FI59579C - Foerfarande och anordning foer framstaellning av fibrer av termoplastiskt material saosom glas - Google Patents

Description

I5SF7 ΓΒ1 ««KUULUTUSJULKAISU CQC70 JS* IBJ UTLÄGGNINGSSKRIFT '9 C (45) Täten ltx r;,y 10 t 9 1 .'01 ^ * ' (51) Kv.ik?/int.ci.3 c 03 B 37/06 // D 01 D 3/08 SUOMI—FINLAND (21) ρ«·η«ιι^·*υ·-ρ·ΜηΜη^ι.>* 760383 (22) HriMmtap«v« — AM6knlnf*d«| 17.02.76 ' . (23) AlkupiM—GiMghatadag 17*02.76 (41) Tulkit lulklMk» — BIMt effmtllg i9.O8.76

Patentti- ja rekisterihallitu· .,.. ...._________ , .

_ ' ,. , , (44) NlhttvUcUpvnon · kuuLjullulaun pvm— or. _c Al

Patent- och reficterstyralMn v 1 AmMcm utbid och utlakriftM pubHcwvf 29-05-81 (32)(33)(31) Pyydetty atuollwu*—β«|Μ prtorlut 18.02.75

Ranska-Frankrike(FR) 7501+970 (71) Saint-Gobain Industries, 62, Bd Victor Hugo, F-92209 Neuilly sur Seine, Ranska-Frankrike(FR) (72) Marcel Levecque, Saint-Gratien, Jean A. Battigelli, Rantigny,

Dominique Plantard, Rantigny, Ranska-Frankrike(FR) (74) Berggren Oy Ab (54) Menetelmä ja laite kuitujen valmistamiseksi lämpöplastisistä aineista kuten lasista - Förfarande och anordning för framställning av fibrer av termoplastiskt material säsom glas

Keksintö koskee menetelmää ja laitetta lämmöllä pehmitettävissä olevien ainesten kuten lasin kuiduiksi muuttamiseksi, jonka mukaan aikaansaadaan kaasuvirta ja kaasusuihku, jota sanotaan sekundääri-suihkuksi, jonka suihkun suunta on sellainen, että se kohtaa kaasu-virran, ja liike-energia sellainen, että se riittää suihkun tunkeutumiseen kaasuvirran sisään, jolloin sen kohdan läheisyyteen, jossa kaasusuihku tunkeutuu kaasuvirtaan, muodostuu vuorovaikutusvyöhyke, ja lämmöllä pehmennettyä ainesta johdetaan kaasuvirran rajapintaan, jonka läpi se tunkeutuu, joutuen vuorovaikutusvyöhykkeeseen, mistä aiheutuu aineen venytys ja kuitujen muodostus. Tällainen menetelmä on FI-patenttijulkaisun 57247 kohteena.

Esillä oleva keksintö kohdistuu parannuksiin tässä menetelmässä ja siinä käytettävässä laitteistossa, nimenomaan sulan aineen syöttämisessä vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

On todettu, että on edullista jättää tietty välimatka suulakkeiden ja päävirran rajan väliin. Tällainen välimatka tekee nimittäin helpommaksi säätää sitä upokasta johon sula ainesjohdetaan, ympäröivää 2 59579 ilmakehää. Samoin tällainen välimatka tekee mahdolliseksi käyttää tiettyjä upokkaan lämmityssovituksiä, joita ei voitaisi mukavasti soveltaa laitoksiin, joissa lasin syöttösuulake sijaitsee täsmälleen päävirran rajalla.

Tämä välimatka tekee lisäksi mahdolliseksi muodostaa pehmennetyn aineen lähteen ja virran väliin vapaan tilan, jonka olemassaolo on osoittautunut erittäin tärkeäksi.

Keksinnön mukainen menetelmä tunnetaan pääasiallisesti siitä, että pääkaasuvirta lähtee etäisyyden päässä syöttölähteestä ja että aine-säikeet ohjataan vapaaseen tilaan, joka erottaa pääkaasuvirran mainitusta lähteestä, ratoja pitkin jotka kohtaavat pääkaasuvirran jokaisessa vyöhykkeessä, missä sekundäärisuihku tunkeutuu pääkaasu-virtaan.

Keksinnön erään toisen erityisen edullisen tunnusmerkin sekundäärisuihku johdetaan vuorovaikutusvyöhykkeen muodostamiseksi kohdasta, joka sijaitsee päävirran ylärajan yläpuolisessa vapaassa tilassa ja matkan päässä lasivirtaussuulakkeesta tämän vapaan tilan läpi, niiden rakenteiden, joista lasi, päävirta ja sekundäärisuihku lähtevät, lämpötilojen keskinäisen vaikutuksen pienentämiseksi.

Keksinnön mukaan sekundäärisuihku ohjataan nimenomaan vinosti lasin syöttösuuntaan nähden.

Keksinnön erään kolmannen tunnusmerkin mukaan sula aine virtaa painovoiman vaikutuksesta mainitun vapaan tilan läpi, jolloin sekundääri-suihkun tässä vapaassa tilassa aiheuttamien virtojen vaikutus helpottaa tämän aineen kulkua vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Keksinnön mukaan sekundäärisuihku suunnataan vinosti virtaussuuntaan nähden.

Vielä erään keksinnön tunnusmerkin mukaan vapaata tilaa suurennetaan käyristämällä päävirta niin, että se loittonee vuorovaikutusvyöhykkeen alavirran puolella olevista rakenteista. Keksinnön mukaan tähän tarkoitukseen käytetään lisäsuihkua, joka vaikuttaa päävirran siihen pintaan, joka on vastakkainen siihen pintaan nähden, johon lasi ja sekundäärisuihku tunkeutuvat.

