FI62659C - Foerfarande foer framstaellning av flercelliga glaspaerlor medliten taethet och vattenpermeabilitet - Google Patents

Claims (29)

1. Förfarande för framställning av flercelliga glaspärlor med liten täthet och vattenpermeabilitet, varvid en blandning av glas-partiklar och expanderingsämne agglomereras till noduler och sedan värmebehandlas, för att bringa glaset att sraälta och gas att utveck-las ur expanderingsämnet, sä att expanderade glaspärlor bildas som sedan kyles till fast tillständ, kännetecknat därav, att man använder en överflöd av expanderingsämne frän vilket gas utvecklas i sin helhet eller i huvudsak medan glasets viskositet är inom omrädet 10 - 10 °' pois, och att ugnsns temperatur, där cellbildningen sker, inte är högre 5 5 än den temperatur som motsvarar glasets viskositet 10 ’ pois, och att pärlornas uppehällstid i ugnen understiger 10 minuter.

2. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat därav, att man väljer expanderingsämnet sä att gas- utvecklingen frän detta sker helt eller i huvudsak medan glasets 7 65 viskositet är under 10 * pois.

3. Förfarande enligt patentkravet 1 eller 2, kännetecknat därav, att man väljer expanderingsämnet sä, att gasutvecklingen frän detta sker i sin helhet eller i huvudsak efter det att alla eller väsentligen alla med detta äm-ne blandade glaspartiklar har uppnätt sintringstemperaturen.

4. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat därav, att expanderingsugnens temperatur är inom ett omräde som motsvarar glasets viskositet 105’5 - 107’5 pois.

5. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat därav, att expanderingsämnet ursprungligen föreligger i pa^tikelform i nodulerna.

6. Förfarande enligt patentkravet 5, kännetecknat därav, att medeistorleken av partiklarna av ex-panderingsämnet är approximativt densamma som glaspartiklarnas medelstorlek. 25 62659

7· Förfarande enligt n&got av de föreg&ende patentkraven, kännetecknat därav, att expanderingsämnet best&r av en förening som sönderdelas för att istadkomma gasutveckling.

8. Förfarande enligt patentkravet 7» kännetecknat d ä r a v, att man använder kalciumkarbonat som expanderingsämne.

9. Förfarande enligt patentkravet 8, kännetecknat därav, att mängden kalciumkarbonat i nodulema är 1,7·· *2,7 vikt-%, räknat pä glasets vikt.

10. Förfarande enligt nägot av de föreg&ende patentkraven, kännetecknat därav, att de ursprungliga nodulema innehäller glaspartiklar och finfördelat expanderingsämne, och att man använder vetten som enda medium för att bringa dessa finfördelade kom-ponenter att sammanklumpa sig tili noduler.

11. Förfarande enligt patentkravet 10, kännetecknat därav, att den ursprungliga blandningen inneh&ller 10...20 vikt-% vetten, räknat p& blandningens totalvikt.

12. Förfarande enligt n&got av de föreg&ende patentkraven, kännetecknat därav, ett pärloraa hAlles i rullande kontakt inbördes under deras bebandling i expanderingsugnen. 1J. Förfarande enligt patentkravet 12, kännet ecknat därav, att expanderingsugnen är en roterande ugn.

14. Förfarande enligt n&got av patentkraven 1...11, kännetecknat därav, att man uppvärmer pärloma i löst till-st&nd i en het gasström i expanderingsugnen.

15· Förfarande enligt n&got av de föreg&ende patentkraven, kännetecknat därav, att man utför värmebehandlingen av blandningen som best&r av glaspartiklar och expanderingsämne i tv& faser, varvid i den första av dessa faser noduler av nämnda blandning utan friktionskontakt inbördes uppvärmes tillräckligt för att bringa glaspartiklama att sintra, men inte s& mycket att dessa noduler ex-panderar, och att under den andra av dessa faser nodulema av blandningen som blivit uppvärmd under den första fasen, uppvärmes i expan-deringsugnen medan de är i fri relativ rörelse tili en högre tempera-tur för att bringa cellbildningen att äga rum, varvid expanderingsug- nens maximitemperatur inte överstigerden temperatur, som motsvarar 5 5 glasets viskositet 10^*^ pois.

16. Förfarande enligt patentkravet 15, kännetecknat därav, att expanderingsugnens temperatur är inom ett ornräde som motsvarar glasets viskositetsomr&de 10^’^...10^*^ pois. 62659 24

17. Förfarande enligt patentkravet 15 eller 16, kanne-tecknat därav, att man uppvärmer nodulerna under den första nämnda fasen i en ugn med konstant temperatur sä att uppvärm-ningskurvan är väsentligen densamma för samtliga noduler.

18. Förfarande enligt patentkravet 17, kännetecknat därav, att man utför värmebehandlingen under nämnda första fas genom att transportera nodulerna pä en transportör genom en tunnel-ugn med en teciiperatur inom ett omräde som motsvarar glasviskositets-omrad°t in· _ -jq^ pois.

19. Förfarande enligt patentkravet 18, kännetecknat därav, att tunnelugnens temperatur lie-ger inom omradet som motsvarar glasviskositetsomrädet 10^’^ - 1011 pois.

20. Förfarande enligt nagot av de föregaende patentkraven, k ä n n e t e c k n a t d ä r a v , att man tempererar pärlorna efter det att de lämnar expanderingsugnen.

21. Förfarande enligt nagot av de föregaende patentkraven, kännetecknat därav, a^t man tempererar pärlorna under deras transport genom en tunnelugn med tillhjälp av en transportör .

22. Förfarande enligt nagot av patentkraven 1 - 19, kännetecknat därav, att man kyler pärlorna eller later dem avskylas snabbt efter cellbildningen i expanderingsugnen.

23- Förfarande enligt nagot av de föregaende patentkraven, kännetecknat därav, att man krossar nodulerna före värmebehandlingen och/eller mellan sintrings- och cellbildnings-faserna av värmebehandlingen.

24. Förfarande enligt patentkravet 23, kännetecknat därav , att man krossar nodulerna mellan sintrings- och cell-bildningsfaserna av värmebehandlingen, medan nodulernas temperatur är 250 - 300 °C.

25. Förfarande enligt patentkravet 23 eller 24, kännetecknat därav, att man efter en sintringsfas av värmebehandlingen snabbt avkyler nodulerna för att ästadkomma en sönder-brytning av eller sprickbildning i dem, och att man sedan krossar dem före värmebehandlingens cellbildningsfas.

26. Förfarande enligt nagot av de föregaende patentkraven, kännetecknat därav, att nodulerna före värmebe-handlingens cellbildningsfas helt eller i huvudsak ligger inom stor-leksomrädet 1,5 - 15 mm.