FR1225692A - Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron - Google Patents
Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistronInfo
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1561/58A GB911292A (en) | 1958-01-16 | 1958-01-16 | Improvements in and relating to semi-conductor devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1225692A true FR1225692A (fr) | 1960-07-04 |
Family
ID=9724105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR784224A Expired FR1225692A (fr) | 1958-01-16 | 1959-01-16 | Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur, notamment d'un transistron |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3069297A (it) |
BE (1) | BE574814A (it) |
CH (1) | CH370165A (it) |
DE (1) | DE1090770B (it) |
FR (1) | FR1225692A (it) |
GB (1) | GB911292A (it) |
NL (2) | NL235051A (it) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1194061B (de) * | 1959-06-23 | 1965-06-03 | Ibm | Verfahren zum Herstellen eines Flaechen-Vierzonentransistors und Anwendung eines nach diesem Verfahren hergestellten Transistors |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3276925A (en) * | 1959-12-12 | 1966-10-04 | Nippon Electric Co | Method of producing tunnel diodes by double alloying |
NL258921A (it) * | 1959-12-14 | |||
BE627004A (it) * | 1962-01-12 | |||
US3243325A (en) * | 1962-06-09 | 1966-03-29 | Fujitsu Ltd | Method of producing a variable-capacitance germanium diode and product produced thereby |
GB1074285A (en) * | 1963-01-09 | 1967-07-05 | Mullard Ltd | Improvements in and relating to semiconductor devices |
DE1232269B (de) * | 1963-08-23 | 1967-01-12 | Telefunken Patent | Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone |
DE1215754B (de) * | 1964-02-24 | 1966-05-05 | Danfoss As | Elektronischer Schalter |
DE1614861C3 (de) * | 1967-09-01 | 1982-03-11 | Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm | Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors |
US3955270A (en) * | 1973-08-31 | 1976-05-11 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Methods for making semiconductor devices |
US3905162A (en) * | 1974-07-23 | 1975-09-16 | Silicon Material Inc | Method of preparing high yield semiconductor wafer |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2865082A (en) * | 1953-07-16 | 1958-12-23 | Sylvania Electric Prod | Semiconductor mount and method |
NL91651C (it) * | 1953-12-09 | |||
BE548647A (it) * | 1955-06-28 | |||
DE1073111B (de) * | 1954-12-02 | 1960-01-14 | Siemens Schuckertwerke Aktiengesellschaft Berlin und Erlangen | Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper |
NL218192A (it) * | 1956-06-18 |
-
0
- NL NL121250D patent/NL121250C/xx active
- NL NL235051D patent/NL235051A/xx unknown
- BE BE574814D patent/BE574814A/xx unknown
-
1958
- 1958-01-16 GB GB1561/58A patent/GB911292A/en not_active Expired
-
1959
- 1959-01-13 CH CH6825259A patent/CH370165A/de unknown
- 1959-01-14 DE DEN16116A patent/DE1090770B/de active Pending
- 1959-01-16 US US787195A patent/US3069297A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-01-16 FR FR784224A patent/FR1225692A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1194061B (de) * | 1959-06-23 | 1965-06-03 | Ibm | Verfahren zum Herstellen eines Flaechen-Vierzonentransistors und Anwendung eines nach diesem Verfahren hergestellten Transistors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB911292A (en) | 1962-11-21 |
BE574814A (it) | |
NL235051A (it) | |
CH370165A (de) | 1963-06-30 |
DE1090770B (de) | 1960-10-13 |
NL121250C (it) | |
US3069297A (en) | 1962-12-18 |
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