3 59579

Vielä erään tärkeän keksinnön tunnusmerkin mukaan sula aines saatetaan virtaamaan tasokerroksen muodossa ja käytetään useita sekundääri-suihkuja, jotka suihkut sekä niiden vapaaseen tilaan aikaansaamat virrat jakavat tämän kerroksen säikeiksi, jotka samojen suihkujen ja samojen virtojen vaikutuksesta saadaan kulkemaan vapaan tilan läpi vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Tarkemmin sanottuna sula aines saatetaan keksinnön mukaan kulkemaan tasokerroksena vaakasuoralla pinnalla, tämä kerros johdetaan kaarevan pinnan yli, joka saattaa sen kulkemaan vapaasti ilman aineellista kannatusta niin, että se tulee kulkunsa aikana kosketukseen sekundää-risuihkujen kanssa, jotka yhdessä vapaaseen tilaan aikaansaamiensa virtojen kanssa jakavat tämän kerroksen säikeiksi, jotka samojen suihkujen ja samojen virtojen vaikutuksesta kulkeutuvat vapaan tilan läpi vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Vielä erään keksinnön tunnusmerkin mukaan sekundäärisuihkun yhteyteen, joka sijaitsee vapaassa tilassa sulan aineen säikeen ylävirran puolella kaasuvirran kulkusuuntaan nähden, sovitetaan lisäsuihku, joka samoin sijaitsee vapaassa tilassa mutta alavirran puolella, säikeen stabiloimiseksi sillä hetkellä, jolla se saapuu vuorovaikutusvyöhykkeeseen .

Laite keksinnön mukaisen menetelmän suorittamiseksi käsittää tunnetusti kaasuvirran kehittimen, joka on varustettu poistoaukolla, kaasukehittimen, joka aikaansaa ainakin yhden sekundäärikaasu-suihkun, jonka liike-energia tilavuusyksikköä kohti on suurempi kuin pääkaasuvirralla, tämän kaasusuihkukehittimien käsittäessä päästö-aukon, jonka poikkileikkaus on pienempi kuin pääkaasuvirran poisto-aukko, ja ohjatessa sekundäärisuihkun poikittain pääkaasuvirtaan nähden vuorovaikutusvyöhykkeen muodostamiseksi, ja aineen syöttölähteen, jossa on ainakin yksi syöttöaukko, joka syöttää ainetta vuorovaikutusvyöhykkeeseen. Tälle laitteelle on tunnusomaista se, että aineen syöttöaukko avautuu etäisyyden päässä pääkaasuvirran rajapinnasta ja on sijoitettu niin, että se ohjaa ainakin yhden venytettävässä tilassa olevan ainesäikeen vapaaseen tilaan, joka erottaa syöttölähteen ja pääkaasuvirran toisistaan, rataa pitkin joka kohtaa pääkaasuvirran alueella, jossa kaasusuihku tunkeutuu siihen.

“ 59579 Tämä pehmennetyn aineksen lähteen ja päävirran välisen vapaan tilan olemassaolo, joka on eräs keksinnön mukaisten laitteiden olennainen tunnusmerkki, paitsi että se mahdollistaa niiden tarkoitusten saavuttamisen, joihin alunperin on pyritty, mahdollistaa myös jäljempänä selitettävien erityisen edullisten laitteiden aikaansaamisen.

Keksinnön mukaisten laitteiden erään tunnusmerkin mukaan sekundääri-suihkun kehittävän elimen poistoaukko sijaitsee vapaassa tilassa päävirran ylisen rajapinnan yläpuolella ja on matkan päässä sulan aineksen syöttöaukosta. Keksinnön mukaan sulan aineksen syöttöaukko nimenomaan sijoitetaan vapaan tilan yläosaan sillä tavoin, että sula aines joutuu kulkemaan painovoiman vaikutuksesta mainitun tilan läpi. Sekundäärisuihku on edullisesti suunnattu vinosti sulan aineksen kulkusuuntaan nähden.

Keksinnön mukaisten laitteiden erään toisen tunnusmerkin mukaan niihin kuuluu laite päävirran suunnan muuttamiseksi siten, että aineen lähteen ja mainitun virran välinen vapaa tila suurenee.

Tätä suunnan muutosta voidaan edistää kaartamalla päävirtaa ohjaava seinä siten, että se loittonee lasin syöttöaukosta.

Suunnanmuutos voidaan edullisesti toteuttaa myös puhalluselimellä, joka suuntaa alaspäin lisäsuihkun, joka on kosketuksessa päävirran siihen pintaan nähden, johon päävirta ja sekundäärisuihkut tunkeutuvat, vastakkaisen pinnan kanssa.

Keksintö koskee myös erityisen edullisia laitteita, joihin kuuluu laite sulan aineksen syöttämiseksi tasokerroksen muodossa, sekundäärisuihkut, joiden tehtävänä on sekä jakaa tämä kerros säikeiksi että kuljettaa säikeet vapaan tilan läpi vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Erään erityisen edullisen sovellutusmuodon mukaan näihin laitteisiin kuuluu: - elin, joka on tarkoitettu vastaanottamaan sula aines ja jonka päällä aines kulkee, - suunnanmuuttopinta, joka on sijoitettu sen tasopinnan jättöpäähän, jonka päällä aines kulkee kerroksen muodossa, - puhalluselimet, jotka sijaitsevat mainitun kerroksen tason ala- 5 59579 puolella ja suuntaavat yhden tai useamman sekundäärisuihkun kosketukseen kerroksen kanssa sen suunnanmuutoksen jälkeen, jotka suihkut jakavat kerroksen säikeiksi ja saattavat säikeet kulkemaan yhdessä suihkujen aiheuttamien virtojen kanssa, ja - päävirran kehittävä puhalluselin, joka on sijoitettu sekundääri-suihkut kehittävien puhalluselinten alapuolelle sellaiseen asentoon, että sulan aineksen säikeet voivat tunkeutua päävirran ja sekundää-risuihkujen vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Vielä erään keksinnön mukaisten laitteiden tunnusmerkin mukaan mainitut lisäpuhalluselimet sijaitsevat vapaassa tilassa sulan aineksen säikeiden alavirran puolella kaasuvirran kulkusuuntaan nähden. Nämä elimet suuntaavat lisäsuihkut kosketukseen sulan aineksen säikeiden kanssa niiden stabiloimiseksi sillä hetkellä, jolla ne saapuvat vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

Seuraavassa selitetään keksintöä rajoittamattomana esimerkkinä keksinnön mukaisten laitteiden sovellutusmuotoja oheisen piirustuksen yhteydessä, jossa:

Kuvio 1 on leikkauskuvanto kuidutusasemasta, joka käsittää laitteen päävirran kehittämiseksi, laitteen sekundäärisuihkun kehittämiseksi sekä lasin syöttölaitteen, jossa viimeksimainitussa on lasinsyöttö-aukko sijoitettuna selvästi päävirran ylisen rajapinnan yläpuolelle tietyn matkan päähän siitä.

Kuvio 2 on kuvion 1 kaltainen kuvanto, mutta esittää erästä toista sovellutusmuotoa, jossa lasin syöttöaukko on muodoltaan toisenlainen.

Kuvio 3 on kaaviokuva, joka esittää kuvion 2 mukaisten lasin syöttö-aukkojen kanssa analogisten syöttöaukkojen ryhmän muotoa ja josta lisäksi näkyy niiden asento sekundäärisuihkun lähtöaukkoihin nähden.

Kuvio 4 on pysty leikkauskuvanto laitteesta, joka käsittää useita kuidutusasemia; kuvanto on otettu kuvion 6 viivalta 4-4.

Kuvio 5 on kuvion 4 kanssa analoginen osakuvanto, joka on otettu kuvion 6 viivalta 5-5·

Kuvio 6 on kuvanto eräistä kuvioissa 4 ja 5 esitetyistä osista, mutta 6 59579 ylöspäin katsottuna, niin että tästä kuviosta näkyy yksityiskohtaisesti lasin ja sekundäärisuihkujen syöttöaukkojen keskinäinen asema kuvioiden 4 ja 5 mukaisessa sovellutusmuodossa.

Kuvio 7 esittää vielä erästä keksinnön sovellutusmuotoa, joka on analoginen kuvion 2 kanssa, mutta käsittää lisäksi laitteen lisä-kaasuvirran syöttämiseksi päävirran sille puolelle, joka on vastakkainen lasin ja sekundäärisuihkujen syöttöaukkoihin nähden.

Kuvio 8 on täysin kaaviollinen, isometrinen kuvanto, joka esittää erästä toista laitetta lasin ja päävirran syöttölaitteiden saattamiseksi erilleen.

Kuvio 9 on kaaviokuva kuidutusasemasta, jossa eräitä osia on esitetty pystyleikkauksena ja toisia leikkaamattornina pystykuvantoina; tämä kuvio esittää erästä toista lasin syöttölaitetta, jolla se saadaan erotetuksi päävirrasta.

Kuvio 10 on pystykuvanto kuvion 9 mukaisesta sovellutusmuodosta nähtynä kuvion 9 oikealta puolelta.

Kuvio 11 on kuvion 1 kanssa analoginen kuvanto, mutta esittää toisen lisäkaasusuihkun käyttämistä jäljempänä selitettävistä syistä.

Oheisessa piirustuksessa päävirtaa on merkitty viitemerkinnällä 12A, ja sekundäärisuihkun ja lasin syöttöaukkoja on merkitty viitenumeroilla 36 ja vastaavasti 37» samalla tavoin kuin edellä mainitun ranskalaisen patenttijulkaisun eri kuvioissa.

Kun ensiksi tarkastellaan kuvion 1 mukaista sovellutusmuotoa, nähdään kohdassa 200 upokas, joka sopivalla laitteella on yhdistetty lasin lähteeseen kuten esiuuniin 201. Päävirta lähtee rakenteesta 202 vaakasuoraan tasossa, joka on selvästi lasiupokkaan 200 alapuolella. Sekundäärisuihkun 36 lähtöaukkona on suihkuputken 203 avoin alapää, jota putkea syötetään jakoputkesta 204, joka on yhdistetty poltti-meen tai muuhun sekundäärikaasusuihkun lähteeseen johdolla 205· Huomattakoon, että suihkuputki 203 on sijoitettu tiettyyn kulmaan virran 12A keskiviivaan nähden ja lisäksi, että suihkun 36 lähtö-, aukko on jonkin matkaa ylempänä kuin rakenteesta 202 lähtevän pää.*· ·' virran rajapinta. Sekundäärikaasusuihku ja päävirta vaikuttavat 7 59579 toisiinsa siten, että syntyy vuorovaikutusvyöhyke, niin kuin yksityiskohtaisesti on selitetty siinä patenttijulkaisussa, johon edellä on viitattu, joka vyöhyke sijoittuu lähes täsmälleen pystysuoraan lasin syöttöaukon 37 alle. Lasi syötetään säikeen S muodossa, joka laskeutuu painovoiman vaikutuksesta aukosta 37 ja menee sekundäärikaasu-suihkun päävirran vuorovaikutusvyöhykkeen sisään, jolloin vyöhykkeessä lisäksi saadaan aikaan kuidutus ja venytys sillä tavoin kuin mainitussa patenttijulkaisussa on yksityiskohtaisesti selitetty.

Eräissä esitetyissä sovellutusmuodoissa, niihin luettuna kuvion 1 mukainen, lasin syöttöaukon 37 ja päävirran 12A ylisen rajapinnan pystysuora välimatka voi olla suuruusluokkaa 10-100 mm. Lisäksi sekundäärikaasusuihkun lähtöau-kon 36 ja päävirran ylisen rajapinnan välimatka voi olla suuruusluokkaa 5-10 mm.

Näissä sovellutusmuodoissa suuaukkojen 36 ja 37 keskiviivojen välimatka mitattuna suunnassa päävirran 12A ylävirrasta alavirtaan päin voi olla 4-10 mm. Lisäksi, kuidutusaseman sijoituksen ja sen muodostavien eri elinten välimatkojen johdosta suihkuputken 203 ja niin ollen siitä lähtevän suihkun on mieluimmin muodostettava kulma päävirran 12A keskiviivaan nähden. Sekundäärikaasusuihkun kulman päävirran keskiviivaan nähden on mieluimmin oltava pienempi kuin 90° ja se voi olla esimerkiksi noin 45-50°:n ja 85°:n välillä. Sopivimmat rajat ovat noin 75° ja 85°. Kulmien ja välimatkojen suhteiden on oltava sopivat, jotta sekundäärikaasusuihkun ja päävirran vuorovaikutusvyöhyke saadaan muodostumaan kohtaan, joka on lähes täsmälleen pystysuunnassa lasin syöttöaukon 37 alla. Samoin on sopivinta sijoittaa suihkuputki 203 ja niin ollen myös sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko sillä tavoin, että sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko päävirran 12A kulkusuuntaan nähden sijaitsee lasisäikeen S ylävirran puolella. Suihkuputken 203 kaltevuuden on saatava aikaan sekundäärikaasusuihkun lähteminen suuntaan, joka yleisesti on poikittainen päävirtaan nähden, mutta jolla on päävirran kulkusuun-tainen komponentti, joka näin ollen edistää kuidutusta ja venytetyn kuidun siirtymistä päävirran kulkusuuntaan.

