FR2331153A1 - Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur - Google Patents
Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteurInfo
- Publication number
- FR2331153A1 FR2331153A1 FR7633828A FR7633828A FR2331153A1 FR 2331153 A1 FR2331153 A1 FR 2331153A1 FR 7633828 A FR7633828 A FR 7633828A FR 7633828 A FR7633828 A FR 7633828A FR 2331153 A1 FR2331153 A1 FR 2331153A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10P30/204—
-
- H10P30/212—
-
- H10P32/1404—
-
- H10P32/171—
-
- H10W10/031—
-
- H10W10/30—
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/630,490 US4001050A (en) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | Method of fabricating an isolated p-n junction |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2331153A1 true FR2331153A1 (fr) | 1977-06-03 |
| FR2331153B1 FR2331153B1 (OSRAM) | 1979-03-09 |
Family
ID=24527389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR7633828A Granted FR2331153A1 (fr) | 1975-11-10 | 1976-11-10 | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4001050A (OSRAM) |
| JP (1) | JPS5260068A (OSRAM) |
| DE (1) | DE2650865A1 (OSRAM) |
| FR (1) | FR2331153A1 (OSRAM) |
| GB (1) | GB1522269A (OSRAM) |
| IT (1) | IT1067265B (OSRAM) |
| NL (1) | NL7612257A (OSRAM) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3044132A1 (de) * | 1980-11-24 | 1982-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Dynamische halbleiter-speicherzelle mit wahlfreiem zugriff und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5250461A (en) * | 1991-05-17 | 1993-10-05 | Delco Electronics Corporation | Method for dielectrically isolating integrated circuits using doped oxide sidewalls |
| US5250837A (en) * | 1991-05-17 | 1993-10-05 | Delco Electronics Corporation | Method for dielectrically isolating integrated circuits using doped oxide sidewalls |
| US6509237B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-01-21 | Hynix Semiconductor America, Inc. | Flash memory cell fabrication sequence |
| US6492710B1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Substrate isolated transistor |
| US6905955B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-06-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive connections, and methods of forming nanofeatures |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717507A (en) * | 1969-06-19 | 1973-02-20 | Shibaura Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor devices utilizing ion-implantation and arsenic diffusion |
| NL96608C (OSRAM) * | 1969-10-03 | |||
| BE759667A (fr) * | 1969-12-01 | 1971-06-01 | Philips Nv | Procede permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur, et dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procede |
| US3756861A (en) * | 1972-03-13 | 1973-09-04 | Bell Telephone Labor Inc | Bipolar transistors and method of manufacture |
| US3856578A (en) * | 1972-03-13 | 1974-12-24 | Bell Telephone Labor Inc | Bipolar transistors and method of manufacture |
| US3891480A (en) * | 1973-10-01 | 1975-06-24 | Honeywell Inc | Bipolar semiconductor device construction |
| US3898105A (en) * | 1973-10-25 | 1975-08-05 | Mostek Corp | Method for making FET circuits |
-
1975
- 1975-11-10 US US05/630,490 patent/US4001050A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-10-20 JP JP51125081A patent/JPS5260068A/ja active Granted
- 1976-10-27 GB GB44551/76A patent/GB1522269A/en not_active Expired
- 1976-11-04 NL NL7612257A patent/NL7612257A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-11-06 DE DE19762650865 patent/DE2650865A1/de active Pending
- 1976-11-08 IT IT29115/76A patent/IT1067265B/it active
- 1976-11-10 FR FR7633828A patent/FR2331153A1/fr active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| MICROELECTRONICS, VOL. 4, NO. 4, 1973, LONDON GB , R.W.LUTZ ET AL: "NEW DEVELOPMENTS IN CONSUMER INTEGRATED CIRCUITS", PAGES 3-9) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5260068A (en) | 1977-05-18 |
| GB1522269A (en) | 1978-08-23 |
| FR2331153B1 (OSRAM) | 1979-03-09 |
| IT1067265B (it) | 1985-03-16 |
| DE2650865A1 (de) | 1977-05-18 |
| JPS6156607B2 (OSRAM) | 1986-12-03 |
| US4001050A (en) | 1977-01-04 |
| NL7612257A (nl) | 1977-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2332615A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs | |
| BE839972A (fr) | Procede pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur | |
| FR2325192A1 (fr) | Procede pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur, et dispositif semiconducteur fabrique de la sorte | |
| BE828188A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| BE842511A (fr) | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| FR2309036A1 (fr) | Dispositif semiconducteur et son procede de fabrication | |
| FR2483127B1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| BE780656A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif d'accrochage | |
| FR2462023B1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| FR2351501A1 (fr) | Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur fabrique de la sorte | |
| FR2331884A1 (fr) | Procede pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, et dispositif fabrique de la sorte | |
| FR2301092A1 (fr) | Procede de fabrication d'un semi-conducteur et semi-conducteur obtenu | |
| GB1548520A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| BE845154A (fr) | Procede de fabrication d'un memoire a semiconducteur | |
| BE821565A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur | |
| BE752608A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif | |
| FR2302603A1 (fr) | Procede de fabrication d'un reflect | |
| BE838332R (fr) | Procede de fabrication d'un succedane d'amuse-geule | |
| FR2349955A1 (fr) | Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur fabrique de la sorte | |
| FR2325194A1 (fr) | Dispositif de pompage de charge pour semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| FR2334205A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| FR2309977A1 (fr) | Procede pour la realisation d'un dispositif semi-conducteur | |
| BE771636A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur monolithique | |
| FR2331153A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| BE772254A (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |