ES2946994T3 - Procedimiento para fabricar un electrodo de diamante y electrodo de diamante - Google Patents

Procedimiento para fabricar un electrodo de diamante y electrodo de diamante Download PDF

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Abstract

La invención se refiere a un método para producir un electrodo de diamante, que comprende los siguientes pasos: a) proporcionar un cuerpo principal (2) compuesto de silicio, cuyas dimensiones son mayores que las dimensiones del electrodo de diamante (22) a producir. , b) grabar al menos un rebaje (10) en la superficie del cuerpo principal (2), c) introducir puntos de rotura predeterminados (18) en el cuerpo principal (2), d) recubrir el cuerpo principal (2) con diamante , e) romper el electrodo de diamante (22) fuera del cuerpo principal (2) a lo largo de los puntos de ruptura predeterminados (18). (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Procedimiento para fabricar un electrodo de diamante y electrodo de diamante
La invención se refiere a un procedimiento para fabricar un electrodo de diamante, así como a un electrodo de diamante que se puede fabricar según este procedimiento.
Los electrodos de diamante se utilizan hoy en día en particular en una gran cantidad de aplicaciones diferentes. Hoy en día, cuando se fabrican procesadores, se aplica una gran cantidad de capas diferentes con estructuras de filigrana. Para garantizar el correcto funcionamiento, las superficies que se han de recubrir deben limpiarse y acondicionarse periódicamente. En promedio, se realizan de dos a tres procesos de limpieza y acondicionamiento de superficies por cada capa que se vaya a aplicar. Diferentes tipos de impurezas se deben eliminar, a este respecto, mediante diferentes tipos de líquidos de limpieza. Por ejemplo, el agua ozonizada se usa para impurezas orgánicas, mientras que el agua catódica se usa para eliminar partículas dispuestas sobre la superficie. Por ejemplo, el agua anódica se usa para eliminar impurezas metálicas. También se puede utilizar un agua anódica especial que contiene una mezcla de ácido fluorhídrico diluido y ozono para eliminar las superficies y las últimas impurezas.
Hoy en día, para producir todas estas soluciones de limpieza se pueden usar electrodos de diamante en correspondientes disposiciones de electrodos.
Los electrodos de diamante pueden consistir en monocristales de diamante sólido, pero son muy costosos en esta configuración. Por lo tanto, es conocido por el estado de la técnica fabricar electrodos de diamante a partir de un material de base que es revestido con una fina capa de diamante. A menudo se utiliza un metal como material de base para que las corrientes requeridas para producir las diferentes soluciones de limpieza puedan conducirse bien a la superficie de electrodo.
Sin embargo, la desventaja es que los electrodos de metal que solo están recubiertos con una capa de diamante albergan el riesgo de que se produzca una contaminación metálica en la solución de limpieza. Además, los materiales metálicos solo pueden procesarse con el nivel de precisión requerido mediante procedimientos muy complejos, que son correspondientemente costosos.
Los documentos JP2011046994, US2013/313120 y JP2012-144779 divulgan electrodos de diamante.
Por lo tanto, la invención se basa en el objetivo de proponer un procedimiento para fabricar un electrodo de diamante que se pueda llevar a cabo de forma económica y precisa y que también sea adecuado para la fabricación de electrodos de diamante en grandes cantidades.
La invención logra el objetivo planteado mediante un procedimiento para fabricar un electrodo de diamante, que presenta las siguientes etapas:
a) proporcionar un cuerpo de base de silicio, cuyas dimensiones son mayores que las del electrodo de diamante que se va a fabricar,
b) grabar químicamente al menos un rebaje en una superficie del cuerpo de base,
c) realizar puntos de rotura predeterminados en el cuerpo de base,
d) recubrir con diamante el cuerpo de base,
e) romper el electrodo de diamante retirándolo del cuerpo de base a lo largo de los puntos de rotura predeterminados.
Sorprendentemente, se ha demostrado que el silicio es adecuado como material para el cuerpo de base de un electrodo de diamante, aunque como semiconductor tenga una banda prohibida. Esto normalmente evita el flujo de corriente, en particular a tensiones bajas, por lo que el silicio inicialmente no parece ser un material de base adecuado. Se sabe que la conductividad del silicio se puede aumentar mediante dopaje. Sin embargo, dicho silicio altamente dopado es muy difícil de someter a un proceso de grabado químico controlado, de manera que la mejora de la conductividad da como resultado un empeoramiento en la procesabilidad. Sorprendentemente, sin embargo, tal dopaje no es necesario. Se ha encontrado que el revestimiento de diamante aplicado a la cara exterior del cuerpo de base es suficiente para transportar las corrientes eléctricas requeridas. Con este sorprendente hallazgo, ahora se pueden utilizar los procesos de procesamiento y fabricación conocidos de la tecnología de semiconductores, que ya están altamente optimizados y son adecuados para la producción en masa.
Ventajosamente se aplica en primer lugar una capa de adhesión de dióxido de silicio (SO2) que tiene un espesor de aproximadamente 50 nm. Sirve como promotor de adherencia para que se le aplique encima una capa aislante, que puede tener un espesor de 150 nm, por ejemplo, y que es preferentemente de nitruro de silicio (Si3N4). Se le aplica encima una capa fotoactiva en un procedimiento conocido y luego se somete a exposición. Esto se puede hacer utilizando procedimientos convencionales, como los conocidos por los expertos en la técnica como procedimientos de exposición de máscara, por ejemplo.
La capa de aislamiento y la capa adhesiva se eliminan mediante un procedimiento de grabado iónico igualmente conocido, de modo que el material del cuerpo de base queda accesible libremente en las áreas expuestas. Todo esto sirve para el dispositivo del procedimiento de grabado químico propiamente dicho en la etapa de procedimiento b). El grabado químico en sí mismo tiene lugar ventajosamente con una lejía potásica (KOH). A continuación, se eliminan los residuos de las capas de adhesión y aislamiento aplicadas. Esto se puede hacer, por ejemplo, mediante grabado químico con ácido fluorhídrico diluido (HF). Una vez que se completa el proceso de grabado químico, se introducen puntos de rotura predeterminados en el cuerpo de base antes de recubrir este con diamante. Después de recubrir el cuerpo de base con la capa de diamante, el cuerpo de base se rompe a lo largo de estos puntos de rotura predeterminados. A este respecto, se pueden fabricar uno o más electrodos de diamante simultáneamente a partir del mismo cuerpo de base, lo que simplifica la producción en masa y el procedimiento de fabricación correspondiente se puede llevar a cabo de manera más rentable.
El cuerpo de base es ventajosamente un monocristal de silicio. Tales monocristales se utilizan hoy en día en grandes cantidades, por ejemplo en la industria de los semiconductores, y están disponibles en el mercado por consiguiente a bajo coste.
En una configuración preferida, el al menos un rebaje presenta al menos un flanco que discurre a lo largo de un plano cristalográfico predeterminado del cuerpo de base. Se ha encontrado que diferentes planos de red cristalina en el monocristal de silicio tienen diferentes velocidades de grabado químico. Por ejemplo, para el silicio monocristalino, se ha encontrado que el plano (111) se puede grabar unas 400 veces más despacio que el plano (100). De esta manera, pueden grabarse flancos que presentan un ángulo de inclinación predeterminado de forma fija por la estructura cristalina del material utilizado y, por lo tanto, pueden fabricarse con mucha precisión de una manera especialmente sencilla.
Preferiblemente, el al menos un rebaje dispone de varios, preferiblemente cuatro, flancos, de los cuales varios, preferiblemente todos, discurren a lo largo de un plano cristalográfico predeterminado. De esta manera, no solo el ángulo de inclinación de un flanco, sino también el ángulo de inclinación puede generarse de forma fácil y precisa.
Se ha encontrado que es ventajoso que los planos cristalográficos predeterminados sean planos <111>. En el presente caso, esta notación describe el conjunto de planos diagonales en el espacio de la estructura cristalina. Cada uno de los llamados planos cristalográficos es, en consecuencia, uno de los ocho posibles planos diagonales en el espacio. Un monocristal de silicio está presente en la estructura de diamante, es decir, una red cúbica centrada en las caras. Los ocho planos diagonales en el espacio son, en consecuencia, cristalográficamente equivalentes. Por lo tanto, es posible utilizar procesos de grabado químico para producir también los flancos del rebaje que discurren en diferentes direcciones de tal manera que discurran a lo largo de estos planos.