Jokainen kuidutusasema, joka on sovitettu kuvion 1 yhteydessä selitetyllä tavalla, toimii yleisesti katsottuna sillä tavoin kuin edellä viitatussa patenttijulkaisussa on selitetty. Parametrit, joihin kuuluvat päävirran ja sekundäärisuihkun liike-energia niiden toi- 59579 mintavyöhykkeessä sekä päävirran ja sekundäärisuihkun lämpötilat ja nopeudet kuin myös lasin lämpötila ja lasin ja sekundäärisuihkun lähtöaukkojen mittojen suhde, voivat kaikki olla mainitussa patenttijulkaisussa annettujen parametrien mukaiset, joskin on huomattava, että tietyissä tapauksissa jotkin näistä parametreistä voivat vaihdella mainitussa patenttijulkaisussa ilmoitettujen valittujen rajojen ulkopuolellekin. Esimerkiksi ja niin kuin jo on mainittu, esillä olevan keksinnön sovellutusmuodoissa edellytetään, että lasin syöttö-aukon välimatka ylöspäin päävirran lähimmästä rajapinnasta on riittävän suuri. Voidaan myös käyttää muita variantteja, joista eräitä on jäljempänä selitetty.

Esillä olevan keksinnön mukaisissa laitteissa on mahdollista käyttää vähemmän ahtaita rajoja sekundäärikaasusuihkun liike-energian ja päävirran liike-energian suhteelle niiden toimintavyöhykkeessä verrattuna mainitussa patenttijulkaisussa selitettyihin laitteisiin. Niinpä toiminnallisesti hyviä tuloksia voidaan saavuttaa pysyttämällä sekundäärikaasusuihkun ja päävirran liike-energioiden suhde olennaisesti rajoissa 4:1-35:1.

Esillä olevan keksinnön mukaisissa laitteissa sekundäärikaasusuihkun lähtöaukon mitta voi olla huomattavasti pienempi kuin se mitä käytetään mainitun patenttijulkaisun mukaan. Keksinnön mukaisissa laitteissa esimerkiksi sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko voi olla pienempi kuin lasin syöttöaukko, so. olla suhteen 1:6 ja suhteen 1:1 välillä lasin syöttöaukon kokoon nähden. Keksinnön mukaisessa laitteessa sekundäärisuihkun lähtöaukon mitta voi vaihdella noin 0,3:sta 2,5 mm:iin. Pienikokoisen sekundäärikaasusuihkun lähtöaukon käyttö vaatii samalla korkean suihkupaineen käyttämistä, kun kaikki muut toimintaolosuhteet pysyvät olennaisesti samoina. Voidaan käyttää sekundäärikaasusuihkun paineita, jotka ovat noin välillä 2-25 baria.

Sovellutusmuodoissa, joissa käytetään pienikokoisia sekundäärisuih-kuja, sekundäärikaasusuihkun ja lasin lähtöaukkojen keskiviivojen välimatka mitattuna päävirran kulkusuunnassa voi olla suuruusluokkaa 3-4 kertaa sekundäärikaasusuihkun lähtöaukon läpimitta eli noin 1-10 mm.

Kuvion 1 mukaisen kuidutuskeskuksen toiminnassa saadaan aikaan ilmavirtoja aukosta 36 lähtevän sekundäärikaasusuihkun vaikutuksesta, 9 59579 niin kuin nuolet 206 osoittavat, ja nämä suihkun aikaansaamat virrat vaikuttavat lasisäikeen S asemaan pyrkien vetämään puoleensa säiettä sekundäärisuihkua kohti sikäli kun lähestytään virran rajapintaa. Tällä toiminnalla on stabiloiva pyrkimys, so. se pyrkii valmistamaan sen, että lasisäikeen sisääntulo sekundäärisuihkun ja päävirran vuo-rovaikutusvyöhykkeeseen pysyy vakiona ja stabiilina ja niin ollen myös lasin saapuminen venytysvyöhykkeeseen pysyy vakiona ja stabiilina .

Tutkimalla kuviota 1 voidaan havaita, että kuidutusaseman kaikkien pääelinten, niihin luettuna upokas, sekundäärikaasusuihkuputkeen väliainetta syöttävä putki ja päävirran muodostus- ja lähetyslait-teisto, välille on varattu varsin suuret välimatkat. Kuidutusaseman elinten välimatkojen tämän suurentamisen ansiosta lämmön siirto upokkaan ja päävirran ja sekundäärisuihkun kehitinten välillä saadaan tehokkaasti pienenemään. Tästä seuraa, että näin on olemassa mahdollisuus säätää lasin lämpötilaa. Tämä järjestely tekee mahdolliseksi myös käyttää korkeammassa lämpötilassa sulavia seoksia tai saavuttaa suurempia lasin syöttönopeuksia.

Voidaan käyttää myös useita kuidutusasemia päävirran poikittais-suunnassa.

Lasin syöttöaukko 37, jota käytetään kuvion 1 mukaisessa sovellutus-muodossa, voi olla yksinkertainen suuaukko tai sellainen kuin yksityiskohtaisemmin selitetään jäljempänä kuvioiden 2 ja 3 yhteydessä.

Tarkasteltaessa nyt kuvioita 2 ja 3 voidaan nähdä, että pääelinten yleisjärjestely on analoginen sen kanssa, mitä edellä on selitetty, joskaan lasin syöttöaukon 37 ja päävirran 12A välisen rajapinnan pystysuora välimatka ei ole yhtä suuri kuin kuviossa 1.

Kuvioiden 2 ja 3 mukaisessa sovellutusmuodossa upokkaan 200 molemmat sivut on varustettu alumiinikuitueristeellä (esimerkiksi 60 % A^O^) niin kuin kohdassa 207 on esitetty, siten pienentäen lämpöhäviöitä upokkaasta ja samalla suojellen suihkuputkia 203 upokkaan korkealta lämpötilalta. Voidakseen kestää sulan lasin lämpötilaa upokas 200 on normaalisti platinalejeerinkiä, ja eristys, joka juuri on selitetty, mahdollistaa muiden elinten kuten suihkuputken 203 tekemisen vähemmän kalliista metalleista esimerkiksi ruostumattomasta teräksestä.

10 59579

Kun toisaalta upokkaan ja toisaalta sekundäärikaasusuihkun ja suih-kunsyöttöelinten välissä on kohdassa 207 esitetty eristys, on mahdollista ylläpitää suurempaa lämpötilaeroa toisaalta lasin ja toisaalta sekundäärikaasusuihkun muodostavan kaasun välillä. Tällä tavoin silloinkin kun sekundäärisuihkun lämpötila on verraten alhainen, eristys 207 tekee mahdolliseksi pitää lasin lämpötila verraten korkeana ilman liiallisia lämpöhäviöitä. Tämä järjestely helpottaa toimintaa suurella tuotantovauhdilla.

Tarkasteltaessa lasin syöttökanavan muotoa, joka on esitetty kuvioissa 2 ja 3, nähdään, että lasikanavassa upokkaan pohjalla on kalibrointi- eli annostusaukko 37c ja että tämä kanava laajenee sekä kalibrointiaukon ylä- että alapuolella. Laajennus kalibrointiaukon yläpuolella on suppilon muotoinen, mikä helpottaa lasin kulkua kalibrointiaukon kautta siihen laajentumaan eli varataskuun, josta lasisäie lähtee. Alinen laajentuma muodostaa pienen reservin, josta lasisäie lähtee. Syöttöaukon 37 kehän pituus voi olla 2-3 kertaa niin suuri kuin kalibrointiaukon 37c kehän pituus, ja koko tämän syöttötaskun ympärys on lasin kastelemana, mikä myötävaikuttaa aukosta lähtevän lasipullistuman stabilointiin varsinkin korkeissa lämpötiloissa. Tämän reservitaskun ansiosta muodostuneen lasipullistuman eli kartion kanta on kooltaan suurempi ja niin ollen antaa pitemmän kartion, joten lasin syöttökohdan ja sen kohdan välimatka, jossa kuitu syntyy kartiolla, saadaan suuremmaksi. Tämä kuidun syn-tymäkohdan etäisyyden suureneminen alaspäin vähentää kuitujen taipumusta kertyä laitteiston elimille kuidutusaseman läheisyydessä.

Joskin se tasku, joka päättää lasin syöttösuuttimen, voi olla ympyrän muotoinen, on edullista käyttää soikion muotoista taskulaajen-tumaa, jonka pitkä akseli on suunnassa ylävirrasta alavirtaan päin päävirran 12A kulkuun nähden, niin kuin kuviosta 3 näkyy.

Kuvioiden 2 ja 3 yhteydessä selitettyä lasinsyöttöjärjestelyä käytettäessä kalibrointiaukko 37c muodostaa varsinaisen lasin syöttö-aukon eli sen syötön säätöaukon.

Kuvioiden 2 ja 3 mukaisessa sovellutusmuodossa sekundäärisuihkun paine voi olla edullisesti hiukan korkeampi kuin edellä mainitun patenttijulkaisun mukaisissa sovellutusmuodoissa kaasusuihkun ja päävirran välimatkan ansiosta. Tämän johdosta voidaan käyttää 2-10 59579 barin sekundäärisuihkun paineita, kun syöttöaukon läpimitta on noin 2 mm, ja kun syöttöaukon läpimitta on noin 1 mm, paine voi olla 2-25 baria.

Se, että sekundäärisuihkussa voidaan käyttää korkeita paineita ja suuria liike-energioita, tekee mahdolliseksi suurentaa syöttöaukon kautta syötettävää lasimäärää ja parantaa lasin virtauksen yhdenmukaisuutta sekä muodostuneiden lasikartioiden stabiliteettia, mikä puolestaan parantaa valmistettujen kuitujen yhdenmukaisuutta.

Lisäksi mahdollisuus käyttää korkeita paineita sekundäärisuihkussa ja se, että sekundäärikaasusuihkun ja lasin syöttöaukot ovat erillään päävirrasta, ovat tekijöitä, joiden tärkeys on ensiarvoinen, sikäli että ne tekevät mahdolliseksi käyttää suurempia etäisyyksiä sekundäärisuihkun ja lasin syöttöaukkojen keskiviivojen välillä. Lisäksi nämä tekijät helpottavat myös sellaisten lasin syöttösuuttimien käyttöä, jotka ovat mitoiltaan suurempia kuin sekundäärisuihkujen syöttöaukkojen läpimitat, esimerkiksi 1-2 kertaiset verrattuna sekundäärisuihkun lähtösuuttimen läpimittaan, kun käytetään sekundäärisuihkun paineita, jotka nousevat jopa 12 bariin, ja 2-3 kertaisia sekundäärisuihkun paineita, jotka ovat 12 ja 25 barin välillä.

Siinä sovellutusmuodossa, joka on edellä selitetty kuvioiden 2 ja 3 yhteydessä, lasin syöttöaukon reservitaskun leveys mitattuna kohtisuoraan päävirran 12A virtaussuuntaan voi tyypillisessä tapauksessa olla 1,3 kertaa sekundäärisuihkun lähtöaukon läpimitta, ja sen pituus voi olla 2 kertaa sen leveys.

Käyttäen edellä kuvioiden 2 ja 3 yhteydessä selitettyä sovellutus-muotoa ja raaka-aineena lasia, jonka koostumus oli edellä mainitun patenttijulkaisun esimerkin II mukainen, valmistettiin lasikuituja seuraavassa taulukossa esitetyin toimintaparametrein ja tuloksin: 12 59S79

Lasin tuotanto 35-40 kg vuorokautta ja lasin syöttö- aukkoa kohti

Mikronaari 4,0/5 g

Kuitujen läpimitta 5-6 mikronia

Päävirta 12A - lämpötila 1550°C

- paine 0,2 baria - nopeus 450 m/s

Sekundäärisuihku - lämpötila 600°C

- paine 7 baria - nopeus 560 m/s - lähtöaukon läpimitta 2 mm

Liike-energioiden suhde sfekundäärisuihku _ r päävirta 12 Ά

Jos nyt tarkastellaan kuvioita 4, 5 ja 6, niistä näkyy taaskin so-vellutusmuoto, jossa upokas 200 on yhdistetty esiuuniin 201. Rakenne 202 on sovitettu suuntaamaan päävirta 12A yleisesti vaakasuoraan suuntaan upokkaan alitse.

Tässä tapauksessa upokas on varustettu kahdella sarjalla lasin syöttösuutinrivejä 37A ja 37B, jotka sijaitsevat viistoristiasetel-mana niin kuin kuviosta 6 näkyy. Sekundäärikaasusuihkun syöttöjako-putki on varustettu haaroilla, joissa on sekundäärikaasusuihkun lähtöaukot 36B lasin syöttöaukkojen 37B naapureina, ja se on varustettu myös täydentävillä sekundäärikaasusuihkun syöttörakenteilla, joissa on suihkun lähtöaukot 36A yhdistettynä vastaavasti lasin syöttöaukkojen 37A kanssa. Kaikki nämä syöttöaukot 36A, 36B, 37A ja 37B ovat tietyn matkan päässä päävirran 12A ylisen rajapinnan yläpuolella. Paitsi siitä, että tämä sovellutusmuoto käsittää joukon kuidutuskeskuksia viistoristijakaumassa, se myös tämän jakauman ansiosta tekee mahdolliseksi saada syöttöaukkojen ja päävirran rajapinnan välille pystysuora välimatka.

Tietyissä edellä selitetyn kaltaisissa sovellutusmuodoissa, joilla voidaan saavuttaa hyvin suuri kuitujen tuotantokyky, kuiduilla on joskus taipumus kulkea päävirran 12A poikki tulematta täydellisesti venytetyiksi. Tästä seuraa osissa kuituja taipumus ennenaikaiseen jähmettymiseen ja sen johdosta taipumus saada karkeita kuituja valmiisiin tuotteisiin. Tällaiset haitat voidaan välttää käyttämällä kuvion 7 mukaista sovellutusmuotoa.

i3 59579

Kuviossa 7 kuidutuslaitteisto on sijoitettu yleisesti samalla tavoin kuin kuvioissa 2 ja 3, mutta lisäksi yksi seinä eli laatta 208 on sovitettu päävirran kehittimen 202 lähtöaukon kohdalle. Tämä laatta ulottuu päävirran alle ja se on kaareva siten, että se loittonee päävirran keskiviivasta. Tätä laattaa seuraa jatke 209, joka muodostaa laatan 208 kanssa raon 210 kerroksen ilmaa tai muuta sopivaa kaasua syöttämiseksi putkea 211 myöten.

Tässä sovellutusmuodossa seinäelinten 208 ja 209 kaarevat pinnat saavat aikaan seinävaikutuksen, joka aiheuttaa päävirran suunnan muutoksen, mistä seuraa, että lasin syöttöaukon ja tämän virran välinen vapaa tila suurenee. Tämä vaikutus on samanlainen kuin se, joka saadaan aikaan edellä mainitun patenttijulkaisun kuvion 11 mukaisessa sovellutusmuodossa, mutta lisäksi seinän vaikutusta vahvistetaan syöttämällä ilmavirta raon 210 kautta. Tämän johdosta päävirran paksuus suurenee kuumalla alueella eli vyöhykkeessä, jossa kuidutus tapahtuu. Tätä laitetta voidaan käyttää kuitujen taipumuksen kulkea päävirran poikki poistamiseen ja kuitujen ennenaikaisen jäähtymisen estämiseen ennen kuin haluttu venytys on tapahtunut. Kuvion 7 mukaisessa laitteessa sen puhaltimen paine, joka painaa ilmaa raon 210 kautta, voi olla suuruusluokkaa 3-6 baria.

Vielä yksi keksinnön sovellutusmuoto on esitetty kuviossa 8. Tässä sovellutusmuodossa päävirrankehitin on sijoitettu suihku-jakoputken 212 alapuolelle, jossa jakoputkessa on sarja aukkoja 36, joista jokaisesta syötetään sekundäärikaasusuihku yhdistelmään nähden eteen- ja alaspäin, vuorovaikutusvyöhykkeiden muodostamiseksi päävirran 12A kanssa.

Kuvion 8 mukaan lasi syötetään säiliöstä eli altaasta ammeeseen 213, joka on sovitettu niin, että syöttökouru 2lH täyttää sen. Ammetta rajoittavat seinät, joista yksi näkyy kohdassa 215, ja ammeeseen kuuluu ylijuoksukynnys 216. Kerros sulaa lasia virtaa kynnyksen yli ja siitä alaspäin aukoista 36 suihkuaviin sekundäärikaasusuih-kuihin. Näiden suihkujen ja niiden aikaansaamien virtojen vaikutuksesta, niin kuin edellä mainitussa patenttijulkaisussa on selitetty varsinkin sen kuvioiden 12, 12A, 13A ja 13B yhteydessä, kerroksen lasivirta jakautuu säikeiksi 37s. Kukin säie muodostuu yhden sekun-däärikaasusuihkun kohdalle, ja kukin säie tunkeutuu sekundäärikaasu-suihkun ja päävirran vuorovaikutusvyöhykkeeseen siten aikaansaaden kuidutuksen.

ΐ4 5 95 7 9 Tämä sovellutusmuoto on osoittautunut edulliseksi eräissä tapauksissa, varsinkin tiettyjen äärimmäisen tulenkestävien tai syövyttävien aineiden kuten kuonien ja eräiden muiden mineraalimuodosteiden kuidutuksessa. Tämän tyyppisillä kuituuntuvilla aineilla on taipumus aiheuttaa yksityisten syöttöaukkojen liiallista kulumista, ja tämän johdosta upokas ja ne muut altaat, joista näitä aineita syötetään syöttöaukkojen läpi, on vähän väliä korvattava uusilla, mikä aiheuttaa kuidutuksen keskeytymisen.

Niin kuin muissakin tässä selitetyissä sovellutusmuodoissa, sekun-däärikaasusuihkujen lähtöaukkojen 36 päävirran 12A lähimmän rajapinnan välimatka voi olla suuruusluokkaa 5-10 mm. Sekundäärikaasu-suihkujen lähtöaukkojen ja kynnyksen 216 sen kohdan välimatka, jossa sula lasikerros eroaa kynnyksestä, voi olla suuruusluokkaa 2-10 mm.

Eräiden sulien, venytettävien ainestyyppien käsittelyn helpottamiseksi varsinkin silloin kun aineksella on taipumus tukkia suukappa-leitten aukot tai syövyttää suukappaleen ainesta korkeassa lämpötilassa, voidaan käyttää tiettyjä järjestelyjä, joissa käytetään hyväksi erittäin inerttejä eli syövytystä kestäviä ja hyvin tulenkestäviä aineksia kuten esimerkiksi kromioksidi- tai alumiinioksidi-pohjaisia aineksia jne. Eräs tällainen, tähän tapaukseen sopiva sovellutusmuoto on esitetty kuvioissa 9 ja 10. Siinä käytetään upokasta 217, joka koostuu tulenkestävään oksidiin pohjautuvasta aineksesta. Siihen syötetään sulan, venytettävän aineksen virta, niin kuin kohdassa 218 on esitetty. Yksi upokkaan seinistä on raoilla varustetun jakolevyn 219 muodossa, joka muodostaa erillisen syöttökourun kutakin ainessäiettä S varten.

Päävirran kehitin 220 toimittaa päävirran suuttimesta 202 kohtaan, joka on selvästi jakolevyn 219 alapuolella. Joukkoa putkia 203, joissa on lähtöaukot 36, syötetään jakoputkesta 204 sillä tavoin kuin edellä on selitetty muiden kuvioiden yhteydessä, ja kaasu-suihkun kehitin 211 toimittaa kaasua sekundäärikaasusuihkuihin.

Niin kuin muissakin edellä selitetyissä sovellutusmuodoissa, esimerkiksi kuvioiden 1, 2 ja 3 mukaisessa, sekundäärikaasusuihkujen lähtöaukot 36 on sijoitettu siten, että muodostuu vuorovaikutus-vyöhykkeet päävirran 12A kanssa niihin kohtiin, jotka ovat olennaisesti pystysuoraan venytettävän aineen laskeutuvien säikeiden S alla, niin että säikeet saadaan tunkeutumaan vuorovaikutusvyöhykkeisiin ja siten kuidutetuiksi.

15 59579

Kuvioiden 9 ja 10 mukaisessa sovellutusmuodossa jakolevyn 219 lovet voi olla sijoitettu reilusti päävirran ylisen rajapinnan yläpuolelle, esimerkiksi 50-100 mm päähän, ja sekundäärikaasusuihkujen lähtö-aukot 36 on mieluimmin sijoitettu 5-10 mm päävirran rajapinnan yläpuolelle. Eräitä hyvin korkeassa lämpötilassa valmistettuja venytettäviä aineksia käsiteltäessä saattaa olla syytä järjestää jäähdytys niin, että aines saadaan syötetyksi optimaalissa kuidutuslämpö-tilassa. Se välimatka, jonka päässä jakolevy on päävirran yläpuolella, voi jo sinänsä olla riittävä sulan aineen säikeiden S tarvittavaa jäähdyttämistä varten, mutta jos niin halutaan, voidaan saada aikaan täydentävä jäähdytys esimerkiksi alentamalla sekundäärikaasusuihkujen ja päävirran kaasun lämpötilaa. Näiksi kaasuiksi voidaan valita esimerkiksi palokaasuja (jotka voidaan jäähdyttää syöttökohdan ylävirran puolella) tai ilmaa tai höyryä.

Kuvio 11 esittää vielä erästä laitetta, jota voidaan käyttää edellä kuvioiden 1-10 yhteydessä selitetyissä eri sovellutusmuodoissa. Kuviossa 11 esitetty kuidutusasema on analoginen kuviossa 1 esitetyn kanssa, paitsi että kuviossa 11 näkyy vielä toinenkin kaasusuihku. Suihkuputki 222, jossa on lähtöaukko 223, on sijoitettu kohtaan, joka päävirran kulkusuuntaan nähden on lasisäikeen S alavirran puolella. Yksi tällainen putki 222 voidaan sovittaa jokaisen kuidutus-aseman kohdalle ja niihin voidaan syöttää kaasumaista väliainetta jakoputkesta 224, jota syötetään millä tahansa sopivalla tavalla johdosta 225·

Alavirran puolisia lisäputkia 222 voidaan käyttää varsinkin silloin, kun säikeiden S vapaa putousmatka on verraten pitkä, ja näiden lisä-kaasusuihkujen tehtävänä on varmistaa säikeiden stabilointi sillä hetkellä, jolla ne saapuvat aukoista 36 lähtevien sekundäärisuihku-jen ja päävirran 12A välisiin vuorovaikutusvyöhykkeisiin.

Kun käytetään alavirran puolista lisäkaasusuihkua, jonka mitat ovat likimäärin samat kuin sekundäärisuihkun, ja paine ja nopeuskin liki-määrin samat, sekundäärisuihku ja lisäkaasusuihku aikaansaavat molemmat imuvirtoja, joita on merkitty nuolilla kuvioon 11, jotka ovat jakautuneet enemmän tai vähemmän symmetrisesti säikeeseen S nähden, pyrkien siten pysyttämään säikeen riittävän kiinteässä asemassa kaasusuihkujen välissä ja siihen kohtaan nähden missä ne tunkeutuvat vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

16 59579

Kaikissa niissä sovellutusmuodoissa, jotka on piirustuksessa esitetty ja edellä selitetty, sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko 36 sijaitsee pääkaasun virtaussuuntaan nähden asemassa, joka on lasin syöttö-elimen ylävirran puolella. Tämä on tosin sekundäärikaasusuihkun lähtöaukon sopivin asema jokaisella kuidutusasemalla, mutta sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko voidaan sijoittaa muihinkin asemiin lasin syöttölaitteeseen nähden eli kuidutettavaan lankasäikeeseen nähden. Niinpä sekundäärikaasusuihkun lähtöaukko voi päävirran virtaussuuntaan nähden sijaita jopa lasin eli kuidutettavan säikeen syöttöelimen alavirran puolella. Tässä tapauksessa lasisäie syistä, jotka on selitetty mainitussa patenttijulkaisussa sen kuvioiden 6 ja 7 yhteydessä, menee päävirran pintaan sekundäärikaasusuihkun ja päävirran vuorovaikutusvyöhykkeen ympäri ja sisään juuri sekundääri-suihkun alavirran puolella ja ohjautuu sitten päävirran sisustaan tässä vyöhykkeessä, mikä aiheuttaa kuidutuksen.

Claims (15)

17 59579

1. Menetelmä lämpöplastista ainetta, kuten lasia, olevien kuitujen valmistamiseksi, jonka mukaan aikaansaadaan pääkaasuvirta ja ainakin yksi sekundäärikaasusuihku, joka on poikkileikkaukseltaan pienempi kuin pääkaasuvirta mutta jonka liike-energia tilavuusyk-sikköä kohti on suurempi kuin pääkaasuvirralla, jokainen sekundäärikaasusuihku ohjataan poikittain pääkaasuvirtaan niin, että se tunkeutuu siihen muodostaen vuorovaikutusvyöhykkeen, ja lämpöplas-tisen aineen syöttölähteestä johdetaan mainittua ainetta, venytettävässä tilassa vuorovaikutusvyöhykkeisiin, tunnettu siitä, että pääkaasuvirta lähtee etäisyyden päässä syöttölähteestä ja että ainesäikeet ohjataan vapaaseen tilaan, joka erottaa pääkaasuvirran mainitusta lähteestä, ratoja pitkin jotka kohtaavat pääkaasuvirran jokaisessa vyöhykkeessä, missä sekundäärisuihku tunkeutuu pääkaasuvirtaan.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ainesäikeet syötetään painovoiman avulla ja että jokainen sekundäärisuihku ohjataan kohti pääkaasuvirtaa kohdasta, joka sijaitsee etäisyyden päässä aineen syöttölähteestä.

3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että jokainen sekundäärisuihku lähtee ainesäikeen ylävirran puolelta pääkaasuvirran kulkusuuntaan nähden ja ohjataan vinosti tähän ainesäikeeseen nähden, sekundäärisuihkun ja pääkaasuvirran keskiviivojen välisen kulman ollessa pienempi kuin 90° ja mieluummin noin 50° - 85°.

4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sula aine saatetaan kulkemaan kerroksen muodossa, mainitussa vapaassa tilassa olevien ja pääkaasuvirtaa kohti ohjattujen sekundäärisuihkujen kulkiessa sanotun aineskerrok-sen läheisyydessä samalla kun suihkujen aikaansaama ilmavirta jakaa sen säikeisiin, jotka viedään vuorovaikutusvyöhykkeisiin.

5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vapaata tilaa suurennetaan muuttamalla pääkaasuvirran suuntaa lisäsuihkun avulla, joka vaikuttaa mainitun virran siihen pintaan nähden vastakkaiseen pintaan, johon lämpöplasti-nen aine ja sekundäärisuihkut tunkeutuvat.

6. Laite lämpöplastista ainetta olevien kuitujen valmistamiseksi patenttivaatimuksen 1 mukaisen menetelmän mukaan, joka laite käsittää : ie 59579 pääkaasuvirran (12A) kehittimen (220, 202), joka on varustettu poistoaukolla, kaasukehittimen (203, 294, 205, 212, 221), joka aikaansaa ainakin yhden sekundäärikaasusuihkun, jonka liike-energia tilavuusyk-sikköä kohti on suurempi kuin pääkaasuvirralla, tämän kaasusuihku-kehittimien käsittäessä päästöaukon (36), jonka poikkileikkaus on pienempi kuin pääkaasuvirran poistoaukko, ja ohjatessa sekundääri-suihkun poikittain pääkaasuvirtaan nähden vuorovaikutusvyöhykkeen muodostamiseksi, aineen syöttölähteen (200, 201, 214-219), jossa on ainakin yksi syöttöaukko (37), joka syöttää ainetta vuorovaikutusvyöhykkeeseen, tunnettu siitä, että aineen syöttöaukko (37) avautuu etäisyyden päässä pääkaasuvirran (12A) rajapinnasta ja on sijoitettu niin, että se ohjaa ainakin yhden venytettävässä tilassa olevan ainesäi-keen (S) vapaaseen tilaan, joka erottaa syöttölähteen ja pääkaasuvirran toisistaan, rataa pitkin joka kohtaa pääkaasuvirran alueella, jossa sekundäärikaasusuihku tunkeutuu siihen.

7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen laite, tunnettu siitä, että sekundäärikaasusuihkun päästöaukko (36) sijaitsee vapaassa tilassa, etäisyyden päässä syöttöaukosta (37), ja että sekundäärikaasusuihkun keskiviiva ohjataan vinosti ainesäikeen (S) suhteen, joka säie johdetaan painovoiman avulla syöttölähteestä.

8. Patenttivaatimuksen 6 tai 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että aineen syöttöaukon (37) ja pääkaasuvirran rajapinnan välinen pystysuora etäisyys on noin 10-100 mm.

9. Jonkin patenttivaatimuksista 6-8 mukainen laite, tunnet -t u siitä, että syöttöaukon (37) ja sekundäärikaasusuihkun päästö-aukon (36) keskiviivojen.yälinen .etäisyys pääkaasuvirran .kulkusuunnassa on noin 4-10 mm.

10. Jonkin patenttivaatimuksista 6-9 mukainen laite, tunnet-t u siitä, että sekundäärikaasusuihkun päästöaukon (36) ja pääkaasuvirran ylisen rajapinnan välinen pystysuora etäisyys on noin 5-10 mm.

11. Jonkin patenttivaatimuksista 6-10 mukainen laite, tunnettu siitä, että se käsittää seinän (208, 209), joka muuttaa pääkaasuvirran (12A) suuntaa siten, että se etääntyy aineen syöttö-aukosta, mainitun seinän sijaitessa päävirran sillä puolella, joka on syöttöaukkoa vastapäätä.

12. Jonkin patenttivaatimuksista 7-11 mukainen laite, tunnettu siitä, että se käsittää lisäsuihkuputken (222), jokä' « 59579 sijaitsee vapaassa tilassa, ainesäikeen (S) alavirranpuolella pää-virran (12A) kulkusuuntaan nähden, säikeen (S) stabilisoimiseksi silloin kun se tulee pääkaasuvirran vuorovaikutusvyöhykkeeseen.

13· Patenttivaatimuksen 6 mukainen laite, joka käsittää useita kaasusuihkun päästöaukkoja (36), jotka on yhdistetty pääkaasuvir-taan (12A), tunnet tu siitä, että aineen syöttöaukko, joka sijaitsee etäisyyden päässä pääkaasuvirran rajapinnasta, käsittää astian (213), jossa on ylijuoksukynnys (216), josta aine virtaa ylijuoksuna sulassa tilassa olevan kerroksen muodossa.

14. Patenttivaatimuksen 6 mukainen laite, joka käsittää useita sekundäärikaasusuihkun päästöaukkoja (36), jotka on yhdistetty pää-virtaan (12A), tunnettu siitä, että aineen syöttöaukko, joka sijaitsee etäisyyden päässä pääkaasuvirran rajapinnasta, käsittää altaan (217), jossa on ylijuoksukouru (219), jossa on useita ylijuoksurakoja, joista sula aine virtaa ylijuoksuna useina säikei-nä.

15· Jonkin patenttivaatimuksista 6-12 mukainen laite, tunnet-t u siitä, että aineen syöttöaukot sijaitsevat viistoristikkäin ja muodostavat kaksi riviä (37A, 37B), mainittujen aukkojen sijaitessa vastaavien kaasusuihkujen päästöaukkojen rivien (36A, 36B) kanssa etäisyyden päässä pääkaasuvirran (12A) rajapinnasta ja sen yläpuolella. 20 5 9 5 7 9