FI122219B - Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande - Google Patents
Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande Download PDFInfo
- Publication number
- FI122219B FI122219B FI20085629A FI20085629A FI122219B FI 122219 B FI122219 B FI 122219B FI 20085629 A FI20085629 A FI 20085629A FI 20085629 A FI20085629 A FI 20085629A FI 122219 B FI122219 B FI 122219B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- channel
- electron
- output
- output channel
- input
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005465 channeling Effects 0.000 title claims description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66977—Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Claims (12)
1. Arrangemang i en vägledarförgrening (20) för kanalisering av en elektronström (E) , i vilken förgrening (20) det har anordnats 5 att sammansträla ingängskanaler (11) och minst tvä utgängskana-ler (12, 13) och vilken elektronström (E) har anordnats att kanaliseras frän ingängskanalerna (11) till önskad utgängskanal (12, 13) med de styranordningar (14), vilka har anordnats till den ena utgängskanalen (12), kännetecknat av att styranordning-10 arna utgörs av anordningar (15) som till sin funktion grundas pä elektrisk växelverkan, vilka har anordnats att förändra den med styranordningar (14) försedda utgängskanalens (12) geometri för att kanalisera elektronströmmen (E) till motstäende utgängskanal (12, 13) . 15
2. Arrangemang enligt patentkrav 1, där ingängskanalerna inne-fattar minst en ingängskanal (11), kännetecknat av att ingängs-och utgängskanalerna (11 - 13) är anordnade att förenas med varandra sa att huvuddelen av ingängskanalens (11) elektronström 20 (E) är anordnad att kanaliseras tili en med de nämnda styranord-ningarna (14) utrustad utgängskanal (12).
3. Arrangemang enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat av att styranordningen (14) är ett pä elektrisk växelverkan grundat 25 portelement (gate element) (15). δ CM
4. Arrangemang enligt nagot av patentkraven 1-3, kännetecknat 'M" av att vinkein (og) mellan utgängskanalerna (12, 13) är större ^ än vinklarna (og, α3) mellan ingängskanalen (11) och var och en x £ 30 utgängskanal (12, 13) . σ> CM CD Lg
5. Arrangemang enligt patentkrav 4, kännetecknat av att sett o o ifrän den utgängskanal (12) som är försedd med de nämnda styra- nordningarna (14) är vinkein (a3) mellan den motstäende utgängs-35 kanalen (13) och ingängskanalen (11) 6° - 90°.
6. Arrangemang enligt nägot av patentkraven 1-5, kännetecknat av att det pä vägledarförgreningen (20) har anordnats en begrän-sarkonstruktion (16) för att hindra att en elektronström (E2) gär direkt frän ingängskanalen (11) tili en, sett ifrän den 5 utgängskanal (12) som är försedd med de nämnda styranordningarna (14), motstäende utgängskanal (13).
7. Arrangemang enligt patentkrav 6, kännetecknat av att begrän-sarkonstruktionen är en tili änden av ingängskanalen (11) anord- 10 nad förlängning (16), som är anordnad att göra smalare en motstäende utgängskanal (13), sett ifrän den utgängskanal (12) som är försedd med de nämnda styranordningarna (14).
8. Arrangemang enligt nägot av patentkraven 1-7, kännetecknat 15 av att det tili ingängskanalen (11) har anordnats en källa (17) för framställning av elektronströmmen (E).
9. Arrangemang enligt nägot av patentkraven 1-8, kännetecknat av det i ingängskanalens (11) geometri har anordnats tvä avsmal- 20 ningar (18) för att anpassa den elektronströms (E) energi som leds tili vägledareförgreningen (20) tili den önskade.
10. Arrangemang enligt nägot av patentkraven 1-9, kännetecknat av att det tili ingängskanalen (11) har anordnats en elektronmo- 25 nokromator (19) för inställning av elektronströmmens (E) energi, ^ sä att elektronvägornas (E) strömmars förhällande (Jcl/Jop) tili ^ den motstäende utgängskanalen (13) har anordnats att nä sitt sl- ? maximivärde, där Jcl är ströiranen när geometrin hos en utgängska- ^ nai (12) försedd med de nämnda styranordningarna (14) är begrän- x £ 30 sad och Jop är strömmen, när geometrin hos en utgängskanal (12) 05 försedd med de nämnda styranordningarna (14) är obegränsad. cd LT) oo
§ 11. Arrangemang enligt nägot av patentkraven 1 - 10, känneteck- (M nat av att arrangemanget har anordnats att vara en del av ett 35 key scheme- eller triggningssystem (trigger system).
12. Förfarande för kanalisering av en elektronström (E) i en vägledarförgrening (20), i vilket förenas ingängskanaler (11) bestäende av minst en ingängskanal och utgängskanaler bestäende av minst tvä utgängskanaler (12, 13) och enligt vilket förfaran-5 de - en elektronström (E) förs tili förgreningen (20) med ingängskanalerna (11) och - elektronströmmen (E) kanaliseras frän ingängskanalerna (11) tili utgängskanalerna (12, 13) och vilken elek- 10 tronströms (E) kanalisering kontrolleras med styranord- ningar (14), vilka har anordnats tili den ena utgängs-kanalen (12), kännetecknat av att styranordningarna (14) utgörs av anordningar (15) som till sin funktion grundas pä elektrisk växelverkan, med 15 vilka förändras den med styranordningar (14) försedda utgängska-nalens (12) geometri för att kanalisera elektronströmmen (E) tili motstäende utgängskanal (12, 13). o (M O (M X cc CL CD (M CD LO CO O O (M
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20085629A FI122219B (sv) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande |
| PCT/FI2009/050542 WO2010007207A1 (en) | 2008-06-23 | 2009-06-18 | Arrangement in a waveguide branch for channelling an electron flow and corresponding method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20085629A FI122219B (sv) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande |
| FI20085629 | 2008-06-23 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20085629A0 FI20085629A0 (sv) | 2008-06-23 |
| FI20085629A FI20085629A (sv) | 2009-12-24 |
| FI122219B true FI122219B (sv) | 2011-10-14 |
Family
ID=39589390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20085629A FI122219B (sv) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI122219B (sv) |
| WO (1) | WO2010007207A1 (sv) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69124035T2 (de) * | 1990-09-13 | 1997-06-19 | Canon Kk | Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom |
| SE468694B (sv) * | 1991-06-28 | 1993-03-01 | Ericsson Telefon Ab L M | Kvantvaagledande elektronisk omkopplare |
| JP2701633B2 (ja) * | 1991-12-09 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP3748905B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2006-02-22 | 三洋電機株式会社 | 量子効果デバイス |
-
2008
- 2008-06-23 FI FI20085629A patent/FI122219B/sv not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-06-18 WO PCT/FI2009/050542 patent/WO2010007207A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20085629A (sv) | 2009-12-24 |
| FI20085629A0 (sv) | 2008-06-23 |
| WO2010007207A1 (en) | 2010-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ono et al. | Manipulation and detection of single electrons for future information processing | |
| Palm et al. | Designing logic functions using an electron waveguide Y‐branch switch | |
| WO2008097339A2 (en) | Ballistic deflection transistor and logic circuits based on same | |
| US9130568B2 (en) | Controllable polarity FET based arithmetic and differential logic | |
| Bozzi et al. | On the losses in substrate integrated waveguides | |
| US9530845B2 (en) | Frequency multiplier based on a low dimensional semiconductor structure | |
| Qi et al. | A non-uniform three-gap buncher cavity with suppression of transverse-electromagnetic mode leakage in the triaxial klystron amplifier | |
| JP4883573B2 (ja) | アンテナとそれを用いた発振器 | |
| FI122219B (sv) | Anordning vid en vågledargren för kanalisering av elektronström och motsvarande förfarande | |
| JP5403637B2 (ja) | アンテナとそれを用いた発振器 | |
| Milovanović et al. | Spectroscopy of snake states using a graphene Hall bar | |
| CN107819201B (zh) | 一种适用于5g毫米波通信的紧凑型渐变缝隙阵列天线 | |
| Lu et al. | Novel helical groove rectangular waveguide slow wave structure for 0.2 THz traveling wave tube | |
| Goswami et al. | In memory computation using quantum‐dot cellular automata | |
| Diduck et al. | A room temperature ballistic deflection transistor for high performance applications | |
| Íñiguez-de-La-Torre et al. | Exploring digital logic design using ballistic deflection transistors through Monte Carlo simulations | |
| Bhardwaj et al. | Resonant tunneling assisted propagation and amplification of plasmons in high electron mobility transistors | |
| WO2015172561A1 (zh) | 具有相位锁定功能的平面纳米振荡器阵列 | |
| CN108598258A (zh) | 一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件 | |
| US20060145140A1 (en) | Organic field effect transistor and integrated circuit | |
| KR20080056919A (ko) | 단전자 플렉시블 다기능 논리회로 및 이것을 이용한 소자 | |
| Sciuto et al. | Miniaturizable Si-based electro-optical modulator working at 1.5 μm | |
| Simin et al. | III-nitride transistors with capacitively coupled contacts | |
| US11069798B2 (en) | Ballistic transport device and corresponding component | |
| Yu et al. | Current-reversal operation for a single-parameter electron pump by control of semiconductor-based cryo-switch gate potentials |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 122219 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |