FI120328B - CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik - Google Patents

CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik Download PDF

Info

Publication number
FI120328B
FI120328B FI20050375A FI20050375A FI120328B FI 120328 B FI120328 B FI 120328B FI 20050375 A FI20050375 A FI 20050375A FI 20050375 A FI20050375 A FI 20050375A FI 120328 B FI120328 B FI 120328B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
read
well
register
sensor
signal
Prior art date
Application number
FI20050375A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20050375A0 (sv
FI20050375A (sv
Inventor
Godzinsky Christian De
Original Assignee
Planmeca Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Planmeca Oy filed Critical Planmeca Oy
Priority to FI20050375A priority Critical patent/FI120328B/sv
Publication of FI20050375A0 publication Critical patent/FI20050375A0/sv
Priority to JP2008505918A priority patent/JP2008536422A/ja
Priority to EP06725927A priority patent/EP1905087A4/en
Priority to PCT/FI2006/050152 priority patent/WO2006108928A1/en
Publication of FI20050375A publication Critical patent/FI20050375A/sv
Priority to US11/871,581 priority patent/US8279315B2/en
Application granted granted Critical
Publication of FI120328B publication Critical patent/FI120328B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76816—Output structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/95—Computational photography systems, e.g. light-field imaging systems
    • H04N23/951—Computational photography systems, e.g. light-field imaging systems by using two or more images to influence resolution, frame rate or aspect ratio
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/42—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by switching between different modes of operation using different resolutions or aspect ratios, e.g. switching between interlaced and non-interlaced mode
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/711—Time delay and integration [TDI] registers; TDI shift registers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14825—Linear CCD imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Claims (46)

1. Ett utläsningsarrangemang för utläsning av den i kameran ordnade CCD-sensorn (1-1) som används i panorama- och/eller kefalostat-5 avbildning, vilken CCD-sensorn (1-1) är arrangerad att användas med TDI teknik och att omfatta: - en detektor (1-2), som har ett aktivt omräde innefattande laddningar mottagande pixlar i lodräta rader; - ett läsregister (1-4), som ansluter sig funktionellt tili det 10 nämnda aktiva omrädet; - medel för laddningars överföring fran det aktiva omrädet tili läsregistret (1-4); - medel för laddningars överföring tili läsregistrets (1-4) utgang (1-4a, 1 -4b); 15 - ätminstone en utläsningsbrunn (1-6, 1-8), som ansluter sig funktionellt tili läsregistret (1-4); och - medel för laddningars överföring fran läsregistrets (1-4) utgang (1-4a, 1-4b) tili atminstone en utläsningsbrunn (1-6, 1-8), kännetecknad av att arrangemanget 20 omfattar därutöver - medel för ändring av dynamikomfänget genom att ändra : ... atminstone i sensorn gjorda laddningarnas lodräta binning • ♦ · V/ * som respons för en styrsignal som ätminstone delvis |. ” baserar sig pä den fran sensorn utlästa signalen. • · · : 25
2. Ett arrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat av att arrangemanget omfattar medel för att ändra binningen under avbildningen.
• · : 3. Ett arrangemang enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat av att medlen ändrar binningen mellan bildomradet och shiftregistret atminstone delvis enligt styrsignalen. :*·*: 30
4. Ett arrangemang enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat .*·*. av att medlen ändrar binningen mellan överföringsregistret och utganregistret ätminstone delvis enligt styrsignalen.
• · · • ·* 5. Ett arrangemang enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknat • · · av att medlen ändrar binningen mellan bildomrädet och överföringsregistret ;*..j 35 och mellan överföringsregistret och utläsningsregistret enligt styrsignalen. • · • ·
6. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1 - 5, kännetecknat avatt styrsignalen är pä förhand definierad.
7. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1 - 6, kännetecknat avatt styrsignalen baserar sig direkt eller indirekt pä en 5 signal, som är beroende av den av CCD-sensorn uppfattade ljusmängden.
8. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1 - 7, kännetecknat av att det i sensorn eller i en funktionell anslutning tili denna har arrangerats medel för mätning av den signal som ästadkommits av laddningar, samt urvalsmedel ätminstone delvis pä basis av den nämnda 10 mätta signalen för avgörande av huruvida binningen (1-6,1-8) skall ändras.
9. Ett arrangemang enligt nägot av patentkraven 1-8, kännetecknat av att arrangemanget omfattar dessutom medel för normalisering av bildsignalen.
10. Ett arrangemang enligt patentkrav 9, kännetecknat av 15 att normaliseringsmedlen omfattar digital summering av signaler som produ- cerats av bildelement som fysiskt befinner sig bredvid varandra pä sensorn.
11. Ett arrangemang enligt patentkrav 9 eller 10, kännetecknat av att normaliseringsmedlen omfattar justering av mörkström och/eller förstärkning som beror pä binning.
12. Ett arrangemang enligt patentkrav 10 eller 11, känneteck nat av att summeringen och/eller justeringen har utförts helt eller delvis : elektroniskt.
• · · * 13. Ett arrangemang enligt patentkrav 10 eller 11, känneteck- l. .* n a t av att summeringen och/eller justeringen har utförts helt eller delvis • · · : 25 programmatiskt.
• · *··.* 14. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-13, • · : k ä n n e t e c k n a t av att arrangemanget omfattar ätminstone tvä, första och • · · andra, utläsningsbrunnar (1-6, 1-8) med olika Stora kapacitet, som arrangerats i anslutning tili läsregistret (1-4), och det i sensorn eller i en funktionell 30 anslutning tili denna har arrangerats medel för mätning av den signal som .***. ästadkommits av laddningar, samt urvalsmedel ätminstone delvis pä basis av den nämnda mätta signalen för avgörande av vilkendera utläsningsbrunnen (1- • · · : 6, 1-8) skall användas för utläsning av laddningar, som detekterats med CCD- sensorn (1-1). • · • · « • ·· • · « • ·
15. Ett sensorarrangemang enligt patentkrav 14, känneteck-n a t av att urvalsmedlen är adapterade att under utläsningen av sensorn bestämma huruvida den använda utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) skall bytas.
16. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-15, 5 kännetecknatavatt utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) är en förstärkare.
17. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 14 -16, k ä n n e t e c k n a t av att utläsningsbrunnama (1-6,1-8) befinner sig i bäda ändorna av läsregistret (1-4), eller i den ena ändan av läsregistret.
18. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 14 - 10 17, k ä n n e t e c k n a t av att den andra utläsningsbrunnens (1-6) kapacitet är ungefär dubbelt sä stor som den första utläsningsbrunnens (1-8) kapacitet.
19. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-18, k ä n n e t e c k n a t av att det mellan detektorn (1-2) och läsregistret (1-4), i en funktionell anslutning tili dessa, har arrangerats ett register för summering 15 av laddningar innan deras överföring tili läsregistret (1-4).
20. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 9-19, k ä n n e t e c k n a t av att det vidare omfattar medel för behandling av laddningar av pixlar innan deras överföring tili läsregistret (1-4).
21. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven, 20 k ä n n e t e c k n a t av att det innehäller medel, som är adapterade att definiera den använda binningen och/eller den använda utgängsbrunnen pä : basis av ätminstone en klockpuls. • · · j"
* 22. Ett arrangemang enligt patentkrav 21, kännetecknat av • · · . att det dessutom omfattar medel för ändring av klockpulsen ätminstone delvis • * · 25 pä basis av den frän CCD-sensorn kommande signalen.
