従って減少されでいる。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（Ｎ）中に含
有される窒素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）の高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布６１度Ｃ（Ｎ）は支持体
側に較べて可成り低くされた部分を有する窒素原子の分
布状態が層領域（Ｎ）に設けられている。

本発明において、光受容層を構成する窒素原子の含有さ
れる層領域（Ｎ）は、上記した様に支持体側の方に窒素
原子が比較的高濃度で庁有されている局在類１ｙｔｌＢ
　（Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、
この場合には、支持体と光受容層との間の密ネｆ性をよ
り一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至２Ｂ１０図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位１ｉ、ｔ、ｌより５μ以
内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位ｉ？
ｆ、ｆｔ、ｌより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされ
る場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場
合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される光受容層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）の最大
値ＣｍａＸが、好ましくは５００　ａｔｏｍｌ　ｃｐｐ
ｍ以上、より好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上）最適には１０００　ａｔｏｍｌ　ｃ　ｐｐｍ　以上
とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが
望ましい。

即ち、本発明においては、夕！素原子の含有される層領
域（Ｎ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｌｌか
ら５μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｎ）の最大値Ｃｍａ
工が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、先受８層を構成する第１の層領域（Ｇ
）及び第２０層領域（Ｓ）中に必要に応じて含有される
ハロケ゛ン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−Ｇｏ（Ｓｌ　、Ｈ９Ｘ）で構成
される第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、ス・！ツタリング法、或いはイオンプレーテ（
フグ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。グロー放電法によって、ａ−Ｇ。

（８１，Ｈ，Ｘ）で構成される第１層の領域（Ｇ）を形
成するには、例えばダルマニウム原子（Ｇｏ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シリコン
原子（Ｓｔ）を供給し得るＳ量供給用の原料ガスと水素
原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びノ・ロダン原子
（Ｘ）導入用の原料′ガスを、内部が減圧にし得る堆積
室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上に層形成すれば良い。第１の層領域（Ｇ
）にダルマニウム原子を不均一な濃厚分布で含有させる
場合にはダルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ　−Ｇｅ（Ｓｉ＋Ｈ１Ｘ）から
なる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｔで構成されたターｒ、ト、或いは該ターｆ、）とＧ
ｅで構成されたター）Ｉ′に、、ｌトの二枚を使用して
又は、ＳｌとＧｏの混合されたターｆ、）を使用して必
要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供
給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス・ぞツタリ
ング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによって成される。この際前記Ｇｅ供給
用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制
御し乍ら前記ターグットをス・ぐツタリングしてやれば
第１の層領域（Ｇ）中（Ｄゲルマニウム原子の分布濃度
を任意に制御することが出来る。

イオンシレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム又は単結
晶ダルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着？−トに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いｔよ、エレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スフ４ツタリング法の場合と同様にする事で行うこと
が出来る。

本発明において使用されるｓｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５Ｉ２Ｈ６，５１３Ｈ８
１Ｓ１４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点で５ＩＴ（４１Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としてはＧｅＨ４
＋　Ｇｅ、、Ｈ６１Ｇ１１３Ｈ８＊　Ｇ１１４Ｈ１０＋
　Ｇ６５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈ４４Ｔ　Ｇｅｙ［（＋６Ｔ　
ＧｅａＨ４ａ　＋　ＧｅｑＨ２ａ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ダルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｏ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇ
ｅ、Ｈ８が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用される〕・ロダン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロダン化合物が挙げら
れ、例えばノ・ロダンがス、ノ・ロケ９ン化物、ハロダ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のが
ス状態の又はガス化し得るノ・ロダン化合物が好ましく
挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ノ・ロダン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロダン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ダンガス、ＢｒＦ　＋　ＣＺＦ　Ｔ　ＣＺＦ３　＊Ｂｒ
Ｆ　、　ＢｒＦ　＊　ＩＦ　ｒ　ＩＦ７　＋　ＩＣｔｒ
　ＩＢｒ等のハロ５　３　５ ダン間化合物を挙げることが出来る。

ハロダン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　＊　５ｔ２Ｆ’６　＋　５ｔＣ４４，ＳｉＢｒ
４　等のハロダン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロダン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る第１の層領域ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロダン原子を含む第一　１の
層領域（Ｇ）を作成する場合、例えばＳｔ供給用の原料
ガスとなるハロダン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスとな
る水素化ダルマニウムとＡｒ　ｌ　Ｉ２　＋　Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのグラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上に第１の層領域ＣＧ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層
容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層
形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンシレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロダン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロケ”ン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのグラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のグラズｉ雰囲気を形成
してやれば良い。゛本発明においては、ハロダン原子導
入用の原料ガスとして上記されたハロダン化合物或いは
ハロダンを含む硅素化合物が有効なものとして使用され
るものであるが、その他に、ＨＦ　、　ｌＩＣ１、ＨＢ
ｒ　。

ＨＩ等ノハロクン化水素、５ｉＨ２Ｆ２，５ＩＨ２■２
．５ｌＨ２Ｃ６２ｒ　５ＩＨＣｔ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．
５ｉＨＢｒ、等のハロダン置換水素化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ、　＋　ＧｅＨ２Ｆ２＋　ＧｅＨ３Ｆ　＋ＧｅＨＣｌ
５　＊　ＧｅＨｚＣＺ２１　Ｇｅｌ、Ｃｔ、　ＧｅＨＢ
ｒ３．　ＧｅＩ２Ｂｒ２゜ＧｅＨＢｒ３ウムＧｅＨＩ３
．ＧｅＨ２Ｉ２＊　ＧｓＩ（３Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロゲン化物、ＧｅＦ４　＊　ＧｅＣＺ４　ＨＧｅＢｒ４
１ＧｅＩ４＊　ＧｅＦ、　、　ＧｅＣｌ２ｔ　Ｇ５Ｂｒ
２．　ＧｅＩ２　等のハロゲン化ゲルマニウム、等々の
ガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域ＣＧ）形成の際に層中にハロダン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＩ２、或いは５ＩＨ４，８１□Ｈ６゜５
ｔ５Ｈ８１８１４Ｈ１ｏ等の水素化硅素と、Ｇｅ７ｉｌ
−供給する為のゲルマニウム又はダルマニウム化合物と
、或いは、ＧｅＥｌ＜　ｅ　Ｇｅ　２Ｈ６ｒ　Ｇｅ　ｓ
ｕｅ　ｒ　Ｇｅ　４Ｈ１０１Ｇｅ　５Ｈ１２＊Ｇｅ　６
Ｈ１４１Ｇｅ　７ｕ１６　＊　ＧＪＨｌＢ　ｒ　Ｇｅ　
９Ｈ２０等の水素化ゲルマニウムと、Ｓｌを供給する為
のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロダン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　、より好適には０．０５〜
３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．１−２５　ａ
ｔｏｍｉｃ　％　とされる。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈｅ、或いはハロゲン
原子（Ｘ）　ｔ−含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれ
ば良い。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ）　：］を使用して、
第１の層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８１（Ｈ２Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例えばグロー放
電法、ス・ヤツタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって、ａ　−８１（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２層領域（Ｓ）を形成するには、基
本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る８
１供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（）
（）導入用の又け／及びノ・ロダン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ　−８１（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲
気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子ＣＩ（）又は／及びハロダン原子（Ｘ）
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してお
けばよい・ 本発明の光導電部材に於いては、ダルマニウム原子の含
有される第１の層領域ＣＧ）の上に設けられ、ｒ／Ｉ／
−＃ニウム原子の含有されない第２の層領域（８）には
、伝導特性を制御する物質を含有させることにより、該
層領域（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）ｔ−構成するａ　−８１（Ｈ，Ｘ
）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａ
ｔ（アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム〕等があ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａであるｏ　ｎ
型不純物としては、周期律表第ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、　Ａｌｌ　（砒素）。

ｓｂ　（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｐ　＊　Ａｓである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域（８）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有片は、好ましくは、０．０
０１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には
０．０５−０５−５００ａｔｏ　ｐｐｍ５最適には０．
１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい
。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質、例え
ば第■族原子、或いは、第■族原子を構造的に導入する
には、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或い
は、第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的
には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６ｒ　Ｂ４Ｈ１
゜、　Ｂ５Ｈ，、Ｂ５Ｈ１，、Ｂ６Ｈ１゜＋　Ｂ６Ｈ１
２ｒＢ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ、　、　ＢＣ４３
，ＢＢｒ３．等のハロダン化硼素等が挙げられる。この
他、Ａｔｃｔ、　。

ＧｈＣ１３，Ｇａ（ＣＩ（、）３．　ＩｎＣｔｓ　、　
ＴｔＣｌ、等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨｓ　
＋　Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３１　
ＰＦ５゜ＰＣｌ、　、　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３＋　ＰＢ
ｒ３．　ＰＩ、等の／＼ロｒンイヒ燐が挙げられる０こ
の他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ５．　ＡｓＣ６３、ＡｓＢｒ３
　＋ＡｓＦ５　、　ＳｂＨ３ｒ　ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５
．５ｂＣ１３，５ｂＣＬ５゜Ｂｉ）１３．　ＢｉＣｌ２
．　Ｂ１Ｂｒ、　等も第■族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、光受容層に窒素原子の含有された層領
域（Ｎ）を設けるには、光受容層の形成の際に窒素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら
含有してやれば良い。

層領域（Ｎ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに窒素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な審素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

例えばシリコン原子（ｓｉ　）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）　ｔｌ−構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子
（Ｘ）　’に構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を
構成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原
子（ＦＩ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所
望の混合比で混合するかして使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（８％）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）１アンモニア（ＮＨ５
）　ｅヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ
　）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状
の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ
）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行える
という点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロダン化窒素化合物を挙
げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には、窒素原子で得
られる効果を更に助長させる為に、窒素原子に加えて、
更に酸素原子を含有することが出来る。酸素原子と層領
域（Ｎ）に導入する為の酸素原子導入用の原料ガスとし
ては、例えば酸素（０，２）　１オゾン（ｏｘ）ｅ−酸
化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）。

−二酸化窒素（Ｎ、、Ｏ）　、三二酸化窒素（Ｎ２０３
）　ｌ　四三酸化窒素（Ｎ２０４）　＊三二酸化窒素（
Ｎ２０５）　ｅ三酸化窒素（Ｎｏ３）Ｉシリコン原子（
Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子
とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳＩＯ８ｉＨ３）
　、　）ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ，
）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

ス・々ツタリング法によって、窒素原子を含有する層領
域（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳ　ｉ　５Ｎ４ウェーッ・−１又はｓｔと５
１３Ｎ４が混合されて含有されているウェーッ＼−をタ
ーゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス・ぐ
ツタリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・やツタ用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
ス・ヤツタリングすれば良い。

又、別には、ＳｌとＳ　ｉ　、Ｎ４とは別々のターゲッ
トとして、又は８１と５ｉ５Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、スノ々ツタ用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でス・やツタリングすることによっ
て成される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述
した、グロー放電の例で示し念原料ガスの中の窒素原子
導入用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素原子の含
有される層領域（Ｎ）を設ける場合、該層領域（Ｎ）に
含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒ
ｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（Ｎ）を形成するには、
グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべ
き、窒素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによって成される。例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
により、がス流路系の途中に設けられた所定のニードル
バルブの開口を漸次変化させる操作を行なえばよい。

このとき、流量の変化率は線型である必要はなく例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

層領域（Ｎ）をス・母ツタリング法によって形成する場
合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向
で変化させて、窒素原子の層厚方向の所望の分布状態（
ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌａ　）を形成するには、第一
には、グロー放電法による場合と同様に、窒素原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。

第二には、ス・母ツタリング用のターグットを、例えば
、ＳｌとＳ　ｌ　３Ｎ４との混合されたターグットを使
用するのであれば、ＳｌとＳ　ｉ　３Ｎ４との混合比を
、ターグットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは、１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％Ｎより好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　’ｌ
ｌｒ、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃチとされるのが望
ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス、　Ａ７　。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　ｒ　Ｔａ　、　
Ｖ　、　ＴＩ　、　Ｐｔ　ｒ　Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、Ｉリエステル、ポリエチレ
ン、Ｉリカーゼネート、セルロースアセテート、ポリグ
ロビレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、Ｉリ
スチレン　、ＪＰリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ。

ＡＺ　＃　Ｃｒ　ＨＭｏ　ｌ　Ａｕ　ｌ　Ｉｒ　＃　Ｎ
ｂ　ｐ　’Ｉ’ｌｌ　ｒ　Ｖ　ｒ　Ｔｌ　ｊＰｔ　、　
Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ□、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０
３＋５ｎＯ２）等ホら成る薄膜を設けることによって導
電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　＃　Ａｔ＋　Ａｇ　
ｙ　ｐｂ　ｌ　Ｚｎ　＋Ｎｉ　＊　Ａｕ　、　Ｃｒ　＊
　Ｍｏ　、　Ｉｒ　＊　Ｎｂ　＋　Ｔａ　、　Ｖ　、　
ＴＩ　。

ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

スノヤノタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい◎支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合に雌、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１ｏ６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１ｏ２は、Ｈｓで稀釈され
＆ＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下５ｔｕ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈されたＧ
　ｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４／　
Ｈｅと略す。）ぎンペ、１１０４はＨｅで稀釈された５
ＩＦ４ガス（純度９９．９！Ｉｎ、以下Ｓ　Ｉ　Ｆ　４
　／　Ｈｅ　と略す。）ボンベ、１１０５はＮＨ，ガス
（純度９９．９９９係）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（
純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ１１ｏ２〜１１ｏ６のバルブ１１２２〜１１２６゜
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認シ）
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２，１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　Ｉ　Ｑ””ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１ｏ２よりＳ　Ｉ
　Ｈ４／　Ｈｅがス、ガスハソンペ１１ｏ３よりＧ　ｅ
Ｈ４／Ｈｅガス、がスはンペ１１０５よりＮＨ３ガスを
バルブ１１２２．１１２３．１１２４を開いて出口圧ダ
ーツ１１２７．１１２８．１１２９の圧をＩＫｇ／ｃｒ
ｎ”に調整し、流入バルブ１１１２．１１１３．１１１
４を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７　、
１１０８　、１１０９内に夫々流入させる。引き続いて
流出バルブ１１１７．１１１８，１１１９、補助バルブ
１１３２を除徐に開いて夫々のガスを反応室１１ｏ１に
流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４／Ｈ＠ガス流量と
Ｇｅ　Ｈ４／Ｈｅガス流量とＮＨ３ガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１８．１
１１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８により約５０〜４００　
℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後、
電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１ｏ１内
にグロー放電を生起させ所望時間グロー放電を維持して
、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を
形成する。所望層厚に第１の層領域ＣＧ）が形成された
段階に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること
、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条
件と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで
、第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に
含有されない第２の層嶺−域（８）を形成することが出
来る。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導性を支配する物質を含有さ
せるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば、Ｂ
２Ｈ６＊　ＰＨｓ等のガスを堆積室１１０１の中に導入
するガスに加えてやれば良い。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基本
１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．Ｏｋｖで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２ｔｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテストチャ
ートラ通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む〕を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、０５、ＯｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、Ｇ　ｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ
ａ　／Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有さ
れるダルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材
を夫々作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形
成部材を作成した０ こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランゾ光
源を用い、２　ｔｕｘ、ｓｓｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、（）　５．ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた〇 第４表 第５表 ◎：優良　Ｏ：良好 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇｏ）含有量・・・約２
００℃ダルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有量・・・約２
５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＦ［ｚ 反応時反応室内圧ａ　Ｏ，３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（Ｎ
）中の窒素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図は、実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する
為に使用された装置の模式的説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・光受容層　１０３・・・第１の層領域ＣＧ）１０４
・・・第２の層領域（Ｓ） −→−Ｃ（Ｎ） −Ｃ（ｐ４）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に、ダルマ
   ニウム原子を含む非晶質材料で構成された、第１の層領
   域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され、
   光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側よ
   り順に設けられた層構成の光受容層とを有し、前記光受
   容層中には窒素原子が含有されている事を特徴とする光
   導電部材。
2. （２）　第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域＠）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域＠）の少な
   くともいずれか一方にハロダン原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。