Ha resultado ser ventajoso que el al menos un rebaje forme una abertura a través del cuerpo de base. De esta manera, luego puede ser fácilmente arrastrado por el líquido que va a ser tratado electroquímicamente por el electrodo. Además, se crean bordes afilados, que tienen un radio de curvatura muy pequeño, en particular en la cara inferior, en la que la abertura se completa mediante el grabado químico desde la cara superior. En consecuencia, al menos una gran parte del tratamiento electroquímico y de las reacciones que se producen en él tienen lugar en este punto. Si el al menos un rebaje está configurado como una abertura, el líquido que se va a tratar electroquímicamente también puede fluir simplemente a lo largo de este punto.
Preferiblemente, en la superficie del cuerpo de base se graban químicamente varios rebajes simultáneamente, que de forma especialmente ventajosa están configurados de manera idéntica.
En una configuración preferida del procedimiento, los puntos de rotura predeterminados se sierran en el cuerpo de base. Por consiguiente, consisten en particular en una reducción de espesor dado el caso grande. Ha demostrado ser ventajoso que el espesor del cuerpo de base en el punto de rotura predeterminado se reduzca a como máximo el 30 %, ventajosamente a como máximo el 20 %, de forma especialmente ventajosa a como máximo el 10 % del espesor del cuerpo de base antes de realización de los puntos de rotura predeterminados. Cuanto menor sea el espesor residual, más fácil será romper el electrodo de diamante retirándolo del cuerpo base más adelante. Sin embargo, aumenta la propensión a vibraciones y golpes durante el proceso de fabricación.
Preferiblemente, el espesor del cuerpo de base se reduce a un valor predeterminado antes de que el cuerpo de base se recubra con diamante. Ha resultado ventajoso tratar el cuerpo de base hasta este momento con un espesor que corresponde al espesor habitualmente utilizado en la tecnología de semiconductores. De esta forma, los procedimientos optimizados para la tecnología de semiconductores y los dispositivos y máquinas necesarios para llevar a cabo los procedimientos pueden utilizarse sin necesidad de costosos nuevos desarrollos, productos hechos a medida u otros cambios. Sin embargo, dado el caso, se requiere un electrodo de diamante cuyo espesor sea menor que el espesor original del cuerpo de base. En este caso, el espesor se puede reducir al valor predeterminado en toda la superficie. Esto se puede hacer, por ejemplo, mediante procedimientos de rectificación.
La invención también logra el objetivo planteado mediante un electrodo de diamante que se puede fabricar según uno de los procedimientos descritos en el presente documento.
A continuación se explica con más detalle un ejemplo de realización de la presente invención con ayuda de las figuras adjuntas. Muestra
la Figura 1 - diferentes etapas durante la realización de un procedimiento de acuerdo con un primer ejemplo de realización de la presente invención,
la Figura 2 - varios electrodos de diamante aún no separados individualmente y
la Figura 3 - un fragmento ampliado de un electrodo de diamante.
La figura 1 muestra varias etapas durante la realización de un procedimiento de acuerdo con un primer ejemplo de realización de la presente invención. En el ejemplo de realización mostrado, primero se aplicó una capa fotoactiva 4 sobre un cuerpo de base 2. Puede ser necesario aplicar previamente sobre el cuerpo de base 2, hecho de silicio, otras capas, por ejemplo, una capa de adhesión de dióxido de silicio (SiO2) y/o una capa de aislamiento, ventajosamente de nitrito de silicio (Si3N4). Dependiendo de las capas fotoactivas utilizadas, estas capas son necesarias o ventajosas, pero no se muestran en la figura 1 por motivos de claridad. El cuerpo de base 2 con la capa fotoactiva 4 aplicada sobre el mismo se muestra en la imagen superior izquierda de la figura 1.
En la imagen que se muestra debajo, la capa fotoactiva 4 ha sido tratada, por ejemplo, por exposición. Por lo tanto, presenta una brecha 6 por la que se puede acceder libremente a una superficie 8 del cuerpo de base 2.
La situación después del grabado químico de al menos un rebaje 10 en el cuerpo de base 2 se muestra en la imagen inferior izquierda de la figura 1. Esto se puede hacer, por ejemplo, usando hidróxido de potasio (KOH). Debido a las propiedades especiales del cuerpo de base 2, hecho de silicio, el rebaje 10 dispone de flancos 12 que discurren a lo largo de planos cristalográficos predeterminados. En el caso del silicio, los diferentes planos cristalográficos se pueden eliminar con diferente facilidad mediante grabado químico. Dado que los flancos 12 se extienden a lo largo de planos cristalográficos predeterminados, el ángulo de inclinación que forma el flanco 12 con respecto a la cara superior 8 o a la cara inferior opuesta del cuerpo de base 2 puede generarse y reproducirse con mucha precisión. En el ejemplo de realización mostrado, el rebaje 10 es pasante y por lo tanto crea una abertura 14 a través del cuerpo de base 2.
En la siguiente etapa de procedimiento, cuyo resultado se muestra arriba a la derecha en la figura 1, se eliminan las capas aplicadas sobre el cuerpo de base 2. Esto se puede hacer, por ejemplo, mediante un proceso de grabado químico con ácido fluorhídrico (HF) diluido. Además, la altura o espesor del cuerpo de base 2, que está definido por la distancia entre la superficie 8 y cara inferior 16 opuesta, puede reducirse al nivel deseado. Esto se puede hacer, por ejemplo, a través de dispositivos de rectificado.
A continuación, se realizan en el cuerpo de base 2 puntos de rotura predeterminados 18, lo que da como resultado la imagen que se muestra en la figura 1 en la representación central a la derecha. Los puntos de rotura predeterminados 18 pueden serrarse en la superficie 8 del cuerpo de base 2, por ejemplo, como rebajes, de modo que solo quede una pequeña alma 20 del silicio del cuerpo de base 2. Solo tras esta etapa se recubre con diamante ventajosamente el cuerpo de base 2. Esto se hace usando procedimientos que son convencionales y conocidos por el estado de la técnica. El electrodo de diamante 22 puede entonces separarse individualmente rompiendo las almas 20 en los puntos de rotura 18 predeterminados. Como resultado, el electrodo de diamante 22 se retiran por rotura y se separan individualmente.
La figura 2 muestra ocho electrodos de diamante 22 que aún no se han separado individualmente. Las etapas de procedimiento ya descritas pueden llevarse a cabo, por ejemplo, en una oblea de silicio que puede tener un diámetro de, por ejemplo, 200 mm. A partir de una oblea de este tipo pueden fabricarse un gran número de electrodos, que solo se separan individualmente en la última etapa de procedimiento rompiendo los puntos de rotura predeterminados 18. La figura 2 muestra que cada uno de los electrodos de diamante mostrados tiene una gran cantidad de rebajes 10. En el ejemplo de realización mostrado, todos los electrodos de diamante 22 están formados con el mismo número y disposición de rebajes 10. Esto puede ser una ventaja, pero no es necesario. Es totalmente posible prever diferentes posiciones y números de rebajes 10 para diferentes electrodos de diamante 22, lo que se puede lograr de una manera particularmente sencilla, por ejemplo, usando diferentes máscaras para exponer la capa fotoactiva 4. Ya existen puntos de rotura predeterminados 18 entre los electrodos de diamante 22 que se muestran en la figura 2, que se han serrado en la superficie de la oblea o se han realizado de otra manera. El cuerpo de base 2 puede romperse a lo largo de estos puntos de rotura predeterminados 18 y los electrodos de diamante 22 individuales pueden separarse.
La figura 3 muestra un fragmento ampliado de una vista superior de la superficie 8 de un electrodo de diamante 22. Se muestran tres rebajes 10, cada uno de los cuales dispone de cuatro flancos 12 que se crearon mediante grabado químico de los rebajes 10. También en el ejemplo de realización mostrado en la figura 3, los rebajes 10 son tan profundos que forman aberturas 14, que se muestran en el centro entre los flancos 12. Los flancos 12 se extienden a lo largo de planos cristalográficos predeterminados del monocristal de silicio, que se utiliza ventajosamente como cuerpo de base 2 para el electrodo de diamante 22. Los ángulos de inclinación pueden generarse así de manera muy precisa y reproducible, de modo que también es posible fabricar y fabricar un gran número de electrodos de una manera muy sencilla y, aun así, precisa.
