FR1189936A - Procédé et installation de dotation pour cristaux semi-conducteurs - Google Patents
Procédé et installation de dotation pour cristaux semi-conducteursInfo
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
- C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES49933A DE1130078B (de) | 1956-08-10 | 1956-08-10 | Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkristallen fuer Halbleiterbauelemente |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1189936A true FR1189936A (fr) | 1959-10-08 |
Family
ID=7487521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1189936D Expired FR1189936A (fr) | 1956-08-10 | 1957-08-10 | Procédé et installation de dotation pour cristaux semi-conducteurs |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH355528A (de) |
| DE (1) | DE1130078B (de) |
| FR (1) | FR1189936A (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1286512B (de) * | 1963-10-08 | 1969-01-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von insbesondere stabfoermigen Halbleiterkristallen mit ueber den ganzen Kristall homogener oder annaehernd homogener Dotierung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE883784C (de) * | 1949-04-06 | 1953-06-03 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen |
| DE894293C (de) * | 1951-06-29 | 1953-10-22 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial |
-
1956
- 1956-08-10 DE DES49933A patent/DE1130078B/de active Pending
-
1957
- 1957-08-09 CH CH355528D patent/CH355528A/de unknown
- 1957-08-10 FR FR1189936D patent/FR1189936A/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH355528A (de) | 1961-07-15 |
| DE1130078B (de) | 1962-05-24 |
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