• · ]···* 23. Ett arrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 14 - : 22, k ä n n e t e c k n a t av att det omfattar urvalsmedel, som är adapterade • · · att väljä via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den av CCD-sensorn (1-1) kommande signalen läses, och medel, som är adapterade att utföra A/D-:T: 30 konvertering av signalen, eller medel, som är adapterade att utföra A/D ·***: konvertering av signalen av ätminstone tvä utläsningsbrunnar, och urvals- • I» medel, som är adapterade att väljä via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den av • * · :#>·* CCD-sensorn (1-1) kommande signalen läses.
• · *···* 24. Ett arrangemang enligt patentkrav 23, kännetecknat av 35 att det omfattar medel, som är adapterade att kontrollera (3-4) huruvida A/D- • · konverteringen överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet; och ifall A/D-konverteringen överskrider det pa förhand definierade första gränsvärdet, dessutom kontrollera (3-14) huruvida den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6,1-8) används och ifall den inte används, övergä (3-16) tili att använda den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) vid utläsning av 5 den följande lodräta raden istället för att använda den mindre kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8).
25. Ett arrangemang enligt patentkrav 23 eller 24, känneteck-n a t av att det omfattar medel, ifall A/D-konverteringen överstiger (3-4) det pä förhand definierade första gränsvärdet och utläsningsbrunnen (1-6,1-8) av den 10 större kapaciteten används, för att kontrollera (3-18) huruvida den i registrets riktning, extern till sensorn gjorda maximibinningen redan är uppnadd, och ifall den inte är uppnadd, övergä (3-20) tili att använda en större den registrets riktning, extern tili sensorn gjorda binning för utläsning av den följande lodräta raden.
26. Ett arrangemang enligt patentkrav 25, kännetecknat av att det omfattar medel, som är adapterade att övergä (3-22) tili användning av utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) av den mindre kapaciteten, ifall A/D-konverteringen understiger det andra pä förhand definierade gränsvärdet.
27. Ett arrangemang enligt patentkrav 26, kännetecknat av 20 att det omfattar medel, ifall A/D-konverteringen inte överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, för kontrollering (3-6) av huruvida A/D- . ... konverteringen underskrider det andra pä förhand definierade gränsvärdet, • · · * och ifall A/D-konverteringen underskrider det andra pä förhand definierade • · j. j’ gränsvärdet, dessutom kontrollera (3-8) huruvida man uppnätt den minsta den • · « 25. registrets riktning gjorda externa binningen och om denna inte uppnätts, övergä (3-10) tili en mindre extern binning för utläsning av den följande lodräta • · : raden.
28. Ett arrangemang enligt nägot av patentkraven 14-27, kännetecknat av att den omfattar medel, ifall den minsta den i registrets :*·*: 30 riktning gjorda externa binningen har uppnätts, för att övergä (3-12) tili .··*. användning av den mindre kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) för ./] utläsning av den följande lodräta raden.
• · · • ·* 29. En metod för utvidgning av CCD-sensorns (1-1) dynamikomfäng • · · i samband med panorama- och/eller kefalostatavbildning, där bildinformation 35 uttrycks med TDI-teknik, kännetecknad av att metoden omfattar • · följande faser: • · - man mottar laddningar pa ett aktivt omräde innefattande lodräta pixel rader; - man läser (3-2) det aktiva omrädets första lodräta pixelradens laddningar ur det aktiva omrädet tili 5 utläsningsregistret (1-4); - man överför laddningarna tili utgangen (1-4a, 1-4b) av utläsningsregistret (1-4); - man överför laddningarna frän utgangen (1-4a, 1-4b) av utläsningsregistret (1-4) tili utläsningsbrunnen (1-6,1-8); 10. man ändrar av dynamikomfänget genom att ändra ätminstone i sensorn gjorda laddningarnas lodräta binning som respons för en styrsignal som ätminstone delvis baserar sig pä den frän sensorn utlästa signalen.
30. En metod enligt patentkrav 29, k ä n n e t e c k n a d av att 15 man ändrar laddningarnas binning under avbildningen.
31. En metod enligt patentkrav 29 eller 30, kännetecknad av att man ändrar binningen enligt styrsignalen.
32. En metod enligt nägot av patentkraven 29-31, kännetecknad av att man ändrar binningen mellan överföringsregistret och 20 utläsningsregistret.
33. En metod enligt nägot av patentkraven 29 - 32, k ä n n e - ; t e c k n a d av att man ändrar binningen mellan bildomradet och • · · * överföringsregistret.
34. En metod enligt nägot av patentkraven 29 - 33, k ä n n e - • · · 25. e c k n a d av att arrangemanget omfattar ätminstone tvä, första och andra, utläsningsbrunnar (1-6, 1-8) med olika Stora kapacitet, som arrangerats i : anslutning tili läsregistret (1-4), och av att man mäter den signal som ästad- ·...· kommits av laddningarna, samt avgör ätminstone delvis pä basis av den nämnda mätta signalen vilkendera utläsningsbrunnen (1-6, 1-8), som skall 30 användas för utläsning av laddningar, som detektetars pä CCD-sensorn (1-1).
.***. 35. En metod enligt patentkrav 34, kännetecknad av att ..·. man väljer via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den frän CCD-sensorn (1-1) • · · : ·* kommande signalen läses, och utför en A/D-konvertering av signalen, eller utför en A/D-konvertering av signalen frän ätminstone tvä utläsningsbrunnar, :*·.· 35 och väljer via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den frän CCD-sensorn (1-1) • · kommande signalen läses.
36. En metod enligt patentkrav 35, k ä n n e t e c k n a d av att man kontrollerar (3-4) huruvida A/D-konverteringen överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet; och ifall A/D-konverteringen överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, kontrollerar (3-14) man dessutom 5 huruvida den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) används och ifall den inte används, övergär (3-16) man till att använda den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) vid utläsning av den följande lodräta raden istället för att använda den mindre kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8).
37. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 29 - 36, 10 k ä n n e t e c k n a d av att man mäter den fran CCD-sensorn (1-1) utlästa signalens signalnivä, och ifall signalnivän överskrider det pä förhand definierade gränsvärdet, justeras laddningarnas utläsning fran sensorn pä sä sätt, att man innan utläsning av de laddningar som befinner sig i utläsningsbrunnen minskar antalet pixlar som skall överföras tili utläsningsbrunnen, och ifall 15 signalnivän underskrider det pä förhand definierade gränsvärdet, justeras utläsningen av informationen pä sä sätt, att man innan utläsning av de laddningar som befinner sig i utläsningsbrunnen ökar antalet pixlar som skall överföras tili utläsningsbrunnen.
38. En metod enligt patentkrav 37, k ä n n e t e c k n a d av att 20 man definierar ett pä förhand definierat gränsvärde som en funktion av utläsningsbrunnens saturationsnivä.
. 39. En metod enligt nägot av patentkraven 37 - 38, k ä n n e - ;** * t e c k n a d av att man för mätning av den utlästa signalens signalnivä • « \ψ använder en sensor, som omfattar ätminstone tvä utläsningsbrunnar av olika • · · : ·* 25 kapacitet, och ifall utläsningsbrunnen med den mindre kapaciteten satureras under mätningen, övergär man till att använda utläsningsbrunnen med den • · : större kapaciteten.
40. En metod enligt patentkrav 39, k ä n n e t e c k n a d av att ifall nägondera av utläsningsbrunnarna satureras, utökar man den sensorexterna 30 laddningarnas binning.
.♦·*. 41. En metod enligt nägot av patentkraven 35 - 36, k ä n n e - t e c k n a d av att ifall A/D-konverteringen överskrider (3-4) det pä förhand • ♦* definierade första gränsvärdet, och utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) för den större • · · kapaciteten används, kontrollerar (3-18) man huruvida den i registrets riktning 35 extern tili sensorn gjorda maximibinningen redan uppnätts, och ifall den inte • · • · uppnätts, övergär (3-20) man till att använda en större den i registrets riktning extern till sensorn gjorda binning för utläsning av följande lodräta rad.
42. En metod enligt patentkrav 41, kännetecknad av att man övergär (3-22) tili användning av utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) med den 5 mindre kapaciteten, ifall A/D-konverteringen understiger det andra pä förhand definierade gränsvärdet.
43. En metod enligt patentkrav 42, kännetecknad av att ifall A/D-konverteringen inte överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, kontrollerar (3-6) man huruvida A/D-konverteringen underskrider 10 det andra pa förhand definierade gränsvärdet, och ifall A/D-konverteringen underskrider det andra pä förhand definierade gränsvärdet, kontrollerar (3-8) man dessutom huruvida den minsta registerriktade externa binningen uppnätts, och om denna inte uppnätts, övergär (3-10) man till en mindre extern binning för utläsning av den följande lodräta raden.
44. En metod enligt nägot av patentkraven 29 - 43, känne tecknad av att ifall den minsta registerriktade externa binningen uppnätts, övergär (3-12) man till att använda utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) med den mindre kapaciteten för utläsning av den följande lodräta raden.
45. En metod enligt nägot av patentkraven 29 - 44, k ä n n e - 20. e c k n a d av att man minskar laddningarnas binning i sensorn beroende av styrsignalen, pä grund av vilken utnyttjandegraden av utläsningskapaciteten : steg över det första pä förhand definierade gränsvärdet, som 75% av sitt • · · * maximum. • · i. !1
46. En metod enligt nägot av patentkraven 29 - 45, k ä n n e - • · · :#<·1 25 t e c k n a d av att man ökar laddningarnas binning i sensorn beroende av • · ’···1 styrsignalen, pä grund av vilken användningsgraden av utläsningskapaciteten : sjönk under det andra pä förhand definierade gränsvärdet, som 25% av sitt • · · maximum. • · · • · · • · · • · • · • · · • · · • · · • · • · • · · • · • · • · · • · · • · · • ·· • ·
FI20050375A 2005-04-12 2005-04-12 CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik FI120328B (sv)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20050375A FI120328B (sv) 2005-04-12 2005-04-12 CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik
JP2008505918A JP2008536422A (ja) 2005-04-12 2006-04-12 Ｃｃｄセンサ及びｃｃｄセンサのダイナミックレンジを拡大する方法
EP06725927A EP1905087A4 (en) 2005-04-12 2006-04-12 CCD SENSOR AND METHOD FOR INCREASING THE DYNAMIC RANGE OF A CCD SENSOR
PCT/FI2006/050152 WO2006108928A1 (en) 2005-04-12 2006-04-12 Ccd sensor and method for expanding dynamic range of ccd sensor
US11/871,581 US8279315B2 (en) 2005-04-12 2007-10-12 CCD sensor and method for expanding dynamic range of CCD sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20050375 2005-04-12
FI20050375A FI120328B (sv) 2005-04-12 2005-04-12 CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20050375A0 FI20050375A0 (sv) 2005-04-12
FI20050375A FI20050375A (sv) 2006-10-13
FI120328B true FI120328B (sv) 2009-09-15

Family

ID=34508075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20050375A FI120328B (sv) 2005-04-12 2005-04-12 CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1905087A4 (sv)
JP (1) JP2008536422A (sv)
FI (1) FI120328B (sv)
WO (1) WO2006108928A1 (sv)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5629568B2 (ja) * 2010-12-16 2014-11-19 富士フイルム株式会社 撮像装置及びその画素加算方法
JP5455996B2 (ja) * 2011-09-26 2014-03-26 富士フイルム株式会社 撮影装置、撮影プログラム、及び撮影方法
JP2015053600A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 富士フイルム株式会社 撮像装置及び画像補正データの生成方法
JP2019514307A (ja) * 2016-04-19 2019-05-30 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ 撮像センサおよび画像情報を読み出すための方法
CN114584757A (zh) * 2021-12-09 2022-06-03 中国科学院合肥物质科学研究院 一种简易式ccd满阱测试方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8700372A (nl) * 1987-02-16 1988-09-16 Optische Ind De Oude Delft Nv Beeldopneeminrichting.
