DE69124035T2 - Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom - Google Patents

Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom

Info

Publication number
DE69124035T2
DE69124035T2 DE69124035T DE69124035T DE69124035T2 DE 69124035 T2 DE69124035 T2 DE 69124035T2 DE 69124035 T DE69124035 T DE 69124035T DE 69124035 T DE69124035 T DE 69124035T DE 69124035 T2 DE69124035 T2 DE 69124035T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
arrangements
treating
interference
current
quantum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69124035T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69124035D1 (de
Inventor
Akira Shimizu
Masahiro Okuda
Kazuhito Fujii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE69124035D1 publication Critical patent/DE69124035D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69124035T2 publication Critical patent/DE69124035T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66977Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
DE69124035T 1990-09-13 1991-09-12 Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom Expired - Fee Related DE69124035T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24288490 1990-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69124035D1 DE69124035D1 (de) 1997-02-20
DE69124035T2 true DE69124035T2 (de) 1997-06-19

Family

ID=17095668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69124035T Expired - Fee Related DE69124035T2 (de) 1990-09-13 1991-09-12 Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5311011A (de)
EP (1) EP0475403B1 (de)
DE (1) DE69124035T2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151821A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Sony Corp 量子干渉半導体装置
JP4789321B2 (ja) * 2000-12-27 2011-10-12 キヤノン株式会社 無線通信システム、入出規制装置、無線通信装置、無線通信システムの制御方法、入出規制装置の制御方法及び無線通信装置の制御方法
JP4574197B2 (ja) * 2004-03-16 2010-11-04 キヤノン株式会社 データ処理方法、プログラム、及び、装置
JP5279296B2 (ja) * 2008-02-22 2013-09-04 キヤノン株式会社 通信装置、通信方法、プログラム、記憶媒体
FI122219B (fi) * 2008-06-23 2011-10-14 Pekka Neittaanmaeki Järjestely aaltojohdinhaarassa elektronivirran kanavoimiseksi ja vastaava menetelmä

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393161A (ja) * 1986-10-07 1988-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体スイツチング素子
JPH07101755B2 (ja) * 1987-11-16 1995-11-01 三菱電機株式会社 半導体受光素子
JP2928532B2 (ja) * 1988-05-06 1999-08-03 株式会社日立製作所 量子干渉光素子
US5130766A (en) * 1988-08-04 1992-07-14 Fujitsu Limited Quantum interference type semiconductor device
JPH02130964A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子波干渉装置
JPH02200008A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Hitachi Ltd 論理ゲート
EP0381591A3 (de) * 1989-02-03 1991-09-04 Fujitsu Limited Halbleiteranordnung mit Quanten-Interferenz-Effekt
US5157467A (en) * 1990-09-12 1992-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Quantum interference device and method for processing electron waves utilizing real space transfer

Also Published As

Publication number Publication date
DE69124035D1 (de) 1997-02-20
EP0475403A2 (de) 1992-03-18
US5311011A (en) 1994-05-10
EP0475403B1 (de) 1997-01-08
EP0475403A3 (de) 1994-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69222735D1 (de) Zusammensetzung und Verfahren zur Behandlung von Kühlwasser
DE3152893A1 (de) Verfahren und zusammensetzung zur behandlung von akne
DE69331469T2 (de) Verfahren zur behandlung von abfällen
DE69434672D1 (de) Verfahren zur behandlung von hühnereiern
DE3888205D1 (de) Verfahren zur behandlung von lungenaffektionen und zubereitungen dafür.
DE69115921D1 (de) Verfahren zur behandlung und verwendung von abfallstoffen
DE69415100D1 (de) Vliesstoffgegenstand zur Behandlung von Oberflächen, Verfahren zur Herstellung und Verwendung davon
DE69417018D1 (de) Verfahren zur behandlung von teilchenmaterial
DE69125990T2 (de) Anordnung mit Quanten-Interferenz-Effekt und entsprechendes Verfahren zur Behandlung von Elektronen-Wellen
DE59102266D1 (de) Verfahren und einrichtung zur behandlung vom teilchenförmigem material mit elektronenstralen.
DE68917433D1 (de) Verfahren zur behandlung von asbest sowie asbestbehandlungsmittel.
ATE123586T1 (de) Verfahren und ofen zur behandlung von schmelzbaren abfällen.
DE69213529D1 (de) Nylonzusammensetzung mit erhöhter Hydrolysierbarkeit und Verfahren zur Erhöhung der Hydrolysierbarkeit von Nylon
DE69124035D1 (de) Anordnungen mit Quanten-Interferenz-Effekt und Verfahren zur Behandlung von Interferenz-Strom
DE69030584D1 (de) Verfahren sowie zusammensetzungen zur behandlung mit vitaminmineral
DE59308384D1 (de) Verfahren zur Behandlung von Gülle
DE59100861D1 (de) Kontinue-verfahren zur behandlung von textilen warenbahnen und entsprechende anlage.
DE69119718T2 (de) Verfahren und Zusammensetzung zur Behandlung von Textilien
DE69006509D1 (de) Verfahren zur behandlung von häuten.
DE69214139T2 (de) Verfahren zur behandlung von mit feuchtigkeit enthaltenden feinkohlen
DE69301029T2 (de) Verfahren zur behandlung und leimung von papiersubstraten
AT384234B (de) Verfahren zur behandlung von zeolithen und deren verwendung
DE68907914T2 (de) Verfahren zur behandlung von brandwunden.
DE69507537D1 (de) Verfahren zur Behandlung von Strukturen mit Silikonzusammensetzungen
DE68906651T2 (de) Zusammensetzung und verfahren zur behandlung von metalloberflaechen.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee