FI123539B - ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje - Google Patents

ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje Download PDF

Info

Publication number
FI123539B
FI123539B FI20095126A FI20095126A FI123539B FI 123539 B FI123539 B FI 123539B FI 20095126 A FI20095126 A FI 20095126A FI 20095126 A FI20095126 A FI 20095126A FI 123539 B FI123539 B FI 123539B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction chamber
substrate
ald reactor
plate
chamber
Prior art date
Application number
FI20095126A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20095126A (sv
FI20095126A0 (sv
Inventor
Pekka Soininen
Jarmo Skarp
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20095126A priority Critical patent/FI123539B/sv
Publication of FI20095126A0 publication Critical patent/FI20095126A0/sv
Priority to EP10738250.9A priority patent/EP2393961A4/en
Priority to US13/143,317 priority patent/US20110274837A1/en
Priority to CN2010800068019A priority patent/CN102308021B/zh
Priority to TW099103757A priority patent/TW201038765A/zh
Priority to PCT/FI2010/050080 priority patent/WO2010089461A1/en
Priority to EA201171016A priority patent/EA026239B1/ru
Publication of FI20095126A publication Critical patent/FI20095126A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI123539B publication Critical patent/FI123539B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Claims (33)

1. ALD-reaktor (1) för behandling av ett eller flera substrat (2), vilken ALD-reaktor (1) omfattar en undertryckskammare (4), atminstone en inuti un-dertryckskammaren (4) placerad reaktionskammare, som omfattar en främre 5 skiva (6) och en bakre skiva (8), vilka är anordnade att röra sig i förhallande till varandra för öppning och stängning av reaktionskammaren, och transportme-del (18) för att flytta substratet (2) i horisontal riktning mellan den främre skivan (6) och den bakre skivan (8) och avlägsna dem därifrän, kännetecknad av att av den främre skivan (6) och den bakre skivan (8) är den nedre anord-10 nad att lyfta substratet (2) uppät frän transportmedlen (18), da reaktionskammaren stängs, och sänka ner substratet (2) pa transportmedlen (18), da reaktionskammaren öppnas.
2. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att transportmedlen (18) är anordnade att ladda substratet (2) i horisontal riktning 15 mellan den främre och den bakre skivan (6, 8) och avlägsna substratet (2) frän mellan dem eller underifran den främre skivan, da reaktionskammaren är i öp-pet tillstand.
3. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att den nedre av den främre och bakre skivan (6, 8) är anordnad att röra sig 20. väsentligen vertikal riktning.
4. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 3, kännetecknad av att den nedre av den främre och bakre skivan (6, 8) är placerad nedanför transportmedlen i reaktionskammarens öppna läge.
5. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 4, 25 kännetecknad av att den främre skivan (6) är reaktionskammarens co nedre skiva och den bakre skivan (8) är reaktionskammarens övre skiva, var- ^ vid substratet (2) kan placeras mellan den övre och den nedre skivan.
6. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 4, co kännetecknad av att den bakre skivan (6) är reaktionskammarens nedre o x 30 skiva och den främre skivan (8) är reaktionskammarens övre skiva, varvid substratet (2) kan placeras mellan den övre och den nedre skivan.
7. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 5 eller 6, kännetecknad g av att den nedre skivan är anordnad att röra sig vertikalt, sä att substratet (2) o laddat mellan den övre och den nedre skivan kan lyftas medelst den nedre ski- 35 van uppät för att stänga reaktionskammaren och sänkas ner för att öppna re aktionskammaren.
8. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 5 eller 6, kännetecknad av att den övre skivan är anordnad att röra sig vertikalt, sä att den övre skivan kan sänkas ner för att stänga reaktionskammaren och lyftas upp för att öppna reaktionskammaren.
9. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 5 eller 6, kännetecknad av att den nedre skivan och den övre skivan är anordnade att röra sig vertikalt, sa att reaktionskammaren kan stängas genom att flytta den övre och den nedre skivan mot varandra och kan öppnas genom att flytta den övre och den nedre skivan bort frän varandra.
10. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 9, k ä n n e t e c k n a d av att reaktionskammaren är anordnad att motta pä en gang tvä eller flera substrat (2).
11. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 10, k ä n n e t e c k n a d av att den främre skivan (6) omfattar gasaggregat 15 (10, 12) för tillförsel av utgangsämnen, sköljgaser och motsvarande gaser in i reaktionskammaren och för att avlägsna dem frän reaktionskammaren.
12. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 11, kännetecknad av att den främre skivan (6) omfattar tillförselöppningar för tillförsel av gaser tili reaktionskammaren och utloppsöppningar för att avlägsna gaser frän reaktions- 20 kammaren, vilka tillförselöppningar och utloppsöppningar har ästadkommits, sä att var och en sidovägg hos den främre skivan (6) omfattar ätminstone en tillförselöppning och/eller utloppsöppning.
13. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 12, k ä n n e t e c k n a d av att reaktionskammaren är anordnad att motta intill varandra tvä eller flera substrat 25 (2), sä att tillförselöppningarna är placerade i den främre skivan pä ställen mel- lan substraten (2) och utloppsöppningarna för sidoväggarna närä substratens 5 (2) kantomräden, vilka sidoväggar omger den främre skivans (6) substrat (2). C\J
^ 14. ALD-reaktor (1) enligt nagot av de föregäende patentkraven 1 - ° 13, kännetecknad av att substratet (2) och/eller substratets bärare, pä CO ° 30 vilket substratet är stöttat, utgör en del av reaktionskammaren i reaktionskam- | marens stängda tillständ. cd
15. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 14, k ä n n e t e c k n a d av att CVJ ^ den främre skivan (6) är konkav, sä att i reaktionskammarens stängda tillständ o bildar det mot den främre skivan (6) placerade substratet (2) eller substratet (2) 00 35 och substratets bärare reaktionsutrymmet (14) tillsammans med den främre skivan (6) mellan den främre skivan (6) och substratet (2).
16. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 15, k ä n n e t e c k n a d av att substratets bärare bildar reaktionskammarens bakre skiva (8).
17. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 -6, k ä n n e t e c k n a d av att den bakre skivan (8) bildar en stödkonstruktion, 5 mot vilken den främre skivan (6) och/eller substratet (2) placeras, när reakt-ionskammaren är stängd.
18. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 17, k ä n n e t e c k n a d av att den främre skivan (6) och/eller den bakre skivan (8) och/eller det väsentligen plana substratet (8) är försedda med en tät- 10 ning för att tätä reaktionskammaren i stängt tillständ.
19. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 18, kä n n e t e c k n a d av att inuti undertryckskammaren (4) har tvä eller flera reaktionskammare ästadkommits.
20. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 - 15 19, kännetecknad av att ALD-reaktorn (1) är försedd med ett eller flera spärrmedel (14, 16), via vilka substratet (2) kan föras in i undertryckskammaren (4) och avlägsnas därifrän.
21. ALD-reaktor (1) enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 -20, k ä n n e t e c k n a d av att den omfattar ett eller flera dragspels- och/eller 20 bälgrör, som har ästadkommits tätt mellan undertryckskammarens (4) vägg och den inuti denna flyttbara främre skivan (6) och/eller bakre skivan (8) för att ästadkomma en genomföring tili undertryckskammaren (4).
22. ALD-reaktor (1) enligt patentkrav 21, k ä n n e t e c k n a d av att dragspels- och/eller bälgröret är fäst tätt direkt och/eller via flänsar tili under- 25 tryckskammarens (4) vägg och inuti undertryckskammaren (4) tili den i förhäl-lande tili undertryckskammaren (4) flyttbara främre skivan (6) och/eller bakre o skivan (8). C\l
^ 23. Produktionslinje med tva eller flera efter varandra belägna pro- ° cesskammare för bearbetning och/eller odling av substratets (2) yta, och väri 00 ° 30 substratet (2) transporteras i horisontalriktningen genom de efter varandra bell lägna processkamrarna, kännetecknad av att ätminstone en av produkt- co ionslinjens processkammare har ästadkommits som en ALD-reaktor (1) enligt CM nagot av patentkraven 1-22. o