JPH084136B2 (ja) * 1987-12-22 1996-01-17 日本電気株式会社 電荷転送装置
FR2653626A1 (fr) * 1989-10-24 1991-04-26 Thomson Composants Militaires Capteur photosensible a temps d'integration programmable.
JP2624138B2 (ja) * 1993-08-05 1997-06-25 日本電気株式会社 固体撮像素子
JPH08298626A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Nec Corp 固体撮像素子
FI97665C (sv) * 1995-11-21 1997-01-27 Planmed Oy Förfaranden och anordning vid fotografering av ett objekt
EP0974064B1 (de) * 1997-10-23 2000-12-20 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Verfahren zur bilderzeugung bei der digitalen dentalen radiographie
AU2546299A (en) * 1998-02-10 1999-08-30 Nikon Corporation Method of driving solid-state imaging device, imaging device, alignment device, and aligning method
JPH11298805A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Nikon Corp Ｔｄｉ転送方式の固体撮像装置
US7012644B1 (en) * 2000-09-06 2006-03-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multiple output node charge coupled device
US6800870B2 (en) * 2000-12-20 2004-10-05 Michel Sayag Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates
US20040012689A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Fairchild Imaging Charge coupled devices in tiled arrays
JP2004159274A (ja) * 2002-09-13 2004-06-03 Shoji Kawahito 固体撮像装置
JP2004194248A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Chinon Ind Inc 撮像素子及び撮像装置
JP3863880B2 (ja) * 2003-01-10 2006-12-27 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2004336823A (ja) * 2004-08-16 2004-11-25 Toshiba Corp 撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008536422A (ja) 2008-09-04
FI20050375A0 (sv) 2005-04-12
WO2006108928A1 (en) 2006-10-19
FI20050375A (sv) 2006-10-13
EP1905087A1 (en) 2008-04-02
EP1905087A4 (en) 2012-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101771252B1 (ko) 촬상 소자 및 카메라 시스템
US9888199B2 (en) Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method
US7605855B2 (en) Dual sensitivity image sensor
FI120328B (sv) CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik
KR101682246B1 (ko) 촬상 소자 및 카메라 시스템
US7973841B2 (en) Photo sensor with a low-noise photo element, sub-linear response and global shutter
US10091430B2 (en) Solid-state imaging device and driving method of same
CN104115211B (zh) 高动态范围成像系统
US6252217B1 (en) Device for imaging radiation
KR20060118425A (ko) 동적 범위가 연장된 이미지 센서 및 이를 포함하는 카메라
CN102572313B (zh) 具有电荷倍增输出通道及电荷感测输出通道的图像传感器
US8130294B2 (en) Imaging array with non-linear light response
KR101484345B1 (ko) 고체 촬상 장치
JPH10322599A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
US8279315B2 (en) CCD sensor and method for expanding dynamic range of CCD sensor
JP2001189891A (ja) センサのセンサ要素を読み出す方法及びセンサ
JP6671715B2 (ja) 受光デバイスおよび受光デバイスの信号読み出し方法
TW200926795A (en) Method and apparatus providing column parallel architecture for imagers
EP2093997B1 (en) Active pixel array with charge binning
FI121724B (sv) CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning
CN102547165B (zh) 用于处理由图像传感器捕获的图像的方法
JP2000504486A (ja) ナロービーム用光学検知器
WO2002023894A1 (en) Method and apparatus for instantaneous exposure control in digital imaging devices
EP3605044B1 (en) Detector, methods for operating a detector and detector pixel circuit
WO2000078034A2 (en) Dual sensitivity image sensor

Legal Events

Date Code Title Description
FD Application lapsed
RF Appeal filed
FG Patent granted

Ref document number: 120328

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed