FR1202128A - Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium - Google Patents

Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium

Info

Publication number
FR1202128A
FR1202128A FR1202128DA FR1202128A FR 1202128 A FR1202128 A FR 1202128A FR 1202128D A FR1202128D A FR 1202128DA FR 1202128 A FR1202128 A FR 1202128A
Authority
FR
France
Prior art keywords
crucible
zone
silicon
semiconductor materials
melting treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Application granted granted Critical
Publication of FR1202128A publication Critical patent/FR1202128A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
FR1202128D 1958-01-24 1958-01-24 Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium Expired FR1202128A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1202128T 1958-01-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1202128A true FR1202128A (fr) 1960-01-07

Family

ID=9671795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1202128D Expired FR1202128A (fr) 1958-01-24 1958-01-24 Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1202128A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108239784A (zh) * 2018-03-23 2018-07-03 韶关保绿环保科技股份有限公司 区熔炉系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108239784A (zh) * 2018-03-23 2018-07-03 韶关保绿环保科技股份有限公司 区熔炉系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1228530A (fr) Dispositifs à semi-conducteur et leur procédé de préparation
FR1224562A (fr) Procédé pour le traitement de surface de corps constitués par un matériau semi-conducteur de grande pureté
BE596545R (fr) Procédé pour la préparation de silicium très pur
FR1227736A (fr) Procédé pour le traitement de surface d'éléments semi-conducteurs comportant plusieurs électrodes et au moins une jonction p-n
FR1261240A (fr) Procédé de fusion par zones, sans creuset, de barreaux semi-conducteurs en particulier en silicium
FR1202128A (fr) Procédé de traitement par fusion par zones et sans creuset de matières semi-conductrices telles que le silicium
FR1286109A (fr) Composition et procédé pour la fabrication de meules usantes et articles similaires
FR1207724A (fr) Procédé de traitement des surfaces métalliques par des aminoalkyl silicium et leur procédé de fabrication
CH398573A (fr) Procédé de préparation de 2-cyano-3-oxo-stéroïdes
FR1217397A (fr) Procédé de préparation de phényl-chloro-silanes et de phényl-alcoyl-chlorosilanes
CH438331A (fr) Procédé de préparation de 3-uréido-5-pyrazolones et de 3-thiouréido-5-pyrazolones
FR1266863A (fr) Procédé pour la fusion par zone et sans creuset de matières semi-conductrices
FR1362989A (fr) Procédé et composition pour le traitement de matières filamenteuses
FR1219166A (fr) Procédé de préparation de la déhydrophytone
BE610326A (fr) Procédé de préparation de matières semi-conductrices
BE585975A (fr) Procédé pour la préparation de silicium très pur
FR1358708A (fr) Nouvelle composition de polyoléfine et son procédé de préparation
CH415621A (fr) Procédé de préparation de corticostéroïdes substitués
FR1208589A (fr) Procédé de préparation de 18-nor d-homo 13alpha-stéroïdes oxygénés
FR1278618A (fr) Procédé de préparation de nouvelles phénoxy-alcoyl-amines
FR1219624A (fr) Procédé de préparation de carbure de silicium très pur, cristallisé
BE619180A (fr) 17-monoesters de 17 alpha, 21-dihydroxy stéroïdes et leur procédé de préparation
FR1299612A (fr) Procédé de traitement de matières cellulosiques
FR1374673A (fr) Procédé de préparation de n-alkyl et n-arylalkyl-benzoxacycloalkaneméthylamines
FR1244648A (fr) Procédé de préparation de p-nitro-diarylamines