FR1339514A - Procédé de fabrication de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs - Google Patents

Procédé de fabrication de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs

Info

Publication number
FR1339514A
FR1339514A FR890948A FR890948A FR1339514A FR 1339514 A FR1339514 A FR 1339514A FR 890948 A FR890948 A FR 890948A FR 890948 A FR890948 A FR 890948A FR 1339514 A FR1339514 A FR 1339514A
Authority
FR
France
Prior art keywords
junctions
manufacturing
semiconductor devices
semiconductor
devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR890948A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Application granted granted Critical
Publication of FR1339514A publication Critical patent/FR1339514A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
FR890948A 1961-03-13 1962-03-13 Procédé de fabrication de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs Expired FR1339514A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US95425A US3148094A (en) 1961-03-13 1961-03-13 Method of producing junctions by a relocation process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1339514A true FR1339514A (fr) 1963-10-11

Family

ID=22251956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR890948A Expired FR1339514A (fr) 1961-03-13 1962-03-13 Procédé de fabrication de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3148094A (fr)
DE (1) DE1444430C3 (fr)
FR (1) FR1339514A (fr)
GB (1) GB998825A (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3316130A (en) * 1963-05-07 1967-04-25 Gen Electric Epitaxial growth of semiconductor devices
DE1289829B (de) * 1963-05-09 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht durch Abscheidung aus einem Reaktionsgas
US3392066A (en) * 1963-12-23 1968-07-09 Ibm Method of vapor growing a homogeneous monocrystal
US3337379A (en) * 1964-12-23 1967-08-22 Sprague Electric Co Method of making semiconductive devices by means of a carrier gas with impurities
US3522164A (en) * 1965-10-21 1970-07-28 Texas Instruments Inc Semiconductor surface preparation and device fabrication
US3462323A (en) * 1966-12-05 1969-08-19 Monsanto Co Process for the preparation of compound semiconductors
US4089735A (en) * 1968-06-05 1978-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Method for epitactic precipitation of crystalline material from a gaseous phase, particularly for semiconductors

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE970420C (de) * 1951-03-10 1958-09-18 Siemens Ag Elektrisches Halbleitergeraet
US2763581A (en) * 1952-11-25 1956-09-18 Raytheon Mfg Co Process of making p-n junction crystals
US2890939A (en) * 1953-01-07 1959-06-16 Hupp Corp Crystal growing procedures
US2847335A (en) * 1953-09-15 1958-08-12 Siemens Ag Semiconductor devices and method of manufacturing them
US2842468A (en) * 1955-07-20 1958-07-08 Gen Electric Vapor deposition of single crystals
BE555455A (fr) * 1956-05-18
BE558436A (fr) * 1956-06-18
US2929859A (en) * 1957-03-12 1960-03-22 Rca Corp Semiconductor devices
US2898248A (en) * 1957-05-15 1959-08-04 Ibm Method of fabricating germanium bodies
FR1184921A (fr) * 1957-10-21 1959-07-28 Perfectionnements aux procédés de fabrication par alliage de redresseurs ou de transistrons à jonctions
US2900286A (en) * 1957-11-19 1959-08-18 Rca Corp Method of manufacturing semiconductive bodies
FR1193194A (fr) * 1958-03-12 1959-10-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication par diffusion des transistors et des redresseurs à jonctions
US3070467A (en) * 1960-03-30 1962-12-25 Bell Telephone Labor Inc Treatment of gallium arsenide
US3096219A (en) * 1960-05-02 1963-07-02 Rca Corp Semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
DE1444430A1 (de) 1970-03-12
US3148094A (en) 1964-09-08
DE1444430B2 (de) 1972-09-07
GB998825A (en) 1965-07-21
DE1444430C3 (de) 1974-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE616303A (fr) Procédé et appareil pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1386964A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs intégrés
FR1287279A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1365283A (fr) Fabrication de dispositifs semiconducteurs
FR1355367A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus
FR1339514A (fr) Procédé de fabrication de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs
FR1211393A (fr) Dispositifs semi-conducteurs et procédé de fabrication de ces derniers
FR1179023A (fr) Procédé de formation de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs
FR1454690A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs correspondants
FR1360373A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de ce dispositif
FR1538402A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs intégrés
FR1303635A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteur
FR1338169A (fr) Dispositifs semiconducteurs et leur procédé de fabrication
FR1338019A (fr) Corps semi-conducteurs monocristallins et leur procédé de fabrication
FR1319965A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs
FR1324772A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1289336A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1522201A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs à jonction
FR1313633A (fr) Dispositifs semiconducteurs et leur procédé de fabrication
FR1320577A (fr) Dispositif et procédé de fabrication de semiconducteurs
FR1338203A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1313618A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1333584A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs au germanium
FR1289394A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1286474A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs