FI74367B - Foerstaerkningsreglerad foerstaerkare med variabel emitterdegeneration. - Google Patents

Claims (6)

1. Förstärkare med styrd förstärkning, vilken för-stärkare innefattar en förstärkartransistor med en bas-5 elektrod kopplad för mottagning av ingängssignaler, en kollektorelektrod vid vilken utgängssignaler tas ut, och en emitterelektrod, tili nämnda transistorelektroder kopp-lade förspänningsorgan för att ge förspänning ät nämnda transistor i en gemensam emitterkoppling, en källa för 10 ström för förstärkningsstyrning, och ett organ för förstärkningsstyrning, vilket organ är kopplat tili nämnda transistor för att styra förstärkningen hos transistorn säsom gensvar pä nämnda ström för förstärkningsstyrning, kännetecknad av ett organ (14) för förstärk-15 ningsstyrning, vars första elektrod är kopplad tili tran-sistorns (10) emitterelektrod, andra elektrod är kopplad tili nämnda källa (40) för att mottaga strömmen för förstärkningsstyrning, och en tredje elektrod är kopplad tili en referenspotentialpunkt (jord), varvid nämnda ström för 20 förstärkningsstyrning förorsakar en ström genom den tredje elektroden, vilken ström är väsentligen lika med strömmen för förstärkningsreglering vid den andra elektroden, och en ström genom den första elektroden, vilken är betyd-ligt mindre än strömmen för förstärkningsstyrning i den 25 andra elektroden, varvid nämnda organ (14) för förstärkningsstyrning ger upphov tili en impedans vid transistorns emitterelektrod, vilken impedans är variabel säsom en funktion av storleken hos strömmen för förstärkningsstyrning. 30

2. Förstärkare med styrd förstärkning enligt pa- tentkravet 1, kännetecknad därav, att nämnda organ för förstärkningsstyrning innefattar en andra transistor (14) med en baselektrod kopplad tili förstärkar-transistorns (10) emitterelektrod, en kollektorelektrod 35 kopplad tili en referenspotentialpunkt, och en emitterelektrod kopplad tili nämnda källa för att mottaga nämnda 17 74367 Ström för förstärkningsstyrning, varvid resistansen mellan bas- och emitterieleketroderna är variabel säsom en funktion av storleken hos strömmen för förstärkningsstyrning.

3. Förstärkare med styrd förstärkning enligt pa-5 tentkravet 1, kännetecknad av en andra för- stärkartransistor (12) med en baselektrod kopplad för mot-tagning av ingängssignaler, en kollektorelektrod vid vil-ken utgängssignaler tas ut, och en emitterelektrod, varvid den andra förstärkartransistorn (12) ges en förspänning av 10 nämnda förspänningsorgan (20, 24, VBIAg) för att därvid bilda en differentialförstärkare med den förstnämnda förstärkartransistorn (10), ett andra organ (16) för förstärkningsstyrning, vars första elektrod är kopplad tili den andra transistorns (12) emitterelektrod, andra elekt-15 rod är kopplad tili en referenspotentialpunkt, och tredje elektrod är kopplad tili nämnda källa (40) för Ström för förstärkningsstyrning, varvid nämnda andra organ (16) har mellan de första och tredje elektroderna en impedans som varierar säsom en funktion av ändringar i storleken hos 20 strömmen mellan de första och tredje elektroderna, varvid likströmmen genom den andra elektroden och den tredje elektroden har väsentligen lika storlek, och varvid likströmmen genom den första elektroden är betydligt mindre än nämnda strömmar av väsentligen lika storlek. 25

4. Förstärkare med styrd förstärkning enligt pa- tentkravet 3, kännetecknad därav, att nämnda första och andra organ (14, 16) för förstärkningsstyrning innefattar tredje (14) resp. fjärde (16) transistorer med var sin baselektrod kopplad tili en enskild emitterelekt-30 rod hos den ena av de första (10) och andra (12) förstär-kartransistorerna, vidare var sin kollektorelektrod kopplad tili en referenspotentialpunkt, och var sin emitterelektrod kopplad tili nämnda källa för mottagning av en Ström för förstärkningsstyrning, varvid vardera av de 35 tredje och fjärde transistorerna har en basemitterimpe-dans som varierar säsom en funktion av ändringar i stor-