24. Förfarande för att ladda ett eller flera substrat i en reaktions- o 00 35 kammare inuti en ALD-reaktors undertryckskammare och avlägsna det däri frän, i vilket förfarande substratet förs in i undertryckskammaren och avlägsnas därifrän via ett spärrarrangemang, i vilket förfarande substratet laddas i reakt-ionskammaren för behandling: - genom att flytta substratet i undertryckskammaren i horisontal rikt-ning medelst transportmedel, sä att ett eller flera substrat placeras mellan re- 5 aktionskammarens främre skiva och bakre skiva, vilka är i öppet tillständ pä avständ frän varandra; och - genom att flytta reaktionskammarens främre skiva och bakre skiva i förhällande tili varandra mot varandra för att stänga reaktionskammaren tili stängt tillständ, sä att substratet blir ätminstone till sin del som ska behandlas 10 inuti reaktionskammaren; och att i förfarandet avlägsnas substratet frän reaktionskammaren: - genom att flytta reaktionskammarens främre skiva och bakre skiva i förhällande tili varandra bort frän varandra för att öppna reaktionskammaren tili öppet tillständ; och 15. genom att flytta substratet bort frän mellan den i öppet tillständ va- rande reaktionskammarens främre skiva och bakre skiva, kännetecknat av att i förfarandet flyttas den nedre skivan av den främre och den bakre ski-van vertikalt, sä att den främre skivans och den bakre skivans substrat kan lyf-tas upp frän transportmedlen, dä reaktionskammaren stängs, och sänkas ned 20 pä transportmedlen, dä reaktionskammaren öppnas.
25. Förfarande enligt patentkrav 24, k ä n n e t e c k n a t av att den främre skivan bildar reaktionskammarens nedre skiva och den bakre skivan bildar reaktionskammarens övre skiva, varvid substratet flyttas mellan den övre och den nedre skivan. 25
26. Förfarande enligt patentkrav 24, k ä n n e t e c k n a t av att den bakre skivan bildar reaktionskammarens nedre skiva och den främre skivan CO 5 bildar reaktionskammarens övre skiva, varvid substratet flyttas mellan den övre C\J ^ och den nedre skivan.
° 27. Förfarande enligt patentkrav 25 eller 26, kännetecknat av CO ° 30 att den övre skivan flyttas vertikalt, sä att den övre skivan kan sänkas ner för | att stänga reaktionskammaren och lyftas upp för att öppna reaktionskam πίθοo ren. CVJ
^ 28. Förfarande enligt patentkrav 25 eller 26, kännetecknat av o att den nedre skivan och den övre skivan flyttas vertikalt mot varandra för att 00 35 stänga reaktionskammaren och bort frän varandra för att öppna reaktions kammaren.
29. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 24 - 28, kännetecknat avatt utgängsmedel, gaser motsvarande sköljmedel till-förs och avlägsnas via reaktionskammarens främre skiva.
30. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 24 - 29, 5 kännetecknat avatt tili reaktionskammaren tillförs pä en gäng tvä eller flera substrat.
31. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 24 - 30, kännetecknat avatt undertryckskammaren omfattar tvä eller flera reakt-ionskammare, vilka används enligt förfarandet samtidigt för olika substrat eller 10 successivt för vart och ett substrat.
32. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 24 - 31, kännetecknat avatt substratet behandlas med ett ALD-förfarande, dä reaktionskammaren är i stängt tillständ.
33. Förfarande enligt nägot av de föregäende patentkraven 24 - 32, 15 kännetecknat avatt förfarandet används i en produktionslinje med tvä eller flera efter varandra belägna processkammare för bearbetning och/eller odling av substratets yta, och väri substratet transporteras i horisontal riktning genom de efter varandra belägna processkamrarna. CO δ c\j i m o i co o X cc CL CD C\l δ O) o o CM
FI20095126A 2009-02-09 2009-02-09 ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje FI123539B (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095126A FI123539B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje
EP10738250.9A EP2393961A4 (en) 2009-02-09 2010-02-08 ATOM LATER DISCHARGE REACTOR, METHOD FOR LOADING AN ATOM STAGE DISCHARGE REACTOR AND MANUFACTURING LINE
US13/143,317 US20110274837A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Ald reactor, method for loading ald reactor, and production line
CN2010800068019A CN102308021B (zh) 2009-02-09 2010-02-08 Ald反应器，用来装载ald反应器的方法，和生产线
TW099103757A TW201038765A (en) 2009-02-09 2010-02-08 ALD reactor, method for loading ALD reactor, and production line
PCT/FI2010/050080 WO2010089461A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Ald reactor, method for loading ald reactor, and production line
EA201171016A EA026239B1 (ru) 2009-02-09 2010-02-08 Реактор послойного атомного осаждения, способ загрузки этого реактора и технологическая линия