Lista de referencias
2 cuerpo de base
4 capa fotoactiva
6 brecha
8 superficie
10 rebaje
12 flanco
14 abertura
16 cara inferior
18 punto de rotura predeterminado
20 alma
22 electrodo de diamante

Claims (10)

REIVINDICACIONES
1. Procedimiento para fabricar un electrodo de diamante (22), que presenta las etapas de:
a) proporcionar un cuerpo de base (2) de silicio, cuyas dimensiones son mayores que las del electrodo de diamante (22) que se va a fabricar,
b) grabar químicamente al menos un rebaje (10) en la superficie (8) del cuerpo de base (2),
c) realizar puntos de rotura predeterminados (18) en el cuerpo de base (2),
d) recubrir con diamante el cuerpo de base (2),
e) romper el electrodo de diamante (22) retirándolo del cuerpo de base (2) a lo largo de los puntos de rotura predeterminados (18).
2. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por que el cuerpo de base (2) es un monocristal de silicio.
3. Procedimiento según la reivindicación 1 o 2, caracterizado por que el al menos un rebaje (10) presenta al menos un flanco (12) que discurre a lo largo de un plano cristalográfico predeterminado del cuerpo de base (2).
4. Procedimiento según la reivindicación 3, caracterizado en que el al menos un rebaje (10) presenta varios, preferiblemente cuatro, flancos (12), de los cuales varios, preferiblemente todos, discurren a lo largo de un plano cristalográfico predeterminado.
5. Procedimiento según la reivindicación 3 o 4, caracterizado por que los planos cristalográficos predeterminados son los planos <111>.
6. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el al menos un rebaje (10) forma una abertura (14) a través del cuerpo de base (2).
7. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que se graban químicamente varios rebajes (10) simultáneamente en la superficie (8) del cuerpo de base (2), los cuales están configurados de manera idéntica.
8. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que se sierran los puntos de rotura predeterminados (18) en el cuerpo de base (2).
9. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el espesor del cuerpo de base (2) se reduce a un valor predeterminado antes de que el cuerpo de base (2) se recubra con diamante o antes de que se realicen los puntos de rotura predeterminados (18).
10. Electrodo de diamante (22) que puede fabricarse mediante un procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores.
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Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69503285T2 (de) * 1994-04-07 1998-11-05 Sumitomo Electric Industries Diamantwafer und Verfahren zur Herstellung eines Diamantwafers
JP3501552B2 (ja) * 1995-06-29 2004-03-02 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド電極
JPH1027971A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Nec Corp 有機薄膜多層配線基板の切断方法
DE19842396A1 (de) * 1998-09-16 2000-04-13 Fraunhofer Ges Forschung Elektrode für elektrochemische Prozesse
DE10025167B4 (de) * 2000-05-24 2004-08-19 Dirk Schulze Elektrode für die elektrolytische Erzeugung von Ozon und/oder Sauerstoff, diese enthaltende Elektrolysezelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektrode
JP2004204299A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Ebara Corp ダイヤモンド成膜シリコンおよび電極
KR20060009811A (ko) * 2003-05-26 2006-02-01 스미토모덴키고교가부시키가이샤 다이아몬드 피복 전극 및 그의 제조 방법
CN1735716A (zh) * 2003-05-26 2006-02-15 住友电气工业株式会社 金刚石涂敷的电极及其制备方法
US7183137B2 (en) * 2003-12-01 2007-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for dicing semiconductor wafers
KR20050070647A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드가 형성된 기판을 절단하는 방법
JP4547548B2 (ja) * 2004-06-22 2010-09-22 学校法人慶應義塾 マイクロダイヤモンド電極製造方法
JP4746629B2 (ja) * 2005-11-24 2011-08-10 住友電工ハードメタル株式会社 ダイヤモンド電極および電解槽
JP2011046994A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Yokogawa Electric Corp 電解用陽極と該電解用陽極を使用する電気分解装置
JP2011079683A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法
GB201015270D0 (en) 2010-09-14 2010-10-27 Element Six Ltd Diamond electrodes for electrochemical devices
JP5271345B2 (ja) * 2010-12-21 2013-08-21 クロリンエンジニアズ株式会社 導電性ダイヤモンド電極、これを用いた、硫酸電解方法及び硫酸電解装置
JP2012144779A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Kobe Steel Ltd 電解用電極の製造方法
FR2971795B1 (fr) * 2011-02-18 2015-07-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'activation d'une electrode en diamant dope
DE102012112531A1 (de) 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement

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