FR1178414A - Procédé de fabrication d'une électrode à alliages sur un corps semi-conducteur constitué par du germanium - Google Patents

Procédé de fabrication d'une électrode à alliages sur un corps semi-conducteur constitué par du germanium

Info

Publication number
FR1178414A
FR1178414A FR1178414DA FR1178414A FR 1178414 A FR1178414 A FR 1178414A FR 1178414D A FR1178414D A FR 1178414DA FR 1178414 A FR1178414 A FR 1178414A
Authority
FR
France
Prior art keywords
germanium
manufacturing
semiconductor body
body consisting
alloy electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of FR1178414A publication Critical patent/FR1178414A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L37/00—Couplings of the quick-acting type
    • F16L37/50—Couplings of the quick-acting type adjustable; allowing movement of the parts joined
    • F16L37/52—Universal joints, i.e. with a mechanical connection allowing angular movement or adjustment of the axes of the parts in any direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12674—Ge- or Si-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
FR1178414D 1955-07-21 1956-07-19 Procédé de fabrication d'une électrode à alliages sur un corps semi-conducteur constitué par du germanium Expired FR1178414A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL359787X 1955-07-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1178414A true FR1178414A (fr) 1959-05-11

Family

ID=19785355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1178414D Expired FR1178414A (fr) 1955-07-21 1956-07-19 Procédé de fabrication d'une électrode à alliages sur un corps semi-conducteur constitué par du germanium

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2887416A (cs)
CH (1) CH359787A (cs)
DE (1) DE1094371B (cs)
FR (1) FR1178414A (cs)
GB (1) GB848331A (cs)
NL (2) NL199100A (cs)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB864222A (en) * 1956-02-23 1961-03-29 Post Office Improvements in or relating to methods for the production of semi-conductor junctiondevices
US3119171A (en) * 1958-07-23 1964-01-28 Texas Instruments Inc Method of making low resistance electrical contacts on graphite
US3151008A (en) * 1960-09-23 1964-09-29 Sprague Electric Co Method of forming a p-nu junction
NL274847A (cs) * 1961-02-16
NL287617A (cs) * 1962-01-12
DE1170081B (de) * 1962-03-24 1964-05-14 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
US3329895A (en) * 1964-07-02 1967-07-04 North American Aviation Inc Digital phase comparator capable of in dicating greater than 360 degree phase differences
US3390024A (en) * 1965-03-11 1968-06-25 Texas Instruments Inc Flux for fusing tin to gallium arsenide and method of making and using same
US3484312A (en) * 1966-12-28 1969-12-16 Bell Telephone Labor Inc Method for forming alloy contacts to gallium arsenide
US4475682A (en) * 1982-05-04 1984-10-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for reducing series resistance of solar cell metal contact systems with a soldering flux etchant

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE505814A (cs) * 1950-09-14 1900-01-01
NL87938C (cs) * 1953-06-04
BE529899A (cs) * 1953-06-26
BE533003A (cs) * 1953-11-02
US2761800A (en) * 1955-05-02 1956-09-04 Rca Corp Method of forming p-n junctions in n-type germanium
DE1041164B (de) 1955-07-11 1958-10-16 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall

Also Published As

Publication number Publication date
US2887416A (en) 1959-05-19
NL199100A (cs)
NL106108C (cs)
CH359787A (de) 1962-01-31
DE1094371B (de) 1960-12-08
GB848331A (en) 1960-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH349703A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR1178414A (fr) Procédé de fabrication d'une électrode à alliages sur un corps semi-conducteur constitué par du germanium
FR1139678A (fr) Translateurs d'impulsions à semi-conducteur
FR1151572A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, à jonction soudée par évaporation
CH409071A (fr) Procédé de fabrication d'un alliage supraconducteur
CH420635A (fr) Procédé de fabrication d'un moulage en alliage de nickel
FR1136614A (fr) Procédé de mordançage de la surface d'un corps semi-conducteur constitué par un tellurure d'un métal bivalent
CH350109A (fr) Procédé de fabrication d'un article de forme
FR1095629A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif à décharge d'électrons
CH404202A (fr) Procédé de fabrication d'un corps métallique
FR1143213A (fr) Procédé d'application de couches de métal précieux sur un corps semi-conducteur
FR1153226A (fr) Procédé de fabrication d'une grille d'emmagasinage électrostatique
BE583120A (fr) Procédé de fabrication d'un semi-conducteur à base de silicium.
FR1127036A (fr) Procédé de fabrication d'alliages semi-conducteurs
FR1171253A (fr) Procédé de fabrication de redresseurs et transistors à semi-conducteurs du type à jonction alliée
FR1152237A (fr) Fabrication d'alcoyles métalliques
FR1201878A (fr) Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur
FR1213335A (fr) Procédé de fabrication d'un système d'électrodes à semi-conducteur
CH405721A (fr) Alliage à base de cuivre et procédé de fabrication de cet alliage
FR1188690A (fr) Procédé de fabrication d'un tube à ailettes de refroidissement
FR1130280A (fr) Procédé de fabrication d'inflammateurs électriques et inflammateurs électriques obtenus
FR1246537A (fr) Procédé de fabrication de deux ou plusieurs contacts par alliage à la même surface d'un corps semi-conducteur
FR1271902A (fr) Procédé de fabrication d'une impureté ponctuelle dans un semi-conducteur du type allié
CH438230A (fr) Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur constitué par un monocristal de germanium
FR1087636A (fr) Procédé de fabrication d'électrodes métalliques