FI59514C - Tvaopol innefattande en transistor - Google Patents

Description

..... I „„ KUULUTUSjULKAISU

W (11) UTLÄGGN I NOSSKRIFT 5 951 4 1 C (4S) Patentti r.yenr.etty 10 03 IvOl

Patent ijeddelat v (51) Kv.ik?/im.ci.3 H 02 H 3/20 SUOM I — FI N LAN D (21) P*»nttlh«k*mu· —FatMtaiMeknJnf 773303 (22) HakemliplM — Ana5knhtgsd«f 0^4.11.77 ' * (23) AikuptWi—Glltl|h«tsdag qJ^ γγ (41) Tullut julklMfcal — Blivlt offwitllg ,, Qt- „n r.kl«Wll»llltU. /44) NIMvIkalpMOn ] kwil|uHcalaiin p/m. —

Patent- och ragittantyralaan ' ' Anaökan uth|d oeh utl.akrlfMn publi«r«d 30. oU. 81 (32)(33)(31) h7*««r •tuoikai·—feglrd prtorit·* 12.ll.76

Ruotsi-Sverige(SE) 7612698-6 (71) Oy L M Ericsson Ab, 02U20 Jorvas, Suomi-Finland(FI) (72) Fritz Lars Gunnar Björklund, Tyresö, Olof Steinbeck, Bromma,

Carl-Olof Sandberg, Handen, Lars Äke Wern, Stockholm, Ruotsi-Sverige(SE) (7^) Oy Kolster Ab (5M Tväpol innefattande en transistor - Transistorin sisältävä keksinäpä

Uppfinningen avser en tväpol innefattande en transistor och anordnad att övergä frän ett lagresistivt tili ett högresistivt tillstand när ett förutbestämt värde hos ett spänningsfall över en kollektor-emittersträcka hos transistorn överskrides.

Närhelst en transistor är anordnad att genomsläppa en stor Ström och av ekonomiska skäl ej är överdimensionerad föreligger en risk för överhettning av transistorn i beroende av avvikelser frän förutsatta värden hos strömmen, transistorn, omgivningstempe-raturen etc. Väre sig transistorn genomsläpper strömmen kontinuer-ligt eller eventuellt pulsar den kan risken för överhettning re-duceras genom att en kollektor-emittersträcka hos transistorn bringas att snabbt övergä fran ett lagresistivt tili ett högresistivt tillstand i beroende av att ett föreskrivet maximivärde hos ett spänningsfall över kollektor-emittersträckan överskrides.

2 59514

Tväpolen enligt uppfinningen bringar sin nämnda transistor att snabbt övergä frän ett lägresistivt till ett högresistivt till-ständ i beroende av att ett förutbestämt värde hos ett spännings-fall over dess kollektor-emittersträcka överskrides. Tväpolen kan anslutas i serie med en belastning för att utgöra en strömbrytare tili denna. En annan tänkbar användning av tväpolen är att läta dess transistor ingä t ex i ett effektsteg i en förstärkare för att bilda en inbyggd strömbrytare i denna.

Tväpolen enligt uppfinningen vars kännetecken framgär av efterföljande patentkrav skall nu närmare beskrivas under hänvis-ning tili bifogad ritning som visar tväpolen i en föredragen ut-föringsform.

Ritningen visar en tväpol som innefattar en transistor 1 och är anordnad att övergä frän ett lägresistivt tili ett högresistivt tillständ när ett förutbestämt värde hos ett spänningsfall över en kollektor-emittersträcka hos transistorn 1 överskrides. Enligt uppfinningen innefattar tväpolen en regenerativ tröskelkrets 2 anordnad att bryta en basström tili transistorn 1 i beroende av att det förutbestämda värdet hos spänningsfallet överskrides. Den re-generativa tröskelkretsen 2 har en ingäng som innefattar ett shunt-motständ 3 med en negativ temperaturkoefficient anpassad att bi-behälla funktionen hos tväpolen oförändrad inom ett föreskrivet temperaturintervall och ett spänningsreducerande seriemotständ 4, och som är ansluten över kollektor-emittersträckan hos transistorn 1 och ett motständ 5 kopplat med denna.

Motständet 5 är ej absolut nödvändigt utan kan elimineras varvid ingängen hos den regenerativa tröskelkretsen 2 blir direkt ansluten över kollektor-emittersträckan hos transistorn 1. Ett motsatt alternativ är att ansluta ingängen hos tröskelkretsen 2 direkt över motständet 5. Bäda dessa alternativ fordrar dock kri-tiska ändringar av den negativa temperaturkoefficienten hos motständet 3 och av resistansen hos motständet *4 för att tväpolen skall inom det föreskrivna temperaturintervallet övergä frän ett lägresistivt tili ett högresistivt tillständ vid samma förutbe-stämda värde hos nämnda spänningsfall som i den föredragna ut-föringsformen.

i b 3 59514

Den regenerativa tröskelkretsen 2 har en utgängspol 6 an-sluten tili en baselektrod hos transistorn 1 via en andra och tredje transistor 7 och 8 vilka är kaskadkopplade med varandra och är av motsatta ledningstyper. I avsikt att säkerställa att tröskelkretsen 2 kan fullständigt bryta basströmmen tili transistorn 1 är en diod 9 inlagd i emitterkretsen hos transistorn 7 och tvä mot-ständ 10 och 11 parallellkopplade med bas-emittersträckan hos transistorn 8 respektive hostransistorn 1. Den senare transistorn är dessutom skyddad mot eventuella transienter därigenom att dess kollektor-emittersträcka och kollektor- bas-sträcka är försedd med en parallellkopplad diod 12 respektive en parallellkopplad zener-diod 13.

Förutom nämnda motständ 3 och 4 innefattar den regenerativa tröskelkretsen 2 tvä transistorer 14 och 15 vilka enligt exemplet är av motsatta ledningstyper och anordnade att bilda en sk hook-vippa, ett motstand 16 parallellkopplat med basemittersträckan hos transistorn 15 och ett motständ 17 kopplat i serie med kollek-tor-emittersträckorna hos transistorerna 14 och 15. Lämpliga kom-ponentvärden för en realisering av ritningsexemplet är 50 kiloohm och en negativ temperaturkoefficient (NTC) av storleken 5700 ppm/°C för motständet 3, 150 kiloohm för motständet 4, 0,6 ohm för motständet 5, 500 ohm för motständet 10, 50 ohm för motständet 11, 5 kiloohm för motständet 16 och 2,2 kiloohm för motständet 17.

Den regenerativa tröskelkretsen 2, de bäda kaskadkopplade transistorerna 7 och 8, dioden 9 och motständet 10 är i den färe-dragna utföringsformen av uppfinningen integrerade i en monolitisk krets 18 varvid den ena av de kaskadkopplade transistorerna är given en konventionell vertikal struktur medan den andra lämpligen är given en lateral struktur för att inbespara kostnader i fram-ställningen säsom det beskrives i det svenska patentet nr 337 851.

Claims (7)

1. 4 59514
2. 1. Tväpol innefattande en transistor och anordnad att över-gä frän ett lägresistivt till ett högresistivt tillständ när ett förutbestämt värde hos ett spänningsfall över en kollektor-emitter-sträcka hos transistorn överskrides, kännetecknad av en regenerativ tröskelkrets (2) anordnad att bryta en basström tili transistorn (1) i beroende av att det förutbestämda värdet hos spänningsfallet överskrides.
3. 2. Tväpol enligt patentkravet 1 , kännetecknad därav, att den regenerativa tröskelkretsen har en ingäng ansluten över kollektor-emittersträckan hos transistorn.
4. 3. Tväpol enligt patentkravet 1 , kännetecknad därav, att den regenerativa tröskelkretsen har en ingäng ansluten över ett motständ (5) kopplat i serie med kollektor-emittersträckan hos transistorn. *4. Tväpol enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att den regenerativa tröskelkretsen har en ingäng ansluten över kollektor-emittersträckan hos transistorn och ett motständ (5) kopplat i serie med denna.
5. 5. Tväpol enligt nägot av patentkraven 1-5,k änneteck-n a d därav, att ingängen hos den regenerativa tröskelkretsen innefattar ett shuntmotständ (3) med en negativ temperaturkoeffi-cient.
6. 6. Tväpol enligt nägot av patentkraven 1-5,k änneteck-n a d därav, att den regenerativa tröskelkretsen har en utgängs- pol (6) ansluten tili en baselektrod hos nämnda transistor via en andra och tredje transistor (7 och 8) vilka är kaskadkopplade med varandra och är av motsatta ledningstyper.
7. 7. Tväpol enligt patentkravet 6, kännetecknad därav, att den regenerativa tröskelkretsen och de bäda kaskadkopplade transistorerna är integrerade i en monolitisk krets (18) varvid den ena av de kaskadkopplade transistorerna är given en konventionell vertikal struktur medan den andra är given en lateral struktur.