FR1261240A - Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium - Google Patents

Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium

Info

Publication number
FR1261240A
FR1261240A FR821989A FR821989A FR1261240A FR 1261240 A FR1261240 A FR 1261240A FR 821989 A FR821989 A FR 821989A FR 821989 A FR821989 A FR 821989A FR 1261240 A FR1261240 A FR 1261240A
Authority
FR
France
Prior art keywords
crucible
silicon
melting process
zone melting
semiconductor bars
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR821989A
Other languages
English (en)
French (fr)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Application granted granted Critical
Publication of FR1261240A publication Critical patent/FR1261240A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
FR821989A 1959-05-08 1960-03-21 Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium Expired FR1261240A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES62919A DE1094711B (de) 1959-05-08 1959-05-08 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben, insbesondere aus Silizium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1261240A true FR1261240A (fr) 1961-05-19

Family

ID=25995673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR821989A Expired FR1261240A (fr) 1959-05-08 1960-03-21 Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3113841A (sk)
CH (1) CH386116A (sk)
DE (1) DE1094711B (sk)
FR (1) FR1261240A (sk)
GB (1) GB907764A (sk)
NL (2) NL251304A (sk)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL258961A (sk) * 1959-12-23
DE1165882B (de) * 1960-02-05 1964-03-19 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zur Ausfuehrung von Drehbewegungen an stabfoermigen Koerpern, insbesondere an Halbleiterkoerpern
DE1209550B (de) * 1961-03-20 1966-01-27 Licentia Gmbh Halterung fuer zonenzuschmelzende Staebe
DE1444530B2 (de) * 1962-12-12 1970-10-01 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial
US3251658A (en) * 1963-02-26 1966-05-17 Monsanto Co Zone refining start-up
US3275417A (en) * 1963-10-15 1966-09-27 Texas Instruments Inc Production of dislocation-free silicon single crystals
DE1224273B (de) * 1964-06-23 1966-09-08 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1265708B (de) * 1965-11-30 1968-04-11 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2322969C3 (de) * 1973-05-07 1980-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Haltern der Stabenden beim tiegelfreien Zonenschmelzen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972525A (en) * 1953-02-26 1961-02-21 Siemens Ag Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
US2792317A (en) * 1954-01-28 1957-05-14 Westinghouse Electric Corp Method of producing multiple p-n junctions
FR1119039A (fr) * 1954-03-09 1956-06-14 Siemens Ag Procédé pour la préparation d'un corps cristallin, en particulier d'un corps semiconducteur
FR109723A (sk) * 1955-01-14
BE548227A (sk) * 1955-07-22
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
US2990261A (en) * 1958-12-11 1961-06-27 Bell Telephone Labor Inc Processing of boron compact

Also Published As

Publication number Publication date
NL112832C (sk)
DE1094711B (de) 1960-12-15
NL251304A (sk)
US3113841A (en) 1963-12-10
GB907764A (en) 1962-10-10
CH386116A (de) 1964-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1261240A (fr) Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium
FR77520E (fr) Procédé de préparation de silicium de très haute pureté
FR1378964A (fr) Procédé de préparation de diaza-composés cycliques, en particulier de diaza-cycloalcanes
FR1255773A (fr) Dispositif pour la fusion par zones sans creuset de barreaux semi-conducteurs, en particulier de barreaux de silicium
FR77649E (fr) Dispositif pour la fusion par zones sans creuset de barreaux semi-conducteurs, en particulier de barreaux de silicium
CH378546A (de) Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere Siliziumstäben
BE589859A (fr) Dispositif pour la fusion par zones sans creuset de barreaux semiconducteurs, en particulier de barreaux de silicium
BE609336A (fr) Procédé pour la fusion par zones sans creuset d'une barre semi-conductrice, en particulier en silicium
BE610603A (fr) Procédé de fabrication d'un monocristal de silicium, exempt de dislocations, par la méthode de la fusion par zone sans creuset
FR1202128A (fr) Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium
FR1266863A (fr) Procédé pour la fusion par zone et sans creuset de matières semi-conductrices
FR1246889A (fr) Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur
FR1255225A (fr) Dispositif pour la fusion par zone, sans creuset, de barreaux sem conducteurs
DK120434B (da) Apparat til digelfri zonesmeltning af en krystallinsk stav, navnlig halvlederstav.
DK116200B (da) Fremgangsmåde til dyrkning af stavformige, forsætningsfri énkrystaller, navnlig af silicium, ved digelfri zonesmeltning.
BE594593A (fr) Procédé pour la fusion par zone, exempte de creuset de matière semi-conductrice
CA818425A (en) Method of crucible-free zone melting of semiconductor material, particularly silicon
FR1321165A (fr) Procédé de préparation de monocristaux, en particulier de matière semi-conductrice
FR1191046A (fr) Composition réfractaire, son procédé de fabrication et ses applications
FR1264261A (fr) Dispositif pour la fusion par zone, sans creuset, de barres en matériau semi-conducteur disposées verticalement
FR1234746A (fr) Procédé de préparation de silicium de très haute pureté
CA802163A (en) Method of crucible-free zone melting crystalline rods, especially of semiconductor material
FR1266809A (fr) Procédé de fusion par zone et sans creuset de matériaux semi-conducteurs
FR1467801A (fr) Procédé de préparation de nouvelles thiosemicarbazones, en particulier de beta-thiosemicarbazones de 1-amino-alcoyl-isatines
FR1265080A (fr) Procédé de fusion zonale sans creuset de matériaux semi-conducteurs