FR1225692A - Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron - Google Patents

Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron

Info

Publication number
FR1225692A
FR1225692A FR784224A FR784224A FR1225692A FR 1225692 A FR1225692 A FR 1225692A FR 784224 A FR784224 A FR 784224A FR 784224 A FR784224 A FR 784224A FR 1225692 A FR1225692 A FR 1225692A
Authority
FR
France
Prior art keywords
transistron
manufacturing
electrode system
semiconductor electrode
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR784224A
Other languages
English (en)
French (fr)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of FR1225692A publication Critical patent/FR1225692A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/10Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing sonic or ultrasonic vibrations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/228Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
FR784224A 1958-01-16 1959-01-16 Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron Expired FR1225692A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1561/58A GB911292A (en) 1958-01-16 1958-01-16 Improvements in and relating to semi-conductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1225692A true FR1225692A (fr) 1960-07-04

Family

ID=9724105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR784224A Expired FR1225692A (fr) 1958-01-16 1959-01-16 Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3069297A (lt)
BE (1) BE574814A (lt)
CH (1) CH370165A (lt)
DE (1) DE1090770B (lt)
FR (1) FR1225692A (lt)
GB (1) GB911292A (lt)
NL (2) NL121250C (lt)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1194061B (de) * 1959-06-23 1965-06-03 Ibm Verfahren zum Herstellen eines Flaechen-Vierzonentransistors und Anwendung eines nach diesem Verfahren hergestellten Transistors

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3276925A (en) * 1959-12-12 1966-10-04 Nippon Electric Co Method of producing tunnel diodes by double alloying
NL258921A (lt) * 1959-12-14
BE627004A (lt) * 1962-01-12
US3243325A (en) * 1962-06-09 1966-03-29 Fujitsu Ltd Method of producing a variable-capacitance germanium diode and product produced thereby
GB1074284A (en) * 1963-01-09 1967-07-05 Mullard Ltd Improvements in and relating to semiconductor devices
DE1232269B (de) * 1963-08-23 1967-01-12 Telefunken Patent Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone
DE1215754B (de) * 1964-02-24 1966-05-05 Danfoss As Elektronischer Schalter
DE1614861C3 (de) * 1967-09-01 1982-03-11 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors
US3955270A (en) * 1973-08-31 1976-05-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Methods for making semiconductor devices
US3905162A (en) * 1974-07-23 1975-09-16 Silicon Material Inc Method of preparing high yield semiconductor wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2865082A (en) * 1953-07-16 1958-12-23 Sylvania Electric Prod Semiconductor mount and method
NL91651C (lt) * 1953-12-09
BE548647A (lt) * 1955-06-28
US2837704A (en) * 1954-12-02 1958-06-03 Junction transistors
NL111788C (lt) * 1956-06-18

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1194061B (de) * 1959-06-23 1965-06-03 Ibm Verfahren zum Herstellen eines Flaechen-Vierzonentransistors und Anwendung eines nach diesem Verfahren hergestellten Transistors

Also Published As

Publication number Publication date
GB911292A (en) 1962-11-21
DE1090770B (de) 1960-10-13
NL121250C (lt)
US3069297A (en) 1962-12-18
NL235051A (lt)
BE574814A (lt)
CH370165A (de) 1963-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1225692A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron
BE600139A (fr) Procédé de fabrication d'un agencement semi-conducteur.
FR1228175A (fr) Système d'électrodes à semi-conducteur et son procédé de fabrication
FR1213289A (fr) Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes à semi-conducteurs, notamment transistrons et diodes
FR1185444A (fr) Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes semi-conducteurs
FR1133880A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes, en particulier d'un transistron
OA01352A (fr) Procédé de fabrication de fermetures à glissière.
FR1213335A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur
FR1167318A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes semi-conducteur et système d'électrodes ainsi fabriqué
FR1170412A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes semi-conducteur
FR1235700A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, par exemple un transistron
BE582101A (fr) Procédé de fabrication d'une 2.6.dicétopipérazine.
BE583120A (fr) Procédé de fabrication d'un semi-conducteur à base de silicium.
FR75631E (fr) Procédé de fabrication de l'alpha-tocophéryl-quinone
BE574784A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes semi-conducteur
FR1234977A (fr) Procédé pour la fabrication d'un transistor, de préférence à électrodes alliées
FR1206897A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
BE578430A (fr) Procédé de fabrication d'objects façonnés à partir de polymères d'acrylonitrile.
FR1213288A (fr) Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes à semi-conducteurs
FR1215500A (fr) Procédé et dispositif de fabrication de systèmes d'électrodes à semi-conducteurs
FR1229143A (fr) Procédé de fabrication d'organes à semi-conducteurs, notamment de transistrons, et organes obtenus
BE576353A (fr) Système d'électrodes semi-conducteur et son procédé de fabrication.
BE574678A (fr) Procédé de fabrication de sytèmes d'electrodes semi-conducteurs.
FR1167317A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes semi-conducteur, et système d'électrodes obtenu par ledit procédé
FR78168E (fr) Procédé de fabrication d'hexadécadiène-(10, 12)-ol