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095126A FI123539B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje
FI20095126 2009-02-09

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20095126A0 FI20095126A0 (sv) 2009-02-09
FI20095126A FI20095126A (sv) 2010-08-10
FI123539B true FI123539B (sv) 2013-06-28

Family

ID=40404629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20095126A FI123539B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110274837A1 (sv)
EP (1) EP2393961A4 (sv)
CN (1) CN102308021B (sv)
EA (1) EA026239B1 (sv)
FI (1) FI123539B (sv)
TW (1) TW201038765A (sv)
WO (1) WO2010089461A1 (sv)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20115073A0 (sv) * 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Apparatur, förfarande och reaktionskammare
EP2592173A3 (de) * 2011-11-08 2014-03-05 FHR Anlagenbau GmbH Anordnung und Verfahren zur Durchführung eines Niedertemperatur - ALD-Prozesses
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI118342B (sv) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Anordning för framställning av tunnfilmer
US20020076481A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Chiang Tony P. Chamber pressure state-based control for a reactor
US20020129768A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Carpenter Craig M. Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US20040013803A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
US20070119371A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-31 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US7615486B2 (en) * 2007-04-17 2009-11-10 Lam Research Corporation Apparatus and method for integrated surface treatment and deposition for copper interconnect
US7781031B2 (en) * 2006-12-06 2010-08-24 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
US20090004405A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Applied Materials, Inc. Thermal Batch Reactor with Removable Susceptors
US20100037824A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Plasma Reactor Having Injector

Also Published As

Publication number Publication date
CN102308021A (zh) 2012-01-04
CN102308021B (zh) 2013-11-06
US20110274837A1 (en) 2011-11-10
FI20095126A (sv) 2010-08-10
EA201171016A1 (ru) 2012-02-28
WO2010089461A1 (en) 2010-08-12
EA026239B1 (ru) 2017-03-31
EP2393961A4 (en) 2014-12-10
FI20095126A0 (sv) 2009-02-09
EP2393961A1 (en) 2011-12-14
TW201038765A (en) 2010-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105970187B (zh) 多区反应器、包括该反应器的系统和使用该反应器的方法
TWI451521B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
CN109559975B (zh) 基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序
CN100456435C (zh) 衬底处理装置以及半导体设备的制造方法
FI123539B (sv) ALD reaktor, förfarande för laddning av ALD reaktor och produktionslinje
US20180265965A1 (en) Apparatus and method for loading a substrate into a vacuum processing module, apparatus and method for treatment of a substrate for a vacuum deposition process in a vacuum processing module, and system for vacuum processing of a substrate
US20090017637A1 (en) Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor
JP2013151720A (ja) 真空成膜装置
KR20140123479A (ko) 기판 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법
TWI629744B (zh) Surrounding gas replacement device, substrate transfer device, substrate transfer system, and EFEM
TWI638758B (zh) 真空處理裝置
TW201428878A (zh) 基板處理裝置
CN105765103A (zh) 用于原位清洁工艺腔室的方法和装置
CN108122809A (zh) 基板处理系统
KR101478151B1 (ko) 대면적 원자층 증착 장치
JP6282983B2 (ja) 基板処理装置
KR101364116B1 (ko) 기판 처리를 위한 클러스터 설비
WO2012036043A1 (ja) 真空処理装置
KR102141748B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램
JP2015137415A (ja) 大面積原子層蒸着装置
KR20090072189A (ko) 웨이퍼 이송 장치
CN216694457U (zh) 一种高压加热炉和工艺设备
TW201335973A (zh) 真空沉積系統
JPS63153270A (ja) 真空槽内における基板交換装置
KR20150144449A (ko) 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 123539

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B